ELECTRNICA INDUSTRIAL 1. SEMICONDUCTORES 1.1. CLASIFICACIN DEPENDIENDO DE LA RESISTIVIDAD: A. AISLANTE: MATERIAL DE ALTA RESISTIVIDAD. GRAN RESISTENCIA AL DESPLAZAMIENTO DE ELECTRONES.

B. CONDUCTOR: MUY BAJA RESISTIVIDAD, LOS ELECTRONES ESTN UBICADOS EN LA BANDA DE CONDUCCIN LUEGO NECESITAN POCA ENERGA PARA DESPLAZAR LAS CARGAS. C. SEMICONDUCTORES: RESISTIVIDAD MEDIA Cu = 1 e Si = 4 e Aislante =8e CONDUCTOR SEMICONDUCTOR AISLANTE 1.2. SEMICONDUCTORES: UN SEMICONDUCTOR ES UN ELEMENTO CON PROPIEDADES ELCTRICAS ENTRE LAS DE UN CONDUCTOR Y LAS DE UN AISLANTE. EL SILICIO (DIXIDO DE SILICIO) ES EL QUE MS ABUNDA EN LA TIERRA Y EL SILICIO POR S SOLO NO CONDUCE. 1.2.1. CRISTALES DE SILICIO CUANDO LOS TOMOS DE SILICIO SE COMBINAN PARA FORMAR UN SLIDO, LO HACEN EN UNA ESTRUCTURA ORDENADA LLAMADA CRISTAL. CADA TOMO DE SILICIO COMPARTE SUS ELECTRONES DE VALENCIA CON LOS TOMOS DE SILICIO VECINOS, DE TAL MANERA QUE TIENE 8 ELECTRONES EN EL ORBITAL DE VALENCIA. DEBIDO A LA UNIN POR EL ENLACE COVALENTE, UN CRISTAL DE SILICIO ES CASI UN AISLANTE PERFECTO.

ELECTRN, LO QUE SE INTERPRETA COMO LA APARICIN DE UN HUECO POR CADA TOMO DE IMPUREZA.

1.2.4. CONDUCCION ELECTRICA DEL SEMICONDUCTOR TIPO N LOS ELECTRONES LIBRES SE DIRIGEN HACIA EL EXTREMO EN EL QUE VA CONECTADO EL POLO POSITIVO, MIENTRAS QUE POR EL OTRO EXTREMO LOS NUEVOS ELECTRONES PROCEDENTES DEL POLO NEGATIVO LLEGARAN A CUBRIR A LOS ELECTRONES QUE SE HAN DESPLAZADO.

NEGATIVO DE LA TENSIN V SE APLICA A LOS CONTACTOS DE NODO Y CTODO RESPECTIVAMENTE, HACIENDO QUE CONDUZCA CORRIENTE.

ON PRENDIDO CONMUTACION OFF APAGADO B) RECTIFICADOR:

AL VOLTAJE Vd SE LE LLAMA VOLTAJE DE DISPARO O VOLTAJE DE CONDUCCIN DEL DIODO. EL Vd PARA UN DIODO DE SILICIO ES DE 0.7V Y PARA UN DIODO DE GERMANIO ES DE 0.3 V.

TOMOS DE UN SEMICONDUCTOR TIPO P EN UN SEMICONDUCTOR TIPO P PORTADORES MAYORITARIOS SON HUECOS, MIENTRAS QUE PORTADORES MINORITARIOS SON ELECTRONES. SEMICONDUCTOR TIPO P LOS LOS LOS LOS CONDUCCIN ELCTRICA DEL SEMICONDUCTOR TIPO N 1.2.5. CONDUCCION ELECTRICA DEL SEMICONDUCTOR TIPO P EN UN SEMICONDUCTOR TIPO P, LOS PORTADORES MAYORITARIOS SON LOS HUECOS. LOS HUECOS DEL TOMO 1, ES LLENADO POR EL ELECTRN DE LA BATERA, EL HUECOS DEL TOMO 2 ES LLENADO POR EL ELECTRN DEL TOMO 1, EL HUECO DEL TOMO 1 ES LLENADO POR EL ELECTRN QUE INGRESO LA BATERA Y AS SUCESIVAMENTE HASTA QUE EL ELECTRN LLEGUE AL POLO POSITIVO DE LA BATERA.

