BANDAS DE ENERGA.

DIELCTRICOS,
SEMICONDUCTORES Y
METALES.
Fsica del Estado Slido
Dra. Mnica Trejo Duran

Bandas de energa

Los electrones en un tomo solo toman ciertos valores de energa

discretos.

En un slido cada nivel atmico se junta en muchos niveles de energa

cercanos formando bandas de energa.

De acuerdo con el principio de exclusin de Pauli solamente dos

electrones (con diferente spin) pueden ocupar un nivel de energa
atmico con un conjunto de nmeros cunticos n, l y m.

2N electrones deben ocupar una banda de energa conteniendo N niveles

de energa. Al igual que en los tomos los niveles de energa ms bajos se
llenan primero y los ms altos quedan vacos, as las bandas de energa
ms bajas son llenados y las bandas de ms alta energa estn vacas.

Las bandas de energa permitidas estn separadas por estados o bandas

de energa prohibidas.

Las bandas vacas o parcialmente llenas se llaman bandas de conduccin

y las bandas completamente llenas por electrones de valencia se llaman
bandas de valencia.

Electrn libre

Banda de
Conduccin

gap
Banda
de
Valencia

Cuando
el mnimo de la banda de
conduccin y el mximo de la banda
de valencia estn en diferentes


Cuando
el mnimo de la
banda de conduccin y
el mximo de la banda
de valencia estn en
Banda de
Conduccin
Banda
de
Valencia

MASA EFECTIVA.

Cerca del mnimo de conduccin la dependencia de la energa del electrn en

el vector de onda puede ser aproximada a una funcin parablica similar a la
del electrn en el espacio libre. Sin embargo, la curvatura de esta dependencia
es diferente a la del espacio libre, as como las direcciones cristalogrficas son
diferentes y la curvatura depende de la direccin.

Para encontrar su forma se introduce el tensor de masa efectiva son

componentes definidos como:

Donde y son las proyecciones del vector de onda .

Cuando depende solamente de la magnitud de y no de la direccin de , este

tensor se reduce a la masa efectiva

Para el caso del Arsenio de Galio (Ga As)

Para el caso de Silicio (Si)

Donde y son componentes transversales (t) y longitudinales (l) del vector

masa efectiva longitudinal

masa efectiva transversal

Primera zona de Brillouin de FCC

Puntos de simetra
Lneas de simetra

dibujando
Dependencia angular de
superficie en el espacio correspondiente a
la misma energa del electrn.
Superficies esfricas de igual energa (GaAs).

Mnima
energa en el punto

Superficies elipsoidales de igual energa (Si).

Iguales
Mnima
energa en el punto

E
Valle
L

Valle
X

recordar que [001] y [010]

[111] y [111]
son equivalentes para la simtrica cbica

En todos los semiconductores cbicos el

punto ms alto de la banda de valencia esta
localizado en el punto de la 1 zona de
Brillouin

Hay dos bandas de valencia llamadas bandas

huecos ligeros y huecos pesados que
Hoyos
tienen la misma energa en el punto (son ligeros
degenerados). Mientras que la tercera banda
separada de las otras dos se llama banda
split-of

Hoyos
pesados
Banda Split-of

Arseniuro de Galio

Cuando
iluminamos
con
luz
un
semiconductor, un electrn de la banda
de valencia toma energa del fotn y
experimenta una transicin a la banda
Valle
X de conduccin. A esta transicin se
llama
transicin
interbanda
o
absorcin de fotones.

Valle
L

Banda
Split-of

Hoyos
ligeros
Hoyos
pesados

Cuando un campo elctrico es ampliado a

semiconductor
(ejemplo:
GaAs),
los
portadores de carga gana energa del
campo elctrico y ocupan estados de
energa ms altos.
Campo
elctrico bajo

Los electrones primero ocupan estados de

energa en el mnimo ms bajo de la banda
de conduccin (mnimo ).

Silicio

Campo elctrico alto

Los electrones primero ocupan estados de energa en el mnimo ms
alto (L) de la banda de conduccin.

FUNCIONESDE
DISTRIBUCIN Y DENSIDAD DE ESTADOS.

El nmero de niveles llenos en la banda de conduccin y de niveles

desocupados en la banda de Valencia depende de la temperatura.

