ESTRUCTURA

ESTRUCTURA
ELECTRÓNICA
ELECTRÓNICA DE
DE
LOS
LOS SÓLIDOS
SÓLIDOS

Profesora:
Profesora:
Luz
Luz Stella
Stella Quintero
Quintero R.
R.
 BANDAS ENERGETICAS
 Cuando un sólido se forma, los niveles de
energía de los átomos se ensanchan y
forman bandas con gaps (zonas prohibidas).

 Los electrones pueden tener valores de

energía correspondientes a una de las
bandas, pero no pueden poseer energías
correspondientes a los gaps que hay entre
las bandas.
 BANDAS ENERGETICAS
 Las bandas de menor energía, debida a los
niveles atómicos internos, son más
estrechas y están llenas de electrones (no
contribuyen a las propiedades electrónicas
del material).

 Los electrones externos o de valencia, que

mantienen a los átomos del cristal enlazados
entre sí, ocupan lo que se llama la BANDA
DE VALENCIA.
 BANDAS ENERGETICAS

• BANDA DE CONDUCCION : Banda

de energía parcialmente ocupada por
electrones con libertad de
movimiento cuando están bajo la
influencia de un campo eléctrico.
 TIPOS DE ENLACES
ENLACE ENERGÍA DE ENLACE
(kcal/mol)

Iónico 150 – 370

Covalente 125 – 300
Metálico 25 - 200
 ENERGIA DE COHESION
Energía necesaria para
separar los componentes del
cristal, dejándolos
infinitamente alejados entre
si, es decir en su estado
neutro.
 SOLIDOS

• AISLANTES

• CONDUCTORES

• SEMICONDUCTORES
 AISLANTE

La banda de valencia está llena de electrones, que no se

pueden mover porque se encuentran en posiciones de
los enlaces químicos.
No presentan electrones deslocalizados que puedan
conducir la corriente.
La banda de conducción se encuentra muy por encima de
la banda de valencia.
 CONDUCTORES

Material con la banda de valencia llena y una banda de

conducción parcialmente llena de electrones
deslocalizados, que son eficientes para conducir la
corriente eléctrica. PORQUE TIENEN BAJA
ELECTRONEGATIVIDAD.
Los iones metálicos cargados positivamente en los sitios de la
red han cedido sus electrones a la banda de conducción y
forman la base de carga positiva de los electrones
deslocalizados.
 SEMICONDUCTORES

INTRÍNSECO: El gap entre la banda de valencia y

conducción es mucho menor, de forma que Eg 
kBT, y el contenido calórico del material a Tamb
puede provocar la excitación térmica de algunos
electrones desde la banda de valencia hasta la
banda de conducción donde llevan la corriente.
SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS:

• TIPO “N” El propósito de este

es producir abundancia de electrones
portadores en el material.

• TIPO ”P” El propósito de este es

producir abundancia de huecos.
VIBRACIONES
VIBRACIONES DE
DE
RED
RED
Nanotecnología
 Vibraciones de Red
• Los átomos en un cristal en realidad
están fluctuando constantemente
alrededor de sus posiciones regulares
en la red.

• Estas fluctuaciones se deben al calor

o a la energía térmica de la red y se
hacen más pronunciadas a
temperaturas superiores.
 Vibraciones de Red
• Dado que los átomos están enlazados
entre sí por enlaces químicos, el
movimiento de un átomo en torno a su
posición provocan que los átomos
contiguos respondan a ese movimiento.

• Los enlaces químicos se comportan como

resortes que se estiran y se encogen
repetidas veces durante el movimiento
oscilatorio.
 Vibraciones de Red
• Como resultado, muchos átomos vibran al
unísono y este movimiento colectivo se
expande a lo largo del cristal.

• Cada tipo de red posee sus propios modos

característicos o frecuencias de vibración,
llamados modos normales, y el movimiento
vibracional colectivo de toda la red es una
combinación o superposición de muchos
modos normales.
 Vibraciones de Red
Como varios enlaces se estiran y se encogen al unísono, tienen
lugar modos longitudinales de vibración, con movimientos de
cada átomo a lo largo de la dirección de la cadena.

