Amplificadores de Potencia- Sec.3.1. 1 Capitulo 3 AMPLIFICADORES DE POTENCIA 34- INTRODUGCION Quizas la primera pregunta que surge ante la lectura del titulo es: {desde que potencia un amplificador se lo considera como de potencia? En realidad no existe limite definido a partir del cual pueda catalogarse a un amplificador como de potencia, en todo circuita medianamenté completo, existe una etapa final de salida cuyo manejo de potencia suele ser sensiblemente mayor que las anteriores (de sefial), y que presenta un disefio Visiblemente diferente. En resumen es la funcionalidad y por ende su configuracién y no el valor de la potencia en juego, 10 que definiré a una etapa como "Etapa de Potencia Uno de nuestros nuevos y primordiales objetivos del disefio ser& entonces lograr ganancia de potencia y mas atin maximizarla, suponiendo por lo general, que la ganancia de tensién Tecesaria ha sido loprada en etapas previas, no obstante en algunas contiguraciones la etapa de potencia puede agregar ganancia de tensién, aunque ello no sea fo mas habitual Otro de Jos nuevos abjetivos, consiste en mejorar el rendimiento tanto sea en potencia como en energla, que dara como resuitads amplificadares de tamatio mas pequetias, con menor costo y obviamente menor consumo Incluidas dentro de los amplificadores para grandes potencias existen etapas previas a la de salida denominadas como "Excitadaras’(Orivets}, que se prevén cuando no es posible lograr con Una sola etapa la ganancia de potencia necesaria y/o por razones de disefio, que no debiera confundirse con fas etapas de sefial ya que por fo general su confarmacién es similar a la etapa de salida, Cabe actarar que en las primeras partes de este estudio se consideraran condiciones ideales, despreciando posibles pérdidas de circuitos periféricos, influencias de alinealidades y limitaciones en la excursién de ja sefial (ejemplo: considerar Vee(sat) = 0 6 Ro(ON) = 0). La finalidad primatia es determinar cotas Iimites tedricas dentro de las expresiones de céiculo, para tener una idea global que nos pemiita fijar los conceptos basicos del tema En general la descripcién de los circultos y sus consideraciones de disefio, tendrn validez ntras no se indique lo contrario, dentro de las siguientes premisas ‘Amplificadores de banda ancha *Frecuencias dentro del rango habitual de audio, 20 Hz a 20 Khz “Amplificacién sin distorsion Aunque redundante, resulta conveniente recordar lo dicho en la inlroduccién general de este trabajo, respecto a la necesidad de prestar especial atencién a los valores limites de funcionamiento de los dispositives, tanto en potencia como en tension y cortiente, de acuerdo a lo desarrollado en el Capitulo 12. GALAN TRANSISTOR EN CIRCUITS DE POFENCIA 3.2 - CLASES DE FUNCIONAMIENTO. A esta altura, se ha ulilizado para los circuilos lineales una sola forma de polarizar, que implicd también una delerminada clase de funcionamiento, pero existen, no obstante, otras clases ademas de la ya utiizada. Pasaremos a dofinirlas: CLASE A - Un amplificador con condiciones de operacién tales que, circule corriente par el terminal de salida durante los 260° del ciclo de ia seal de entrada. Esta definicién concuerda con la forma de funcionamiento utilizada hasta el momento. CLASE B - Un ampiificador con condiciones de operacién tales que, circule corriente por el terminal de salida durante 180° del ciclo de Ja sefial de entrada. CLASE AB - Un amplificador con condiciones de operacién tales que, citoule corriente por el terminal de salida durante un angulo 8 de la sefial de entrada tal que : 180° < 0 < 360° CLASE C - Un ampiificador con condiciones de operacién tales que, circule cortiente por el terminal de salida durante un angulo © de fa sefal de entrada menor de 130° En la Figura 3.1 tratamos de visualizar en una forma sintética las distintas formas predefinidas. [Clase B Clase A o 480° 360" A De acuerdo al Angulo de conduecién B- De acuerdo a Ia reproduccién de fa sefial de entrada IDEALIZADO | Figura 3.4 Distintas formas de visualizer las clases de funcionamiento. Existen otras clases que involucran a los amplificadores especiales y a los de conmutacién que, para no introducir confusién en los conceptos fundamentales, veremos mas adelante,/ Amplificadoces de potencia- S033 3 3.3-CLASE “A” 3.3.1 » POLARIZACION Y RENDIMIENTO. Recordemos que uno de los objetivos enunciados es el de mejorar el rendimianto, para lo cual resulta necesario minimizar o eliminar todos los consumos de potencia no imprescindibles. Si recordamos nuestra tipica etapa ampilficadara discrata de sefial con salida por cotector, un elemento a descartar puede ser la resistencia colocada en el emisor con fines de estabilizacién, la cual, a2 medida que avancemos en nuestro estudio se logrard mediante métodos mas avanzados como el de realimentacién. Otro elemento disipador por excelencia Io constituye la resistencia de colector, que en forma permanente consume una potencia que no es aplicada a la carga itil, por lo que en el futuro la carga actugr cumpliendo ambas funciones. Dado que las tensiones, corfientes y por lo tanto as potencias en juego Son mayores que el resto del circullo, las redes de polarizacién pueden legar a disipar potencias relativamente importantes(vet punto 1.2.1), por lo que los mélodos de acoplamiente directo son