CARACTERÍSTICAS DE LOS MOSFET.

Existen cuatro tipos principales de transistores MOSFET. Didácticamente conviene analizar

primero que es el más común de todos que es el de canal N de empobrecimiento (o de deplexión).
Este tipo de Mosfet es prácticamente el único usado en fuentes de alimentación.

El FET de semiconductor–oxidometal, o MOSFET posee cuatro electrodos llamados

“fuente” “compuerta” “drenaje” y “sustrato”. A diferencia del JFET, FET de juntura o
simplemente FET o transistor de efecto de campo, la compuerta está aislada galvánicamente del
canal. Por esta causa, la corriente de compuerta es extremadamente pequeña, tanto cuando la
tensión de compuerta es positiva como cuando es negativa. La idea básica se puede observar en la
Figura 1, en donde se muestra un corte de un MOSFET de empobrecimiento de canal N. Se
compone de un material N (silicio con impurezas dadoras) con una zona tipo P a la derecha y una
compuerta aislada a la izquierda. A similitud de una válvula electrónica, en donde los electrones
libres circulan desde el cátodo a la placa, en un MOSFET circulan desde el terminal de “fuente”
al de “drenaje”, es decir desde abajo hacia arriba en el dibujo. En la válvula lo hacen por el vacío
y en el MOSFET por el silicio tipo N. La zona P se llama sustrato (algunos autores la llaman
cuerpo) y opera como si fuera una pared que presenta una dificultad a la circulación electrónica.
Los electrones deben pasar por un estrecho canal entre la compuerta y el sustrato. La idea es que
el silicio tipo N es un buen conductor, pero en la zona del sustrato se agregan impurezas tipo P
que cancelan esa conductividad haciendo que esa zona sea aisladora.

Sobre el canal se agrega una delgada capa de dióxido de silicio (vulgarmente vidrio) que
opera como aislante. Sobre esta finísima capa de vidrio se realiza una metalización que opera
como compuerta. Dado que la compuerta es aislada, se puede colocar en ella un potencial tanto
negativo como positivo, tal como se puede observar en la figura 2:
 a) Tensión de puerta negativa

b) Tensión de puerta positiva

En la parte (a) se muestra un MOSFET de empobrecimiento con una tensión de compuerta

negativa.

La alimentación VDD, obliga a los electrones libres a circular desde la fuente hacia el
drenaje. Estos circulan por el canal estrecho a la izquierda del sustrato P. La tensión de
compuerta controla el ancho del canal. Cuanto más negativa sea la tensión de compuerta, menor
será la corriente que circula por el MOSFET debido a que el campo eléctrico empuja a los
electrones contra el sustrato. Inclusive una tensión suficientemente negativa podrá,
eventualmente, cortar la circulación de corriente.

Cuando se pone tensión positiva en la compuerta, el canal N tiene toda su capacidad libre y
el MOSFET se comporta como una llave cerrada. En las curvas de la figura 3 se puede observar
el paralelismo extremo entre una válvula y un MOSFET. En “a” se puede observar la familia de
curvas para diferentes tensiones de compuerta.

Observe que la corriente de drenaje se mantiene prácticamente constante

independientemente de la tensión de “drenaje-fuente”, salvo en la zona inicial que se llama zona
óhmica y que no es utilizada cuando el transistor funciona como llave.

La familia de curvas se suele dividir en dos secciones. Las que están por debajo de cero y
hasta VGSoff se llama sección de empobrecimiento y las que están por encima sección de
enriquecimiento. Esto significa que el canal no sólo se puede angostar; en efecto, si se colocan
tensiones positivas en la compuerta las lagunas del sustrato son repelidas y el canal se ensancha.

En “b” se puede observar la curva de transferencia de un MOSFET de empobrecimiento en

donde Idss es la corriente de drenaje con la puerta en cortocircuito.

Como la curva se extiende hacia la derecha, ésta no es la máxima corriente de drenaje. En

efecto, tensiones positivas de compuerta generan una corriente de drenaje mayor.

El símbolo eléctrico de un MOSFET de canal N de empobrecimiento puede observarse en

la figura 4 al lado de su dibujo en corte.
 La compuerta se representa como una línea vertical con una salida hacia la izquierda. A su
derecha se dibuja el canal como otra línea vertical fina, con una salida superior que es el drenaje
y otra inferior que es la fuente. La flecha, en el sustrato P, apunta hacia adentro en el MOSFET
de canal N de estrechamiento como indicando que el canal es estrecho.

El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:

Estado de corte
Cuando la tensión de la puerta es idéntica a la del sustrato, el MOSFET está en estado de no
conducción: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador. También se llama mosfet a los
aislados por juntura de dos componentes.
Conducción lineal
Al polarizarse la puerta con una tensión negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea una
región de deplexión en la región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión crece lo
suficiente, aparecerán portadores minoritarios (electrones en pMOS, huecos en nMOS) en la
región de deplexión que darán lugar a un canal de conducción. El transistor pasa entonces a
estado de conducción, de modo que una diferencia de potencial entre fuente y drenador dará lugar
a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensión de
puerta.
Saturación
Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de conducción bajo
la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador y desaparece. La corriente entre
fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debido al campo eléctrico entre ambos, pero se
hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
Modelos matemáticos
 Para un MOSFET de canal inducido tipo n en su región lineal:

V 2DS
I D =K ⌈ ( V GS +V T ) V DS − ⌉
2

En donde:
 b μn ϵ
K=
LW

Y
B = Ancho de canal.
µn = Movilidad de los electrones.
ɛ = La permitividad eléctrica de la capa de óxido.
L = La longitud del canal.
W = El espesor de la capa de óxido.

Cuando el transistor opera en la región de saturación, la fórmula cambia a la siguiente

forma:

K +1
I D (SAT )= ( V GS −V T ) 2
K0

Estas fórmulas son un modelo sencillo de funcionamiento de los transistores MOSFET,

pero no tienen en cuenta un buen número de efectos de segundo orden, como por ejemplo:
 Saturación de velocidad: La relación entre la tensión de puerta y la corriente de drenador no
crece cuadráticamente en transistores de canal corto.
 Efecto cuerpo: La tensión entre fuente y sustrato modifica la tensión umbral que da lugar al
canal de conducción
 Modulación de longitud de canal.

Aplicaciones:
La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,
consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios.
Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:
o Resistencia controlada por tensión.
o Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
o Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Ventajas
La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-
mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares:
 Consumo en modo estático muy bajo.
 Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).
 Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
 Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia
de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los
nanoamperes.
 Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de superficie
que conlleva.
 La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos.
 Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y
baja potencia.