Teoria Ci

ELECTRNICA BSICA
Circuitos integrados elementales

I.0
CIRCUITOS INTEGRADOS ELEMENTALES
Tecnologas de integracin monoltica
Amplificadores multietapa
Amplificadores diferenciales
El amplificador operacional
AO's ideales y reales. C. de transferencia
Amplificador inversor y no inversor
Anlisis de circuitos con AO's
El par acoplado por emisor. Anlisis DC
Caractersticas de transferencia. Anlisis AC
Esbozo de anlisis del acoplo RC
Fabricacin de un transistor npn
Etapas acopladas en alterna y en continua
Pares integrados. Darlington. Cascodo
Fases de realizacin de un N-MOS
Otros dispositivos y componentes integrados
Modos comn y diferencial. CMRR
Diferenciales con FET's
Introduccin. Procesos planares
Fuente de corriente de emisores
Aplicaciones elementales
Clculo analgico con AO's
Circuitos Integrados Elementales
Introduccin
Circuito integrado: Conjunto de elementos
activos y pasivos interconectados y contenidos
en un nico cristal de semiconductor
n
+
n
+
n
+
n
+
n
+
substrato p
n n n
p p p
Aluminio
S C2 E2 B2 B1 E1 C1
Aislante p
+
SiO
2
Dimensiones del orden de mm
2
Integran miles de componentes
Bajo coste
Fiabilidad
Repetitividad
Misma variacin con la temperatura
V
CC
R
C1
C2
Q1 Q2
E1 E2
ELECTRNICA BSICA I.1
Procesos planares (I)
Crecimiento y corte del cristal de Si en obleas.
Fotolitografa
10 cm
200-300 mic
5-25 m
Silano
mscara
fotoresina
Crecimiento epitaxial de una capa de Si con
diferente nivel de impurezas a partir de la reduccin
de ciertos gases
Oxidacin: Crecimiento de una capa superficial
de SiO
2
0.02-2 m
2 4
2 4
2
4 2
H Si SiH
HCl Si H SiCl
+
+ +
2 2 2
2 2 H SiO O H Si + +
Procesos planares (II)
Difusin.
Implantacin inica
Metalizacin
30-200 KeV
Fsforo: para tipo n
Boro: para tipo p
x ( m)
log N (cm
-3
)
10
16
10
21
10
18
0,7
Aluminio
+ fotolitografa
+ ataque qumico
Mayor capacidad de
integracin
Fabricacin de transistores npn
Crecimiento
epitaxial y oxidacin
Capa n epitaxial
substrato p
Capas n
+
enterradas
SiO
2
Apertura de ventanas
para difusin de
aislamiento
aislamiento p
+
p p
p p
Difusin de la base
Metalizacin
Aluminio
E1 B1 B2 C1 C2 E2
Difusin del emisor
n
+
n
+
B2
C2
C1
B1 E2
E1
Otros transistores bipolares
p
n
n
+
n
+
n
+
n
+
p
C B E1 E2 E3
p
n
n
+
n
+
n
+
n
+
p
C B E
1
E
2
E
3
substrato p substrato p
Transistor lateral Transistor vertical
Transistor con multiples emisores
Transistor Schottky
Contacto del
colector
Contactos de
los emisores
Contacto de la
base
aislamiento
E E B C
p
n
n
p
p
+
n
+
B C E
n
+
p
p
C
B
E1
E2
E3
B
C
E3
E2
E1
C
B
E1
E2
E3
C
B
E1
E2
E3
Fabricacin de transistores N-MOS
Implantacin de capa p
+
y crecimiento de capa de
xido grueso.
Si
3
N
4
p
+
SiO
2
p
Ataque selectivo del Si
3
N
4
y crecimiento de una capa
delgada de xido.
Oxido de puerta
xido de campo
Deposicin de la
puerta de polisilicio
Poly
Aislante
n
+
n
+
G D B S
Implantacin fuente y
drenador + Metalizacin
Vista superior
W
L
("self-alignment")
Otros dispositivos integrados
Diodos
1
2
1
2 1
2
Diodo Schottky (metal-semiconductor)
n
+
substrato n
substrato p
Al
SiO
2
1
2
Resitencias
p
p
n
p
p
n
p
p
n
n
+
n
+
n
+
n
+
n
+
p
+
p
+
p
+
p
+
1 1 1 2 2 2
1
2
substrato p
p
+
p
+
regin de aislamiento n
resistencia p
substrato p
p
+
p
+
p
n
regin de aislamiento n
Resistencia variable por tensin
(diodo de efecto de campo)
Otros dispositvos (II)
s
u
b
s
tra
to
p
m
e
ta
liz
a
c
i
n
SiO
2
B
J
2
J
1
p
n
+
n
A
J
2
J
1
C
2
0.2 pF/mil
2
C
1
(parsita)
A
B
substrato
R=10-50
Ohm
n
+
n
s
u
b
s
tr
a
to
p
m
e
ta
liz
a
c
i
n
A
B
J
1
SiO
2
C
1
A
B
J
1
C4 10
-4
pF/mic
2
R=5-10
Ohm
Baratos
Tamao reducido
Fiables
10 OhmR50kOhm; C200pF
No incluyen inductancias
Respuesta en frecuencia limitada
Capacidad de unin
Capacidad MOS
Circuitos integrados
Amplificadores multietapa (I)
V
CC
Acoplo RC
Acoplo continua
Ms complejos de analizar
Amplifican a baja frecuencia
Integrables
Bien diseados son ms
estables con la temperatura
Permiten aumentar las prestaciones con
respecto a la utilizacin de una sola etapa
Amplificadores multietapa (II)
v
s
R
S
E
t
a
p
a

