El tiristor

Original de:
Universidad de Jan
Escuela Politcnica Superior
Autor:
Juan Domingo Aguilar Pea
Autorizado para:
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El tiristor

1.1 ESTRUCTURAS Y CARACTERSTICAS GENERALES

1.1.1 DESCRIPCIN DEL SEMICONDUCTOR Y ESTRUCTURA
El tiristor (SCR) es un dispositivo semiconductor biestable de cuatro capas, PNPN (Fig 1.1), con
tres terminales: nodo (A), ctodo (K) y puerta (G), (Fig. 1.2). Puede conmutar de bloqueo a
conduccin, o viceversa, en un solo cuadrante.
Anodo
P1
N1
P2
N2

Puerta

Catodo

Anodo

U1 (P2-N2)
U2 (N2-P1)
U3 (P1-N1)

IG

Th

G
K

Catodo

Fig.1.- Estructura del tiristor.

IA

Fig.2.- Smbolo del tiristor.

La curva caracterstica del SCR es la representada en la figura 1.3, donde:

VDRM
VRRM
VT
IT
IH
IDRM
IRRM

= Valor mximo de voltaje repetitivo directo.

= Valor mximo de voltaje repetitivo inverso.
= Cada de tensin de trabajo.
= Intensidad directa de trabajo.
= Intensidad de mantenimiento en estado de conduccin.
= Intensidad directa en estado de bloqueo.
= Intensidad inversa en estado de bloqueo.

IT
Zona de bloqueo
inverso
IL
I
H
VR
VRSMVRRMVRWM

Zona de conduccin
Zona de bloqueo
directo
VT
VBO
VDWM VDRM VDSM

Fig.3.- Curva caracterstica del tiristor.

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1.1.2 MODOS DE FUNCIONAMIENTO

VAK < 0 Zona de bloqueo inverso: SCR bloqueado (circuito abierto) (Fig. 1.3).
Solo lo recorre una dbil corriente de fuga inversa (IRRM).
Hay que intentar no sobrepasar la tensin inversa mxima (VRRM).
VAK > 0; sin excitar puerta Zona de bloqueo directo: SCR bloqueado (circ. abierto).
Solo lo recorre una dbil corriente de fuga directa (IDRM).
Hay que intentar no sobrepasar la tensin directa mxima (VDRM) (Fig. 1.3).
VAK > 0; excitada en puerta, Zona de conduccin: SCR conduce (cortocircuito).
entre G y K circula un impulso positivo de corriente (Fig. 1.3).
Duracin del impulso de cebado: lo suficiente para que IA = IL (de enganche).
Mientras el SCR conduce, este se comporta como un diodo.
El SCR se bloquea cuando la corriente directa (IT) < corriente de mantenimiento (IH), en cuyo caso
la puerta pierde todo poder sobre el SCR.
Los modos de funcionamiento del SCR pueden ser:
Todo o nada: para una seal de entrada (Fig. 1.4.a), el SCR suprime algunos semiperodos
suministrando a la carga paquetes de semiondas (Fig. 1.4.b).
ngulo de fase: (Fig. 1.4 c) se mantienen todos los semiperodos, se suprime parte de cada
uno de ellos (ngulo de bloqueo) y el resto se transmite a la carga (ngulo de conduccin).
1

10

10

10

Se al de entrada
1

Control todo o nada

1

Control por ngulo de fase

Fig..4.- Modos de funcionamiento del tiristor.

1.1.3 CARACTERSTICAS GENERALES

Interruptor casi ideal.
Soporta tensiones altas.
Amplificador eficaz.
Es capaz de controlar grandes potencias.
Fcil controlabilidad.
Relativa rapidez.
Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (memoria).
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1.2 CARACTERSTICAS ESTTICAS

Corresponden a la regin nodo-ctodo. Son aquellos valores que determinan las posibilidades
mximas de un determinado SCR. Estos datos son:

Tensin inversa de pico de trabajo ............................................. VRWM

Tensin directa de pico repetitiva ............................................... VDRM
Tensin directa ............................................................................ VT
Corriente directa media ............................................................... ITAV
Corriente directa eficaz ............................................................... ITRMS
Corriente directa de fugas ........................................................... IDRM
Corriente inversa de fugas .......................................................... IRRM
Corriente de mantenimiento ........................................................ IH

