capitulo 5 DIODOS Y ALGUNAS APLICACIONES Los materiales se pueden clasificar en aisladores, semiconductores y conductores. Nuestra atencién se dirige al semiconductor, el cual, como lo indica la palabra, no es totalmente un conductor. La tabla 5.1 enume- ra las conductividades de algunos materiales que a menudo se incorporan en los dispositivos electronicos. La conduccién es una medida de la facili- dad relativa con que los electrones se mueven en un material. La conduc- cién metalica contiene movimiento de electrones libres a través del reticu- lado cristalino del metal. La comprension del movimiento de electrones en los semiconductores necesita el desarrollo de algunas ideas de cohe- sion y estructura en los materiales. Lo que sigue es una ilustracién fisica lificada que permite la comprensién cualitativa de la accién del semiconductor. Los materiales semiconductores que se encuentran mas a menudo son los cristales simples de silicio y de germanio. El niicleo de un atomo de si- licio tiene 14 protones, que imparten una carga de +14 al nicleo. En el espacio que lo circunda hay 14 electrones dispuestos en orbitas de energia variable. El modelo simple del atomo considera que sélo los cuatro electrones mas exteriores entran dentro del enlace quimico; los 10 restan- tes estén mas fuertemente sostenidos por el nicleo. La carga nuclear “‘efectiva’” es ahora de +4. Esta situacién se representa en la figura 5.1. Observe que el atomo de germanio se puede tratar de igual manera, En un cristal simple de silicio o germanio se dice que el enlace es covalente; esto es, que se forma una union de dos electrones, con un electrén proce- dente de cada uno de los dos étomos. Por supuesto, la estructura del cris- tal es tridimensional, pero en la figura 5.2 se muestra una representacion de dos dimensiones de un segmento de cristal. Observe que cada étomo esta ahora rodeado por ocho «lectrones de valencia, lo cual es una confi- guraci6n de minima energia. En un cristal puro la conductancia tiene va- lor bajo, porque cada electron esta fuertemente sostenido. Si se agrega suficiente energia al cristal, algunos electrones superan la atraccién de su niicleo original y quedan libres para moverse en el cristal, lo que da por resultado un incremento en la conductancia. El aplicar suficiente calor (energia térmica) hace que este proceso ocurra de manera incontrolada y esto conduce a la destruccién del dispositivo. ‘Suponga que una pequefia cantidad de algin elemento se introduce en el cristal de silicio como una impureza. Si el nimero de electrones de va- lencia de este Atomo de impureza es diferente de cuatro, se debe notar un cambio en la conduccién del cristal. Suponga que un atomo de fosforo, arsénico 0 antimonio (cada uno de los cuales tiene cinco electrones de va- UN MODELO FISICO DE SEMICONDUCT( ‘ORES Tabla $-1. Material Resistividad (ohm-em) Conductores: ‘Aluminio 245 x 10-% Cobre 1.56 x 10- Oro 2.04 x 10-* Plata 151 x 10-¢ Tungsteno 49 x 10-€ ‘Semiconductores: Germanio 89 x 108 Selenio 8.0 x 10" Silicio 103 to 108 Aisladores: : Cera de abejas 1010108 é Cerémicas 108 to 10% Ebonita 10% to 107 107108 1 pioDosy ‘Atome de getmario Electron GUNAS APLICACIONES, ‘Atomo de silicio simplificado Fig. 54. Descripciones de atomos de silicio y de germanio. ‘Atomo de germanio simplificado Iencia) se ha insertado dentro del reticulado del Si o del Ge. Estos étomos introducen electrones de valencia dentro de un cristal que previamente habia tenido s6lo cuatro en cada lugar del reticulado. La figura 5.3 repre- senta un cristal de este tipo. El resultado neto es haber introducido un clectrén ligado flojamente, dentro de una estructura en la que la mayoria de los electrones estan mas fuertemente ligados. Esto no sugiere que la regla de la electroneutralidad se haya violado. Puesto que el nuevo ato- mo tiene una carga nuclear efectiva de +5, los cinco electrones de vale cia adquieren un balance eléctrico. Sin embargo, el electrén adicionai tiene mayor movilidad que los otros. Como el electron esta libre para moverse alrededor, el lugar del cual vino se designa como vacio 0 hueco. Otros electrones pueden llegar y Ilenar el vacio, pero durante este proceso se crean mas huecos. Cuando se aplica un potencial a un cristal, las ani- 5.2, Representacién bidimensional de una porcién de un cristal de silicio o de germanio.INSTRUMENTACION ELECTRONICA ! 