1
R
L
E
t
a
p
a

2
E
t
a
p
a

n
v
O,1
=v
i,2
v
O,N-1
=v
i,N v
O,N
v
i,1
i
N
i
O,2
i
O,1
i
2
i
1
i
L
E
t
a
p
a

k
R
i
,
k
+
1
v
s
R
o,k-1
Equivalente Thvenin etapa k
A
V,m
:Ganancia de tensin de la etapa m cuando se
carga con impedancia infinita.
R
i,k+1
: Impedancia de entrada a la etapa k+1.
R
o,k-1
: Impedancia a la salida de la etapa k-1.
generadores
independientes = 0
( )
|
|
.
|
\
|
+

=
=
1 , ,
,
1
1
m o m i
m i
k m
m
Vm
R R
R
A
( )
S o
R R =
0 ,
i i
i V
v
i vo
A
,
,
,
=
1 , k TH
A
=
k i
R
,
0
1
=
+
i
i
1
1
1
+
+
+
=
k i
k i
k i
i
v
R
,
,
,
1
1
1
=
k
o
k o
k o
i
v
R
,
,
,
n o L
L
N TH
S
n o
V
R R
R
A
v
v
A
,
,
,
+
= =
I.11
Etapas compuestas
Q1
Q2
B
C
E
I
C
I
B
R
C
R
S
V
S
Q1
Q2
B
C
E
V
CC
I
C

2
I
B
I
CO,T
I
CO
r
O
(CC-CE) > r
O
(CC-CC)
CC-CE mejor respuesta en frecuencia que CC-CC
Configuracin CC-CC
(Darlington)
Configuracin cascodo (CE-CB)
Configuracin CC-CE
Igual ganancia en tensin
que la configuracin en
emisor comn
Respuesta en alta
frecuencia mejorada
ELECTRNICA BSICA
EL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
-V
EE
R
C
v
I1
v
O1
I
EE
+V
CC
R
C
v
O2
v
I2
T1 T2
R
eq
circuito simtrico
T1, T2 iguales (CI's)
T1,T2 en activa
Anlisis
(transistores idnticos, fuente de corriente ideal)
slo dependen de la DIFERENCIA
v
D
= v
I1
- v
I2
i
C1
, i
C2
, v
O1
, v
O2
y v
OD
= v
O1
- v
O2
Amplificador de contnua
2 entradas y 2 salidas
Condiciones:
I.12
ELECTRNICA BSICA
|
|
.
|
\
|
T
BE
ES F C
V
v
I i
1
1
exp
0
2 1
= + +
EE E E
I i i
|
|
.
|
\
|
+
T
I I
EE F
C
V
v v
I
i
2 1
1
1 exp
|
|
.
|
\
|
+
T
I I
EE F
C
V
v v
I
i
2 1
2
1 exp
2 12 1 1 BE BE I
v v i i =
|
|
.
|
\
|
T
BE
ES F C
V
v
I i
2
2
exp
i
C2
i
C1
F
I
EE
F
I
EE
2
0
v
D
=v
I1
-v
I2
v
01
v
02
V
CC
-V
CC
0
v
0
=
v
01
-v
02
V
CC- F
I
EE
R
C
0
4kT/e
ZONA LINEAL
Caracterstica de transferencia
INTERRUPTOR (circuitos digitales)
AMPLIFICADOR (circuitos analgicos)
Aplicaciones
Circuitos ECL: muy rpidos
Zona lineal extensa
Buen comportamiento en alta frecuencia
Etapa entrada OPAMPS
Pendiente en la zona lineal:
ganancia controlable con I
EE
I.13
ELECTRNICA BSICA
e kT
I
g
v
i
EE F
m
D
C
/ 4
= =
e kT
R I
R g
v
v
C EE F
c m
D
/ 4
01

