LABORATORIO DE COMUNICACIONES ANÁLOGAS

PRACTICA#3

JULIAN ANDRES VALERO ZARATE COD 20051005113

GRUPO 1

PROFESOR:

JOSÉ POVEDA

Comunicaciones análogas

UNIVERSIDAD FRANCISCO JOSÉ DE CALDAS

INGENIERÍA ELECTRÓNICA

BOGOTÁ D.C

PRIMER SEMESTRE 2010

OBJETIVOS

• Diseñar un amplificador de pequeña señal.

• Comprobar en el circuito máxima transferencia de potencia como forma de prueba

del mismo.

• Tener en cuenta en el momento de diseñar la utilización de los elementos

adecuados para trabajar a las frecuencias deseadas.

MATERIALES

 Transistor de pequeña señal

• 1 carga de 50Ω

• Condensadores y bobinas de radio frecuencia.

• Osciloscopio, o analizador de red vectorial.

• Generador de ondas.

• Sondas de radiofrecuencia sma-bnc machos.

• Substrato de rf.

• Materiales para imprimir el “layout” en es substrato.

• Fuente DC

• Cautín y soldadura adecuados para rf.

MARCO TEÓRICO – TERCERA PRÁCTICA

MARCO TEÓRICO – TERCERA PRÁCTICA

La polarización de un transistor es la responsable de establecer las corrientes y tensiones

que fijan su punto de trabajo en la región lineal (bipolares) o saturación (FET), regiones en
donde los transistores presentan características más o menos lineales.
Al aplicar una señal alterna a la entrada, el punto de trabajo se desplaza y amplifica esa
señal.

El análisis del comportamiento del transistor en amplificación se simplifica enormemente

cuando su utiliza el llamado modelo de pequeña señal obtenido a partir del análisis del
transistor a pequeñas variaciones de tensiones y corrientes en sus terminales.

Bajo adecuadas condiciones, el transistor puede ser modelado a través de un circuito

lineal que incluye equivalentes Thévenin, Norton y principios de teoría de circuitos
lineales.

El modelo de pequeña señal del transistor es a veces llamado modelo incremental de

señal. Los circuitos que se van a estudiar aquí son válidos a frecuencias medias, aspecto
que se tendrá en cuenta en el siguiente tema.

En la práctica, el estudio de amplificadores exige previamente un análisis en continua para

determinar la polarización de los transistores.

Posteriormente, es preciso abordar los cálculos de amplificación e impedancias utilizando

modelos de pequeña señal con objeto de establecer un circuito equivalente.

Ambas fases en principio son independientes pero están íntimamente relacionadas.

CALCULOS PARAMETROS Y
Los parámetros Y del circuito para la configuración de 2 puertos es:

I1
Yi= V =0 , Admitancia de entrada de corto−circuito
V1 2

I1
Yr= V =0 , Admitanciade transferencia inversa de corto−circuito
V2 1

I2
Yf = V =0 , Admitanciade transferencia directa de corto−circuito
V1 2

I2
Y O= V =0 , Admitancia de transferencia de salida de corto circuito
V2 1

Matemáticamente:

I 1=Y i V 1 +Y r V 2

I 2=Y f V 1 +Y o V 2

Realizo el equivalente hibrido pi para el transistor en emisor común:

Teniendo en cuenta lo anterior hallamos:

1
gm= ℜ =40|I c|

hie =Rμ+ Rπ , donde rπ es r b' entonces

βo
rπ = =β o∗ℜ β o es ≅ hfe en baja frecuencia
gm

f T =frecuencia de transicion

cμ

gm 1
cπ = −cμ ≈
wT ℜ∗wT

ESTABILIDAD:

FACTOR C ESTABILIDAD DE LINVILL:

|Y f Y r|
C=
2∗gi∗go−ℜ [ Y f Y r ]

Donde gi es la parte real de Yi y go es la parte real de Yo.

FACTOR k ESTABILIDAD DE STERN:

2(gi+Gs)( go+Gl)
k=
|Y f Y r|+ ℜ [ Y f Y r ]
Donde gs es la parte real de Ys y gl es la parte real de Yl.