de uso casi excluyenite, aplicandose este criterio por igual a circuitos integrados o discretos. Presentaremas algunos céiculos previos, referidos @ potencia, que nos permitirin interiorizarnos de algunas caracteristicas particulares del funcionamiento en clase A en cualquiera de sus configuraciones. Dado que dichas caracterlsticas son Independientes det - dispositivo utilizado, adoptaremos un “Oispositiva Generalizado”, que tendra las siguientes ' denominaciones: Y X= Base, Compuerta 0 Grilla segin corresponda Y = Colector, Drenaje 0 Placa segtin carresponda Z= Emisor, Fuente 0 Cétodo segiin carresponda Zz De acuerdo a lo que aclaramos en la “Introducci6n’, y a lo expresado anteriormente en este p&rrafo, no tendremos en cuenta los circuitos de polarizacién para el célculo. La corriente total a la salida la podremos expresar como: iy sly, +i B-) Donde: iy = Corriente total ortiente de polarizacion i,, =Componente alterna de ta corriente 't originadapor al generadarde sefial ea X Recordemos que la sefial del generador tiene valor medio nulo La potencia media entregada pot la fuente ta podemos expresar como: 4 1 4% +7 aE Je iydl=> Ive (lve 4 1, Jat 7 Jy Wy, Ol Jv iy, at (3-2) ° ° 6 o Obsérvese que en |g segunda integral del ullimo miembro uno de fos factores es constante(La lension de fa fuente), pero el otro es dé valor medio nulo segin lo ya expresado, por lo que la integral resulta nula En consecuencia, resolviendo fa primera integral resulta: Pra Ve Tyg (3-3)4 GALIANO - EL TRANSISTOR EN CIRCUITOS DE POTENCIA \ La expresién (3.3) nos dice que ia potencia entregada por la fuente es constante, independientemente de los valores de la sefial de entrada e igual a la potencia de repaso 0 potencia en el punto de operacién (Q), siendo esta Ja caracleristica tipica de la clase A. Por otra parte calcularemos fa potencia media util entregada a la carga, que por tratarse de una onda alterna se éxpresa como un valor medio cuatrético o valor eficaz: 1 ai 4 Pes Ir uy, aang a=R |, 6 =I, (3-4) ° Siendo: RL = Resistencia de carga |g = Corriente eficaz por la carga (debida a la serial) Vi= Tensitn eficaz en la carga El rendimiento en clase A podra expresarse entonces como: An : 36 , TPL Velg Veg es) La expresién (3-5) indica claramente que el rendimiento depende de la magnitud de la corriente eficaz por la carga debida a la sefial de entrada(l, 6 I), por lo que cuando la etapa ‘rabaja a baja sefial, el rendimiento es bajo y en el caso extremo de ausencia de sefial se hace cero, Visto de! punto de visia de ls energia consumida por el ampliicador, el mismo consume siempre el maximo durante todo el tiempo que este en servicio, indépendientemente de que exista seal 0 no (Musica, palabra, datus, etc), caracteristica que lo hace inaplicable, por ejempio, en equipos portaliles a baterias. Se analizaré a continuacién los rendimientos concretos de ios distintos tipos posibles de cireuites en clase A, y siempre teniendo a la vista lo dicho en la “introduccién” de este capitulo, el objetivo seré obtener de ellos sus valores limites 0 cotas teéricas. Para ello supondremos que et dispositivo(que ha sido generalizada), es ideal y por lo tanto puede funcionar en todo ol custronia completo, Asimismo se ubloara el punto “A” en aqual lugar que se considere apropiado para logra condiciones de rendimiento maximo te6rico. : Quizas este procedimiento pueda resultarle demasiado “ideal” para el lector, pero se trata der una técnica usada ampliamente en ingenietia, que evita que el disefiador cometa el error de conceplo, de encarar disefios con abjetivos que excedan svs valores limites, con ef consecuente Gesperdicio de tiempo y dinero. Por otra parte al determinar los valores particulares de un disefio, la comparacién con las cotas maximas, es un excelente medio para deiectar posibies erroves. Bajo todas estas premisas se pasaré'a los casos coneretos: 3.3.2 - TARGA OHMICA PURA Puede observarse en la figura 3.2a que se ha colocado la carga en el camino de polarizacién de acuerdo a lo expresado. Para maximizar el fendimiento ubicaremos el punto “Q" en el centro de nuestra recta de carga para lograr fa posible maxima sefial de salida, segin puede observarse en la figura 3.2b, Bajo estas condiciones ideales y con sefial senoidal pura, se caicularan sucesivamente los valores de pico, eficaces, maximos y el rendimienta de la etapa, (3- 6a) (3 - 6b) (3-7a) . (3- 7b) Ig Ve Pe ) + -F (3-8) 4 = 1/4 = 25% (3-9)Amplificadores de potencia-See3.3. 5S Ve iv Re he Vo Ve We a) Esquema de conexién b)Gréfica de salida idealizada Figura 3.2 - Etapa simple en clase f con carga resistiva, $i al célculo anterior le adicionamos alguna ‘realidad’, tal como: utilizaci6n incompleta del cuadrante, inconveniencia de colocar el punto Q en el centro de {a zona util, Sefiaies menores que la maxima, etc., ei rendimiento calculado, ya bajo de por si, disminuiré notablemente haciendo que este circuito resuite de muy poca aplicacién en el Srea de potencia. Otro inconveniente que presenta es que la corriente continua de polarizacién circula permanentemente por la carga, lo que resulta en la mayorla de los casos inadmisible 3.3.9 - CARGA INDUCTIVA Se reemplazaré la carga resistiva por una inductiva pura, que en la préctica usual se concreta con el uso de un transfermader que, para continuer con la idea de las cotas tedricas, se consideraré como ideal, con resistencia nula A ralz de esta idealizacién, la recta de carga estatica resultaré vertical al eje de las tensiones partiendo de la tensién de alimentacién Vr. La recta de carga dindmica la elegiremos de tal forma que recorra ef cuadrante desde 2 ly @ 2 Ve (Ver figura 3.3). Conviene aclarar que en este caso, y a diferencia de lo que sucede en un circuito clasico, existe total independencia entre la recta de carga estatica y la dinémica, por lo que esta ultima puede adoptar cualquier posicién, respetando por supuesto, su posicién dentro del cuadrante y su pendiente negativa Recordemos que enun transformador ideal podemos escribir: . 