TEMA 7

PROBLEMA DE LA DISIPACIN TRMICA EN COMPONENTES

1. GENERALIDADES. ______________________________________________________ 2 2. EVACUACIN DEL CALOR PRODUCIDO.__________________________________ 3 2.1. Evolucin de la Tj con el tiempo. ________________________________________ 3 2.2. Ley de Ohm trmica. __________________________________________________ 4 2.3. Circuitos trmicos en dispositivos de unin. _______________________________ 4 2.4. Limitaciones trmicas de componentes. __________________________________ 5 3. OPTIMIZACIN. ________________________________________________________ 6

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1. GENERALIDADES.
La circulacin de corriente por un componente provoca un aumento de la temperatura del cuerpo del mismo que hay que evacuar para evitar daarlo.

Tras un tiempo de funcionamiento, el componente empieza a calentarse, es decir, aumenta su energa trmica, la cual debe salir del interior del componente X hacia el ambiente. Cuando la potencia es demasiado alta lo que ocurre es que el componente no es capaz de expulsar tanta energa, y el componente se destruye.

Con ese criterio de signos, la potencia puesta en juego en el componente X, ser P=V I donde consideraremos dos posibles casos: a) V e I son constantes (caso continuo). La potencia disipada ser:

PD = V I
Si PD >0 , el componente disipa la potencia que le suministran otros componentes. Si PD <0 ,el componente entrega potencia al circuito (generadores). b) V e I varan en funcin del tiempo y son peridicas (caso variable). En este caso podemos hablar de potencia instantnea Pi y potencia media Pm.

Pi (t ) = v (t ) i (t ) 1T Pm = Pi (t )dt T0
Las potencias manejadas por los dispositivos semiconductores (BJTs, TRIACs, MOSFETs, reguladores de tensin, etc...)es en muchos casos de una magnitud considerable. Adems, el problema se agrava teniendo en cuenta que el tamao de tales dispositivos es muy pequeo, lo que dificulta la evacuacin del calor producido. En la unin PN, si la temperatura aumenta lo suficiente, se produce la fusin trmica, inutilizando el dispositivo. La temperatura en el cristal de silicio no puede superar un valor mximo que puede estar entre 125C y 150C (algunos componentes hasta 200C) , (para este ejemplo Tjmax=125C), ya que: Empeoran las caractersticas funcionales del dispositivo. La vida media esperada disminuye al aumentar la temperatura.

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Puede observarse que un dispositivo funcionando a 75C durar unas cuatro veces ms que si trabaja a su temperatura mxima, por tanto es muy importante mantener la temperatura del cristal controlada, an en las condiciones ms desfavorables (Mximas disipacin de potencia y temperatura ambiente).

2. EVACUACIN DEL CALOR PRODUCIDO.

La energa calorfica puesta en juego en un componente X como el del apartado 1, viene dada por

E D = PD t
o bien

(Julios)

E D = 0,24 PD t

(Caloras)

La temperatura del cuerpo permanece constante cuando la cantidad de calor generada se equipara con la cantidad de calor evacuada.
Ta

I
Tj

Tj = temperatura del cuerpo (temperatura de la unin en semiconductores) Ta = temperatura ambiente

V
La temperatura en el cuerpo evoluciona con el tiempo segn la ecuacin diferencial siguiente:

PD =

T j Ta Rth

+ Cth

dT j dt

El primer sumando refleja el calor que est siendo transmitido del interior al ambiente. Dicho calor es proporcional a la diferencia de temperaturas e inversamente proporcional a Rth . Rth es la resistencia trmica del componente, es decir, la oposicin que el calor encuentra para pasar desde el cuerpo del componente hasta el ambiente. Se mide en C/W. Si Rth es pequea,

T j Ta Rth

ser grande, el calor es evacuado bien hacia el ambiente, el componente

puede disipar mucha potencia sin deteriorarse. El segundo sumando representa la cantidad de calor que el componente va almacenando y por eso vara su temperatura interna. Cth es la capacidad trmica del componente, es decir, indica la capacidad para almacenar calor. Se mide en W s C

2.1. Evolucin de la T j con el tiempo.

La solucin de la ecuacin diferencial indica como evoluciona la temperatura d cuerpo con la el temperatura.

Tj = Tj

+ (Tj Tj ) e f i f

th

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Tjf = Valor final Tji = Valor inicial th = Rth Cth = constante de tiempo trmica (segundos)

Tj (C) Tjf

Ta t

3th

La temperatura final que adquiere el cuerpo alcanzado el rgimen permanente es:

Tj final = PD Rth + Ta

2.2. Ley de Ohm trmica.

Interesndonos solo el rgimen permanente, la potencia disipada por el componente viene dada por la expresin conocida como ley de Ohm trmica:

PD =

T j Ta Rth

Se establece una semejanza con la ley de Ohm elctrica (P como I, T como V, y Rth como R).

