FELIX DIAZ PASTRANA GUSTAVO A.

MEDRANO CHAMORRO MEII 24 SENA CENTRO COLOMBOALEMAN

MATERIALES CONDUCTORES MATERIALES AISLADORES MATERIALES SEMICONDUCTORES: MATERIALES INTRINSECOS MATERIALES EXTRINSECOS MATERIALES TIPO P MATERIALES TIPO N

Los elementos conductores tienen facilidad para permitir el movimiento de cargas y sus tomos se caracterizan por tener muchos electrones libres y aceptarlos o cederlos con facilidad, por lo tanto son materiales que conducen la electricidad.

Los aisladores son materiales que presentan cierta dificultad al paso de la electricidad y al movimiento de cargas. Tienen mayor dificultad para ceder o aceptar electrones. En una u otra medida todo material conduce la electricidad, pero los aisladores lo hacen con mucha mayor dificultad que los elementos conductores.

Son los elementos que poseen caractersticas intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones (Generalmente a estos se le introducen tomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida.) esos mismos elementos permiten la circulacin de la corriente elctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar seales de radio, amplificar seales de corriente elctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrnica digital, etc.

Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla Peridica constituyen la materia prima principal, en especial el silicio (Si), para fabricar diodos detectores y rectificadores de corriente, transistores, circuitos integrados y microprocesadores.

Los tomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco electrones en su ltima rbita, de acuerdo con el elemento especfico al que pertenecen. No obstante, los elementos ms utilizados por la industria electrnica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su ltima rbita. En este caso, el equilibrio elctrico que proporciona la estructura molecular cristalina caracterstica de esos tomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los tomos de los elementos semiconductores se unen formando enlaces covalentes y no permiten que la corriente elctrica fluya a travs de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial o corriente elctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad elctrica alguna, se comportan de forma similar a un material aislante.

Los materiales semiconductores, segn su pureza, se clasifican de la siguiente forma: Intrnsecos Extrnsecos

MATERIALES INTRINSECOS

Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conduccin.

MATERIALES INTRINSECOS

Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrnseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atraccin que ejerce el ncleo del tomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conduccin y all funcionan como electrones de conduccin, pudindose desplazar libremente de un tomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente elctrica.

MATERIALES EXTRNSECOS
Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteracin, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente elctrica por su cuerpo en una sola direccin. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los tomos de silicio o de germanio con pequeas cantidades de tomos de otros elementos o "impurezas". Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a elementos semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su ltima rbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco electrones tambin en su ltima rbita [como el antimonio (Sb) o el arsnico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en semiconductores extrnsecos y sern capaces de conducir la corriente elctrica.

MATERIALES TIPO P Y N
TIPO P: Se les llama semiconductores de tipo P a los semiconductores contaminados con impurezas aceptoras. Las impurezas aceptoras son aquellas que agregan un hueco en el material. Estas son impurezas con 3electrones en su rbita de valencia. Al tener solo 3 electrones queda una unin incompleta dejando un hueco para que un electrn libre pueda tomar ese lugar. Este material es de tipo P debido a que la conduccin elctrica se produce debido a su gran nmero de huecos (portadores mayoritarios). Comparados con los electrones los huecos tienen polaridad positiva.

MATERIALES TIPO P Y N
TIPO N: Los semiconductores tipo N son aquellos a los que se le agregan impurezas donaras (que donan un electrn). Estas impurezas suelen tener 5 electrones. De estos 5 electrones 4 formaran una unin con los tomos vecinos y 1 quedara libre. De esta forma este material contiene un mayor nmero de electrones libres comparados con los huecos libres. Este material es de tipo N debido a que la conduccin elctrica se produce debido a su gran nmero de electrones (Portadores mayoritarios) de polaridad negativa. En ambos casos la conduccin se hace por medio de los electrones pero se puede decir que en el material tipo P la conduccin se produce por el movimiento de huecos ya que los electrones se desprenden de una unin dejando un hueco para pasar a otro.