Barrera de potencial.

Tensin que hay entre los extremos de la zona de deplexin. Esta tensin se produce en la unin pn, ya que
es la diferencia de potencial entre los iones a ambos lados de la unin. En un diodo de silicio es
aproximadamente de 0,7 V.

Barrera interna de potencial[editar editar fuente]

Formacin de la zona de la barrera interna de potencial.

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je).
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin,
zona que recibe diferentes denominaciones como barrera interna de potencial, zona de carga
espacial, de agotamiento o empobrecimiento, de deplexin, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su
anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de
iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que
actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento,
que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas
p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso delsilicio y 0,3 V si los cristales son
de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de
0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga
espacial es mucho mayor.

Polarizacin directa de la unin P - N[editar editar fuente]

Polarizacin directa del diodo p-n.

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,

permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado
directamente conduce la electricidad.
Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de la unin P - N y la negativa
a la N. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unin p-n.

El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia
de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la
energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han
desplazado hacia la unin p-n.

Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga
espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de
valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se
desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el
hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de
valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

Polarizacin inversa de la unin P - N[editar editar fuente]

Polarizacin inversa del diodo pn.

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo
que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el
valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del
cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera.
A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes
eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren
estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga
elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.

El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p.
Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que
han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones
de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los
electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con
lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y
una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la
temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin
produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominadacorriente inversa de
saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual,
como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que
en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los
cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la

superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con
lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente
inversa de saturacin, la corriente superficial de fugas es despreciable.

Corriente de difusin
En un semiconductor donde tenemos portadores libres de carga(esto es,
gases de electrones y de huecos) tambin pueden darseprocesos de difusin
si la concentracin de portadores no es homo-gnea. No obstante, dado que
los portadores son partculas
cargadas
,existen algunas diferencias importantes con las situaciones descritas
FLML Apuntes de CF

124Captulo 7. Portadores de carga en Semiconductores

en el proceso anterior (que slo implicaban a partculas elctricamen-te
neutras).En primer lugar un ujo de partculas cargadas originar obvia-mente
una corriente elctrica, que se conoce como
corriente de difu-sin
. Por otra parte, si el origen de las inhomogeneidades de portado-res libres
proviene de una distribucin no uniforme de impurezas, de-bemos tener en
cuenta que stas se ionizan y permanecen bsicamenteinmviles mientras que
los electrones o huecos asociados a stas sonprcticamente libres. En este
caso, los procesos de difusin de por-tadores libres darn lugar a una
descompensacin espacial de la cargaelctrica que provocar la
aparicin deun campoelctricointerno
,
E
i
, quetiende a oponerse al propio proceso de difusin (es decir,el proceso
dedifusin acaba antes de que se haya homogenizado la concentracinde
carga)

Corriente de Difusin. sta corriente aparece en forma

espontnea cuando de un lado del semiconductor hay mayor
concentracin de portadores que en otro lado, es decir,
cuando existe un gradiente de concentracin de portadores.
Es un efecto puramente estadstico-trmico similar al que se
produce cuando una gota de tinta cae en un vaso de agua en
reposo, o cuando en una esquina de un cuarto
cerrado ( sin brisa ) se abre una botella con perfume. En todos
estos casos la difusin ocurre automticamente. De la misma
manera, la corriente de difusin en un semiconductor no
necesita campo elctrico externo aplicado para producirse.
Las Densidades de Corriente de Difusin, para una dimensin
estn dadas por:

Y
Donde Dn se conoce como constante de difusin para
electrones y Dp como constante de difusin para huecos. Estas
constantes dependen de la temperatura y de la movilidad de
los portadores. La direccin de la densidad de corrienteJ p se
produce en la direccin en que disminuye p con x, de all su
signo negativo.

Corriente de desplazamiento

Ejemplo mostrando dos superficiesS1 y S2 que comparten la misma delimitacin de contorno S. Sin embargo, S1 es
atravesado por una corriente de conduccin, mientras queS2 es atravesada por una corriente de desplazamiento.

Una corriente de desplazamiento es una cantidad que esta relacionada con un campo elctrico que
cambia o vara en el tiempo. Esto puede ocurrir en el vaco o en un dielctrico donde existe el campo
elctrico. No es una corriente fsica, en un sentido estricto, que ocurre cuando una carga se encuentra
en movimiento o cuando la carga se transporta de un sitio a otro. Sin embargo, tiene las unidades de
corriente elctrica y tiene asociado un campo magntico. La corriente de desplazamiento fue
postulada en 1865 por James Clerk Maxwellcuando formulaba lo que ahora se denominan ecuaciones
de Maxwell. Matemticamente se define como el flujo del campo elctrico a travs de la superficie:

Est incorporada en la ley de Ampre, cuya forma original funcionaba slo en superficies que estaban
bien definidas (continuas y existentes) en trminos de corriente. Una superficie S1elegida tal que incluya
nicamente una placa de un condensador debera tener la misma corriente que la de una
superficie S2 elegida tal que incluya ambas placas del condensador. Sin embargo, como la carga termina
en la primera placa, la Ley de Ampre concluye que no existe carga encerrada en S1. Para compensar
esta diferencia, Maxwell razon que esta carga se encontraba en el flujo elctrico, la carga en el campo
elctrico, y mientras que la corriente de desplazamiento no es una corriente de carga elctrica, produce
el mismo resultado que aquella generando un campo magntico.

Corriente de saturacion
Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo , es decir al conectar el
positivo de la fuente al catodo (-) del diodo y el negativo de la fuente al anodo (+) del diodo por la
formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada
incremento de 10 en la temperatura.
CORRIENTE INVERSA DE SATURACIN (I):
Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de
pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento
de 10 en la temperatura
CORRIENTE SUPERFICIAL DE FUGAS.
Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta
corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la
corriente superficial de fugas.

Corriente de difusin:
El efecto de difusin se produce cuando la concentracin
de portadores no es uniforme a lo largo del semiconductor, o lo que es lo
mismo, existe
un gradiente de concentracin de portadores con la distancia, producindose
un
desplazamiento de portadores que trata de establecer el equilibrio (igualar la
concentracin en la totalidad del volumen). Este desplazamiento de portadores
dara
lugar a un transporte neto de carga a travs de una superficie y por tanto a
una corriente
de difusin.
La corriente total en un semiconductor es el resultado de ambos efectos:
desplazamiento por campo elctrico o diferencia de potencial y difusin por
gradiente
de concentracin.
En un semiconductor en circuito abierto con gradiente de concentracin, se

producir un corriente de difusin que dara lugar a iones, concentracin de

carga y
consecuentemente un campo elctrico que dara lugar a una corriente de
arrastre, que en
el equilibrio anulara la de difusin, dando lugar a una corriente total nula, esto
es, en el
equilibrio la tendencia a la difusin se compensa con la tendencia al arrastre.