= =
CAMBIO DE VARIABLE
V
i1
= V
c
+V
d
/2
V
d
=
V
i1
-V
i2
parte
comn
parte
diferencial
V
c
=
V
i1
+V
i2
2
V
i2
= V
c
-V
d
/2
Anlisis en pequea seal
En la regin lineal, TRT's en activa
R
C
R
C
h
fe
I
b1
h
fe
I
b2
V
o1
V
o2
R
eq
h
ie
h
ie
I
b1
I
b2
V
i1
V
i2
V
od
= f (V
c
+V
d
/ 2,V
c
-V
d
/2) = =
V
ox
= f (V
i1
,V
i2
) = =
A
d
>>A
c
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL SI
Cifra de mrito: FACTOR DE RECHAZO AL MODO COMN
CMRR(dB) = 20 log
A
d
A
c
f(V
d
/2,-V
d
/2) f(V
c
,V
c
)
= + = =
CIRCUITO LINEAL
rgimen senoidal permanente
modo
comn
modo
diferencial
A
d
V
d
A
c
V
c
= +
I.14
ELECTRNICA BSICA
CIRCUITO LINEAL
superposicin
Respuesta al modo comn
R
C
R
C
h
fe
I
b1
h
fe
I
b2
V
o1
V
o2
2R
eq
h
ie
h
ie
I
b1
I
b2
V
c
V
c
V
od
2R
eq
por simetra, no puede circular corriente
por esa rama (teorema de BARTLETT)
el circuito queda dividido en dos partes IDNTICAS
Respuesta al modo diferencial
R
eq
R
C
R
C
h
fe
I
b1
h
fe
I
b2
V
o1
V
o2
h
ie
h
ie
I
b1
I
b2
V
d
/2
-V
d
/2
V
od
por simetra, el potencial en este punto
es cero (teorema de BARTLETT)
el circuito queda dividido en dos partes IDNTICAS
I.15
ELECTRNICA BSICA
-h
fe
R
C
h
ie
+(1+h
fe
)2R
eq
V
c
V
o1
-h
fe
R
C
2h
ie
V
d
= +
h
ie
+(1+h
fe
)2R
eq
V
c
I
b1
2h
ie
V
d
= +
V
o2
-h
fe
R
C
h
ie
+(1+h
fe
)2R
eq
V
c
h
fe
R
C
2h
ie
V
d
= +
V
od
0 V
c
-h
fe
R
C
h
ie
V
d
= +
I
b2
h
ie
+(1+h
fe
)2R
eq
V
c
2h
ie
-V
d
= +
diferencial comn
Respuesta total
SALIDA: ASIMTRICA DIFERENCIAL
SE REQUIEREN FUENTES DE CORRIENTE DE
ALTA IMPEDANCIA
I.16
ELECTRNICA BSICA
( )

+ +
=
eq m
ie
eq fe ie
R g
h
R h h
CMRR
2
1 2
Fuente de corriente en emisor
-V
EE
R
3
R
2
R
1
T3
Continua (T3 en activa):
1; R
3
(1+ )R
B
Alterna
-V
EE
R
E
Resistencia
Continua:
Alterna:
I
EE
=
V
EE
-V
BE
R
E
R
eq
=R
E
acoplados
Fuente con transistor
Para un mismo valor de I
EE
el transistor proporciona
mejor CMRR
Diferencial con FET 's
Para alta impedancia de entrada
+
-
I.17
ELECTRNICA BSICA
( )
2 1
2 1
2 1
2
3 3
1
R R
R R
R
R R
R V
V
R
V V
R R
V V
I
B
EE
B
BE B
B
BE B
EE
+
=
+
=
+ +

=

( )
|
|
.
|
\
|
+
+ + + =

fe
ie B
oe B ie eq
h
h R
R
h R h R R
3
1
3
1 //
EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL
-
+
v
-
v
+
v
D
v
O
+V
CC
-V
CC
Amplificador operacional ideal
Amplificador diferencial de
continua,
con:
Ganancia diferencial infinita
Rechazo al modo comn infinito
Impedancia de entrada infinita
(corrientes de entrada nulas)
Impedancia de salida nula
Amplificador operacional real
caractersticas tipo LF411
A
d
(dB)>88
CMRR(dB)>70
I
i
< 0.2 nA
R
o
< 40 ohm
R
in
>10
12
ohm
v
-
v
+
R
i
R
o
A
d
v
D
+A
c
v
C
v
O
+V
CC
-V
CC
v
O
v
D
+V
CC
-V
CC
ZONA LINEAL
PENDIENTE=
OFFSET
-A
d
ideal
real
Caracterstica de transferencia
L
F
4
1
1
C
N
N
S
C