109 cas particulas con movimiento son las de los electrones, aunque los huecos parezcan moverse en direccién opuesta a la de los citados electro- nes. Los huecos estén fijos dentro de la estructura, pero cuando uno se lena por un electron, se crea otro hueco, lo que da la impresion de movi- miento de huecos. Un cristal de Si o de Ge con impurezas de un elemento, como el P 0 el ‘As se denomina cristal tipo n, debido a que el portador de la carga es ne- gativo. Si se inserta en el cristal un elemento, como B, Alo In, los cuales tienen s6lo tres electrones de valencia, se forma un material tipo p, como se ve en la figura 5.4. En esta situacion un hueco, en vez de un electrén de exceso, se agrega al reticulado. El portador mayoritario de corriente en este tipo es el hueco, y el portador minoritario de corriente es el electron. Para el material tipo n se invierten las designaciones anteriores. La idea del “‘movimiento” de huecos se ve en la figura 5.5, donde puede pensarse que el movimiento es una generacién de pares hueco-electron, con la sub- secuente recombinaci6n en otros lugares del reticulado del cristal. A pe- sar de que solamente los electrones abandonan y entran al cristal cuando se le aplica una fuente de voltaje externo, el proceso que se ilustra en la figura 5.5 da el efecto de un movimiento general de huecos en una direc- cién y de electrones en direccion opuesta. A la temperatura ambiente, un cierto nimero de pares electrén-hueco se generan dentro del cristal cuan- do un electron se suelta desde su lugar de ligadura, dejando tras de si el hueco. Estos portadores, asi como aquellos agregados intencionalmente, constituyen el movimiento 0 desplazamiento. El proceso de generacién y recombinacién ocurre continuamente en el cristal. ‘Cuando un cristal esta constituido y contiene igualmente étomos dona- dores y aceptores, se crea una unin p-n. Las técnicas que se usan para su manufactura son complejas y estan mas allé del alcance de este tratado. La situacién en el instante en que se forma la unién con los materiales tipo n y tipo p se muestra en la figura 5.6A. El material tipo 1 es “rico” en electrones y el material tipo p es deficiente en ellos. De igual modo, el material tipo p es rico en huecos y el material tipo n es deficiente en huecos. En cuanto se forma la unién, los electrones se difunden a través de ella, como se muestra en la figura 5.6B. Si no estuviera activo ningan otro proceso més que la difusién, al final habria una uniformidad total de los huecos y electrones en todo el material. Afortunadamente hay otros procesos que limitan la difusion; una barrera o potencial electrosta- tico la retarda. La barrera se crea como resultado del movimiento de una carga negativa que se mueve en el interior del material tipo p, dejando tuna carga positiva en el material tipo n. Esta situacion esta dibujada en la figura 5.6C, donde se ve que se La creado una capa de transicién (0 capa agotada) por la difusién de los electrones y la subsecuente recombinacién con los huecos. En efecto, se cred un potencial de uni6n que esta opuesto ‘en signo a las designaciones de los materiales. La fuente de voltaje que se muestra en la figura 5.6D simboliza este resultado. Esa union tambien se comporta como un capacitor. El agotamiento de los portadores de carga desde la uni6n equivale a la separaci6n de las cargas en un capacitor. La zona de transicion sirve como