2. EL DIODO LED (DIODO EMISOR DE LUZ): ES UN TIPO ESPECIAL DE DIODO QUE PRODUCE LUZ CUANDO CIRCULA CORRIENTE A TRAVS DE L. VIENEN EN COLORES, SIENDO EL ROJO EL MS USADO. SMBOLO

EL DIODO POLARIZADO DIRECTAMENTE CONDUCE LA ELECTRICIDAD. EL POLO NEGATIVO DE LA BATERA REPELE LOS ELECTRONES LIBRES DEL CRISTAL N, Y LOS ELECTRONES SE DIRIGEN HACIA LA UNIN P-N. EL POLO POSITIVO DE LA BATERA ATRAE A LOS ELECTRONES DEL CRISTAL P, QUE EMPUJA A LOS HUECOS HACIA LA UNIN P-N. UNA VEZ QUE UN ELECTRN LIBRE DE LA ZONA N SALTA A LA ZONA P ATRAVESANDO LA UNIN PN, EL ELECTRN ES ATRADO POR EL POLO POSITIVO DE LA BATERA Y SE DESPLAZA DE TOMO EN TOMO HASTA LLEGAR AL FINAL DEL CRISTAL P, DESDE EL CUAL SE INTRODUCE EN EL HILO CONDUCTOR Y LLEGA HASTA LA BATERA. B) POLARIZACIN INVERSA EL DIODO TIENE POLARIZACIN INVERSA CUANDO LOS POLOS POSITIVO Y NEGATIVO DE LA TENSIN V SE APLICAN A LOS CONTACTOS DEL CTODO Y NODO RESPECTIVAMENTE HACIENDO QUE EL DIODO NO CONDUZCA CORRIENTE. BAJO ESTA CONDICIN, EL DIODO ACTA COMO UN AISLADOR.

FORMA FSICA

Semiconductor tipo P 1.2.3. SEMICONDUCTOR TIPO N SI EN LUGAR DE UTILIZAR ELEMENTOS TRIVALENTES SE EMPLEAN PARA EL DOPADO ELEMENTOS PENTAVALENTES, COMO EL BORO, FSFORO. APARECER UN ELECTRN LIBRE POR CADA TOMO DE IMPUREZA.

2.1. CLCULO DE LA RESISTENCIA EN SERIE: EN EL CIRCUITO SERIE, EL VOLTAJE DE LA RESISTENCIA, ES IGUAL AL VOLTAJE DE LA FUENTE MENOS LA CADA DE TENSIN SOBRE EL LED.

VR Vcc VLED ADEMS POR LA LEY DE OHM V R IR IGUALANDO AMBAS ECUACIONES DESPEJANDO LA R, OBTENEMOS: ( )

CONDUCCIN ELCTRICA DEL SEMICONDUCTOR TIPO P 1.3. LA UNION PN (EL DIODO) UN CRISTAL SEMICONDUCTOR CON EXCESO DE ELECTRONES ES DE TIPO N, MIENTRAS QUE SI TIENE EXCESO DE HUECOS ES UN CRISTAL DEL TIPO P. EL DIODO SEMICONDUCTOR, ES UN DISPOSITIVO QUE RESULTA DE LA UNIN DE DOS MATERIALES SEMICONDUCTORES P Y N. SMBOLO

Enlace Covalente

TOMOS DE DE SILICIO EL SILICIO Y EL GERMANIO, POSEEN 4 ELECTRONES EXTERNOS CON LOS QUE ESTABLECEN ENLACES FORMANDO UNA RED CRISTALINA TRIDIMENSIONAL. PARA QUE EL SI SE VUELVA CONDUCTOR, SE REALIZA LA TCNICA DEL DOPAJE O EL DE IMPURIFICACIN (SE LE AGREGA IMPUREZAS). EN ESTAS TCNICAS EN LUGAR DE UNIR TOMOS DE SI CON OTROS TOMOS DE SI, SE UNE A LOS TOMOS DE SI CON OTRAS SUSTANCIAS. 1.2.2. SEMICONDUCTOR TIPO P LOS ELEMENTOS TRIVALENTES COMO POR EJEMPLO EL BORO, EL INDIO, EL ALUMINIO Y EL GALIO TIENEN 3 ELECTRONES EN LA LTIMA ORBITA. SE ESTABLECE UNA UNIN COVALENTE CON TRES DE SUS TOMOS PRXIMOS, QUEDANDO UN CUARTO SIN EL

