UNIDAD 3 EL TRANSISTOR.

Los semiconductores mayormente conocidos son el germanio y el Silicio, sin

embargo, a temperatura ambiente, un cristal de silicio tiene menos electrones
libres que un cristal de germanio. Esta es una de las razones por las cuales el
silicio ha llegado a ser el primer material semiconductor de mayor uso
actualmente.
En un material semiconductor hay dos clases de corriente:
Corriente de electrones en la banda de conduccin.
Corriente de los huecos.
Semiconductor tipo n. Para obtener electrones adicionales en la banda de
conduccin se agregan tomos pentavalentes los cuales tienen 5 electrones en
la rbita de valencia, por lo que, despus de formar enlaces covalentes con sus
vecinos ste tomo central tiene un electrn extra que no interviene en el
enlace y como la rbita de valencia no puede acomodar ms de 8 electrones, el
electrn debe de desplazarse a una rbita de conduccin.
Se tiene una gran cantidad de electrones en la banda de conduccin
producidos en mayor parte por la contaminacin, y slo hay pocos huecos de
donde: a los electrones se les llama Portadores mayoritarios y a los huecos
Portadores minoritarios.
tomos donadores. Son los tomos pentavalentes porque producen
electrones en la banda de conduccin. Son: arsnico, antimonio y fsforo.

5. Electrn de valencia del antimonio.

Impureza de antimonio ( Sb)

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Profr., Jaime A. Aguilar Angulo.

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Polarizacin Inversa.
P
+
+
+
+

n
+
+
+
+

Los huecos y electrones se mueven hacia los extremos del cristal.

Los electrones que se apartan dejan iones positivos de tras y los huecos que
se mueven dejan iones negativos.
La capa de agotamiento se ensancha y lo cual impide que fluya corriente
sobre el yodo, cuando se polariza como un interruptor abierto. No hay
corriente sobre l.

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Polarizacin Directa.
Cuando la terminal negativa de la fuente est conectada al material tipo -n y
el positivo al material tipo p como se observa en el siguiente esquema.
P
+
+
+
+

n
+
+
+
+

( +) A

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Profr., Jaime A. Aguilar Angulo.

k(-)

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La corriente fluye fcilmente con esta polarizacin aplicada, debido a que se

introducen electrones por el extremo derecho del cristal provenientes de la
fuente, mientras que el grueso de los electrones de la regin n se mueven
hacia la unin. El borde izquierdo del grupo en movimiento desaparece
cuando llega la unin, as se produce un flujo continuo desde el terminal
negativo de la fuente hacia la unin. El yodo es un interruptor cerrado.
Grfica del funcionamiento del diodo.
Corriente I

Voltaje
+
Polarizacin inversa.

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Profr., Jaime A. Aguilar Angulo.

+
Polarizacin Directa.

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Semiconductores tipo p.
Para producir exceso de huecos en un cristal, se usan impurezas trivalentes
que son, tomos que tienen slo 3 electrones en su rbita de valencia.
Uniones.
La unin cristalina no es un lmite bien definido en el espacio entre dos
regiones de tipo distinto de un semiconductor sino ms bien la regin
cristalina donde existe una variacin en el tipo de impurezas cuando se pasa
de un tipo de semiconductor al otro.
De hecho si se desplaza de izquierda a derecha, se pasar de una
concentracin de impurezas trivalente ( indio) a una concentracin en
impurezas pentavalente ( arsnico). La regin en la cual se opera este cambio
de concentracin ser la regin de la unin.
Diodo semiconductor.
El conjunto de dos tipos de semiconductores as formados.
Diodo.
Dos electrodos. Elemento de dos terminaciones que contiene una unin slida
creada de los materiales semiconductores tipo n y tipo p por tcnica especial
para este fin como se indica en el siguiente dibujo.

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Este dispositivo electrnico cumple con la funcin de permitir el manejo de

bajas frecuencias y el paso de grandes corrientes hacia un solo sentido.
El diodo semiconductor es uno de los bloques bsicos de construccin de una
amplia variedad de sistemas en electrnica que se utilizan actualmente.
Estructura del diodo transistor.
Dispositivo de dos terminaciones ( nodo y ctodo) que se muestra en la
siguiente figura.
( nodo= material tipo -p positivo).