medio dieléctrico. El valor de la capacitan- * Las combinaciones del tipo de uniones pomp y n-p-n se estudiaran en el proximo capitulo. Tipon Fig. 53. Representacién en dos dimensiones de silicio (0 germanio) tipo n, que muestra la “impureza” del étomo. LAUNION p-n* Vacio 0 hueco) Tipo p Fig. 5-4. Representacion bidimensional de un silicio (0 germanio) tipo p, mostrando la “Impu- reza" del atomo,110 1 DIODOSY ALGUNAS APLICACIONES big. 55, direcciones de los movimientos de {o$ huscos y os electrones da un exist cia de la unidn es pequefio, pero su comportamiento funcional puede ser un factor importante en rendimiento de alta frecuencia. El potencial de unién depende del material. El potencial de unién del silicio a 25°C es aproximadamente de 0.7 V, mientras que para el germanio es de 0.4 V. Si se agregan contacts metélicos a los extremos opuestos del cristal y se le aplica un voltaje, el cardcter unidireccional de la uni6n se ilustra cla- ramente en la figura 5.7A. Si el voltaje que se aplica (polarizaci6n) se co- necta y coincide con la polaridad del potencial de uni6n (figura 5.7B), la altura de la capa se incrementa y no fluye corriente de importancia. (S6lo fluye una corriente de pocos microamperes debido a la conduccién del portador minoritario.) A esto se le llama polarizacién inversa. Si la pola- ridad del voltaje aplicado es opuesta a la de la unidn, la barrera se reduce y fluye corriente (figura 5.7C). A esto se le llama polarizacién directa. Este dispositivo se llama diodo y la terminologia de su circuito se da en la tabla 5.2. Note que el extremo de la union p-n siempre es el Anodo.INSTRUMENTACION ELECTRONICA | 111 SIN POLARIZACION POLARIZACION INVERSA (conduccion solamente © N POLARIZACION a DIRECTA ® (conduccién por Zz + lportadores de corriente io mayortarios) 7 e D Fig. £7. La operacién de una unién p-n con varios voltajes aplicados, Fig. 56. Representacion esquematica del pro- ‘eso de “formacién” de una union pn, Tabla 5-2. Designaciones de diodos Designacion Ants a :112 / DIODOS Y ALGUNAS APLICACIONES VOLTAJE INVERSO, Vp (Vols) as -1.9 ACCION DEL DIODO ‘CORRIENTE DIRECTA, Tr (mA) Hasta este punto se han estudiado s6lo dispositivos lineales, los cuales obedecen la ley de Ohm, Cuando hay una disminucién en el voltaje resul- ta un decremento proporcional en la corriente, y viceversa. Los diodos son dispositives no lineales, se apartan de la acci6n proporcional de los elementos lineales. En efecto, un diodo “perfecto” actiia como un in- terruptor (conectado o desconectado). Las curvas caracteristicas corrien- te-voltaje de un diodo “perfecto” y otro real se presentan en la figura 5.8. La resistencia conectada de un diodo “perfecto” es cero, por lo cual no hay caida de voltaje entre sus extremos cuando fluye corriente; en ‘cambio la de un diodo real es pequefta pero finita, por lo cual si hay caida de voltaje a través de él. De nuevo, la resistencia desconectada de un diodo “perfecto” es infinita, por lo que no fluye corriente, mientras que a del diodo real es muy grande pero finita, por lo que fluye una pequefia. corriente aun cuando nominalmente el diodo esté “‘desconectado”. Las pendientes, dI/dV, de las curvas de los diodos reales son las reciprocas de las resistencias. La resistencia directa 0 conectada R,, es ‘mucho menor que la resistencia inversa desconectada, Ry. Una medida ‘itil de la calidad de un diodo es la relaci6n de resistencias R,/R, ‘‘conec- tado-desconectado””. Deberdn esperarse valores superiores a 25. La me- dicion de esta cantidad es una buena prueba para los diodos. Se usa un ‘ohmetro de ed para medir la resistencia en una direccién; después se in- vierten las puntas y se mide la resistencia en la otra direccion. Una rela- cin menor de 25 indica que e! diodo no funciona apropiadamente y debe ser repuesto. La accién conmutadora de los diodos es de fundamental importancia en electronica. Esta