TOMOS DE UN SEMICONDUCTOR TIPO N

EN UN SEMICONDUCTOR TIPO N PORTADORES MAYORITARIOS SON ELECTRONES, MIENTRAS QUE PORTADORES MINORITARIOS SON HUECOS. LOS LOS LOS LOS

LA TENSIN SOBRE UN DIODO DE SILICIO ES DE 0,7V. EN EL CASO DE LOS LEDs, ES APROXIMADAMENTE 2V Y LA CORRIENTE MXIMA QUE SOPORTAN ES DE 20mA. LA RESISTENCIA EN SERIE CON EL LED, SE LE DA EL NOMBRE DE RESISTENCIA LIMITADORA DE CORRIENTE. EJEMPLO: SUPONGAMOS UTILIZAR UNA BATERA 9Vcc. ENTONCES ( )

FORMA FSICA UNO DE LOS CONTACTOS ES LLAMADO ANODO Y EL RESTANTE CATODO. POR LO GENERAL UNO DE LOS EXTREMOS DEL DIODO TIENE UNA FRANJA DE COLOR, LO CUAL INDICA EL CATODO. 1.3.1. POLARIZACION DEL DIODO SEMICONDUCTOR UN DIODO PUEDE POLARIZARSE DE DOS FORMAS: A. POLARIZACIN DIRECTA B. POLARIZACIN INVERSA A) POLARIZACIN DIRECTA: UN DIODO TIENE POLARIZACIN DIRECTA CUANDO LOS POLOS POSITIVO Y

EL DIODO POLARIZADO INVERSAMENTE NO CONDUCE CORRIENTE. 1.4. TIPOS DE DIODO A) CONMUTADOR: EL DIODO ES UN CONMUTADOR POR QUE EN UN PRIMER MOMENTO SE ENCUENTRA ENCENDIDO (CONDUCE) Y EN UN SEGUNDO MOMENTO ESTA APAGADO (NO CONDUCE).

EL VALOR COMERCIAL MS PRXIMO ES DE 390 . 2.2. DIODO ZENER ES UN DISPOSITIVO QUE POSEE LA PARTICULARIDAD DE MANTENER UN VOLTAJE ENTRE SUS EXTREMOS, CUANDO SE LE POLARIZA EN FORMA INVERSA. SI SE POLARIZA EN FORMA DIRECTA, ACTA COMO UN DIODO CONVENCIONAL. SE USA COMO LIMITADOR O REGULADOR DE VOLTAJE. SMBOLO

CIRCUITO

FIGURA 22. SEMICONDUCTOR TIPO N

3.1.

CLASIFICACION

DE

LOS

TRANSISTORES BIPO LOS TRANSISTORES BIPOLARES SE CLASIFICAN EN: 3.1.1. POR LA DISPOSICION DE SUS CAPAS A. TRANSISTOR PNP B. TRANSISTOR NPN 3. EL TRANSISTOR EL TRANSISTOR ES EL DISPOSITIVO QUE POSEE TRES CAPAS SEMICONDUCTORAS CON SUS RESPECTIVOS CONTACTOS QUE SE DENOMINAN: COLECTOR C, BASE B Y EMISOR E. LA PALABRA BIPOLAR SE DEBE AL HECHO QUE INTERNAMENTE EXISTEN UNA DOBLE CIRCULACIN DE PORTADORES DE CORRIENTE: ELECTRONES Y HUECOS.

LARES

REPRESENTACIN DE LOS DIODOS: PARTE DEL LADO P Y TERMINA EN EL N. DE ESTE MODO SE DISTINGUE SEGN EL DIBUJO SI EL TRANSISTOR ES PNP NPN.