Las caractersticas trmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores son:

Temperatura de la unin ............................................................. Tj

Temperatura de almacenamiento ................................................ Tstg
Resistencia trmica contenedor-disipador .................................. Rc-d
Resistencia trmica unin-contenedor ........................................ Rj-c
Resistencia trmica unin-ambiente............................................ Rj-a
Impedancia trmica unin-contenedor......................................... Rj-c

1.3 CARACTERSTICAS DE CONTROL

Corresponden a la regin puerta-ctodo y determinan las propiedades del circuito de mando que
responde mejor a las condiciones de disparo. Los fabricantes definen las siguientes
caractersticas:

Tensin directa mx. ................................................................... VGFM

Tensin inversa mx. ................................................................... VGRM
Corriente mxima......................................................................... IGM
Potencia mxima ......................................................................... PGM
Potencia media ............................................................................ PGAV
Tensin puerta-ctodo para el encendido ................................... VGT
Tensin residual mxima que no enciende ningn elemento ..... VGNT
Corriente de puerta para el encendido ........................................ IGT
Corriente residual mxima que no enciende ningn elemento ... IGNT

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1.3.1 REA DE DISPARO SEGURO

En este rea (Fig. 1.5) se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Las tensiones y
corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las
curvas:
Curva A y B: lmite superior e inferior de la tensin puerta-ctodo en funcin de la corriente
positiva de puerta, para una corriente nula de nodo.
Curva C: tensin directa de pico admisible VGF.
Curva D: hiprbola de la potencia media mxima PGAV que no debemos sobrepasar.
VGF (V)

VGFM

Area de
ruptura

PGM max= 5 W

D
Area de
disparo seguro

V0
Area de
posible disparo

B
0

I0

IGF (A)

Fig.5.- Curva caractersticas de puerta del tiristor.

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1.4 CARACTERSTICAS DINMICAS

1.4.1 CARACTERSTICAS DINMICAS
Tensiones transitorias:
Valores de la tensin superpuestos a la seal de la fuente de alimentacin.
Son breves y de gran amplitud.
La tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM) debe estar dentro de esos valores.
Impulsos de corriente:
Para cada tiristor se publican curvas que dan la cantidad de ciclos durante los cuales puede
tolerarse una corriente de pico dada. (Fig. 1.6).
A mayor valor del impuso de corriente, menor es la cantidad de ciclos.
El tiempo mximo de cada impulso est limitado por la Tra media de la unin.
ITSM
IT > IT
IT

t1 < t2

IT
ITAV
0 t0

t1

t2

Fig.6.- Curva de limitacin de impulsos de corriente

ngulos de conduccin: (Fig. 1.7)
La corriente y tensin media de un SCR dependen del ngulo de conduccin.
A mayor ngulo de conduccin, se obtiene a la salida mayor potencia.
Un mayor ngulo de bloqueo o disparo se corresponde con un menor ngulo de conduccin:
ngulo de conduccin = 180 ngulo de disparo

Conociendo la variacin de la potencia disipada en funcin de los diferentes ngulos de

conduccin podremos calcular las protecciones necesarias.

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Potencia
suprimida

Potencia
disponible

Angulo de
bloqueo

Angulo de
conduccin

Fig.7.- ngulo de bloqueo y conduccin de un tiristor.

1.4.2 CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN

Los tiristores no son interruptores perfectos, necesitan un tiempo para pasar de corte a
conduccin y viceversa. Vamos a analizar este hecho.
1.4.2.1 TIEMPO DE ENCENDIDO (TON)
Tiempo que tarda el tiristor en pasar de corte a conduccin (Fig. 1.8).
Tiempo de retardo (td): tiempo que transcurre desde que la corriente de puerta alcanza el 50 %
de su valor final hasta que la corriente de nodo alcanza el 10 % de su valor mximo.
Tiempo de subida (tr): tiempo necesario para que la corriente de nodo pase del 10 % al 90 % de
su valor mximo, o, el paso de la cada de tensin en el tiristor del 90 % al 10 % de su valor inicial.
t on = t d + t r

max.