( Ctodo= material tipo -n negativo).

id

+
vd

Ud
+

K
id
( a )

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Funcionamiento ( * diodo de juntura ).

P
+
+

+
+

n
+
+

- - - - -

Tiene muchos huecos.

Muchos Electrones.

* Este diodo no esta polarizado ( no tiene voltaje externo .

Cada vez que un electrn se difunde por la unin ( juntura ) se crea un par de
iones positivos y negativos, los cuales crean una capa de agotamiento como
se observa en la figura:
Capa de agotamiento.
p
+
+
+

+
+
+

n
+
+
+

- - - - - - -

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TRANSISTOR.
Es un dispositivo semiconductor de tres capas compuesto de dos capas de
material tipo n y una -p dos capas de material tipo n y una p o dos capas
de material tipo p y una de material tipo n, el primero se llama transistor
-npn en tanto que el segundo se llama transistor -pnp.
En 1949 Shockley desarroll la teora del transistor de unin, pero se
construy en 1951. A la industria del semiconductor ha llegado toda
clase de inventos como los circuitos integrados, los dispositivos
optoelctricos y los microprocesadores.
ESTRUCTURA DE LOS TRANSISTORES.
-npnBase
Emisor
Colector.

(a)
-pnpBase
Emisor

- p

Colector.

(b)
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Su funcin es emitir o inyectar en la base. Est levemente contaminada y es

muy delgada; por lo que permite el paso de la mayor parte de los electrones
que han sido inyectados desde el emisor, los cuales van a dar al colector.
La contaminacin del colector est entre la fuente del emisor y la suave de la
base. Esta regin es la ms grande de los tres porque debe disipar mayor
cantidad de calor que el emisor y la base.
ESTRUCTURA Y FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR -pnpEl transistor -pnp- tiene dos uniones; una entre la base y el emisor y la otra
entre la base y el colector, por esto el transistor es como dos diodos. El diodo
de la izquierda se llama diodo base emisor, el de la derecha se llama diodo
base del colector.
El transistor -pnp- es el complemento del -npn-, esto significa que las
corrientes y los volts implicados en la operacin del transistor -pnp- son
opuestos a los del -npn-.
La operacin bsica del transistor se describe empleando el transistor -pnp- la
operacin del transistor -npn- es exactamente igual si se intercambian los
papeles que desempean los electrones y los huecos. La polarizacin comn
para cada caso se muestra en las siguientes figuras.
-pnpIE
IC
IE

IC
p

C
IB
+

VEB

B
+ -

VCB

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-npnIE

IC

IE

IC
n

C
IB
-

B
+

VEB

VCB
-pnpIE

IC

+
VEB

+
VCB
IB
B
-npnIE

IC

+
VEB

+
VCB
IB
B

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TIPOS Y APLICACIONES.

Existen diferentes tipos de transistores, que en base a su construccin cumplen

con ciertos criterios de funcionamiento y por lo tanto son especficos para
ciertas aplicaciones.
En el siguiente cuadro se muestran los diferentes tipos de transistores.
Descripcin.

Nombre
Transistor de efecto
de Campo de FET.

Smbolo.
S

El FET es un dispositivo unipolar.

Operamos un dispositivo controlado por voltaje,
Ya sea con corrientes de electrones en un FET
CANAL N ( A ) o con corriente de huecos en un
FET CANAL p ( b ). Se emplean para operar
En un circuito amplificador, sus terminales son:
S ( Source ) Fuente.
D ( Drain ) Drenador.
G ( Gate ) Compuerta.

G
S

(a)

G
(b)

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Transistor Monounin
UJT.

B2

B1

El UJT es un dispositivo de tres terminales que presenta

caractersticas elctricas nicas.
Tambin existen UJT con barrra tipo N(a)
Y con barra tipo P (b). Las terminales del UJT:
B1

Base 1.

B2

Base 2.

Emisor.

E
(a)
B2
E
(b)

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Profr., Jaime A. Aguilar Angulo.