B. TRANSISTORES DE MEDIANA POTENCIA C. TRANSISTORES DE ALTA POTENCIA EL ENCAPSULADO DE LOS TRANSISTORES ES MUY DIVERSO, AUNQUE SIEMPRE PODEMOS DISTINGUIR EN ELLOS LOS TRES TERMINALES. EL ENCAPSULADO ES DIFERENTE PARA LOS TRANSISTORES DE PEQUEA, DE MEDIA Y DE ALTA POTENCIA.

IE =IB + IC BETA ( ): LA BETA DE UN TRANSISTOR SE DEFINE COMO LA RELACIN ENTRE LA CORRIENTE DEL COLECTOR Y LA CORRIENTE CONTINUA DE LA BASE. LA BETA SE CONOCE TAMBIN COMO LA GANANCIA DE CORRIENTE POR QUE UNA PEQUEA CORRIENTE DE BASE PRODUCE UNA CORRIENTE MUCHO MAYOR DE COLECTOR.

LA REPRESENTACIN DE UN TRANSISTOR DE UNIN SE REPRESENTA EN LAS FIGURAS SIGUIENTES. EN ELLAS, EL EXTREMO QUE CONTIENE LA FLECHA SIEMPRE REPRESENTA AL EMISOR. LA FLECHA SIGUE EL CRITERIO DE

3.1.2. POR EL MATERIAL SEMICONDUCTOR EMPLEADO A. TRANSISTORES DE SILICIO B. TRANSISTORES DE GERMANIO 3.1.3. POR LA DISIPACION DE POTENCIA A. TRANSISTORES DE BAJA POTENCIA

3.2. CORRIENTES DE UN TRANSISTOR

Corte (Apagado) VCE se hace mnimo = 0 ( )

COMPUERTA O GATE PARA PROPSITOS DE CONTROL. SMBOLO

ESTRUCTURA FSICA ( )

TENIENDO EN CUENTA QUE LA CORRIENTE DE BASE ES MUCHO MENOR QUE LA CORRIENTE DE COLECTOR, ES HABITUAL HACER LA SIGUIENTE APROXIMACIN: LA CORRIENTE DE COLECTOR ES IGUAL A LA CORRIENTE DE EMISOR. IEI C 3.2.1. VOLTAJE BASE EMISOR DEL TRANSISTOR SI EL TRANSISTOR ES DE SILICIO LA VBE= 0.7 V SI EL TRANSISTOR ES DE GERMANIO LA VBE= 0.3 V 3.3. FUNCIONES DE UN TRANSISTOR