A ms altas temperaturas ms electrones adquieren suficiente energa trmica

para pasar a estados de energa ms altos en la banda de conduccin.

Ahora calcularemos la concentracin de electrones en la banda de conduccin.

Consideremos un sistema con una gran cantidad de partculas (N) como un

gas de molculas, donde cada partcula puede tomar ciertos valores de
energa ,, . Si tenemos que el nmero de estados es mucho ms grande que
el nmero de partculas entonces la probabilidad de encontrar una partcula
en un cierto estado es mucho menor que uno.

La probabilidad de encontrar una partcula en el estado con energa Ei est

dado por.

es el nmero de partculas en
el estado

La energa promedio de las partculas

es:

En equilibrio la probabilidad de tener partculas en 2 estados de energa y

estn relacionados por los factores de Boltzmann.

Esta ecuacin significa que la probabilidad de encontrar una partcula en un

cierto estado de energa , decrece exponencialmente con .

Para un espectro continuo de energa, la probabilidad de encontrar una

partcula entre y est dado por:

Donde f es llamada Funcin de Distribucin de Boltzmann.

Para electrones, el principio de Exclusin de Pauli establece que no ms de dos

electrones pueden ocupar un nivel de energa dado. Los electrones tienden a
ocupar primero los estados con ms bajas energas.

As, todos los estados con energas bajas son llamados exactamente en la
misma forma. As que para bajas energas, la funcin de probabilidad
electrnica f, debe ser igual a uno ya que todos esos estados estn ocupados.

La funcin de distribucin electrnica es:

Funcin de distribucin de Fermi-Dirac.

La energa es llamada Energa de Fermi o Nivel de Fermi y se define como la

energa por la cual . Cuando por algunos , y la distribucin de Fermi- Dirac se
reduce a la distribucin de Boltzmann. Cuando E es mucho menos que por
algunos , de acuerdo con el principio de Exclusin de Pauli.

Cuando funcin escaln

La
nos permite encontrar la
probabilidad de que un estado est
lleno.

Mas
adelante
veremos
cmo
encontrar
,
por
lo
pronto
supondremos que la conocemos.

La concentracin total de electrones en la banda de conduccin ser:

ELECTRONES Y HUECOS EN SEMICONDUCTORES.

Para entender y describir la operacin de un dispositivo semiconductor

necesitamos conocer cmo los portadores de corriente elctrica (electrones y
huecos) estn distribuidos en un material semiconductor en energa y espacio,
cmo cambian sus concentraciones y cmo se mueven los electrones y huecos
en un campo elctrico ampliado y las ecuaciones bsicas que describen el
movimiento.

Los cambios en el nivel de ocupacin electrnica en la banda de valencia son

ms fcilmente entendibles identificando el movimiento del nivel de energa del
hueco. Donde hueco = partcula ficticia, ausencia de electrn, vacante de
energa (+q) si e= -q

La funcin de ocupacin de Fermi-Dirac para huecos es:

La dependencia de la energa en la banda de valencia del vector de onda es:

masa efectiva del hueco y tope de la banda de Valencia.

La densidad de estados de energa permitidos por unidad de volumen en una

banda de valencia parablica (Densidad de estados de huecos):

La concentracin de huecos:

Donde:

Los huecos ligeros tienen masa efectiva

efectiva

As para la banda de huecos, la densidad efectiva de estados est dada por:

y los huecos pesados tienen masa

As:

CONCENTRACIONES DE ELECTRONES Y HUECOS.

Cuando el nivel de Fermi, , est en el gap de energa y es ms grande que

varias energas , el semiconductor se dice que es no degenerado.

Cuando

De donde

Y s

Como puede verse las concentraciones n y p en un semiconductor no

degenerado son mucho ms pequeos que la densidad efectiva de estados, Nc
y Nv , en la banda de conduccin y de valencia respectivamente.

Cuando el nivel de Fermi en la banda de conduccin es o el nivel de Fermi en

la banda de valencia es el semiconductor es llamado Degenerado.