0 RLekKR, con k= BE ny enformamas generat. Z, =k” 2, Donde * indica que la resistencia o impedancia es la vista desde el primario del transtormador En este caso la potencia y el rendimiento maximo en la carga resulta: v, = Neve 3-40) wu Ea (8-10) P oP Pete yg soy gama pos p, a= 80% a1) Este circuito duplica el rendimiento con respecte al anterior brindando una mejor perspectiva de utilizacién. No obstante este valor no es demasiado satisfactorio y el problema de la circutacién de ta cartiente continua de polarizacién, se transfiere de la carga al transformador6 GALIANO -L-TRANSISTOR EN CIRCUFFOS DEROTENCIA Esta particularidad hace que los transfoimadotes deban ser previstos para admitir Ja suma de ia cortiente de polarizacién mas la cortiente de pico de la seffal sin producir saturacién en su niicleo, que origine distorsiones en fa transmisién de la sefial a través de él. Dentro de las frecuencias de audio ya citadas(Ver Seccién 3.1, parrafo 4to,), el ndoleo resulta sobredimensionado con costo, tamafio ¥ peso inadmisibles a la luz de las actuales técnicas, raz6n por fa cual no se lo utiliza en los equipos corrientes en el rango de audio. ‘Antiguamente resultaban imprescindibles para adaptar la impedancia de salida de las vélvulas del orden de los KOhm, a los parlantes con resistencias del orden de los Ohm, razén por fa cual su uso era generalizado. Si ingresamos al campo de las radiofrecuencias, la situacién cambia totalmente ya que los transformadores son pequefios y livianos, su costo es reducido y ante la necesidad de trabajar en forma general con circultos sintonizados (amplificadores de banda angosta), es comin el uso de bobinas 0 transformadores adaptadores. Recta estatica 3 2 val ho Recta dinamica al Vr 2Vr Wei, a) Circuito b) Grafica de salida Figura 3.3 - Etapa en clase A con carga inductiva Un hecho mty importante que puede visualizarse en Ia figura 3.3b), es qu: el dispositive debe soportar ol doble de la tension de alimentacién, o ain mas, en el caso :le que la recta de carga tenga una pendiente menor que la representada. La omisién de oste detalle por el disefiador, al elegir el dispositive de satida, puede causar estrages durante ef futuro funclonamiento del circuito.Amplificadores de potencia-See3.4 7 3.4-CLASE “ 1 - POLARIZACION iy Las condiciones que derivan de la definicién (ver parrafo 3.2), imponen polarizar el circuito a corriente cero pot © que la situacién en la grafica de salida es la indicada en fa figura 3.4, en ja que puede visualizarse cleramente la ubieacién del punto Q. Resulta evidente que en esta clase puede reproducirse un solo ciclo de la sefialien este caso el positivo) a El inconveniente se subsana _utilizando dos dispositivos 0 juegos de dispositivos, que se = —> complementan en su funclonamiento, reproduciendo Ve Viz cada uno una semionda de la sefial de entrada, Existen, Fig. 3.4-Gréfica de salida en clase B_ diversas configuraciones que se pasaran a analizar. 3.4.2 - ETAPAS EN CONTRAFASE 3.4.2.1 - Acoplamiento Push-Pull Se trata de una configuracién de tipo simétrica, que data de la época de las valvulas electiénicas y que requiere como minimo, el uso de un transformador de acoplamiento con fa carga. Habitualmente también se utiliza un transtormador de acoplamiento con la stapa previa, aunque puede sey feemplazado por un citcuito que provea dos salidas invertidas en fase, por fo cual en la figura 3.5 se ha generalizado la representaci6n con una fuente partida con punto medio. De acuerdo a las referencias de tensién de las mitades de esta fuente de serial, cuando uno de los dispositivos se encuentra en zona activa el otro se encuentra cortado, permutandose en et siguiente ciclo 14s condiciones de trabajo. El transformador con punto media combina estas dos ondas recomponiendo la sefal a fa salida con su forma original. Cabe observar que de acuerdo a los sentidos de las cortientes de una y otra mitad del circuit, las mismas praducen efectos magnéticos opuestos con valor medio cero, por lo que no existe magnetizacion permanente. Esta condicién de Tuncionamiento hace que los transformadores con néclaos de hierro a frecuencias de audio o falgo mayores tecgan con respecto a las elapas simples en Clase A un lamano menor. Conviene aclarar que esta configuracion puede usarse también en clase A leniendo las ventajas antedichas, Su inclusion dentro de! tratamiento de la clase 8 se na hecho por su mayor utilizacion dentro de esa clase 'No obstante lo anterior, subsisten las difcullades propias del us0 de los ransformadores tales como: @) No lingaldad de la respuesta maunética, Para mejoraria se requiare que los nucleas