90 %
10 %

0
max.
0

90 %
10 %
tr

td

V. puerta

ton
50 %

Fig.8.- Tiempo de encendido Ton.

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1.4.2.2 TIEMPO DE APAGADO (TOFF)
Tiempo que tarda el tiristor en pasar de conduccin a corte (Fig. 1.9).
Tiempo de recuperacin inversa (trr): tiempo en el que las cargas acumuladas en la conduccin
del SCR, por polarizacin inversa de este, se eliminan parcialmente.
Tiempo de recuperacin de puerta (tgr): tiempo en el que, en un nmero suficiente bajo, las
restantes cargas acumuladas se recombinan por difusin, permitiendo que la puerta recupere su
capacidad de gobierno.
t off = t rr + t gr

dVf / dt
VF
0

dIr / dt
VR
If

t1 t2

t3

t5 t6

t4

Ir
trr

tgr
toff

Fig.9.- Tiempo de apagado Toff.

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1.4.3 MODOS DE EXTINCIN DEL TIRISTOR

1.4.3.1 EXTINCIN POR CONTACTO MECNICO
Extincin del SCR interrumpiendo el circuito mediante un cortocircuito (Fig.1.10 a-b) o
introduciendo una corriente inversa usando una fuente auxiliar (Fig.1.10 c) o un condensador
cargado (Fig.1.10 d-e).

(a)

(b)

(c)

S
Th

S Th

Th

(e)

Carga
P

Th

(d)

Carga
C
R

Th

C
-

Fig.10.- Formas de extincin por contacto mecnico.

1.4.3.2 EXTINCIN POR CONMUTACIN FORZADA
Se fuerza a la corriente a pasar a travs del tiristor en sentido inverso, consiguiendo un tiempo de
descebado menor.
Conmutacin forzada por autoconmutacin: circuitos que desceban al SCR automticamente
tras un tiempo predeterminado desde la aplicacin del impulso de disparo. Los ms usados son:
Circuito oscilante LC en paralelo: C cargado disparo del SCR C se descarga sobre SCR
en sentido directo por oscilacin del circuito LC, C se carga en sentido opuesto hasta que IR
(de carga) < IGT se produce el descebado (Fig. 1.11).
IGT
RL
E

VC

t
t

Th

IR
+
-

VTh
t
ITh
t

Fig.11.- Extincin por circuito LC en paralelo.

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Circuito oscilante LC en serie: La I que circula al disparar el SCR excita al circuito LC, pasado
el 1er semiciclo de la oscilacin, la I se invierte y desceba el SCR (Fig. 1.12).
IGT
RL

VC

Th

VTh
L
+
-

t
ITh
t

Fig.12.- Extincin por circuito LC en serie.

Conmutacin forzada por medios exteriores: circuitos que desceban al SCR sin depender del
tiempo en que se produjo el disparo. Los ms usados son:
Conmutacin por medio de C.A.: el SCR se desceba cada vez que cambia el sentido de la
tensin al semiperodo negativo (Fig. 1.13). La frecuencia no debe superar al tiempo de
conmutacin.
IGT
VC

t
t

RL
Th

VTh

ITh
t

Fig.13.- Circuito de conmutacin por medio de C.A.

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Conmutacin por tiristor auxiliar: si T1 conduce y T2 est en corte C se carga por T1; cuando
T2 conmuta a conduccin T1 se bloquea C se carga por RL en sentido inverso; pasado un
tiempo tq, que depende de C y debe ser > toff del SCR la tensin en T1 (VT1) tiende a hacerse
positiva (Fig. 1.14).

VTh1 = V R L I( t ) = V 1 2e

t R LC

t q 0 ,7 R L C

IGT1
IRL
RL
C

R
VTh1

E
-

Th1

ITh1

Th2

t
IGT2
t

Fig.14.- Circuito de conmutacin por tiristor auxiliar.

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1.5 MTODOS DE DISPARO

Para producir el disparo del SCR: IAK > IL . Para mantenerse en la zona de conduccin, por el
SCR debe circular IH , por debajo de la cual el SCR se bloqueara.

