Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
PROBLEMA DE LA DISIPACIN
TRMICA EN COMPONENTES
1. GENERALIDADES. ______________________________________________________ 2
2. EVACUACIN DEL CALOR PRODUCIDO.__________________________________ 3
2.1. Evolucin de la Tj con el tiempo. ________________________________________ 3
2.2. Ley de Ohm trmica. __________________________________________________ 4
2.3. Circuitos trmicos en dispositivos de unin. _______________________________ 4
2.4. Limitaciones trmicas de componentes. __________________________________ 5
3. OPTIMIZACIN. ________________________________________________________ 6
2/7
1. GENERALIDADES.
La circulacin de corriente por un componente provoca un aumento de la temperatura del cuerpo del
mismo que hay que evacuar para evitar daarlo.
Con ese criterio de signos, la potencia puesta en juego en el componente X, ser P=V I donde
consideraremos dos posibles casos:
a) V e I son constantes (caso continuo). La potencia disipada ser:
PD = V I
Si PD >0 , el componente disipa la potencia que le suministran otros componentes.
Si PD <0 ,el componente entrega potencia al circuito (generadores).
b) V e I varan en funcin del tiempo y son peridicas (caso variable). En este caso podemos
hablar de potencia instantnea Pi y potencia media Pm.
Pi (t ) = v (t ) i (t )
1T
Pm = Pi (t )dt
T0
Las potencias manejadas por los dispositivos semiconductores (BJTs, TRIACs, MOSFETs,
reguladores de tensin, etc...)es en muchos casos de una magnitud considerable. Adems, el problema
se agrava teniendo en cuenta que el tamao de tales dispositivos es muy pequeo, lo que dificulta la
evacuacin del calor producido.
En la unin PN, si la temperatura aumenta lo suficiente, se produce la fusin trmica, inutilizando el
dispositivo.
La temperatura en el cristal de silicio no puede superar un valor mximo que puede estar entre 125C y
150C (algunos componentes hasta 200C) , (para este ejemplo Tjmax=125C), ya que:
Empeoran las caractersticas funcionales del dispositivo.
La vida media esperada disminuye al aumentar la temperatura.
3/7
Puede observarse que un dispositivo funcionando a 75C durar unas cuatro veces ms que si trabaja a
su temperatura mxima, por tanto es muy importante mantener la temperatura del cristal controlada,
an en las condiciones ms desfavorables (Mximas disipacin de potencia y temperatura ambiente).
E D = PD t
(Julios)
o bien
E D = 0,24 PD t
(Caloras)
La temperatura del cuerpo permanece constante cuando la cantidad de calor generada se equipara con
la cantidad de calor evacuada.
Tj = temperatura del cuerpo (temperatura de la
unin en semiconductores)
Ta
I
Tj
Ta = temperatura ambiente
V
La temperatura en el cuerpo evoluciona con el tiempo segn la ecuacin diferencial siguiente:
PD =
T j Ta
Rth
+ Cth
dT j
dt
El primer sumando refleja el calor que est siendo transmitido del interior al ambiente. Dicho calor es
proporcional a la diferencia de temperaturas e inversamente proporcional a Rth .
Rth es la resistencia trmica del componente, es decir, la oposicin que el calor encuentra para pasar
desde el cuerpo del componente hasta el ambiente. Se mide en C/W.
Si Rth es pequea,
T j Ta
Rth
Tj = Tj
+ (Tj Tj ) e
f
i
f
th
4/7
Tj (C)
Tjf
Ta
t
3th
Tj final = PD Rth + Ta
PD =
T j Ta
Rth
Se establece una semejanza con la ley de Ohm elctrica (P como I, T como V, y Rth como R).
Tj
cuerpo
PD
PD
Tj-Ta
Rth
ambiente
Ta
Para pasar del cuerpo al ambiente, el calor se encuentra con la resistencia trmica.
5/7
Cpsula (C)
Unin (J)
Soporte (S)
Tj
J (unin)
js
S
PD
sc
ca
A (ambiente)
Ta
PD =
T j Ta
Rth
PD max =
T j max Ta
Rth
PDmax
Pendiente=
1
Rth
Ta
6/7
Los fabricantes adems de indicar el valor Tjmax, proporcionan el valor de PN , que se define como la
mxima potencia que puede disipar el componente de forma continuada, sin sufrir deterioro, a una
temperatura dada.
La temperatura ambiente para la cual se indica PN , es Ta0:
Ta 0 = T j max Rth PN
PDmax
100% PN
Ta0
Tjmax
Ta
La potencia que disipe el componente en el circuito debe ser siempre inferior o igual a la indicada en la
curva de desvataje.
T j max Ta
Rth
3. OPTIMIZACIN.
Ante la limitacin de potencia con la que nos encontramos en componentes reales (vista en puntos
anteriores), queremos mejorar la potencia mxima disipada. En la relacin PD max =
T j max Ta
vemos
Rth
7/7
Tj
J (unin)
jc
PD
C
ca
cd + d
A (ambiente)
Ta
Para muchos componentes, los fabricantes proporcionan como datos las resistencias trmicas jc y ja.
Sin embargo para otros solamente facilitan el valor de jc dejando clara la idea de que dicho
componente est pensado para ser usado junto a un disipador.
En los componentes cuya disipacin de potencia debe ser apreciable (por las aplicaciones a las que se
destina), los fabricantes intentan optimizar el diseo para conseguir una menor jc, as como para que
el acoplamiento con el disipador sea ms favorable. Por ejemplo, de la tabla anterior observamos que
el encapsulado TO-3 es el que proporciona una menor resistencia trmica entre cpsula y disipador. El
transistor 2N3055 tiene un encapsulado de este tipo.
El terminal 1 es la base y el 2 es el emisor. El colector es la propia cpsula.