trabajen a une muy baja iccidn Wo aumenta considerablemente su tamafo, ) La inauctancia del tansformador y su capacidades pardsilas limitan la frecuencia de utlizaclon, ‘¢) El tamafo y peso resulante de ios trensformadores de alla fdelidad (por fas condiciones impuestas en a), JImposiiitan ta const’uccién de ampliicadores con la ransportabliéas que exige la miniaturizacion actual Como ya citamos, en la época de las valvulas el transformador adaptador era un elamento imprescindible, en la actualidad por el contrario, la impedancia de carga éptima de los transistores se coresponde mejor con la de los parlantes y ef acopiamiento sin transformador resulta posible, dando lugar a nuevos acoplamientos que veremos en el proximo parrafo La implementacién tradicional a vaivulas fue reemplazada luego con BJT y en la actualidad parecen estar tomando ese lugar los FET en general y mas especificamente los MOSFET, dentro del rango de frecuencias enunciados. Aqui también, este circuito es perfectamente valido y utlizable en radio frecuencla(RF) y en forma habitual, en cuyo caso la carga pusde ser complementada con un circuito sintonizado8 GALIANO-EL TRANSISTOR EN CIRCUITOS DE POTENCIA — ics _ —reeececeere cerry eS Figura 3.5 - Acoplamiento Push-Pull, esquema conceptual para clase B 3.4.2.2 - Acoplamiento en simetria Complementaria Este circulto, es uno de los mas generalizados en la época actual. Para un mejor entencimiento de las distintas configuraciones posibles se ha reemplazado el dispositivo genefalizado por transistores bipolares (BJT) Como lo indica el nombre se utilizan dos transistores de iguales caracteristicas, pero uno de polatidad NPN y otro PNP (0 canal Ny canal P), consiguiéndose asi la complementacién de corriente, similar a la descripta en la vonfiguracion Pusb-Pull, con la caracteristica de la clase B en que cada dispositive aparte una semionda en dicha complementacién Se pueden uliizar disposiciones a colector comtin (la mas utlizada), 0 a emisor comtin, y el sistema puede ser alimentado por fuente simple o doble dando lugar a cuatro configuraciones posibles que pueden observarse en la figura 38 Cada una de las configuraciones presentadas tiene ventajas e inconvenientes, se enunciaran las ventajas e inconvenientes de la fuente doble, con to que el lector podra deducir pox, contraposicién las ventajas e inconvenientes de las fuentes simples , a)No necesita capacitor de acopiarniento entre la carga y el centro de los transistores de salida b)Es necesaria una muy equilibrada polarizacién para situar la union de los transistores exactamente al nivel cero de tensién y evitar la circulacién de cortiente continua por la carga o)La ausencia del capacitor de acopiamiento, abvia los problemas de atenuacién y defasaje en baja frecuencia que estos producen y que fuerza a utilizar capacitores con valores importantes. Estas limitaciones en baja frecuencia se hacen més evidentes cuando con un mismo amplificador se trabaja con parlantes de menor impedancia (42 por ejemplo) d)Las corrientes transitorias para carga’ el capacitar a la mitad de la tensién de fuente en el momento de la conexién del equipo, y de recuperacién ante sobrecargas, quedan eliinadas. e)Se necesitan una fuente de alimentacién doble que incluye dos capacitores de filtro. No obstante en sistemas de audio estereofOnicos, el ahorro de los dos capacitores de salida, permiten en definitiva ahorrar un capacitor OBSERVACION - Los capacitares C, y Cz dea conexién en emisor comin, estén colocados en forma simbélica para significar la necesidad de que las bases de ambos transistores deben estar separadas por algin elemento activo 0 pasivo que perniita la existencia en polarizacion de una diferencia de potencial, En caso de que dichas bases estuvieran unidas se producirlan dos significativos errores de diseo a) La tensién entre +V; y -Ve quedaria afiicada sobre las dos junturas base-emisor de ambos transistores con el resultado de la destruccién de ambas junturas. En el caso del MOS de potencia resultarla previsibie la perforaci6n de fos dieléctricos de la compuerta, b) La tension colector-base de los transistores seria permanentemente cero impidiendo su funcionamiento (similar razonamiento para MOS).ea b CQ yt | ©. cs Emisor Lis Comin Ve a Th a & Colestor comin — 1 (Geguidor emisivo) yw Ri — & . Fuente ble Fuente simple Figura 3.6 - configuraciones elementales posibies en acoplamiento de simetria complementaria Amplificadores de potencia-See3.4 9 Las caracteristicas distintivas de las disposiciones a colector corntin y a emisor comiin, no difieren en nada de las ya conocidas para sertal, no ovstante se resumirén con las aclaraciones pertinentes al tema de potencia a) >) Emisor comun - Tiene alta ganancia de tensién y requiere una pequefia excitacién en sefial. La respuesta en frecuencia es comparativamente mas baja y es mayor la alinealidad to que hace que para exigentes cifras de distorsién, muy habituales hoy en dia en audio, deba aplicarse fuertes tealimentaciones, que pueden comprometer la eslabilidad del sistema. Algunos autores hablan de aplicar una realimentacién en la elapa de potencia y otra general para e\ amplificador, como medio de resolver el problema. Colector Comin 0 seguidor emisivo - No tiene ganancia de tensién, pero esta aparente ificultad no presenta por lo