MANERAS DE ASEGURAR ESTABILIDAD:

 Unilaterizacion:

Se escoge teniendo en cuenta que:

Y RF=−Y CT De modoque si Y RC =C NO HAY TRANSMICION INVERSA

 Neutralización:
Debe ser suficientemente pequeña como para que la operación sea estable entonces:

Y RC =−g RT

GANANCIAS

 GANANCIA EN POTENCIA DE OPERACIÓN:[ Go ]

|Yf |2∗Gl
Gp= 2
|Yl +Yo| ∗G 1

 GANANCIA DISPONIBLE: [ GA ]

2
|Yf | ∗Gs
GA=
ℜ [ ( Yi Yo−Yf Yr +YoYs )( Yi+Ys ) ]

 GANANCIA DE TRANSDUCTOR: [ ¿ ]
2
4 GsGl|Yf |
¿= 2
|(Yi +Ys ) ( Yo+ Yl ) −Yf Yr|

 MAXIMA GANANCIA DISPONIBLE: [ MAG ]

|Yf |2
Gp=
4 gi go

DISEÑO Y CÁLCULOS

Utilizaremos un transistor 2N720A tiene los parámetros siguientes Y a 100Mhz

Con vce=10v e ic=5ma

 Yi=8+j5.7mv
 Yf=52-j20mv
 Yo=0.4+j1.5mv
 Yr=0.01+j0.1mv

Para que tenga máxima ganancia en potencia en la fuente con una resistencia de 50
ohmios y una carga de 50 ohmios a 100mHz

1. Calculo la estabilidad de livill:

|Y f Y r|
C= =0.71 dispositivo incodicionalmente estable
2∗gi∗go−ℜ [ Y f Y r ]

2. calculo de Mag:
2
|Yf |
Gp= =23.8 dB que esta entre rango mayor a 20 dB
4 gi go

3. calculo de las admitancias de la fuente y de carga para el acoplamiento conjugado

simultaneó.

Gs=6.95mv

Bs=−J 12.41 mv

Por lo tanto la admitancia de la fuente que el transistor debe ver para máxima
transferencia de potencia es 6.95-j12.41 mv. En consecuencia la admitancia de entrada
del transistor debe ser 6.95+j12.41 mv para la carga:

Gl=0.347 mv

Bl=− j 1.84 mv

Para la máxima transferencia de potencia la admitancia de carga debe ser

0.347 mv− j1.84 mv, luego la admitancia de salida del transistor debe ser el complejo
conjugado 0.347 mv + j 1.84 mv.
4. diseño de acoplamiento empreñado carta de SMIHT. la carta se trabaja con valores
normalizados y para Ys=6.96-j12.45mv empleamos N=50

Ys´=0.34-J0.62v

Esta admitancia se encuentra en el Anexo 1 y la impedancia correspondiente es Zs

´=0,69+j1.2 el circuito de acople de entrada debe trasformar la impedancia de la
fuente 50ohmios en la impedancia representada por Zs escogiendo una red de 2
elementos por simplicidad convenientes.

C en serie =-j13

L paralelo=j1.1

Valores de los componentes:

1
Sabiendo que la Xc= hallo entonces el valor de
2 πfC
1 1
C= = =¿24.5pF
2 πfXCN 1.3∗2 π∗50∗100∗10 6

Sabiendo que la Xl=2 πfl hallo entonces el valor de

N 50
L= = =72 nH
WB 2 π∗¿(1.1)100∗106

5. Diseño del acoplamiento de salida con un procedimiento similar pero empleando

N=200 normalizamos Yl:
YL´: 0.069-j0.368 v

Zl´:0.495+j2.62 debe ser trasformada a 50ohmios que es la carga

Escojo la res de elementos

C serie=-j1.9

Lparalelo=j0.89

Valores de los componentes:

1
Sabiendo que la Xc= hallo entonces el valor de
2 πfC
1 1
C= = =¿4.18pF
2 πfXCN 1.9∗2 π∗200∗100∗10 6

Sabiendo que la Xl=2 πfl hallo entonces el valor de

N 200
L= = =357.652nH
WB 2 π∗( 0.89)100∗106

6. diseño de polarización del circuito

 Puntos de trabajo
o Ic=5mA vce=10v vcc=20v B=50
 Asumo VE=2.5
 IE=IC=5mA
 Calculo Re
VE
ℜ= =500 Ohmios
IE

 Calculo Rc
 Vcc−Vc
Rc= =1.5 k Ohmios
Ic

 Calculando las dos resistencias de base para tener estabilidad térmica

R1=2k ohmios

R2=12k ohmios

TOMA DE DATOS

VALOR TEORICO VALOR PRACTICO % DE ERROR

CONCLUSIONES


 BIBLIOGRAFIA

 http://www.asifunciona.com/electrotecnia/ke_corriente_directa/ke_corriente_directa_2
.htm
 Circuitos microelectrónicas de adel S sedra, mc graw hill
 Rf circuits, Chris bowick
ANEXOS
Acople de entrada
Acople de salida