b) corte. 4. ELEMENTOS DE CONTROL Y MANDO 4.1. TIRISTORES LOS TIRISTORES SE USAN EN LA ELECTRNICA DE POTENCIA SE ENTIENDE AQUELLA RAMA DE LA TECNOLOGA ELECTRNICA QUE TRATA DE LA TRANSFERENCIA Y CONTROL DE LA ENERGA ELCTRICA, EN LUGAR DEL PROCESAMIENTO DE LA SEAL ELCTRICA. POR ESTA RAZN, LOS CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS DE LA ELECTRNICA DE POTENCIA SUELEN OPERAR CON TENSIONES Y CORRIENTES DE VALOR ELEVADO. TENSIONES DE KILOVOLTIOS Y CORRIENTES DE CENTENARES DE AMPERIOS SON TPICAS EN LAS APLICACIONES DE ESTA TECNOLOGA. DOS GRANDES CAMPOS DE APLICACIN DE LA ELECTRNICA DE POTENCIA SON LA CONVERSIN DE ENERGA ELCTRICA (DE ALTERNA A CONTINUA, DE CONTINUA A CONTINUA Y DE CONTINUA A ALTERNA) Y EL CONTROL DE MOTORES. ESTAS TCNICAS SE ENCUENTRAN EN APLICACIONES QUE VAN DESDE LOS SISTEMAS DE CALEFACCIN Y REFRIGERACIN DE USO DOMSTICO HASTA EL CONTROL DE ROBOTS Y COMPRESORES QUE SE ENCUENTRAN EN LA INDUSTRIA. LOS TIRISTORES COMPRENDEN A TODOS AQUELLOS DISPOSITIVOS QUE POSEEN CUATRO CAPAS EN SU ESTRUCTURA INTERNA (FAMILIA PNPN) Y ADEMS UN MECANISMO DE CONTROL. LOS TIRISTORES FUNCIONAN COMO UNA ESPECIE DE INTERRUPTOR DEL CONTROL ELECTRNICO Y SE EMPLEAN PRECISAMENTE PARA CONTROLAR GRANDES CORRIENTES DE CARGA EN MOTORES, CALENTADORES, SISTEMAS DE ILUMINACIN Y DEMS CIRCUITOS SIMILARES. INTERNAMENTE ESTN CONFORMADOS POR CUATRO CAPAS DE MATERIAL SEMICONDUCTOR; ALGUNAS DE SUS SECCIONES SE CONECTAN DE MANERA EXTERNA A TERMINALES CONDUCTORAS. EN ESTA CLASIFICACIN SE ENCUENTRAN: SCR, TRIAC, LASCR, SCS, PUT, QUADRAC, DARLISTOR, ETC. 4.2. RECTIFICADOR DE SILICIO CONTROLADO (SCR) ES UN INTERRUPTOR DE ESTADO SLIDO UNIDIRECCIONAL QUE PUEDE FUNCIONAR CON CORRIENTE CONTINUA O CORRIENTE ALTERNA. EL SCR, COMO SU NOMBRE LO INDICA, ES UN RECTIFICADOR DE SILICIO QUE POSEE UN TERCER TERMINAL LLAMADO

4.2.1. FUNCIONAMIENTO DE UN SCR CUANDO NO SE LE APLICA CORRIENTE A LA COMPUERTA, EL SCR SE COMPORTA COMO UN INTERRUPTOR ABIERTO EN CUALQUIER DIRECCIN. PARA QUE EL SCR CONDUZCA, ENTRE NODO Y CTODO, SE REQUIERE DE UN CIERTO NIVEL DE CORRIENTE (PULSO POSITIVO), APLICADO ENTRE LA COMPUERTA Y EL CTODO. DICHO NIVEL DE CORRIENTE DEPENDE DE LA SENSIBILIDAD DE LA COMPUERTA O GATE DEL SCR. UNA VEZ ACTIVADO EL SCR, ESTE SEGUIR CONDUCIENDO AUN CON LA CORRIENTE DE COMPUERTA SUPRIMIDA. PARA QUE EL SCR DEJE DE CONDUCIR ES NECESARIO QUE LA CORRIENTE DE NODO DE REDUZCA A UN VALOR INFERIOR O SE INVIERTA LA POLARIZACIN ENTRE NODO Y CTODO DEL SCR.

PULSO A LA COMPUERTA G, SOLAMENTE ESTE LTIMO CONDUCIR. SI SE INVIERTE LA POLARIDAD DE LA BATERA Y SE APLICA EL PULSO DE DISPARO NUEVAMENTE EN LA COMPUERTA G, SLO EL SCR1 CONDUCIR. EL EFECTO TOTAL DEL DISPOSITIVO ES EL DE PERMITIR EL PASO DE LA CORRIENTE ELCTRICA, INDEPENDIENTEMENTE DE LA POLARIDAD DE LA TENSIN APLICADA EN LAS TERMINALES MT. LA COMPUERTA O GATE EST DISEADA DE TAL MODO QUE LA TENSIN POSITIVA O NEGATIVA, RESPECTO AL NODO 1 (MT1), HACE CONDUCIR AL TRIAC CUALQUIERA SEA LA POLARIDAD DE LA TENSIN QUE HAYA ENTRE LOAS NODOS 1 Y 2 (MT1 Y MT2).