sensibilidad a la polaridad de una seftal tiene multi- tud de usos, algunos de los cuales se describiran en las secciones siguien- tes de este capitulo. Diodos reales a 20 a -30 40 50 CCORRIENTE INVERSA , 1.) Fig. 58. Caracteristicas corriontevoltaje de dlodos, 73. VOLTAJE DIRECTO, V, (Votts)INSTRUMENTACION ELECTRONICA / 113 ‘Una fuente de alimentacién se refiere por lo general a una fuente de RECTIFICACION Y FUENTES voltaje 0 corriente constante (cd). La bateria de almacenamiento 0 acu-. DE ALIMENTACION mulador es, por supuesto, una fuente de energia de cd, pero tiene cierto niamero de inconvenientes que incluyen precio, vida limitada y peso. Las baterias comunes carbén-cinc también sufren disminucién en su voltaje a medida que se toma energia de ellas. La bateria de mercurio se puede usar como una fuente de muy baja potencia de voltaje constante, el cual se mantiene asi hasta un poco antes de quedar completamente descar- gada. ‘Un método mucho mas confiable para obtener energia de cd es rectifi- car y filtrar el voltaje de la linea de ca, como se indica en la figura 5.9. Las ideas de rectificacion, filtrado y regulacién se trataran en las siguien- tes secciones. Los principios de las fuentes de energia reguladas electrOni- camente, capaces de una regulacion muy ajustada (dentro de + 0.05% 0 mejor), se presentan en el capitulo 7. RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA ‘Cuando una fuente de voltaje alterno se aplica a un diodo en serie con un resistor, se obtiene la accion rectificadora (figura 5.10). En el circuito de la parte A, cuando el voltaje instantaneo es positivo (y excede al valor de la caida de voltaje de polarizacion directa de! diodo, V,), el diodo con- duce (est CONECTADO) y se desarrolla un voltaje a través del resistor. ‘Cuando el voltaje instanténeo llega a ser negativo, el diodo esta DESCO- NECTADO y no conduce. Un examen riguroso del voltaje a través del resistor muestra que fluye una pequefia corriente a pesar de que el diodo esta DESCONECTADO; como se vio en la figura 5.8, fluye una pequefia corriente inversa. La descripcién de Fourier de la onda senoidal rectificada en media onda es _ Vol, , msenwt 260s 2wt _2cos 4ur 7 va (14 Beer Devs Pot Zoos ter.) 6-1) Rectificador Fito eassesee! Fig. 59. Representacién de un diagrama por bloques de una fuente de alimentacién de energia.114 1 DIODOSY ALGUNAS APLICACIONES, Fig, 5-10, Accion de un rectificador de media onda, El diodo es pues un generador de frecuencia, que produce una sefial de cod mas sefiales en las frecuencias dew, 2, 4w, y asi sucesivamente. La ‘componente de cd de la sefial rectificada de media onda tiene una magni- tud de V,/7. Un factor de mérito cominmente utilizado para las fuentes de energia sel factor de rizo, r. Este se define como componente de voltaje de: iponente de voltaje de ca oe ‘componente de voltaje de ed La expresion para la amplitud de la seftal rectificada, Veorat = WVed + Vem? (5-3) puede modificarse e incorporarse en la definicién de r: Mowe = WVinal Ved V7 Wea) 1 (6-4) Fa Ved _ Vea Veo El valor de Vu Para la onda senoidal rectificada en media onda es V,/2. En onsecuencia, VE re {Zee = 4 VF 1.201 (5-5) Este resultado establece que el remanente de ca después de la rectifica- cién es 21% mayor que el voltaje de ed logrado. En esencia, se impone la necesidad de un filtraje intenso en esta salida si el voltaje rectificado ge media onda se va a desarrollar a un régimen de voltaje constante. El rét- tificador de media onda es, pues, un circuito deficiente para usarse como fuente de voltaje constante. Ademas, la corriente solo fluye en la cargaINSTRUMENTACION ELECTRONICA / 115 durante el medio ciclo en el cual el diodo esta CONECTADO, realizdn- dose esfuerzos innecesarios durante la mitad del ciclo en que esta DES- CONECTADO. EL RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA El rectificador que se muestra en la