1.5.1 MTODOS DE DISPARO

1.5.1.1 DISPARO POR PUERTA

En la figura 1.15 tenemos un circuito de disparo por puerta.
El valor requerido de VT necesario para disparar el SCR es: VT = VG + I G R
R viene dada por la pendiente de la recta tangente a la curva de mxima disipacin de potencia
(Fig 1.16) para obtener la mxima seguridad en el disparo. R = VFG I FG
Una vez disparado el SCR perdemos el control en puerta.
Las condiciones de bloqueo se recobran cuando VAK < VH y cuando IAK < IH
VFG (V)
R

SCR

V
R

Fig.15.- Circuito de control

por puerta de un SCR

IFG (A)
Fig.16.- Recta tangente a la curva
de mx. disipacin de potencia

1.5.1.2 DISPARO POR MDULO DE TENSIN

Es el debido al mecanismo de multiplicacin por avalancha.

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1.5.1.3 DISPARO POR GRADIENTE DE TENSIN

Una subida brusca del potencial de nodo en el sentido directo de conduccin provoca el disparo
(Fig. 1.17). Este caso ms que un mtodo, se considera un inconveniente.
VA
Disparo por
dVA / dt

Disparo por superacin

de VA mxima
Disparo por IG
t

Fig.17.- Zona de disparo por gradiente de tensin.

1.5.1.4 DISPARO POR RADIACIN

Est asociado a la creacin de pares electrn-hueco por la absorcin de la luz del elemento
semiconductor. El SCR activado por luz se llama LASCR.

1.5.1.5 DISPARO POR TEMPERATURA

Asociado al aumento de pares electrn-hueco generados y recogidos por la unin N2-P1 de la
estructura del SCR (Fig. 1.1).
La tensin de ruptura VBR (si se alcanza durante 10 ms, el SCR puede destruirse) permanece cte.
hasta un cierto valor de la Tra y despus disminuye al aumentar esta.

1.5.2 CONDICIONES NECESARIAS PARA EL CONTROL DE UN SCR

Disparo: nodo positivo respecto al ctodo.
La puerta debe recibir un pulso positivo con respecto al ctodo.
En el momento del disparo IAK > IL
Corte:

Anulamos la tensin VA
Incrementamos RL hasta que Iak < IH

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1.6 LIMITACIONES DEL TRANSISTOR

1.6.1 LIMITACIONES DE LA FRECUENCIA DE FUNCIONAMIENTO
La frecuencia de trabajo en los SCR no puede superar ciertos valores.
El lmite es atribuible a la duracin del proceso de apertura y cierre del dispositivo.
La frecuencia rara vez supera los 10 Khz.

1.6.2 LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE TENSIN dv/dt

dv/dt es el valor mnimo de la pendiente de tensin por debajo del cual no se producen picos
transitorios de tensin de corta duracin, gran amplitud y elevada velocidad de crecimiento.
A) CAUSAS
La alimentacin principal produce transitorios difciles de prever en aparicin, duracin
(inversamente proporcional a su amplitud) y amplitud.
Los contactores entre la alimentacin de tensin y el equipo: cuya apertura y cierre pueden
producir transitorios de elevada relacin dv/dt (hasta 1.000 V/s) produciendo el basculamiento del
dispositivo.
La conmutacin de otros tiristores cercanos que introducen en la red picos de tensin.
B) EFECTOS
Puede provocar el cebado del tiristor, perdiendo el control del dispositivo.
La dv/dt admisible varia con la temperatura.

1.6.3 LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE INTENSIDAD di/dt

di/dt es el valor mnimo de la pendiente de la intensidad por debajo de la cual no se producen
puntos calientes.
A) CAUSAS
Durante el cebado, la zona de conduccin se reduce a una parte del ctodo cerca de la puerta, si
el circuito exterior impone un crecimiento rpido de la intensidad, en esta zona la densidad de
corriente puede alcanzar un gran valor.
Como el cristal no es homogneo, existen zonas donde la densidad de Intensidad es mayor
(puntos calientes).

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B) EFECTOS
En la conmutacin de bloqueo a conduccin la potencia instantnea puede alcanzar valores muy
altos.
La energa disipada producir un calentamiento que, de alcanzar el lmite trmico crtico, podra
destruir el dispositivo.