CIRCUITO DE DISPARO DE UN TRIAC. A) TRIAC COMO INTERRUPTOR ABIERTO, B) TRIAC COMO INTERRUPTOR CERRADO 4.3.2. INSTALACIN DE CARGAS DE 220V ESTE CIRCUITO PERMITE MANEJAR CARGAS QUE FUNCIONEN CON 220V DE LA RED ELCTRICA Y QUE CONSUMAN NO MS DE 1500W. LAS POSIBILIDADES SON: LMPARAS, CAFETERAS, VELADORES, ACCESORIOS, ELECTRODOMSTICOS, TELEVISORES Y EQUIPOS DE SONIDO, MOTORES ETC.

PROPIEDADES PUEDEN SER LA EMISIN DE LUZ. EN ESTE APARTADO SE PRESENTAN LOS SIGUIENTES COMPONENTES: DIODOS LED DIODOS LSER TUBO DE RAYOS CATDICOS CRISTALES LQUIDOS 5.1.2. DISPOSITIVOS FOTODETECTORES LOS FOTODETECTORES SON AQUELLOS COMPONENTES QUE VARAN ALGN PARMETRO ELCTRICO EN FUNCIN DE LA LUZ. FOTORRESISTENCIAS FOTODIODOS FOTOTRANSISTORES 5.1.2.1. FOTORRESISTENCIAS LDR (RESISTENCIA DEPENDIENTE DE LA LUZ) UNA FOTORRESISTENCIA SE COMPONE DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR CUYA RESISTENCIA VARA EN FUNCIN DE LA ILUMINACIN. LA FOTORRESISTENCIA REDUCE SU VALOR RESISTIVO EN PRESENCIA DE RAYOS LUMINOSOS. CUANDO INCIDE LA LUZ EN EL MATERIAL FOTOCONDUCTOR SE GENERAN PARES ELECTRN - HUECO. AL HABER UN MAYOR NMERO DE PORTADORES, EL VALOR DE LA RESISTENCIA DISMINUYE. DE ESTE MODO, LA FOTORRESISTENCIA ILUMINADA TIENE UN VALOR DE RESISTENCIA BAJO. SMBOLO FORMA FSICA

CURVA CARACTERSTICA DEL TRANSISTOR.

ZONA DE CORTE: EL TRANSISTOR NO CONDUCE ZONA DE SATURACIN: EL TRANSISTOR CONDUCE CONMUTADOR ZONA ACTIVA: EL TRANSISTOR SE COMPORTA AMPLIFICADOR

COMO

TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR: EL TRANSISTOR SE COMPORTA COMO AMPLIFICADOR: ENTRA 10 Y SALE 1000, TIENEN UNA AMPLIFICACIN DE =100

CIRCUITO DE DISPARO DE UN SCR. A) SCR COMO INTERRUPTOR ABIERTO, B) SCR COMO INTERRUPTOR CERRADO 4.3. EL TRIAC EL TRIAC ES UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR BIDIRECCIONAL CON TRES TERMINALES; O SEA, PUEDE CONDUCIR LA CORRIENTE ELCTRICA EN AMBOS SENTIDOS. LAS TERMINALES NODO Y CTODO SE HAN CAMBIADO POR MT1 Y MT2, QUE ES LA ABREVIATURA DE TERMINAL PRINCIPAL 1 TERMINAL PRINCIPAL 2. SMBOLO.

FIGURA 76. TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR TRANSISTOR COMO CONMUTADOR Saturacin (Prendido) VCE es mximo =1

CIRCUITO EQUIVALENTE EL CIRCUITO EQUIVALENTE PARA EL TRIAC SE PUEDE FORMAR CON DOS SCR EN PARALELO, PERO CON SUS POLARIDADES INVERTIDAS.

a)

Saturacin

4.3.1. FUNCIONAMIENTO DE UN TRIAC SI EL SCR1 SE ENCUENTRA POLARIZADO EN FORMA INVERSA Y EL SCR2 EN FORMA DIRECTA CUANDO SE APLICA EL