figura 5.11 representa un gran ade- lanto respecto al de media onda. Como se observa en la figura, esta con- figuracion incluye un transformador con derivacion al centro (CT) y dos diodos, Si la derivacién se considera como tierra, cuando un extremo del transformador es positivo el diodo conectado a él estard en posicion CO- NECTADO y alimentaré al resistor. El otro diodo, conectado al extremo negativo del transformador, esta DESCONECTADO. Durante el proxi- ‘mo medio ciclo, la situacién es exactamente invertida: el diodo CONEC- TADO es cortado, y el diodo que estaba DESCONECTADO conduce. Como ambos diodos alimentan el mismo extremo del resistor, la forma de onda resultante que aparece a través del resistor siempre es positiva como si la parte negativa de la seftal de entrada estuviera invertida. El perfeccionamiento ganado por el uso del rectificador de onda com- pleta (en oposici6n al rectificador de media onda) es considerable. La accién de filtro que se necesita para producir una sefial de cd sin va- riaci6n es significativamente reducida y no hay “‘espacios”” en la forma de onda de salida. La descripcion de Fourier de la onda senoidal rectifi- cada en onda completa es (6-6) (122082 200s dot _ ) 3 15 a Comparando esto con la ecuacién (5-1) para la onda senoidal rectificada en media onda, observe que el valor de ed de la sefal de onda completa es dos veces el de la sefal de media onda. Mis atin, la primera (y la mas ‘grande) de las componentes de ca esta en 2.0 sea dos veces la frecuencia, de entrada. El factor de rizo para la onda senoidal rectificada en onda completa es 0.483 (6-7) Una caracteristica de este circuito es que el voltaje a través del diodo no conductor es el doble del voltaje de la seftal que se esta rectifi- cando. El valor maximo del voltaje de polarizacién inversa que puede so- portar un diodo antes de su ruptura se designa voltaje maximo inverso (PIV) 0 tension inversa de cresta (PRV) del diodo, y esta es una conside- racién importante al seleccionar el diodo apropiado para un rectificador particular, como son también la maxima capacidad de corriente y los limites funcionales del voltaje directo. El requisito del valor PIV de los diodos en un rectificador de onda completa no es el mismo que el que se usa para un rectificador de media onda. La tabla 5.3 da algunas de estas especificaciones para una familia de diodos disponibles en el comercio. EL RECTIFICADOR PUENTE El circuito del rectificador puente (figura 5.12) produce la misma for- ma de onda que el rectificador de onda completa que se acaba de anali- zar. Este puente no utiliza el transformador con derivacion central, pero Fig. 5-11. Accion de un rectificador de onda completa116 1 DIODOS Y ALGUNAS APLICACIONES ‘Tabla 5.3. Especificaciones de diodos Valores maximos: Voltaje inverso maximo (PIV) PIV no repetitive Tension inversa ‘RMS Promedio de corriente| en sentido directo Caracteristicas ‘eléctricas: Voltaje directo Corriente inversa ‘maxima (25°C) Corriente inversa ‘méxima (100°C) 3 5 INGOL Vp 50 Va 35 Mn « 1N@02 IN@03 i Unidades| I1N«06 NGOS 100 200 400 600 800 1000 volts 70 75 150 300 600 900 1200 1500 volts 140 280 420 560 700 volts 1.0 ————> amps 11 ——> volts 0.01 ————> mA 0.05 ————, mA requiere cuatro diodos. En su operacin, D, y D, conducen durante el medio ciclo negativo, mientras que D; y D3 conducen durante el medio ‘riclo positivo. El resistor de carga se conecta en el mismo lugar en que debe estar el detector de un circuito puente de resistencia, lo cual da su nombre a este circuito, Como hay dos diodos en serie con la carga en cual- 4quier instante, el requisito del PIV para un diodo en este circuito es menos estricto que para el rectificador de onda completa. El valor del voltaje de ed y el factor de rizo para el rectificador puente son exactamente los mismos que los que se tienen para el rectificador de onda completa, Los tres sistemas