general un inconveniente insoluble, dada la facilidad para obtener ganancia necesaria con el auxilio de circuitos integrados (Amplficadoces Operacionales por ejemplo). Su respuesta en frecuencia es mejor y exhibe una total linealidad en grandes exoursiones, tipicas de las elapas de potencia, ES oman que existan paquetes de transistores con combinaciones conocidas, que se verén a continuacién, que en su conjunto actan en configuracién de seguidor.10. GALIANO - EL TRANSISTOR EN CIRCUITOS DE POTENCIA 3.4.2.3 - Acoplamiento Quasi-Complementario Si bien algunos grandes fabricantes de transistores de potencia ofrecen juegos de transistores NPN y PNP para usar en simetria complementaria en todas las potencia, esta no es una regia que se cumple en todos los casos, algunas de las firmas fijan su limite en valores que oscilan entre 60 a 115M a lo que se agrega que fa diversidad de fransistores NPN es siempre mayor que la PNP. Recordemos que ambos transistores son inherentemente diferentes, ya que para iguales diseftos el PNP tiene peor respuesta, lo que obliga a redimensionarlos para lograr caractersticas similares lo que no siempre se logra a la perfeccién (por ejemplo la respuesta en frecuencia), en especial cuando la potencia aumenta. A estos problemas se agfega muchas veces Ia falta de disponibilidad comercial (stock en mostrador) de estos juegos, en especial en grandes pdtencias. Por todo ello viene a nuestra ayuda, como una opcién mas del disefiador, el acoplamiento quasi-complementario que utliza dos transistores iguales NPN en la salida, precedidos por una elapa complementaria de evidente menor potencia, segtin puede observarse en la figura 3.7 Hed o _ A Ry Q, . Qa, ~{ dy by, Figura 3.7 - Acoplamiento en Simetria Figura 3.8 - Acoplamiento Puer te ‘Quasi-Complementaria (simplificado). (simplificado) Esta configuracién puede analizarse de dos maneras diferentes’ a) Efectuando una imaginaria division en el sentido vertical, entre la elapa de salida propiamente dicha y la etapa previa o excitadora, En ese caso [a etapa final esté vonformada por dos transistores de igual polaridad (siempre NPN, como ya comentamos), precadides por una etapa en simetria complementaria b)Dividiendo el circuito en forma horizontal, la mejor quizas, desde el »unto de vista conceptual y del disefio. En este caso la parte superior la constituye un acoptamiento Darlington, que en su conjunto acta como un transistor NPN de caracteristicas mejoradas ye conocidas por nosotras desde el estudio de los amplificadores de seflal y de las observacioties adicionales hechas en este trabajo (ver seccién 1.2.1). La inferior la forma una disposicitn con algo de similitud con la anterior denominada clasicamente como PNP-NPN, conjunto que actita como un PNP, con ganancia de corrienttf calculable en forma similar al acoplamiento Darlington, Ambos conjuntos estén dispuesto entonces aproximadamente como un amplificader de simetria complementaria a colector comin.Amplificadoces de potencia-Sec3.4 11 3.4.2.4 - Acoplamiento Puente Para un mejor entendimiento de esta disposicién, supongamos disponer de dos amplificadores idénticos (A y B) enfrentados, como puede observarse simplificadamente en la figura 3.8. la distribucién de fa sefial debe ser lal que resutten excitados simulténeamente los transistores Q; y Q. en un semiperiodo, y los Qa y Qy en el otro. Como resultado, en el primer perlodo circula la corriente ins de izquierda a derecha, y en el segunda circula la corriente ina de derecha a izquierda, De esta forma ambos ciclos se complementan reproduciéndose la forma de la seffal de entrada al igual que en todas las olras configuraciones en clase B, Si comparamos fa disposicion de la Figura 3.7 con la 3.8, podemos deducir que la resistencia Ry alcanza en ja primera disposicién (Fig. 3.7) un valor ideal de pico Vr , tanto en la excursion positiva como en la negativa, debido a que uno de sus extremos esté conectado petmanentemente a tierra En la segunda en cambio (Fig. 3.8), la resistencia & esta conectada en forma flotante, por lo que cuando conduce Q; y Q, un extremo de la resistencia alcanza el valor +V¢ mientras el otro alcanza el de -Vr , lo que totaliza 2Vr . En resumen, én configuracién puente, la tensién maxima aplicada a la resistencia de carga es el doble que en la anterior (Igual conclusién se obtendra si se las compara con cualquiera de las configuraciones de simetria compiementaria de la figura 6). Dade que fa potencia es proporcional al cuadrado de la tensién se podria obtener sobre una misma carga cuatro veces mas potencia con esta disposicién, para una misma tensién de fuente Dado que no resulta posible exceder la maxima potencia de pérdida a disipar por c/u de los ampliticadores, no sera posible obtener cuatro veces mas potencia sino solamente el doble. Debieran tomarse precauciones adicionales al efectuar este acoplamiento para evitar que los amplificadores sufran una sobrecarga, pudiendo procederse de dos maneras a) Limitar los vaiores maximos de excitacién de forma de lograr que el conjunto no exceda et doble de la potencia de cada uno. b) Modificar el valor de Ia resistencia de carga (Ri), al doble del valor especificado para el integrado simple, con lo que se reponen condiciones similares a su uso como amplificadores independientes. En circuitos discretos