Transistor de Efecto de Campo

Metal-xido-Semiconductor
MOSFET
Dr. Andres Ozols

FIUBA
2007
Dr. A. Ozols

ESTRUCTURA MOS
de DOS TERMINALES

Dr. A. Ozols

Capacitor metal-xido-SC MOS

capacitor
con
placas
separadas por material
dielctrico y polarizado
con una tensin V

Estructura del transistor puede a partir de

esta capacitor

La capacitancia por unidad de

rea
La carga del acumulada por unidad
de rea

C=

ox
tox

Permitividad del xido (aislador)

Q= CV
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Capacitor MOS (Sustrato tipo p)

El Campo elctrico generado en la capa de xido

V
E=
tox

Esto produce carga negativa sobre

la placa superior y el campo
apunta hacia arriba

Capa de acumulacin
de huecos en la
situacin estacionaria
Si el campo E penetra al SC tipo p
los portadores mayoritarios (huecos) son acelerados
del SC hacia la capa de xido
Dr. A. Ozols

Carga espacial inducida en el caoacitor

La inversin de polaridad del
capacitor genera una capa positiva
por encima de la placa y el campo
generado y que penetra al SC
arrastra a los huecos lejos de la
capa de xido

Este desplazamiento genera una zona de

carga espacial inducida negativa, o de
vaciamiento de carga por ionizacin de la
impurezas aceptoras del SC
Dr. A. Ozols

Bandas de Energa (Sustrato tipo p)

La estructura de bandas asociada a estos cambios de potencial
1- La polarizacin negativa permite el arrastre de huecos hacia la interfase de xido

Las cargas positivas hacen que el SC sea tipo P+ por acumulacin de cargas

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Carga espacial inducida

2- La polarizacin positiva permite la formacin de una capa de carga espacial
inducida de modo de hacer al SC tipo n

Dr. A. Ozols

Bandas de Energa (Sustrato tipo p)

La elevacin de potencial de polarizacin permite la formacin de una capa de SC
tipo n

Se ha formado una capa de inversin de electrones en la interfase con el xido

que crece en espesor con el potencial aplicado
Dr. A. Ozols

Bandas de Energa (Sustrato tipo n)

Dr. A. Ozols

Bandas de Energa (Sustrato tipo n)

El comportamiento complementario ocurre en un capacitor MOS con un SC tipo n

1- El potencial positivo arrastra a los

electrones hacia la interfase con el
xido, ionizado las impurezas donoras
del SC

2- La inversin del potencial provoca

la induccin de carga por arrastre
de huecos hacia la interfase con el
xido
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10

Bandas de Energa (Sustrato tipo n)

3- El incremento ulterior del potencial negativo incrementa el espesor de la regin
de inversin carga, tornando al SC adyacente al xido como SC tipo p. Se ha
inducido una capa de huecos.

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Espesor de la capa de carga espacial

fp = EF EFi =

kT N a
ln

e ni

El potencial superficial

S = EFivol EFi sup

Diferencia entre las energas de
Fermi intrnseca del volumen y la
superficie
El ancho de la zona de carga espacial inducida prxima a la interfase de xido-SC

2 ss
xd =
eN a

Similar a un lado del diodo

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Espesor de la capa de carga espacial

La estructura de bandas en el
umbral de inversin de carga

xdT =

4 s fp
eN a

La capa de carga inducida

cambia al tipo de SC tipo n en
la interfase prxima al xido
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Espesor de la capa de carga espacial

Diagrama de energas de un SC tipo en el umbral de inversin de carga

kT N d
fp =
ln

e ni

xdT =
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4 s fp
eN d

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Diferencias de la funcin de trabajo

Diagrama de energas de cada tipo de componente MOS antes del
contacto

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Diferencias de la funcin de trabajo

Diagrama de energas despus del contacto

e + eVoxo = e+

Eg
2

eso + e fp

Eg

+ fp
Voxo + so = m +
2e

Se define la funcin de trabajo

metal SC

Eg

ms = m + + fp
2e

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OPERACIN BSICA DEL MOSFET

Dr. A. Ozols

17

Estructuras del MOSFET

MOSFET en modo de mejoramiento de canal n

Dr. A. Ozols

18

Estructuras del MOSFET

MOSFET en modo de vaciamiento de canal n

Dr. A. Ozols

19

Estructuras del MOSFET

MOSFET en modo de mejoramiento de canal p

Dr. A. Ozols

20

Estructuras del MOSFET

MOSFET en modo de vaciamiento de canal p

Dr. A. Ozols

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Relaciones de Corriente Tensin

I D = g DVDS

gD =

W
n Qn
L

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Relaciones de Corriente Tensin

VGS VDS ( sat ) = VT

VDS ( sat ) = VGS VT

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23

Relaciones de Corriente Tensin

Dr. A. Ozols

24

Relaciones de Corriente Tensin

W nCox
2
2 (VGS VT ) VDS VDS

ID =
2L

W nCox
2
ID =
(VGS VT )
2L
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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

Las hiptesis utilizadas
1.

