RESUMEN

Conclusiones y conceptos importantes

1. Independientemente de en qu tipo de configuracin se utilice un transistor, las relaciones

bsicas entre las corrientes siempre son las mismas y el voltaje de la base al emisor es el
valor de umbral si el transistor est en el estado de encendido.
2. El punto de operacin define dnde operar el transistor en sus curvas de caractersticas en
condiciones de cd. Para amplificacin lineal (distorsin mnima), el punto de operacin de
cd no deber estar demasiado cerca de los valores nominales mximos de potencia, voltaje
o corriente, y debern evitarse las regiones de saturacin y corte.
3. Para la mayora de las configuraciones, el anlisis se inicia determinando la corriente
de base.
4. Para el anlisis de una red de transistores, todos los capacitores se reemplazan por un equivalente de circuito abierto.
5. La configuracin de polarizacin fija es la ms simple de las configuraciones de polarizacin
de transistores, aunque tambin es bastante inestable debido a la sensibilidad de la beta en
el punto de operacin.
6. La determinacin de la corriente del colector de saturacin (mxima) para cualquier configuracin en general es fcil de realizar si se sobrepone un cortocircuito imaginario entre
el colector y el emisor del transistor. Entonces la corriente resultante a travs del corto es la
corriente de saturacin.
7. La ecuacin de la recta de carga de una red de transistores se determina aplicando la ley de
voltajes de Kirchhoff a la salida o a la red de colector. El punto Q se determina entonces
localizando la interseccin entre la corriente de base y la recta de carga trazada en las caractersticas del dispositivo.
8. La configuracin de polarizacin estabilizada por emisor es menos sensible a los cambios
de beta, por lo que proporciona ms estabilidad para la red. Tenga en cuenta, sin embargo,
que cualquier resistencia en el emisor es vista en la base del transistor como un resistor
ms grande; un hecho que reducir la corriente de base de la configuracin.
9. La configuracin de polarizacin del divisor de voltaje es quiz la ms comn de todas las
configuraciones. Su popularidad se debe principalmente a su baja sensibilidad a los cambios de beta de un transistor a otro del mismo lote (con la misma etiqueta de transistor). Se
puede aplicar el anlisis exacto a cualquier configuracin, aunque el aproximado slo
se puede aplicar si la resistencia de emisor reflejada vista en la base es mucho mayor que
el resistor de menor valor de la configuracin de polarizacin del divisor de voltaje conectada a la base del transistor.
10. Al analizar la polarizacin de cd con una configuracin de realimentacin de voltaje, asegrese de recordar que tanto el resistor de emisor como el resistor de colector se reflejan
de vuelta en el circuito de base por beta. La mnima sensibilidad a beta se obtiene cuando
la resistencia reflejada es mucho mayor que el resistor de realimentacin entre la base y el
colector.
11. Para la configuracin de base comn normalmente se determina la corriente de emisor
por la presencia de la unin base a emisor en la misma malla. Entonces se emplea el hecho
de que las corrientes de emisor y colector son esencialmente de la misma magnitud.
12. En general, una clara comprensin del procedimiento empleado para analizar una red con
un transistor en cd permitir un diseo de la misma configuracin con un mnimo de dificultad y confusin. Basta que comience con las relaciones que reducen al mnimo el
nmero de incgnitas y luego tome algunas decisiones sobre los elementos desconocidos de la red.
13. En una configuracin de conmutacin, un transistor cambia con rapidez entre la saturacin
y el corte, o viceversa. En esencia, la impedancia entre el colector y el emisor se puede representar de forma aproximada como un cortocircuito en el caso de saturacin y
como circuito abierto en el caso de corte.
14. Cuando verifique la operacin de una red de transistor de cd, primero compruebe que el voltaje de la base al emisor es de cerca de 0.7 V y que el voltaje del colector al emisor es de
entre 25% y 75% del voltaje aplicado VCC.
15. El anlisis de la configuracin pnp es exactamente el mismo que se aplic a transistores npn
excepto que las direcciones de la corriente se invertirn y los voltajes tendrn polaridades
opuestas.

16. Beta es muy sensible a la temperatura y VBE se reduce aproximadamente 2.5 mV (0.0025
V) por cada 1 de incremento de temperatura en la escala Celsius. La corriente de saturacin
en inversa por lo general se duplica por cada incremento de 10 de la temperatura Celsius.
17. Tenga en cuenta que las redes ms estables y menos sensibles a los cambios de temperatura
tienen los factores de estabilidad mnimos.