Para un semiconductor degenerado tipo n

Y para un tipo P

Nivel de Fermi para un semiconductor degenerado

Tipo n

Tipo p

CONCENTRACIN DE ELECTRONES Y HUECOS.

distancia

distancia

Tipo n
Densidad de estados

Funcin de
distribucin

No degenerado
0.5

energa

energa

Degenerad
o

0.5

energa

energa

Densidad de electrones por unidad de

energa (tipo n)
No degenerado

energa

Degenerad
o

energa

Tipo p
Densidad de estados

Funcin de
distribucin
1

No degenerado

0.5

energa

energa

Degenerad
o

0.5

energa

energa

Densidad de electrones por unidad de

energa (tipo p)
No degenerado

Degenerad
o

energa

energa

Para un semiconductor no degenerado

Es la energa gap. Esta ecuacin se puede reescribir

Donde

El producto np para un semiconductor no degenerado es independientemente

del nivel de Fermi y est determinado por la densidad de estados en la banda
de valencia y conduccin, la energa gap y la temperatura.

La ley de accin masa es vlida en equilibrio trmico.

Si se quiere realizar una estimacin aproximada de la dependencia de con

respecto a asumamos
que y con los que podremos calcular y tenemos
que

Para 300 K, la grfica de esta ecuacin se muestra en la figura siguiente. (para

Si , para GaAs )

Algunas constantes importantes

 La
concentracin
de
portadores
es
pequea
comparada
con
la
concentracin de electrones
de
valencia
en
un
semiconductor
De la ley de accin-masa,
tenemos

SEMICONDUCTORES INTRNSECOS, DOPADOS Y COMPENSADOS.

Donadores y Aceptores.

En un semiconductor puro neutral, la concentracin de electrones cargados

negativamente debe ser igual a los huecos cargados positivamente, en este
caso se dice que es intrnseco.

Como

entonces

Y el nivel de Fermi es llamado Nivel de Fermi intrnseco

Donde y a temperatura ambiente (300 K).

Como son cualidades pequeas, queda aproximadamente a la mitad del gap.

distancia

Cuando se introducen en un semiconductor dopantes:

Donadores (tipo n, electrones) o aceptores (tipo p, huecos) se les llama

semiconductores extrnsecos.

Para el Silicio los donadores o impurezas introducen niveles de energa dentro

del gap muy cercanas al mnimo de la banda de conduccin. Estos son
Antimonio (Sb), Fsforo (P), y Arsnico (As)

Un donador es neutral cuando ocupado por un electrn despus de donado a la

banda de conduccin queda cargado positivamente.

Para el silicio los aceptores son Boro (B), Aluminio (Al), Galio (Ga) y Indio (In) ya
que pierde un electrn de valencia para formar 4 enlaces con un vecino de
silicio cercanos. As el tomo provee un nivel vaco disponible de energa por
un electrn, crea un hueco.

Los niveles de energa de los aceptores superficiales estn arriba y cerca del
mximo de la banda de valencia. Un aceptor est negativamente cargado
cuando es ocupado por un electrn y se hace neutral despus de aceptar un
electrn de la banda de valencia.

distancia

distancia

Donador

Aceptor

Las energas para donadores y

ionizacin donador o aceptor.

para aceptores son llamadas Energa de

Los donadores y aceptores ms llamados superficiales cuando sus energas

de ionizacin son ms pequeas o cercanas a la energa trmica .

Los donadores y aceptores superficiales estn cerca de ser totalmente

ionizados, esto es, todas cercanas a ellos proporcionan electrones a la banda
de conduccin y huecos a la banda de valencia respectivamente.

La siguiente figura muestra el modelo que puede ser usando para estimar la
energa de ionizacin del donador .

Modelo del tomo de hidrgeno.

Es

Si
Si

Es

Eo

vacio
vacio

+
+

tomo de hidrgeno

me
me

Eo

+
+

La energa del estado base est determinado por la energa de Bohr donde la
permisividad del espacio libre es reemplazada por la permisividad dielctrica
del semiconductor y es remplazada por ( masa efectiva del electrn.)

El radio tambin se modifica

Para una concentracin de tomos donadores, la concentracin de donadores

ionizados (o vacos) est dada por:

Donde es el nivel de energa donador y es llamado factor de degeneracin de

donadores. La razn de las concentraciones de vacos y llenos es.

Similarmente, para ncleos aceptores

donde es el nivel de energa aceptor y el factor de degeneracin de aceptor.

CONCENTRACIN DE ELECTRONES Y HUECOS.

Un semiconductor uniforme en un campo elctrico cero debe ser neutral ya

que la carga elctrica ms un campo elctrico. La posicin del nivel de Fermi
puede encontrarse de condicin de neutralidad.

