El Transistor.

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para producir

una seal de salida en respuesta a otra seal de entrada. 1 Cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la
contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de transferencia).
Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de
uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, etc.

Tipos de transistor
Transistor de contacto puntual: Llamado tambin transistor de punta de
contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947
por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de germanio,
semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de
cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen
el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia
que se ve en el colector, de ah el nombre de transfer resistor. Se basa en
efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas
se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin
embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su
mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unin bipolar: El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas
en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o

Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio

entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el
sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las
cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.La
configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde
la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras
dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo
contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo
general, el emisor est mucho ms contaminado que
el
colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de
dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de
contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de
la unin.

Transistor de efecto campo: El transistor de efecto de campo de unin (JFET),

fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de
material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los
terminales de la barra se establece un contacto
hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo
tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos
regiones P en una barra de material N y se conectan
externamente entre s, se producir una puerta. A uno
de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro
drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador
y el surtidor y conectando la puerta al surtidor,
estableceremos una corriente, a la que llamaremos
corriente de drenador con polarizacin cero. Con un
potencial negativo de puerta al que llamamos tensin
de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.

Configuracin para el amplificador.

Emisor comn: La configuracin de emisor comn es la ms usada. En l, el
transistor acta como un amplificador de la corriente y de la tensin. Aparte de los
efectos de amplificacin, tambin invierte la tensin de seal, es decir, si la tensin
es tendente a positiva en la base pasa a ser tendente a negativa en el colector;
pero, como estos efectos se producen con la corriente alterna.Para estudiar las

propiedades de este tipo de configuracin vamos a basarnos en un transistor tipo

P-N-P. Tenemos la unin base-emisor, JE, polarizada directamente y la unin
emisor-colector, JC, inversamente polarizada.
Aplicamos una tensin a la base y otra al colector y tenemos dos resistencias, RB
conectada a la base y RC conectada al colector.
El valor de la corriente de base va a depender del valor de la resistencia RB, la
corriente que circula por el colector, IC, depende de la corriente de base, IB, como
hemos visto con la formula IC = b . IB; IC es mucho ms grande que IB y ese
aumento viene dado por b , que es un parmetro caracterstico del transistor.
Base Comun: La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el
colector. la base se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de
salida. En esta configuracin se tiene ganacia slo de tensin. La impedancia de
entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte
de la corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una resistencia de emisor,
que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de seal, un anlisis
similar al realizado en el caso de emisor comn, nos da la ganancia aproximada
siguiente:

Rc
.

La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia
de salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.
Colector comn: Otro tipo de configuracin bsica de un transistor es la de
colector comn. A esta configuracin se la suele llamar seguidor de emisor. Con
este tipo de circuitos no vamos a conseguir una amplificacin de tensin, pero son
muy buenos amplificadores de la corriente y de ah viene su utilidad.
La entrada de seal se produce por la base y la salida por el emisor, en vez de por
el colector como en el resto de los circuitos. El terminal comn para la entrada y la
salida es el colector, como su nombre indica. Si la unin base emisor est
polarizada directamente, el transistor va a conducir, mientras que si est
inversamente polarizada no lo har.

Transistores Bipolares. PNP y NPN

Los transistores son semiconductores que constan de 3 terminales: emisor,
colector y base. Hay diferentes tipos de transistores, pero en este curso slo
estudiaremos los bipolares. Dentro de ellos, segn como sea la conexin de sus
componentes, hay dos tipos, los NPN y los PNP. El de la izquierda es un transistor
NPN y el de la derecha un transistor PNP. En el NPN la flecha que indica el

sentido de la corriente sale hacia fuera (la corriente

ir de colector a emisor) mientras que en el PNP la
flecha entra (la corriente ir de emisor a colector)
Experimento en el laboratorio:
circuito :

Rvariable
1k
2k
4k
6k
8k
10k
15k
18k
22k
27k

RB=RBi+Rvar
5k
6k
8k
10k
12k
14k
19k
22k
26k
31k

Datasheet del transistor

IB1
2150uA
1800uA
1365uA
1100uA
910uA
800uA
600uA
500uA
450uA
350uA

Ic1
12.4mA
12.5mA
12.5mA
12.4mA
12.5mA
12.5mA
12.5mA
12.5mA
12.5mA
12.5mA

B1=ic/iB
5.76
6.94
9.15
11.27
13.7
15.6
20.8
25
27.7
35.7

VcE1
0.08v
0.09v
0.11v
0.14v
0.15v
0.15v
0.17v
0.18v
0.18v
0.19v

conclusiones:

en esta clase hemos aprendido el funcionamiento del transistor.

nos dimos cuenta que el transistor es en realidad 2 diodos conectados en
sentidos opuestos.
Vimos que para que se d una amplificacin necesitamos una fuente de
voltaje continuo.

Bibliografa:

http://category.alldatasheet.com/index.jsp?sSearchword=CAPACITOR.
Robert L. Boylestad , electrnica: teora de circuitos y dispositivos
electrnicos .
http://www.nichese.com/rectificador.html.
http://www.forosdeelectronica.com/proyectos/fuente-variable.htm