Extensión del
enlace

Flexión del
ángulo de
valencia
 Vibraciones de Red
También existen modos normales transversales, en los
que los átomos vibran hacia adelante y hacia atrás en
direcciones perpendiculares a la línea de los átomos.

Movimiento
fuera del
plano

Torsión
 Vibraciones de Red
• Para una red diatómica, como el GaAs,
existen modos de baja frecuencia
llamados modos acústicos, en los que los
átomos pesados y ligeros tienden a
vibrar en fase o al unísono.

• Además hay modos de alta frecuencia,

llamados modos ópticos, en los que los
átomos vibran fuera de fase.
Vibraciones de Red
Extensión Los átomos en las
simétrica moléculas también
están sometidos a
movimientos
vibracionales, y una
Flexión
molécula que
contenga N átomos
presenta 3N-6
modos normales de
Extensión
asimétrica vibración. P. Ej. El
H2 O
SUPERFICIES
SUPERFICIES DE
DE
FERMI
FERMI

NANOTECNOLOGÍA
ESPACIO
ESPACIO RECÍPROCO
RECÍPROCO

Los espacios que vimos en las estructuras

cristalinas muestran posiciones de los
átomos en la red. Para tratar el
movimiento de los electrones conductores
es necesario considerar un tipo diferente
de espacio, que matemáticamente se llama
ESPACIO DUAL O RECÍPROCO.
ESPACIO
ESPACIO RECÍPROCO
RECÍPROCO

f = frecuencia f=/2
 = longitud de onda f=
 = veloc. de onda K= 2/
k = vector de onda f=(k/2)
 ESPACIO
ESPACIO RECÍPROCO
RECÍPROCO

Podemos definir un espacio recíproco, llamado

espacio k, para describir el movimiento de los
electrones. Para un cristal unidimensional con
parámetro de red a y longitud L = 10.a
. . . . . . . . . .
-- a –--
átomos

K = 2/L, 4/L, 6/L, …, 20/L = 2/a

ESPACIO
ESPACIO RECÍPROCO
RECÍPROCO

Zona de Brillouin:
contiene los sitios
electrónicos
 SUPERFICIES
SUPERFICIES DE
DE
FERMI
FERMI
A muy bajas temperaturas, los
electrones llenan las bandas de
energía de los sólidos hasta una
energía llamada ENERGÍA DE
FERMI EF, y las bandas se
encuentran vacías para energías que
exceden la EF.
 SUPERFICIES
SUPERFICIES DE
DE
FERMI
FERMI
La superficie de Fermi es “LA SUPERFICIE DE
ENERGÍA CONSTANTE EN EL ESPACIO
RECÍPROCO K, donde K es el vector de onda
de los electrones”

La superficie de Fermi se define como

“AQUELLA QUE SEPARA LOS ORBITALES
VACÍOS DE LOS ORBITALES LLENOS A
UNA TEMPERATURA DEL CERO ABSOLUTO”
 SUPERFICIES
SUPERFICIES DE
DE
FERMI
FERMI
En un espacio tridimensional k, el conjunto
de valores kx, ky y kz, que satisface la
ecuación:

 x
2
y
2
z 
h k  k  k / 2m  E F
2 2

Forman una superficie de Fermi.

h: cte. De Planck reducida
m: masa efectiva del electrón
 SUPERFICIES
SUPERFICIES DE
DE
FERMI
FERMI

La superficie de Fermi encierra a

todos los electrones en la banda de
conducción, la cual conduce la
corriente eléctrica.
 SUPERFICIES
SUPERFICIES DE
DE
FERMI
FERMI
La superficie de Fermi es un límite abstracto ÚTIL
PARA PREDECIR LAS PROPIEDADES ÓPTICAS,
MAGNÉTICAS, ELÉCTRICAS Y TÉRMICAS DE LOS
METALES, SEMIMETALES Y SEMICONDUCTORES.