la distribucién resulta aigo compleia por las especiales condiciones de excitacién en sefial, que dificulta e! acoplamiento directo tipico de tos eircultos de potencia. Si el problema se resuelve repitiendo las etapas excitadoras, el disefio resulta comparativamente costoso. En camblo en circuitos integrados dobles previstos para amplificacién estéreo, esta configuracion abre un excelente posibilidad de aumentar la potencia por arriba del maximo disponible dentro de tas teas de los distintos fabricantes, colocando los dos circuitos enfrentados. Esta alternativa soluciona también problemas de falta de existencla en mostrador. En la mayorla de ellos esté prevista esta conexibn y se presentan les circuitos apropiados ‘como veremos oportunamente. Una ventaja de esta configuracién es que al estar la carga flotante y no necesitar conexién a tierra, puede usarse fuente simple (mas sencilla y econémica) sin necesidad de capacitores de acoplamiento que limitan la frecuencia interior (otra economia y ventaja técnica) El hecho de que la resistencia de carga recibe idealmente como pico la tensién plena de la fuente, resuelve el problema de altas potencias en caso de existir limitaciones en los valores de las tensiones de alimentacién, como sucede con algunos cirouitos integrados.12. GALIANO- BL TRANSISTOR EN CIRCUITOS DE POTENCIA 3.4.3 - POTENCIA Y RENDIMIENTO Resumiendo lo visto al definir la Clase B, la corriente de colector (0 Drenaje) circula solamente cuando hay seflal y por lo tanto la corriente tomada de la fuente no mantiene un valor constante, como en clase A, sino que por el contrario depende del valor de la excitacién. Deberemos entonces recalcular todos los valores caracteristicos. Debido a las dos formas posibles de alimentacién con fuente simple o doble, deberemos dividir nuestros calculos en dos versiones, que no obstante mantendran su_unificacién conceptual como iremos remarcando oportunamente 3.4.3.4 - Fuente doble Supongamos en un primer caso, una etapa de salida con alimentacién por fuente doble simétrica y carga resistiva similar a la de la figura 3.8¢ La potencia media entregada por la fuente durante un semiperiodo (Que se repite en forma idéntica en el otro) sera: PeaVeTo=EVple (3-12a) ow 2 Mw si reemplazamos: ig = 3+ Peet, ME 3-120) c= R = Eve (3-128) El valor maximo de Pr se dard cuando sea maxima la corrlente de colector o lo. que es lo mismo, cuando sea maxima la tensién de pico de la carga. Este maximo se cumpie en las condiciones ideales ya enunciadas (Ver Sec. 3.1 parrafo 4°), cuando: Vues) = Ve - (3-13) 2 2 vy 2NF _ 0.63662 (3-14) mR RA Por otra parte, si llamamos con Vi a la tensidn eficaz en la carga, la potencia de salida desarrollada en ella sera: Peatss (3-15) El maximo se cumpliré también aqui cuando se cumpla (3-13), resultando: 4Vve PLMaR) = 53 (3-16) Con estos valores calcularemos el rendimiento 7 para cualquier condicion de carga como: iv (3-17) De igual forma, cuando se cumpla (3-13) se obtendré el rendimiento maximo Puen) _ Feo 4 Temaxy = =785% (3-18) Dado que en el siguiente semiciclo entra en operacién el otro transistor pero con valores idénticos, todo lo calculado vale para el ciclo compieto. OUST ESO cepAmplificadores de potencia- Seo3.4 13 Se consideraré ahora la potencia desarrollada en el dispositive (como potencia de colector de lun transistor, para lo cual se calcula previamente su corriente y tensién: . uy ig = Tsenat = —" senat G19) RL Vor =p - ML = Ve ~ Ue senat (3-20) « ‘ a2 * 4 Ve Ye Po = Vee ic = (Vp Vi senet) Rsenat =F senat- =" sen* at (3-21) \ iL RL 6 * na? Po == et Te (3-22) Por atta parte de la observacion de la (3-126) y de la (3-14), se obtiene (3-22) «Bade que se trata de una funcién que depende de Vi‘, se calcularé su derivada y se la igualaré a cero para determinar el valor de dicha tensién para el cual se produce el maximo de esta potencia. velo i -2y, (3-23) mR RL ave Reempiazando la (3 - 23) en la (3 - 22) obtengo Fooan que operando resulta Pax) = En forma simplificada y més facil de recordar, aparece esta formula en los manuales como’ oman = ME op YE 3-24" oo) = BR AOR (G-24') Esta potencla media maxima corresponde a un transistor, en el semiperiodo, que se repite para el otfo transistor en el siguiente semiperiodo, por lo tanto para e! dimensionamiento del disipador, esta es la formula a utilizar, siempre que este sea comtn a los dos como es habitual. 4 Igual procedimiento se aplica en los circuilos integrados en los cuales ambos transistores comparten una misma capsula. Una modificacién que se suele introducir para este caso, consiste en adicionar a las potencias descriptas 1a correspondiente al funcionamiento en reposo, que esta constituida por los circuitos de excitacidn, probablemente en clase A, y la posible corriente de reposo en la etapa de salida en la clase AB (que se estudiaré mas adelante). Esta potencia adicional la denominaremos con Pay cortesponde a la condicién P.