de rectificacion se comparan en la tabla 5.4, EL DOBLADOR DE VOLTAJE En la figura 5.13A se muestra el doblador de voltaje, que es una modi- ficacion util de un circuito rectificador. Durante el medio ciclo positivo, D, conduce y carga al capacitor C, al potencial V,. Durante el medio ciclo negativo, D, ests DESCONECTADO y D, conduce “‘negativamen- te” para cargar al capacitor C, al potencial —V,. La carga sobre C; lo Fig. 12. Accién de un rectiticador tipo puente. “Medio ciclo negativo Medio cicto positiveINSTRUMENTACION ELECTRONICA / 117 ‘Tabla 5-4. Comparacién de circultos rectficadores ‘Media onda completa _Onda Puente Namero de diodos 1 2 4 Necesario el transformador CT no 4 no Vea 0.318%, 0.637%, 0.637, Factor de rizo, r 1211 0.483 0.483 PIV v, 2, * Frecuencia de ca f of a mantendré muy cerca al voltaje V,, durante el medio ciclo negativo debi- do a que la resistencia inversa de D, es muy grande, y la constante de mpo RC, se ha hecho muy grande comparada con la duracién del me- lo. El mismo argumento se aplica a la seccién inferior consistente en D;, Rz. ¥ Cz, durante el otro medio ciclo. Por tanto, el voltaje que aparece a través de la combinacin de Ry y Rz ¢s igual al doble del volta- Je de cresta del transformador. Ms aiin, el arreglo capacitor-resistor imparte cierto grado de accion filtrante, por lo que la variaci6n del voltaje de salida con el tiempo es me- nos significativa que la de la salida de los rectificadores de onda comple- ta, segin se muestra en la figura $.13B. dio La seal rectificada es una combinacién de un voltaje fijo (cd) y un FILTRAJE voltaje alternante superimpuesto. El objeto de la etapa de filtraje es suprimir la porcion alternativa de la sefial. Consideremos el principio de ‘operacion de todos los filtros como apoyado en cualquiera de estos dos conceptos. El primero es que la porcién de ca se elimina ofreciendo un © ie. A, Fig. §13. Circuito doblador de voltaje,118 1 DIODOS Y ALGUNAS APLICACIONES oe camino de baja impedancia a tierra para la porcidn de ca de la seftal, manteniendo otro camino de alta resistencia para la porcion de cd. Esto se lleva a cabo mediante un resistor y un capacitor en serie entre la entra- da de seal y tierra, El segundo concepto es aprovechar la accién de blo- queo de un inductor, cuya impedancia aumenta con la frecuencia, para detener la porcién de ca mientras pasa la parte de cd sin mucha ate- nuacién. EL FILTRO RC Es el mas comin de los filtros y se muestra en la figura 5.14A. El resis- tor representa la carga de la fuente de poder. El valor de la capacitancia se escoge de manera que | X-| << Ry. Por ejemplo, si R, = 10 kQ, entonces un valor tipico de| X.|es 100 ©. Debido a que la frecuencia de la seal rectificada de onda completa es de 120 Hz para la frecuencia de Ia linea de alimentacién de 60 Hz, la capacitancia que se necesita es La figura 5.14B muestra como es la salida del circuito. Durante el primer ciclo, el capacitor se carga hasta su valor pico, de donde empieza a decaer ‘a.un régimen mas lento gobernado por la constante de tiempo RC. En el siguiente ciclo, la carga del capacitor se restablece hasta su valor pico, antes de decrecer de modo apreciable. Si se va a eliminar la mayor parte alternante de la seftal, la constante de tiempo debe ser muy grande en comparacién con el periodo de la sefial. En este ejemplo, RC = 0.13 se- gundo, mientras que el periodo es 1/(120 Hz) = 0.008 segundo; asi se asegura la operacion correcta. Con la excepcién del primer ciclo, la forma de onda que se obtiene a la salida es una buena aproximacién a la onda triangular. As{, es posible Fig. 5-14. Secci6n de filtro AC.INSTRUMENTACION ELECTRONICA / 119 calcular las series de Fourier para ella; su analisis es util para evaluar las magnitudes del voltaje de cd, la onda de ca fundamental, asi como sus armonicas mas altas. Esto es de particular interés en el filtraje donde el valor