5. OPTOELECTRONICA LA OPTOELECTRNICA ES EL NEXO DE UNIN ENTRE LOS SISTEMAS PTICOS Y LOS SISTEMAS ELECTRNICOS. LOS COMPONENTES OPTO ELECTRNICOS SON AQUELLOS CUYO FUNCIONAMIENTO EST RELACIONADO DIRECTAMENTE CON LA LUZ. 5.1. DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS BASICOS A NIVEL DE COMPONENTES PODEMOS DISTINGUIR TRES TIPOS DE DISPOSITIVOS: DISPOSITIVOS EMISORES: EMITEN LUZ AL SER ACTIVADOS POR ENERGA ELCTRICA. SON DISPOSITIVOS QUE TRANSFORMAN LA ENERGA ELCTRICA EN ENERGA LUMINOSA. A ESTE NIVEL CORRESPONDEN LOS DIODOS LED O LOS LSER. DISPOSITIVOS FOTODETECTORES: GENERAN UNA PEQUEA SEAL ELCTRICA AL SER ILUMINADOS. TRANSFORMA, PUES, LA ENERGA LUMINOSA EN ENERGA ELCTRICA. DISPOSITIVOS FOTOCONDUCTORES: CONDUCEN LA RADIACIN LUMINOSA DESDE UN EMISOR A UN RECEPTOR. NO SE PRODUCEN TRANSFORMACIONES DE ENERGA. 5.1.1. DISPOSITIVOS EMISORES LOS DISPOSITIVOS EMISORES SON AQUELLOS QUE VARAN SUS PROPIEDADES PTICAS CON LA APLICACIN DE UN VOLTAJE. ESTAS

FUNCIONAMIENTO DEL LDR CUANDO LA ILUMINACIN, SOBRE EL DISPOSITIVO, AUMENTA LA INTENSIDAD, LA ENERGA DE UN GRAN NMERO DE ELECTRONES EN LA ESTRUCTURA TAMBIN AUMENTA DEBIDO AL INCREMENTO DE PAQUETES ENERGIZADOS DE FOTONES. EL RESULTADO ES UN INCREMENTO DE ELECTRONES RELATIVAMENTE LIBRASEN LA ESTRUCTURA Y UNA DISMINUCIN EN EL VALOR HMICO.

CURVA DE CARACTERSTICA PROMEDIO DE UN LDR 5.1.2.2. FOTODIODOS LOS FOTODIODOS SON DIODOS DE UNIN PN CUYAS CARACTERSTICAS ELCTRICAS DEPENDEN DE LA CANTIDAD DE LUZ QUE INCIDE SOBRE LA UNIN. PARA QUE SU FUNCIONAMIENTO SEA CORRECTO SE POLARIZA INVERSAMENTE, CON LO QUE SE PRODUCIR UNA CIERTA CIRCULACIN DE CORRIENTE CUANDO SEA EXCITADO POR LA LUZ. SMBOLO

5.1.2.3. FOTOTRANSISTOR SE TRATA DE UN TRANSISTOR BIPOLAR SENSIBLE A LA LUZ, NORMALMENTE A LOS INFRARROJOS. LA LUZ INCIDE SOBRE LA REGIN DE BASE, GENERANDO PORTADORES EN ELLA. ESTA CARGA DE BASE LLEVA EL TRANSISTOR AL ESTADO DE CONDUCCIN. EL FOTOTRANSISTOR ES MS SENSIBLE QUE EL FOTODIODO POR EL EFECTO DE GANANCIA PROPIO DEL TRANSISTOR SMBOLO 5.2. EL OPTOACOPLADOR UN OPTOACOPLADOR, TAMBIN LLAMADO OPTOAISLADOR O ACOPLADOR PTICO, ES UN COMPONENTE ELECTRNICO FORMADO POR LA UNIN DE UN DIODO LED Y UN FOTOTRANSISTOR ACOPLADOS A TRAVS DE UN MEDIO CONDUCTOR DE LUZ Y ENCAPSULADOS EN UNA CPSULA CERRADA Y OPACA A LA LUZ.

ESTE ELEMENTO PUEDE SUSTITUIR A ELEMENTOS ELECTROMECNICOS COMO RELS, CONMUTADORES. DE ESTA MANERA SE ELIMINAN LOS GOLPES, SE MEJORA LA VELOCIDAD DE CONMUTACIN Y CASI NO HAY NECESIDAD DE MANTENIMIENTO. 5.3. TIPOS DE OPTOACOPLADORES