Ecuaciones
IE = 1b + 12IB  IC,

VBE = 0.7 V,
Polarizacin fija:

IB =

VCC - VBE
,
RB

IC = bIB

IC = bIB

Polarizacin estabilizada de emisor:

IB =

Ri = 1b + 12RE

VCC - VBE
,
RB + 1b + 12RE

Polarizacin por medio del divisor de voltaje:

RTh = R1 7 R2,

ETh - VBE
R2VCC
,
IB =
RTh + 1b + 12RE
R1 + R2
Aproximada: Pruebe la condicin bRE 10R2

Exacta:

VB =

ETh = VR2 =

R2VCC
,
R1 + R2

VE = VB - VBE,

IE =

VE
 IC
RE

Polarizacin de cd con realimentacin de voltaje:

VCC - VBE
,
RB + b1RC + RE2

IB =
Base comn:

IE =

VEE - VBE
,
RE

IC  IC  IE

IC  IE

Redes de conmutacin con transistor:

VCC
,
RC

ICsat =

IB 7

ICsat
b cd

Rsat =

VCEsat
ICsat

tencendido = tr + td,

tapagado = ts + tf

Factores de estabilidad:

S1ICO2 =
S1ICO2:

IC
,
ICO

Polarizacin fija:

Polarizacin de emisor:

S1VBE2 =

IC
,
VBE

S1ICO2 = b + 1
S 1ICO2 = 1b + 12

S1b2 =

IC
b

1 + RB>RE*
1b + 12 + RB>RE

*Polarizacin del divisor de voltaje: Cambia RB a RTh en la ecuacin anterior.

*Polarizacin con realimentacin: Cambia RE a RC en la ecuacin anterior.

S1VBE2:

Polarizacin fija:

S1VBE2 = -

Polarizacin de emisor:

S1VBE2 =

Polarizacin con divisor de voltaje:

RB

- b
RB + 1b + 12RE

Cambia RB a RTh en la ecuacin anterior.

Polarizacin con realimentacin: Cambia RE a RC en la ecuacin anterior.

S1b2:

Polarizacin fija:

S1b2 =

Polarizacin de emisor:

S1b2 =

Polarizacin de divisor de voltaje:

IC1
b1

IC111 + RB>RE2

b 111 + b 2 + RB>RE2

Cambia RB a RTh en la ecuacin anterior.

Polarizacin con realimentacin: Cambia RB a RC en la ecuacin anterior.

RESUMEN
Conclusiones y conceptos importantes

1. Los dispositivos semiconductores tienen las siguientes ventajas sobre los tubos de vaco o
bulbos. Son (1) ms pequeos, (2) ms livianos, (3) ms robustos, y (4) ms eficientes.
Adems, no requieren (1) calentamiento, (2) ni calentador, y conducen (3) voltajes de
operacin mas bajos.

2. Los transistores son dispositivos de tres terminales de tres capas semiconductoras que tienen una base o capa central mucho ms delgada que las otras dos. Las dos capas externas
son de materiales tipo n o p, con la capa emparedada de tipo opuesto.
3. Una unin p-n de un transistor se polariza en directa, en tanto que la otra se polariza en
inversa.
4. La corriente directa en el emisor siempre es la corriente ms grande de un transistor, en
tanto que la corriente de la base es la ms pequea. La corriente en el emisor siempre es
la suma de las otras dos.
5. La corriente del colector consta de dos componentes: el componente mayoritario y la
corriente minoritaria (tambin llamada corriente de fuga).
6. La flecha en el smbolo del transistor define la direccin del flujo de corriente convencional en el emisor y por lo cual define la direccin de las otras corrientes del dispositivo.
7. Un dispositivo de tres terminales requiere dos conjuntos de caractersticas para definir
por completo sus caractersticas.
8. En la regin activa de un transistor, la unin base-emisor se polariza en directa, en tanto
que la unin colector-base se polariza en inversa.
9. En la regin de corte las uniones base-emisor y colector-base se polarizan en inversa.
10. En la regin de saturacin las uniones base-emisor y colector-base se polarizan en directa.
11. En promedio, como una primera aproximacin, se puede suponer que el voltaje base a emisor de un transistor en operacin es de 0.7 V.
12. La cantidad alfa (a) relaciona las corrientes en el colector y emisor y siempre est cercana
a uno.
13. La impedancia entre las terminales de una unin polarizada en directa siempre es relativamente pequea, en tanto que la impedancia entre las terminales de una unin polarizada
inversa en general es bastante grande.
14. La flecha en el smbolo de un transistor npn apunta hacia fuera del dispositivo (not pointing in, no apunta hacia dentro); en tanto que en el caso de un transistor pnp la flecha apunta hacia el centro del smbolo (pointing in, apunta hacia dentro).
15. Para propsitos de amplificacin lineal, IC  ICEO define el corte para la configuracin en
emisor comn.
16. La cantidad beta (b) proporciona una excelente relacin entre las corrientes en la base y el
colector que por lo general oscila entre 50 y 400.
17. La beta de cd definida por una simple relacin de corrientes directas (cd) en un punto
de operacin, en tanto que la beta de ca es sensible a las caractersticas en la regin de
inters. Sin embargo, en la mayora de las aplicaciones las dos se consideran equivalentes
a una primera aproximacin.
18. Para garantizar que un transistor opere dentro de su capacidad de nivel de potencia mximo, determine el producto del voltaje de colector a emisor por la corriente en el colector y comprelo con su valor nominal.

Ecuaciones
IE = IC + IB ,

IC = ICmayoritaria + ICO
,
minoritaria

acd =

IC
,
IE

aca =

b cd =

IC
,
IB

b ca =

IC = bIB ,

IC
`
,
IE VCB = constante
IC
`
,
IB VCE = constante

IE = 1b + 12IB ,

VBE = 0.7 V

ICEO =

a =

ICBO
`
1 - a IB = 0 mA

b
b + 1

PCmx = VCE IC