Patente (WO2012083191) SILICON-BASED SOLAR CELL WITH EUTECTIC COMPOSITION, Akram Boukai 1-Resumen Si se mezclan en proporcin eutctica dos

metales y se dejan solidificar se obtiene una estructura eutctica tpica (lamela) como la de la foto. En este caso se mezcla Si y Mg y se obtienen de modo natural dos fases, una es Si y otra Mg2Si, ntimamente interconectadas. De este cristal con estructura eutctica se cortan directamente obleas de las que se fabrican clulas despus de un decapado, difusin de Al (que hace al Si "p" y al Mg2Si "n"y conexin.

La idea de base de la patente es que en este caso la longitud de difusin mmima para tener efecto fotoelctrico, en lugar de ser del espesor de una oblea como en un caso normal (fig 3A), es mucho menor porque es slo la distancia entre estas dos fases (Fig 3B).

Al requerirse una longitud de difusin mucho menor, puede usarse un silicio ms impuro, de grado metalrgico, obtenindose eficiencias superiores al 15%. En resumen, partiendo de un silicio y un Mg metalrgicos se obtienen obleas de ms del 15% con una sola fusin y solidificacin. 2-Otros detalles: 1-Debe buscarse un sistema de dos metales con un eutctico o un eutectoide cercano al 50% de composicin para que se genere la estructura lamelar. 2-Si se dopa adecuadamente, la lamela proporciona un sistema de hetero-junciones p/n muy cercanas, por lo que no se requerir una alta L de difusin de los portadores para tener altas eficiencias en la clula. 3-Usando mezclas de Mg/Si ambos de grado metalrgico y elaborando un dispositivo que conecte esta estructura lamelar se consiguen eficiencias superiores al 15%. 4-En la patente se parte de una mezcla del 57% de Si y 43% de Mg que se deja solidificar. Cuanto ms rpida es la solidificacin, menor espaciado interlamelar, por lo que se requerir menor longitud de difusin 5-La lamela est formada por dominios de SiMg2 y de Si. 6-Otra alternativa es usar el eutectoide del sistema Fe/Si (que se obtiene para un 54.6% de Si) 7-Una vez obtenida la lamela se fabrica la clula con la siguiente secuencia: a-Se cortan wafres del composite Mg2Si/Si. b-En la parte frontal se elimina selectivamente Si con XeF2. El uso de XeF2 como agente gaseoso e isotpico es comn en microlelectrnica para eliminar selectivamente Si por la reaccin: 2XeF2 + Si = 2 Xe + SiF4 c-Se deposita SiO2 en esta cara para aislar d-En la parte posterior se elimina selectivamente el Mg2Si con HNO3.

e-Se deposita SiO2 en esta cara f-Se dopa con Al por difusin. De este modo el Si queda p y el Mg2Si queda n g-Se ponen contactos elctricos. 3-Detalles del montaje experimental. Realiza la fusin en un horno de induccin

4-Foto de la una de las clulas y de su diagrama de voltaje intensidad