La respuesta de un metal a un gradiente eléctrico,

magnético o térmico está determinada por la forma de
la superficie de Fermi, PORQUE LA CORRIENTE SE
DEBE A LOS CAMBIOS EN LA OCUPACIÓN DE LOS
NIVELES ALREDEDOR DE LA ENERGÍA DE FERMI.
SUPERFICIES
SUPERFICIES DE
DE
FERMI
FERMI
SEMI-METAL

Es un material con una pequeña

superposición en el nivel de
energía de la banda de
conducción y la banda de
valencia.
Sin embargo, el fondo de la
banda de conducción se ubica
en un vector K distinto al del
tope de la banda de valencia.
Ej. Sn o grafito.
 SUPERFICIES
SUPERFICIES DE
DE
FERMI
FERMI

Un material cuya superficie de Fermi

esté SOBRE LA BRECHA DE
ENERGÍA entre las bandas de
Valencia y Conductora será
AISLANTE O SEMICONDUCTOR,
dependiendo del tamaño de la brecha
de energía.
 SUPERFICIES
SUPERFICIES DE
DE
FERMI
FERMI

Cuando el nivel de la energía de Fermi

se encuentra dentro del rango de la
Brecha Energética de las bandas
(bandgap), entonces NO HAY
SUPERFICIE DE FERMI.
 PARTÍCULAS
PARTÍCULAS
LOCALIZADAS
LOCALIZADAS

DONANTES: Cuando un átomo tipo V, como el P, que

posee cinco electrones en su capa externa o de
valencia, crea una impureza sustancial en el Si usa
cuatro de sus cinco electrones para satisfacer los
requerimientos de valencia de los 4 silicios más
próximos, y un electrón permanece débilmente
retenido. El átomo fácilmente DONA este electrón
a la banda de conducción, por lo que es llamado
DONANTE, y el electrón es llamado ELECTRÓN
DONANTE.
 PARTÍCULAS
PARTÍCULAS
LOCALIZADAS
LOCALIZADAS

DONANTES

Este fenómeno ocurre porque los niveles de energía

donante caen en la región prohibida, próxima al
borde de la banda de conducción en una magnitud
ED, relativa a kBT.

P. Ej. Si sustituyendo al Ga en el GaAs. Al

sustituyendo al Zn en el ZnSe.
 PARTÍCULAS
PARTÍCULAS
LOCALIZADAS
LOCALIZADAS

ACEPTORES

Un átomo del tipo III, como el Al, llamado átomo

ACEPTOR, que presenta tres electrones en su capa
de valencia, puede ofrecer un defecto sustancial en
el Si, y en esta función requiere 4 electrones de
valencia para enlazarse tetraédricamente con los
átomos de Si más próximos. Para lograr esto toma o
acepta un electrón de la banda de valencia y deja
atrás un hueco en la parte superior de esa banda.
 PARTÍCULAS
PARTÍCULAS
LOCALIZADAS
LOCALIZADAS
ACEPTORES
Esto ocurre fácilmente porque los niveles de energía
DE ATOMOS ACEPTORES caen en el gap prohibido,
ligeramente por encima de la banda de valencia en una
magnitud EA, relativa a kBT.

Las energías de excitación necesarias para ionizar los

donantes y para adicionar electrones a los aceptores
es mucho menor que la E. térmica a temperatura
ambiente:
EA, ED,<<kBT
 PARTÍCULAS
PARTÍCULAS
LOCALIZADAS
LOCALIZADAS

Dado que: EA, ED,<<kBT

Virtualmente todos los donantes se
ionizan positivamente y todos los
aceptores se ionizan negativamente
a temperatura ambiente.
 PARTÍCULAS
PARTÍCULAS
LOCALIZADAS
LOCALIZADAS

DONANTES Y ACEPTORES SON LLAMADOS :

CENTROS O TRAMPAS SUPERFICIALES

Dado que sus energías de excitación son mucho

menores que las del gap de banda.
 PARTÍCULAS
PARTÍCULAS
LOCALIZADAS
LOCALIZADAS
TRAMPAS PROFUNDAS

Existen otros centros con niveles de

energía que yacen profundamente dentro
del gap prohibido, a menudo más cercanos
a su punto medio que la parte superior o
inferior, en contraste con el caso de
donantes y aceptores superficiales.
 PARTÍCULAS
PARTÍCULAS
LOCALIZADAS
LOCALIZADAS
TRAMPAS PROFUNDAS

Generalmente Eg >> kBT, estas trampas no se

encuentran ampliamente ionizadas, y las
energías involucradas en excitarlas o
ionizarlas no son pequeñas.

Ej. Enlaces rotos o tensión implicada en el

desplazamiento de átomos