8
9
2
6
I.18
ELECTRNICA BSICA
Anlisis de circuitos con AO's
La ganancia del operacional es tan grande que una
fraccin de mV entre las entradas produce la
saturacin de la salida
LA TENSIN DIFERENCIAL A LA ENTRADA
ES NULA (CORTOCIRCUITO VIRTUAL)
v
+
=v
-
Regla 1
Las corrientes de entrada al operacional son muy
pequeas
POR LAS ENTRADAS NO HAY CORRIENTE
(CIRCUITOS ABIERTOS)
i
+
=i
-
=0
Regla 2
-
+
v
-
v
+
i
+
i
-
CMO FUNCIONA?
La salida acta sobre la red externa (de
REALIMENTACIN) para conseguir tensin
nula a la entrada, pero slo dispone del margen
entre las tensiones de alimentacin
I.19
ELECTRNICA BSICA
Amplificador inversor
-
+
v
-
v
+
v
I
v
O
R
1
R
2
(no hay corriente por las
entradas)
(cortocircuito o
tierra virtual)
Amplificador no inversor
-
+
v
-
v
+
v
I
v
O
R
1
R
2
Ganancia determinada por elementos de la red
de realimentacin
I.20
ELECTRNICA BSICA
( )
d O d d O
O
A v v v A v v A v
R
v v
R
v v
/ = = =
+

2 1
1 I
d
O
v
A
R R
R
R
v
2 1
1
2
+
+
=
0
1
2
=

v v
R
R
v A
I O d
y si

I O
v
R
R
v
|
|
.
|
\
|
+ =
1
2
1
Aplicaciones elementales (1)
-
+
v
2
R
2
v
1
R
1
v
N
R
N
v
O
R
-
+
v
I
v
O
=v
I
Z
i
oo
Z
o
=0
Sumador
Seguidor
Adaptador ideal en tensin
Conversor V-I
-
+
v
I
R
Z
L
i
L
=v
I
/R
Amplificador de
transadmitancia
-
+
i
I
R
v
O
=-Ri
I
Conversor I-V
Amplificador de
transimpedancia
I.21
ELECTRNICA BSICA
N
N
O
v
R
R
v
R
R
v
R
R
v
|
|
.
|
\
|
+ + + =
2
2
1
1
-
+
v
I
R
v
O
C
Diferenciador
-
+
R
+
-
v
C
v
I
v
O
C
Integrador
Funcin de transferencia en alterna
20log
V
o
V
i
logf
20 logf
-20 logf
INTEGRADOR
DIFERENCIADOR
Aplicacin a la resolucin de ecs. diferenciales
Aplicacin al filtrado de seales analgicas (filtros activos)
I.22
ELECTRNICA BSICA
dt
dv
RC v
I
O
=
( )

=
=
t
I
t
C O
dt v
RC
v v
0 0
1
( Si v
I
kT/e )
-
+
v
I
R
v
O
i
( Si v
I
RI
0
)
Amplificador logartmico
Inconveniente: muy sensible a T a travs de I
0.
MEJOR:
-
+
v
I
R
v
O
Amplificador exponencial
-
+
v
I
R
I
R
v
O
= -
kT
e
ln
v
I
RI
R
I.23
ELECTRNICA BSICA
|
|
.
|
\
|

|
|
.
|
\
|
+ =
0
0
1
RI
v
In
e
kT
RI
v
e
kT
v
I
I
o
In
|
.
|
\
|

|
.
|
\
|
=
kT
ev
RI
kT
ev
e
RI
v
I
o
I o
o
exp
exp 1
Clculo analgico
x
-
+
y
log
log
exp
sumador
logx
logy
log(xy)
v
O
=Cte xy
Multiplicador
(Hay otras versiones
ms prcticas)
Elevador al cuadrado
z
x
y
multiplicador
xy
z
2
Extractor de raz cuadrada
x
multiplicador
y
xy
-
+
R
2
R
1
xy
v
I
I.24
ELECTRNICA BSICA
I O
v
R
R
v
1
2
=
ENTRADA
NIVEL
CONTINUA
ETAPAS
GANANCIA
SALIDA
Amplif.
diferencial
CMRR
Determina:
Offset
Z entrada
(Darlington,
FET)
Etapas en
emisor
comn
Determina:
Ganancia
de tensin
Seguidor
de emisor
Determina:
Tensin de
reposo nula
a la salida
Determina:
Z salida
Margen
dinmico
Ganancia
de corriente
Varias
configu-
aciones
Estructura de los operacionales
I.25
ELECTRNICA BSICA

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