=0, con lo que para el disipador comtin se obtienen las formulas (3-25) y (3-25) SEDC RRR CEN soe . erosecsaecbaimgys i cone enegnee onige14, GALIANO- EL TRANSISTOR EN CIRCYITOS DEPOTENCIA ze +Pg (3-25) R En rigor de verdad, 1a formula (3-22) se podria haber obtenido, en este caso, simplemente por diferencia entre la potencia de la fuente y la de la carga, aplicando directamente ta (3-22') y procediendo al reempiazo de los valores segtin la (3-12b) y la(3-14). Se ha preferide inetuir el cloulo formal de la potencia media disipada ideal, dado que no siempre es aplicable taxativamente la (3-22') para cualquier disposicién y clase de funcionamiento, 3.4.3.2 - Fuente simple Procedimientos similares permitiran calcular las variables de tensién y corriente y las potencias para la disposicién en fuente simple, similar a la de la Figura 3.6d (Quedan para el Lector los pasos intesmedios) En ella, para evitar confusiones cuando se las relaciona con las fuentes dobles y/o se intenta memorizarlas, se adopta para la fuente de alimentacién simple el simbolo "Vs", y tas formulas llevan ef mismo numero de sus similares de fuente doble eto con el agregado “S' La potencia media de la fuente en el semiperfodo que trabaja el transistor superior es: Mel 2 MeV (3-12b-8) Row RL Se recuerda que al conectar el amplificador en disposicion de fuente simple, el capacitor se carga idealmente a la mitad de la tensi6n de fuente, ya que esa esa lensién que deberla existir en el punto de acaplamiento de ambos transistores si la polarizacién es correcta y no existe sefial alguna. Durante el semipertodo que trabaja el transistor superior y cuya potencia de fuente acabamos de calcular, el capacitor recibe una carga extra que utliza en el semiperfodo siguiente para abastecer la cortiente del semiciclo negativo comandada por el transistor inferior. Dado que durante dicho semiciclo el transistor superior esta cortado, la fuente no entraga potencia y por lo tanto la potencia media durante Ia totalidad del ciclo resultard ta mitad de fa caleulada para el semiciclo. Tendremos entonces: 2 . ~ “ ~ 2 PeVsle=25ms), los tiempos de Jas curvas de extensién del SOAR para régimen de pulso, que por otra parte son de pulso “nico y no repetitive como en el caso de musica o palabra Por dicha razén se utilizan siempre dentro del SOAR, las curvas de corriente continua. Un andlisis mas detallado de las curvas de potencia instanténea disipada, por ejemplo para el caso de potencia media maxima {sucede cuando se cumple la (3-24)=> R=2/n}, permite apreciar que la potencia instanténea supera el nivel de Poqisy desd2 algo menos de 30° hasta algo mas de 150°, Este lapso de algo més de 120° se corresponde a fa frecuencia minima de 20Hz con un intervalo de tiempo at =17 ms, que por las misma consideraciones anteriores nos conducitia a utilizar para el mismo las curvas de SOAR de corriente continua, Un diseflo muy conservativo tenderla a modificar la (3-24), adoptando el valor de pico de la onda inslanténea data fa proximidad de ta curva a ese valor durante el tiempo citado. El factor "0,2" serla reemplazado por el de “0,25” (Ver grafica) quedando entonces: a Ry (3- 24") reemplazada por: Portas) (3-24")20. GAUIANO-EL TRANSISTOR EN CIRCUITS DE ROTENCIA < 4 2 a 5 Zz = = § 2 e a z & 5 8 4,q0000 80000 e000 70000 yeuoca, sooo oor, 20000 | 20000 10000 0,00000 SEES PEEPS A ow ANGULOS 4a TENSION COLECTOR-EMISOR _ Ret ecCoawmmsss ORDE 180" FOTENCIA DISIPADA POTENCIA NORMALIZADA Figura 3.10 - Curvas de la corriente de colector, tensién Colector-Emisor y potencia de colector para el transistor Q; de la Fig. 3.6 parte “a” 6 °c’ (alimentacién doble).Amplificadores de povencis -Sec3.4° 21 3.4.3.6 - Infiuencia de la resistencia de la fuente Todas las deducciones realizadas hasta aqui suponen una fuente ideal totalmente estabilizada, suposicién que habitualmente difiere de ta realidad, por lo que se-analizara una condicién algo mas real suponiendo que la fuente tiene una resistencia constante "Re Esta afitmacién no resulta demasiado simplificativa, por lo general, si se trabaja en la porcién de la curva de tension de salida versus carga de la fuente y a partir del punto de vacio zona que puede considerarse come aproximadamente lineal, complementada esta linealizacién con ta resistencia del transtormador (evidentemente constante) y la de los diodos, en el caso de usarse, Haremos la deduccién unicamente para el caso mas comun de fuente doble La nueva expresién adoptada para la lensién de la {uente sera entonces: Ver = Ve -Rsic (3-39 A los efectos de deducir los nuevos valores para la polencia disipada, se repiten abreviadamente los pasos a partir de la formula (3-18) que no se modifica \ to =e sonat (3-19) La tensidn Colector-Emisor se modifica como: Veg = Ve “Ric - Vu senat {3-204Rs) Reemplazando la (3-19) en la (3-20+Rs) y operando resulta: a (Rs +R, | , Vee = Ve — (BeBe oena (3-204Rs) ue iL Que al aplicar al cAlculo ve la potencia disipada instanténea permite obtener VeM, ve 2p = Vee ig = sent — 25 (Rs +Ry)sen? at (3-21+Rs) é La potencia media resulta 2M ST 3-224; ON Re ¢ s) El maximo se produce cuando oo > (3-234Rg) ay Reemplazando en (3-22+Rs) se obtiene: 3-24 +R. ficads Pe ve 3= 244R, Reem (-P +Re)d simpiticadamente:Pomay = ga eRy (O~ MAR) La alimentacién de los amplificadores de potencia no es por ‘e general regulada, en razén de que las severas exigencias que se imponen a las misma por las especiales condiciones de funcionamiento, que comentaremos mas abajo, y que los encarecerfan notablemente.22 GALLANO - PL TRANSISTOR EN CIRCLITOS DE FOTENCLA, Por ello lo normal es que la potencia maxima disipada por el transistor resulte inferior a la calculada segtin la (3-24'), situacién que podria