La corriente en el canal es debida a la deriva en lugar de la difusin

2.

No hay corriente a travs de la capa de xido

3.

Es utilizada la aproximacin de canal gradual para las derivadas del

campo elctrico

4.

Cualquier carga fija en el xido es equivalente a una densidad de

carga en la interfase xido-SC

5.

La movilidad de los portadores en el canal es constante

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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

De la relacin de Ohm

J X = EX

EX es el ampo elctrico a lo largo del canal creado por la

tensin VDS
es la conductividad del canal

= e n n ( y )

n movilidad electrnica
n(y) es la concentracin electrnica en la capa de inversin

La corriente total en el canal

I x = J x dydz
yz

I x = E X dydz = en n ( y ) E X dydz
yz

yz

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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

I x = n E X en ( y ) dy dz = n E X Qn W
y

Donde W es el ancho del canal y

Qn = en ( y )dy

La carga por unidad de rea de la capa de inversin

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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

La distribucin de carga del MOSFET en el modo de mejoramiento de canal n para
VGS < VT
Q
m

ss

La neutralidad de carga requiere que:

Qso ( max ) = eN a xdT

Qm + Qss + Qn + QSD
( max ) = 0

Q
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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

La carga de la capa de inversin y la de la carga espacial inducida ser negativas
para el canal n
La ley de Gauss
la carga total

QT =

? En dS
S

La integral sobre la superficie cerrada

En es el campo normal a la superficie S

? E dS =
n

ox

EoxWdx = QT

Pero la carga total encerrada es

(Q

ss

+ Qn + QSD
( max ) )Wdx = QT

ox Eox = Qss + Qn + QSD

( max )

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30

Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

Vx el potencial en el canal en la posicin x
Zona del xido y el canal

EFp EFm = e (VGS Vx )

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31

Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

Considerando las barreras de potencial

Eg

+ fp
Voxo + so = m +
2e

Eg

VGS Vx = ( + Vox ) +
+ fp s
2e

Como s = 2 fp

VGS Vx = Vox + 2 fp + ms

ms es la funcin de trabajo metal-SC

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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

El campo elctrico en el xido

Como

Eox =

Vox
tox

Vox = (VGS Vx ) ( 2 fp + ms )
Eox =

(VGS Vx ) ( 2 fp + ms )
tox

ox Eox = Qss + Qn + QSD

( max )

ox Eox =

ox

= Qss + Qn + QSD

+
V
V
2

(
)
( max )
(
)
GS
x
fp
ms

tox

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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

ox Eox =

ox

+
=
+
+
V
V
2

Q
Q
Q
(
)
(
)
x
fp
ms
ss
n
SD ( max )
GS
tox

I x = n E X Qn W

Entonces la corriente en el canal

Depende de la densidad de carga de inversin

Qn =

Q =

ox

( Qss + QSD

+
V
V
2

(
)
( max ) )
(
)
GS
x
fp
ms

tox

ox
tox

V
V

Q
Q
2
max

+
+
+
( ) )
(
( GS
x) (
fp
ms )

ox

tox

ss

Se define la tensin umbral VT con

SD

ox

Q =

tox

VT = ( 2 fp + ms ) ( Q

Dr. A. Ozols

SD

(VGS VT Vx )

( max ) + Q

ss

tox
ox

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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

dVx ox
I x = n
(VGS VT Vx )W
dx tox

dVx
EX =
dx
Qn =

ox
tox

(VGS VT Vx )

La contribucin a la corriente total en el canal

ox

Vx ( L )

dVx
0 I x dx = W n tox V (0) dx (VGS VT Vx )dx
x
La corriente de drain ID es constante a lo largo del canal
L

I dx = I
x

L = W n

ox
tox

Vx ( L )

( (V

GS

VT ) Vx )dVx

Vx (0)

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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

ox

Vx ( L ) =VDS

Vx
I D L = W n
(VGS VT ) Vx

tox
2 V (0) =0
x
2

W n ox
2
ID =
V
V
V
V
2

( GS T ) DS DS )
(
2 L tox
Es la corriente total del MOSFET de canal n en la regin sin saturacn

VGS VT
0 VDS VDS ( sat )
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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

La corriente tiene un mximo en

VDS = (VGS VT )
Que corresponde a

ID =

W n ox
2 (VGS VT ) VDS ( sat ) VDS 2 ( sat ) )
(
2 L tox

La corriente total del MOSFET de canal n en la regin de saturacn

W n ox
2
I D ( sat ) =
(VGS VT )
2 L tox

VDS VDS ( sat )

VT debe determinarse experimentalmente

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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

La corriente total para valores pequeos de VDS

W n ox
ID
(VGS VT )VDS
L tox
Pendiente

Dr. A. Ozols

W n ox
L tox

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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

La corriente de saturacin satisface

W n ox
2
I D ( sat ) =
(VGS VT )
2 L tox
W n ox
I D ( sat ) =
(VGS VT )
L tox
Pendiente

Dr. A. Ozols

W n ox
L tox

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