INSTITUTO TECNOLOGICO DE TUXTLA

GUTIERREZ
MATERIA
Diodos y Transistores

ING. Jos ngel Zepeda Hernndez

Practica 4

Equipo 4
Placi Ramos Marco Antonio
Prez Moela Carlos Antonio
Sol Lpez Jess
Toledo Cruz Leonardo Fabin
Ing. Eletronica
FHECHA: 10 DE NOVIEMBRE DEL 2014

CIRCUITOS DE POLARIZACION DE CD DEL TRANSISTOR JFET

(FUENTE COMUN, DRENAJE SEGUIDOR)
OBJETIVO
Efectuar las mediciones de los diferentes parmetros de corriente directa de
las tres configuraciones bsicas del JFET para comprobar lo realizado en los
clculos tericos simulados.

A) polarizacin de cd del transistor JFET en configuracin fuente comn.

Actividades previas a la realizacin de la prctica.

*efectuar el clculo de las resistencias R1 y R2 de manera que el voltaje VDS
sea de VDD considere para calculo que el transistor de efecto de campo
trabaja en la regin de saturacin, donde el transistor se comporta como una
fuente de corriente controlada por la tensin VGS.
*realizar el armadura del siguiente circuito con sus respectivos valores, una vez
efectuado el clculo de las resistencias.

Material
R1
R2
RS
Q1
VDD

Valor
21.2K
18.8K
1K
2SK435
12

RD

2.2K

parmetros
ID
IS
VGS
VDS
VG
VRS

Terico
5mA
5mA
-0.352v
6v
5.648
6v

resultados
Simulado
3.46 mA
3.57 mA
-0.297v
0.092v
4.583v
4.285v

practico
3.5 mA
3.82 mA
-o.34v
0.1v
3.86v
4.58v

B) polarizacin de cd del transistor JFET en configuracin drenaje comn.

Actividades previas a la realizacin de la prctica.
*efectuar el clculo de las resistencias R1 y R2 de manera que el voltaje de
drenaje a fuente (VDS) sea aproximadamente de VDD. considere para
calculo que el transistor de efecto de campo trabaja en la regin de saturacin,
donde el transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la
tensin VGS.
*realizar el armadura del siguiente circuito con sus respectivos valores.

Material
R1
R2
RS

Valor
21.2K
18.8K
1K
2SK369
12

Q1
VDD

parmetros
ID
IS
VGS
VDS
VG
VRS

terico
5mA
5mA
-0.352v
6v
5.648
6v

resultados
Simulado
3.46 mA
3.57 mA
-0.297v
0.092v
4.583v
4.285v

practico
3.5 mA
3.82 mA
-o.34v
0.1v
3.86v
4.58v

CONCLUSIONES: En esta prctica pudimos aprender a usar distintos tipos de

transistores para calcular diferentes cosas en cada pasos eran diferentes
resultados no se aproximaba como entre una de ellas las resistencias, usamos lo
que fueron las fuentes de voltaje sacar los resultados de voltaje y comparar con lo
terico, practico y simulado.
El transistor JFET en configuracin drenaje comn y el transistor JFET en
configuracin fuente comn.