justificar el no uso de la (3-24") ain ent disefios conservatives, asi como en la mayor parte de los textos Se estima que la relacién entre la resistencia de la fuente y de la carga se encuentra comprendida entre: 0 Maw Vico Ye 2 3.3. yy. G-34) Por otra parte Pope cre comer ot some 4 gees egy24. GALIANO- UL. TRANSISYOR EMCIRCUTTOS DEFOTENCIA, (3-35) Que teemplazada en (3-34) y operando resulta 4 oR R, oo ee 250% 3-39 2 2h, +R, 2 RFR, Esta expresi6n valida la afirmacién de que cualquier no-idealidad que se introduzca en nuestras deducciones disminuye el valor tope o cota del rendimiento en potencia. Simiiares deducciones nos permitiran llegar a las expresiones modificadas del rendimiento para las otras configuraciones ya estudiadas a saber The & Clase A con car resistive yy =25% 0-3 Clase B sm 3-38 lase uae = 78554 — 3 " RRs oe Es evidente entonces que el funcionamiento en clase B es el que ostenta el mejor rendi méximo, recordando que este solamente se alcanza en las condiciones maximas de excitacién raz6n pot la cual su valor es habitualmente bastante inferior. Esta razon es la que impulsa a que en ciertas aplicaciones sin exigencias de fidelidad se recurra a circuitos de conmutacién cuyo rendimiento tebrico 8s dat 100% Otro punto importante es el rendimiento en energia (es la que se paga), que en el caso de las. haterlas resulta primordial, ya que si ei mismo no est minimizado se traduce en un recaribio frecuente de elementos con su costo incluido y si se trata de elementos recargables la situacién deriva en conjuntos mas grandes o cortos periodos de utllizacién con frecuentes recargas 0 ambas situaciones ala vez Aestos electos debemes destacar otro aspecto del problema. Cuando el amplificador trabaja en clase A independientemente de la potencia de salida, incluso cuando ésta es cero, la potencia requerida a la fuente es constante y maxima (3-3), por lo tanto en todos los pasajes de méisica ylo palabra de niveies inferiares al maximo (los mas comunes), el amplificador sigue integrando una potencia maxima con un fendimiento pésimo y con el resultada de un consumo de energla desproporcionado. Cuando el amplificador trabaja en clase B la potencia entregada por la fuente se modifica a medida que se modifica la potencia en fa carga y si bien el rendimiento disminuye al disminuir ta sefial fa felacién de disminucidn es lineal (3-17) ¥ no cuadratica como en el caso de la Clase A (3-33), Ademas en Clase B si no existe seal tampoco hay consumo. Clark-Hess (Ref 50), estima que la relacién de fa potencia disipada por el dispositive entre la clase Ay la 8 para musica y palabra es de 20/1. Este aspecto del andlisis referido al consumo de energia, puede ser en si mismo ef mas importante para prefetit \a clase B, més que la diferencia en el rendimiento en potencia, y que como ya dijimos cobra una importancia fundamental en el caso de alimmentacién a baterias que obviamente tienen una capacidad de almacenar energia acotada Debe aclararse que tas (Srmulas deducidas, si bien partieron de un diagrama a base de transistores bipolares, estan finalmente expresadas en funcién de tensiones de alimentacién, tensiones sobre la carga, etc. que son independientes del dispositivo por to que tienen plena validez para cualquiera, actual o futuro, incluido por supuesto los amplificadores de potencia conformados con FETAmplificadores de poreneis-Seo3.4— 25 3.4.2.8 - Especificacion de ia potencia de amplificadores Existen varias normas sobre cl tema, unas provenientes del Institute of High Fidelity (THF), mas especializada y otra de la Electronic mdustties Association (EIA), mas general, que comentaremos en forma abroviada. La denominada como Régimen de Polencia Musical EIA se define como: “La potencia obtenida a una distorsion arménica del 5% o menos después de la aplicacién sobila de una sefial durante un inlervalo de tiempo tan corto que las lensiones de alimentacién no varien con respecto a sus valores sin sefial La definiciin denominada como salida dinamica o potencia IHMF es similar aunque debido a su origen (Alta fidelidad) se especifica para una distorsin bastante menor que e 5%, normaimente menor que el 1%. Como en ambos Ja condicién es que la tensién de atimentacién no varle, el ensayo debe realizarse forzosamente con una alimentacién regulada, por lo que el resullado es una potencia en muchos casos algo ficticia y mayor que la que el amplificador podra entregar luego, eh forma permanente, on condiciones reales con una alimentacién no-reguiada. La potencia efective del ampificadar dependerd ivego de la fuente de alimentacion que se le coloque o sila trae incluida, como sucede con las equips compactos actuales, resultara dificil predecir cual seré la potencia permanente que podré entregar reaimente. Otra especificacién es fa denominada como “Salida continua eficaz{RMS)" 0 de onda senoidal, que especifica un tiempo substancial de aplicacién de tas onda senoidal, a la distorsion de referencia, Como es l6gico esta potencia serd menor que la anterior para alimentacion regulada y tanto menor cuanto peor sea ta requlacion de fa fuente o mayor su resistencia intema (Férmula (3-164Rs)}. Por una razén de tipo eminenlemente comercial es lo habitual especificar la potencia Inusical, dado que es la que ostenta Valores mayores aunquo éstos luego no se cumplan