Cuando el semiconductor es dopado solamente por donadores tenemos

Ahora encontramos la concentracin de electrones (n indica tipo de

conductibilidad)

Para los donadores ionizados superficiales as que:

La concentracin de huecos en un
material tipo n es:

En la mayora de los casos en los semiconductores tipo n, as que

Para un semiconductor tipo P, la condicin de carga neutral es:

Cuando

Cuando

(Valido solo para semiconductores no degenerados)

Cuando ambos donadores y aceptores estn presentes en un semiconductor se dice

que esta compensado.

En un semiconductor compensado, el tipo de conductividad (p o n) es determinada por

la gran concentracin de impurezas.

Si , la densidad efectiva donador es

Si

Si las impurezas estn totalmente ionizadas podemos usar la ecuacin

para concentracin de portadores de n y p si sustituimos por y por

La razn de compensacin se define como:

Ejemplo

El silicio es dopado con tomos de fsforo (concentracin ) y tomos de Boro ()

Calcule la concentracin de electrones y huecos en este material a 600 K

Como se puede ver, dado que el Boro es un aceptor, el material es tipo P.

La concentracin efectiva de aceptores es:
Ya que a 600 K todos los aceptores estn ionizados
La concentracin de electrones (lo que se nos pide) se calcula de slo nos falta
conocer
A 300 K, , por tanto

Necesitamos conocer

 Por tanto

De diapositivas anteriores tenemos

Donde es la masa del electrn libre, por tanto

Aplicando la frmula

Debemos aplicar una regla de tres puesto que como el problema nos pide para
T=600 K no conocemos y por tanto

MOVILIDAD DE ELECTRONES Y HUECOS Y VELOCIDADES DE

ARRASTRE.

Los electrones y huecos (en la banda de conduccin y banda de valencia) son

capaces de moverse en un semiconductor.

Ellos portan la unidad de carga elemental son llamados fundamentalmente

portadores de carga o portadores libres. En ausencia de campo elctrico los
portadores de carga experimentan movimiento trmino aleatorio catico.

La energa cintica promedio por movimiento trmico por electrn es

La velocidad trmica del electrn es:

Aunque tienen velocidad el promedio de movimiento es cero.

La velocidad de arrastre de un electrn causada por un campo elctrico, se

sobrepone a este movimiento trmico catico.

De la segunda ley de Newton

En un semiconductor se sustituye la masa efectiva

Pero hay colisiones causadas por vibraciones de tomos cercanos, impurezas

e imperfecciones del cristal

Para campos elctricos bajos es independiente de

Se define al camino libre promedio como el camino que recorre el electrn

antes de chocar con otros ncleos o electrones

A bajas frecuencias y por tanto por lo que

Donde hemos definido , la movilidad del electrn. (El signo negativo indica el
sentido opuesto al campo elctrico

Ejemplo

La movilidad del electrn en el GaAs a T= 77 K y T= 300 K es igual a y

respectivamente. La masa efectiva del electrn es . Encuentre el camino
promedio libre a esas temperaturas.
Solucin

La densidad de corriente del electrn est dada por

El tiempo de relajacin del momento est dado aproximadamente por

De donde

Similarmente ocurre para huecos.

Ya que a bajos campos elctricos y son independientes del campo elctrico,

la velocidad de arrastre del electrn es proporcional al campo elctrico.

Para altos campos elctricos, cuando los electrones ganan una energa
considerable del campo elctrico,
y en ciertos casos
son funciones
fuertemente ligadas a la energa del electrn, por ende, al campo elctrico.
Para este caso la ecuacin de balance de energa queda

y son funciones de

Aqu es la energa del electrn y es la energa del electrn bajo equilibrio

trmico, es la temperatura del semiconductor y es el tiempo de relajacin
efectiva (

Se introduce el trmino temperatura del electrn tal que

Para campos elctricos grandes . En este caso los electrones son llamados
electrones calientes

Los electrones calientes transfieren energa como vibraciones trmicas a la red

cristalina, tales vibraciones pueden moldearse como oscilaciones armnicas
con una cierta frecuencia.

