Un Semiconductor intrínseco tiene σ=1.1 (Ωcm)-1 a 10 °C y 1.72 (Ωcm)-1 a 17°C.

¿ Cuanto vale la
brecha de energía?

Solución:

T1  10C  283K ,  10C  1.1  1cm 1

T2  17C  290 K ,  17C  1.72  1cm 1
Para T1 :
Eg
 10C   0 exp[ ]
2 KT1
Para T2 :
Eg
 17C   0 exp[ ]
2kT2
T2 1.72 E 1 1
  exp[  g (  )]
T1 1.1 2 K T2 T1
1.5636  exp( Eg *0.494)
ln(1.5636)
Eg   0.9eV
0.494
2. ¿A qué temperatura debe enfriarse el Ge para que su conductividad se reduzca en un factor
de 2 su valor a 20°C?

Solución:

T1  ? T2  20C  293K
Eg  0.67eV
Para T2 :
Eg
 20C   0 exp[ ]
2 KT2
Para T1 :
 20C E
  0 exp[ g ]
2 2 KT1
T2 exp[ Eg / (2 KT2 )

T1 exp[  Eg / (2 KT1 )
0.67eV 1 1
2  exp[ 5
(  )
2(8.62 x10 eV / k ) 293 T1
T1  278 K  5C
Un pedazo de Si mide 1mmX1mmX0.1mm, qué tan rá pido atraviesan los electrones
una diferencia de potencial de 37 mV a través de su direcció n corta?

V 0.037V V
E   0.37
d 0.00001mm mm
Vd  Velocidad de arrastre
Para un área de1 mm 2 :
m2 mm 2
  0.135  135000
V *s V *s
mm 2 V
Vd   E  135, 000  0.37
Vs mm
mm m
Vd  49,950  50
s s