UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR

FACULTAD DE INGENIERIA Y ARQUITECTURA

ESCUELA DE INGENIERIA ELECTRICA
PROGRAMA DE ASIGNATURA
ELECTRONICA I
I GENERALIDADES
Cdigo
: ELC 115
Prerrequisito
: Anlisis Elctrico I
Nmero de horas / ciclo
: 96
Nmero horas tericas semanales :
4
Nmero horas de laboratorio semanales: 2
Duracin del ciclo
: 16 semanas
Duracin hora clase
: 50 minutos
Unidades valorativas
: 4
Ciclo
: II/2015
Docentes
: Ing. Jos Ramos Lpez
II DESCRIPCION DE LA ASIGNATURA
Este es un curso bsico de dispositivos electrnicos para estudiantes de ingeniera
elctrica. La metodologa del curso establece un fundamento slido del
funcionamiento fsico, anlisis y diseo de circuitos y sistemas electrnicos.
Esta asignatura est pensada como la primera parte del estudio de la electrnica y se
concentra en los principales dispositivos semiconductores diodo de unin, transistor
de efecto de campo (MOSFET) y Transistor de unin bipolar (BJT). Esta parte del
estudio de la electrnica est pensada para estudiantes que no tienen ningn
conocimiento previo de electrnica. La base de matemticas y fsica obtenida en los
primeros dos aos del programa de ingeniera elctrica son el nico requisito real
para estudiar electrnica. Sin embargo la mayora de estudiantes ha tomado cursos de
anlisis de circuitos antes de estudiar electrnica.

III OBJETIVOS GENERALES

1. Conocer y comprender la operacin fsica, anlisis y diseo de circuitos y
sistemas electrnicos

IV METODOLOGIA DE LA ENSEANZA
Dos lecturas semanales con una duracin de 1 hora 40 minutos por lectura. Ms una
sesin experimental bisemanal
- Clases expositivas y demostraciones:
(70 %)
- Laboratorios, y Tareas
(30 %)
V CONTENIDO.
UNIDAD

I- DIODO DE UNION
P-N

CONTENIDO

1.0 Semiconductores intrnsecos

y extrnsecos
1.1 Variaciones en las
propiedades del silicio
1.2 Difusin

DURACION
H.
H.
CLASE LABORATORIO
20

20

1.3 3.1 La unin en circuito

abierto
1.4 3.2 La unin polarizada
1.5 La caracterstica voltajecorriente del diodo de unin
1.6 Dependencia de la
temperatura
1.7 Diodos de germanio
1.8 Diodos como elementos
circuitales
1.9 Modelos y aplicaciones
1.10
Diodos Zener

II- TRANSISTOR DE
EFECTO DE CAMPO

2.2 Transistor de Efecto de

Campo
2.3 Caractersticas Voltaje
corriente
2.4 FET de enriquecimiento
(enhancement)
2.5 Caractersticas V-I del
enhancement FET
2.6 FET de agotamiento
(Depletion)
2.7 Caractersticas V-I del
depletion FET

2.8 Anlisis DC
2.9 FETs como interruptores
2.10
FETs como
amplificadores
2.11
Modelo en pequeas
seales
2.12
Dispositivos CMOS
III-TRANSISTORES

DE UNION BIPOLAR

IVAMPLIFICADORES
DE UNA ETAPA

3.1 El BJT
3.2 Representacin Ebbers Moll
3.3 Caractersticas Base-Comn
3.4 Configuracin emisor comn
3.5 Modos de corte y saturacin
3.6 Modelos en DC
3.7 El BJT como interruptor
3.8 El BJT como amplificador
3.9 Modelo para pequeas seales
del BJT
3.10
BJT como diodo
3.11
Par con acoplamiento de
emisor
4.1 Amplificadores MOSFET
4.2 Amplificadores BJT

20

20

VI EVALUACIONES
Las evaluaciones y ponderaciones de los contenidos del curso se distribuirn de la
siguiente forma:
* Primera evaluacin parcial : Unidad 1-2-4
30%
* Segunda evaluacin parcial : Unidad 2-3-4
40%
*
* Laboratorios y Tareas
30%
Totales

100%

VII BIBLIOGRAFIA
1 Sedra y Smith. Circuitos Microelectrnicas, Quinta Edicin. Mc-Graw-Hill,
2 edicin en espaol, 2006
2 Neamen. Dispositivos y Circuitos Electrnicos. McGraw-Hill Interamericana
2012.
3 Hambley. Electrnica, 2 edicin. Prentice Hall, 2001.
4 Horowitz. The Art of Electronics, 2nd Edition. Cambridge, 1990