El electrn es acelerado en el campo elctrico hasta que gana suficiente

energa para excitar a la red

Donde es la mxima velocidad de arrastre del electrn. Entonces ocurre el

proceso de dispersin y los electrones pierden todo el exceso de energa y
toda la velocidad de arrastre

El promedio de la velocidad de arrastre es entonces independiente del campo

elctrico

Donde es llamada velocidad de saturacin del electrn

arrastre es casi constante para campos elctricos altos

As la velocidad de

 algunos semiconductores vemos

En
que
Excepto en el Si.

Velocidad del electrn vs hueco en Si

La velocidad de huecos es considerablemente menor que

la velocidad del electrn en casi todos los
semiconductores

Frmulas de velocidades de huecos y electrones

Frmulas de movilidades de huecos y electrones

DIFUSIN
El proceso de difusin est relacionado con el movimiento trmico aleatorio.

Para ilustrarlo usamos un modelo unidimensional simple que supone que los
portadores deben moverse aleatoriamente de izquierda a derecha, con igual
probabilidad.

Consideremos las regiones adyacentes de longitud , donde es el camino libre

medio en la direccin x y es la componente x de la velocidad trmica de .
Supongamos que la regin izquierda tiene ms electrones que la derecha. En
promedio la mitad de los electrones se mover de izquierda a derecha y
viceversa y entonces el flujo neto de difusin el cual tiende a igualar la
concentracin de electrones en las dos regiones

Concentracin

Concentracin

Proceso de difusin

La densidad de corriente de difusin (fluyendo de izquierda a derecha) puede

calcularse como

Donde

Son los nmeros de electrones que cruzan la frontera entre regiones en

direcciones opuestas.

Si es pequea comparada con una distancia caracterstica de la variacin de

la concentracin de electrones entonces

Obtenemos

Donde el coeficiente de difusin es

Ya que

De donde obtenemos

La movilidad a campos bajos , est dada por

Ejemplo: Las movilidades de electrones y huecos en Si a temperatura ambiente

(T=300 K) son y respectivamente. Calcule los coeficientes de difusin de
electrones y huecos.
Solucin

T=300 K

Bajo condiciones de equilibrio (j=0) un dopamiento no uniforme deja un campo

elctrico

Campo elctrico Built-in (se aplica en Transitores BJT

Ejemplo: La concentracin de electrones en un dispositivo de longitud 1 vara

linealmente con la distancia desde a Grafica el campo elctrico built-in como
una funcin de la distancia a T= 300 K

Solucin
Para un perfil lineal y el campo elctrico built-in est dado por

El signo negativo indica que el campo va en direccin negativa de x

Ecuaciones
Bsicas de Semiconductor

Modelo Difusin-Arrastre

El mximo de la banda de conduccin y el mximo de la banda de valencia

corresponden a energas potenciales de electrones y huecos respectivamente

Cuando un campo elctrico es aplicado a un semiconductor, las bandas se

inclinan y los electrones y huecos se mueven en direcciones opuestas
creando una corriente elctrica.
E
n
e
r
g

electrn

+
hueco

Distancia

En un campo elctrico bajo, la conductividad de densidad de corriente para

electrones y huecos estn dados por la suma de la densidad de corriente de
arrastre y la densidad de corriente de difusin

En un semiconductor y estas ecuaciones se reducen a

As que la densidad de corriente total es

Donde

La corriente elctrica I est dada por

Donde
R= resistencia
S= seccin de cruce
L= Longitud
U= voltaje aplicado

Para campos elctricos grandes, los portadores adquieren energa del campo
elctrico y la energa del portador es ms grande que la energa trmica
promedio . Como una consecuencia, la velocidad de los electrones y los
huecos no son proporcionalmente grandes al campo elctrico cuando ste es
alto.

Los coeficientes de difusin dependen de .

Ya que las velocidades de arrastre del electrn y el hueco dependen de las

siguientes ecuaciones fenomenolgicas son frecuentemente usadas para
modelar un dispositivo semiconductor.

Donde se suponen que son las mismas funciones del campo elctrico como las
obtenidas por condiciones de estado estable.

Este modelo de difusin y arrastre no describe lo que ocurre realmente . Es un

modelo burdo.

El campo elctrico en si mismo depende de la distribucin de cargas en el

semiconductor (llamado espacio de carga). La
dependencia del campo
elctrico en la densidad del espacio de carga est descrita por la ecuacin de
Poisson


Donde

son las densidades de carga de cualquier otra impureza cargada que est
presente en el semiconductor. Frecuentemente esas impurezas son despreciadas
as que

Para un semiconductor uniforme bajo condiciones de equilibrio trmico las

relaciones son sencillas.