Tj cuerpo PD

PD

Tj-Ta

Rth

ambiente Ta
Para pasar del cuerpo al ambiente, el calor se encuentra con la resistencia trmica.

2.3. Circuitos trmicos en dispositivos de unin.

En componentes basados en uniones PN, la resistencia trmica que se va a encontrar el calor, va a manifestarse en los distintos elementos de los que se componen dichos dispositivos.

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Cpsula (C) Unin (J) Soporte (S)

La potencia se genera en la unin o uniones del componente. El dispositivo se encuentra sobre un soporte (S) y recubierto todo por una cpsula (C). El calor pasa (se evacua) desde J hacia S y desde ah hacia la cpsula (C). Finalmente, desde la cpsula al ambiente. Es decir, la Rth total del componente ser:

Rth =ja =js +sc +ca

(hemos representado las resistencias trmicas parcia les con la letra griega y los subndices indican entre qu elementos se encuentra la oposicin el calor evacuado). Todo esto se representa mediante el circuito equivalente siguiente:

J (unin)

Tj

js S sc ca C

PD

A (ambiente)

Ta

2.4. Limitaciones trmicas de componentes.

La temperatura que puede alcanzar el cuerpo del componente tendr un lmite impuesto por consideraciones fsico-qumicas y de un valor que denominaremos Tjmax.

PD =

T j Ta Rth

En esta expresin se observa que si Tj tiene un lmite mximo que no podemos

superar, la potencia disipada tampoco podr superar cierto valor mximo. La expresin para obtener la potencia disipada mxima en funcin de la temperatura ambiente (sin que la unin supere la Tjmax), ser:

PD max =
Y su representacin grfica es:

T j max Ta Rth

PDmax
Pendiente=

1 Rth Ta

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Los fabricantes adems de indicar el valor Tjmax, proporcionan el valor de PN , que se define como la mxima potencia que puede disipar el componente de forma continuada, sin sufrir deterioro, a una temperatura dada. La temperatura ambiente para la cual se indica PN , es Ta0:

Ta 0 = T j max Rth PN

PDmax
100% PN

Ta0

Tjmax

Ta

La potencia que disipe el componente en el circuito debe ser siempre inferior o igual a la indicada en la curva de desvataje. Hasta Ta0 la potencia mxima que soporta el componente es PN . Desde Ta0 hasta Tjmax la potencia mxima sigue la expresin PD max = A partir de Tjmax, el componente se destruye incluso sin funcionar.

T j max Ta Rth

3. OPTIMIZACIN.
Ante la limitacin de potencia con la que nos encontramos en componentes reales (vista en puntos anteriores), queremos mejorar la potencia mxima disipada. En la relacin PD max =

T j max Ta vemos Rth

que para que la potencia aumente solo caben dos opciones: - Disminuir la temperatura ambiente. Usando un ventilador podemos reducir la temperatura ambiente. Esta solucin es habitual en componentes (dentro de su circuito) empaquetados dentro de una caja con rejillas (para expulsin de aire). - Disminuir la resistencia trmica del componente. En este caso se acopla un disipador de calor (heatsink) a la cpsula del componente. Un disipador est hecho con un material buen conductor del calor. El contacto entre cpsula y disipador puede ser directo, o con una silicona, o con mica, o con mica ms pasta. Lo que hacemos por este sistema es poner una resistencia trmica ms pequea entre cpsula y ambiente, facilitando la evacuacin de calor, es decir, no podemos mejorar jc pero s ca.

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J (unin)

Tj

jc PD
C

ca
A (ambiente)

cd + d

Ta

cd es la resistencia trmica del contacto entre cpsula y disipador. d es la resistencia trmica del disipador. ca es la resistencia trmica entre la superficie de la cpsula que no queda cubierta por el disipador y el ambiente. Se considera que esta resistencia trmica es mucho mayor que la suma de las otras dos y as podemos suponer que la nueva resistencia entre cpsula y ambiente es cd + d.
Diferentes Rth cpsula-disipador ( cd) dependiendo del contacto: Tipo de cpsula

Para muchos componentes, los fabricantes proporcionan como datos las resistencias trmicas jc y ja. Sin embargo para otros solamente facilitan el valor de jc dejando clara la idea de que dicho componente est pensado para ser usado junto a un disipador. En los componentes cuya disipacin de potencia debe ser apreciable (por las aplicaciones a las que se destina), los fabricantes intentan optimizar el diseo para conseguir una menor jc, as como para que el acoplamiento con el disipador sea ms favorable. Por ejemplo, de la tabla anterior observamos que el encapsulado TO-3 es el que proporciona una menor resistencia trmica entre cpsula y disipador. El transistor 2N3055 tiene un encapsulado de este tipo. El terminal 1 es la base y el 2 es el emisor. El colector es la propia cpsula.

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