Transistor uniunin (UJT)

Smbolo del UJT.

El transistor uniunin (en ingls UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor ( base dos ( terminales ), base uno ( )y

). Est formado por una barra semiconductora tipo N, entre los , en la que se difunde una regin tipo P+, el emisor, en algn punto a lo largo

de la barra, lo que determina el valor del parmetro , standoff ratio, conocido como razn de resistencias o factor intrnseco.

Construccin

Estructura

Circuito equivalente

Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos contactos de base se unen a los extremos de esta superficie tipo n. Estos se indican como y

respectivamente. Un material de tipo p se utiliza para formar una juntura p-n en el lmite de la varilla de aluminio y la placa de silicio tipo n. El tercer terminal llamado emisor ( ) se hace a partir de este

material tipo-p. El tipo n est ligeramente contaminado, mientras que el de tipo p est fuertemente contaminado. Como el tipo n est ligeramente dopado, ofrece una alta resistencia mientras que el material tipo p, ofrece baja resistividad puesto que est fuertemente contaminado.

Caractersticas

Fijndose en la curva caracterstica del UJT se puede notar que cuando el voltaje un valor

sobrepasa

de ruptura, el UJT presenta un fenmeno de modulacin de resistencia que, al

aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, tambin baja el voltaje en el dispositivo, esta regin se llama regin de resistencia negativa, este es un proceso realimentado positivamente, por lo que esta regin no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajacin.

Operacin
El UJT se polariza normalmente segn se v en su curva de polarizacin. La base una tensin positiva (5VVBB30V). Por la resistencia corriente : circula entonces una se lleva a

El ctodo del diodo emisor se encuentra a una tensin:

El diodo puede presentar una polarizacin inversa si una corriente de fuga

es inferior a

por lo que se presentar , el diodo queda

muy pequea. Por otro lado si

es superior

polarizado directamente y por ende circula una corriente que son depositados en

formada por portadores minoritarios

. Esta se anula disminuyendo su valor; por esto la tensin es constante, debe aumentar, lo que disminuye an

disminuye tambin, ahora si bien si ms a .

PUT

Simbolo del PUT

El PUT es un semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es similar al del UJT. Es un tipo de tiristor y a veces se le llama tiristor disparado por nodo debido a su configuracin. Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base de tiempos, pero es ms flexible, ya que la compuerta se conecta a un divisor de tensin que permita variar la frecuencia del oscilador sin modificar la constante de tiempo RC.

Funcionamiento
Si el PUT est polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en conduccin. El PUT permanece encendido hasta que el voltaje andico es insuficiente, entonces, se apaga. El apagado se debe a que la corriente andica llega un valor ligeramente menor a la corriente de sostenimiento.

Conexin tpica del PUT

Es un dispositivo de disparo nodo-puerta (nodo-compuerta) puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tensin ms negativa que el nodo, es decir, la conduccin del PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales. Si el PUT es utilizado como oscilador de relajacion, el voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentacin mediante el divisor

resistivo del voltaje RB1 y RB2, y determina el voltaje de disparo Vp. En el caso del UJT, Vp est fijado por el voltaje de alimentacin, pero en un PUT puede variar al modificar el valor del divisor resistivo RB1 y RB2. Si el voltaje del nodo Va es menor que el voltaje de compuerta Vg, se conservara en su estado inactivo, pero si el voltaje de nodo excede al de compuerta ms el voltaje de diodo Vag, se alcanzara el punto de disparo y el dispositivo se activar. La corriente de pico Ip y la corriente de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la compuerta

Grficos corrientes picos y valle vs resistencia de compuerta

Rg=RB1RB2/(RB1 + RB2)

y del voltaje de alimentacin en VBB. En general Rk est limitado a un valor por debajo de 100 ohm Para tener un diseo exitoso, la corriente de nodo, que la llamaremos I, debe estar entre las corrientes Ip e Iv, de no estarlo, el dispositivo no oscilar. Por ello, se debe tener cuidado al disear la impedancia equivalente Rg y el voltaje de alimentacin, ya que estos parmetros modifican directamente los valores de corriente ya mencionados.

Aplicaciones
El uso del PUT se encuentra casi limitado a su utilizacin en osciladores de relajacin para disparo de tiristores de potencia en aplicaciones de control de fase. Su alta sensibilidad, les permite trabajar con elevados valores de resistencia de temporizacin o pequeos valores de capacitancia, en aplicaciones de baja corriente, tales como temporizaciones muy largas o en circuitos alimentadas con bateras. Adicionalmente, por su conmutacin debido a un proceso de realimentacin positiva de elementos activos, presentan menores tiempos de conmutacin que los UJT donde este proceso se debe a un cambio en la conductividad de la barra de silicio por inyeccin de portadores. En consecuencia menores valores de capacitancia producen pulsos de disparos de la potencia adecuada.