Pero los semiconductores rara vez son uniformes y usualmente operan bajo
condiciones de no equilibrio.

Razn de Generacin (G).- Este proceso describe el fenmeno que ocurre

cuando un fotn absorbido promueve un electrn de la banda de valencia
hacia la banda de conduccin, creando en ambas un electrn un la banda de
conduccin y un hueco en la banda de valencia (par electrn-hueco). Esta
razn es igual a la concentracin de pares electrn-hueco producidos en 1
segundo .

Razn de recombinacin (R).- Cuando un electrn de la banda de conduccin

cae hacia un espacio vacante en la banda de valencia , los pares electrnhueco son destruidos. A este proceso se le llama Recombinacin R que es igual
a la concentracin de pares electrn-hueco recombinados en 1 segundo.

En un semiconductor uniforme

En estado estacionario

La razn de recombinacin es

Donde es la concentracin de portadores minoritarios (huecos) en un

semiconductor tipo n, es la concentracin de huecos en equilibrio y es el tiempo
de recombinacin o tiempo de vida de un hueco

Para un semiconductor no uniforme

Ecuaciones de continuidad

Estado
estacionario

Volumen incrementado
dos recombinados

dejaron la
b de valencia

Note que en un semiconductor no uniforme, el exceso de concentracin de

electrones o huecos debe existir an cuando la razn de generacin sea cero,
los portadores adicionales vienen de fuera (por ejemplo, los contactos)

Ejemplo

Encuentre el perfil de campo elctrico en un semiconductor tipo P con una

movilidad de huecos y una concentracin de huecos con una densidad de
corriente . La regin tipo P es cercana a una regin altamente dopada . (Una
regin altamente dopada es llamada una regin ).
Depreciando la corriente de difusin y suponiendo que los huecos tienen una
velocidad de arrastre donde es el campo elctrico aplicado. El semiconductor
tiene una permisividad dielctrica
Solucin
La concentracin de huecos debe ser una funcin continua de la distancia. Esto
vara desde en la regin de frontera hasta lejos de la frontera. Estas variaciones
estn descritas por la ecuacin de continuidad donde ponemos G=0, R=0,

Tenemos 2 incgnitas , pero la ecuacin de Poisson dice

Sustiyendo

Introduciendo un campo adimensional y coordenadas adimensionales

Integrando

Para valores dados de parmetros

El perfil del campo queda

Campo elctrico

60

40

20

10

20

Distancia (nm)

Ejemplo

La razn de generacin G, en un semiconductor tipo n es uniforme e igual a El

semiconductor es dopado con donadores superficiales con concentracin El
tiempo de vida de un hueco es de 1.
Cul es la concentracin de electrones en el estado estable?
Solucin
Los electrones y los huecos son generados en pares, el exceso de concentracin
de electrones y huecos son iguales .
De la ecuacin

Suponiendo que todos los donadores superficiales estn ionizados tenemos

Semiconductor Cuasi neutral

Cuando los electrones y huecos son generados en pares en un semiconductor

uniforme, el semiconductor permanece neutral o cuasi neutral. Un ejemplo
sera una pieza de semiconductor tipo n donde los portadores extras son
generados por luz. Esta situacin ocurre en un diodo semiconductor, en un
transistor unin bipolar, en una celda solar y en otros dispositivos.

Aplicamos la ecuacin bsica de un semiconductor a un semiconductor cuasi

neutral. Por simplicidad, consideremos una situacin de estado estable.

Sustituyendo en la ecuacin para densidad de corriente

Bajo la suposicin que el semiconductor es un cuasi metal tenemos

Ya que y las ecuaciones se simplifican

Donde

Cuando , ,

Densidades de desplazamiento y corriente total

Las ecuaciones de continuidad dan paso a una til ecuacin

semiconductor

De

Derivando la ecuacin de Poisson con respecto al tiempo encontramos

Integrando sobre el espacio, obtenemos

para

La corriente total es la integral de la densidad de corriente sobre una seccin

transversal de la muestra

Para una muestra con seccin transversal constante S y una densidad de

corriente uniforme obtenemos