1.6.4 PROTECCIONES CONTRA dv/dt Y di/dt

Solucin: colocar una red RC en paralelo con el SCR y una L en serie (Fig. 1.18).
Calculo: mtodo de la constante de tiempo y mtodo de la resonancia.
RS

C
G

L
R

Fig.18.- Circuito de proteccin contra dv/dt y di/dt

1.6.4.1 MTODO DE LA CONSTANTE DE TIEMPO
Clculo de R y C:
1.Hallamos el valor mnimo de la cte. de tiempo de la dv/dt:
donde VDSM = V de pico no repetitiva de bloqueo directo.
Calculamos el valor de R y C:

0,63 VDSM
( dv / dt ) min

VA ( max )
IL = corriente en la carga C =
Rs =
RL
I TSM I L
RL = resistencia de carga.
ITSM = corriente directa de pico no repetitiva.
VA = tensin de nodo.
= coeficiente de seguridad (de 0,4 a 0,1).

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2.-

Hallamos el valor de Rmin que asegura la no superacin de la di/dt mxima especificada (a

partir de la ecuacin de descarga de C):

R min =

VA ( max )

( di / dt) C

Clculo de L:
L=

VA ( max )

( di / dt)

1.6.4.2 MTODO DE LA RESONANCIA

Elegimos R, L y C para entrar en resonancia
El valor de la frecuencia es: f =

en resonancia:

f=

1
2 LC

dv / dt
2 VA ( max )

C=

( 2f ) 2 L
L = 50 H

El valor de L es el que ms nos interese, normalmente:

El valor de R ser:

Rs =

L
C

1.6.5 LIMITACIONES DE LA TEMPERATURA

Hallamos la potencia que disipa el dispositivo sin radiador:

P( AV ) =

Tj Ta
R ja

Hallamos el valor de la intensidad media de conduccin (IT(AV)) para el factor de forma a de un

ngulo de conduccin dado:

a=

I T( RMS )
I T( AV )

I T( AV ) =

I T( RMS )
a

PL
I

T( RMS ) = V

e ( RMS )

Observando las curvas de disipacin de potencia (Fig. 1.19) obtenemos la potencia disipada sin
radiador, si esta es menor que la terica, el dispositivo necesita radiador.
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De dichas las curvas obtenemos el valor de la Rca ( contenedor-ambiente) que, para una Rcd
(contenedor-disipador) dada obtenemos el valor de la resistencia trmica del disipador:
R d = R ca R cd

PT (AV)

/C

a = 4
2.8
2.2
1.9
1.6

interrelacion between the power

(derived from the left hand graph)
and the max. allowable temperatures.

Tmb (C)
61

1
/C

1.5
/C

1.6

2 /

1.9
2.2

20

/C

= 30
60
90
120
180

0.5

Form.
factor

0 .2

40

Cond.
angle

3 /
C
4/C
5/C

2.8

93

7/C

10

IT(AV) (A)

20

50

100

125

T amb. ( C)

Fig.19.- Relacin entre la potencia y la temperatura para una intensidad dada.

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INDICE
1.1
ESTRUCTURAS Y CARACTERSTICAS generales
1.1.1
descripcin del semiconductor y estructura
1.1.2
modos de funcionamiento
1.1.3
caractersticas generales

1
1
2
2

1.2

caractersticas estticas

1.3
caractersticas de control
1.3.1
rea de disparo seguro

3
4

1.4
caractersticas DINMICAS
1.4.1
caractersticas dinmicas
1.4.2
caractersticas de conmutacin
1.4.3
modos de extincin del tiristor

5
5
6
8

1.5
mtodos de disparo
1.5.1
mtodos de disparo
1.5.2
condiciones necesarias para el control de un SCR

11
11
12

1.6
limitaciones del transistor
1.6.1
limitaciones de la frecuencia de funcionamiento
1.6.2
limitaciones de la pendiente de tensin dv/dt
1.6.3
limitaciones de la pendiente de intensidad di/dt
1.6.4
protecciones contra dv/dt y di/dt
1.6.5
limitaciones de la temperatura

13
13
13
13
14
15

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Pg. 17