de la porcion de cd y la cantidad de seftal de ca remanente después del filtraje son consideraciones importantes en el disefio. Se ha ideado una expresién para el factor de rizo del filtro RC, la cual no sera derivada aqui: oe (5-8) 2V3 FRC Las relaciones entre Rx, C, Vpn ¥ Vase dan por Vou= 4 — 6-9) 1+ FRc Se ignoré la caida de tension directa a través del diodo cd. Estas ecuaciones se pueden simplificar insertando la frecuencia de la sefial de ca. Para todas las fuentes de alimentacién que rectifican en onda comple- ta, la frecuencia del rizo es el doble de la frecuencia de la linea, o sea de 120 Hz, Entonces 1 = ORC ~ y, al hacer una aproximaci6n, (\-apmie) = (1S) Si la corriente en ta carga es cero (R,,> «), desde las ecuaciones (5-8) y 6-9) se puede ver que el factor de tizo es cero y Vaq—> V,. Sila corriente aumenta (lo que equivale a un decremento en la resistencia de carga), el factor de rizo aumentard y V.q disminuird. Esto sugiere que el filtro ca rece de regulacién en situaciones donde la corriente de carga varia cor derablemente. Al volver a escribir la ecuacién (5-9), y usar el hecho de que Jog =VeqlRu Vea = 1, ~ Vv, sls. Yeo = Vo 406 Hay dos cosas que son claras de esta ecuacién: el voltaje de salida dismi- nuye linealmente cuando aumenta la corriente que pasa en la carga, y la magnitud de la pendiente de esta variacién decrece cuando se incrementa la capacitancia. Por tanto, se puede alcanzar mejor regulacién utilizando la capacitancia practica mas grande. R SECCION RC + 7 Es posible tener una mejora importante en un filtro cuando se conec- ce om en tan al filtro RC un resistor y un capacitor adicionales, como se ve en la figura 5.14. A esta configuracion se le lama seccion filtro, y su diagra- ma se ve en la figura 5.15. Observe que, como lo implica la palabra ‘‘sec- Fig. 518. Seccion de filtro AC.120 / DIODOSY ALGUNAS APLICACIONES. EA —__|_| Fig. 518. Seccién de filtro LC. VOLTAGE ‘CORRIENTE 617. Comparaci6n del lltrado capacitive e Inductivo,. cién’’, cualquier nimero de estas unidades pueden combinarse para me- jorar el filtraje y la regulacién. El factor de rizo para este filtro es 3.2% 10 "CGR, fen yel voltaje de salida es 1 Yoa= Vo ~ lea (sang; +8) 6-11) ese a que con la seccién de filtro. se obtiene mucho mayor reduccion del rizo que la que se tiene con el filtro simple RC, el problema de la regu- lacion no se ha resuelto en definitiva. De hecho, sise le da un valor dema- siado grande a R, el voltaje de salida se perder a través de esa resistencia aun para valores moderados de corriente. Si el circuito se emplea bajo demandas de corriente variable desde la carga, R deberd ser tan pequefia como sea posible. Para aplicaciones donde las demandas de corriente son ‘mAs 0 menos constantes, pero pequetias, este filtro es aceptable. SECCION LC Cuando se utiliza un inductor (reactor) en el filtro, se puede obtener una mejora en la constancia del voltaje de salida, y la clase mas simple es una seccién LC, que se muestra en la figura 5.16. El voltaje de salida se reduce en relacién al que se obtiene con un filtro capacitivo (0.9 Vrms ‘comparado con!.4 Vy.) pero Io que es una decidida ventaja, es la cons- tancia del voltaje. En la figura 5.17 se ve la comparacién de las curvas del voltaje de salida contra la corriente en la carga de los dos tipos de filtros. La operacién de la seccién de filtro LC depende del hecho de que la reactancia del inductor aumenta con un incremento en la frecuencia (se- iin lo que se analiz6 en el capitulo 2); asi éste se opone a las variaciones rapidas en el voltaje y permite solamente el paso a las frecuencias bajas. Estas frecuencias bajas son ademas aplanadas por el capacitor. El voltaje de salida (suponiendo que se trata de un inductor ideal) es Vy, = 0.9 Vene (5-12) yel factor de rizo se da por ¥2_1_ 8.3107 3 WLC Le r= (6-13) para la frecuencia usual de 120 Hz. Las limitaciones inherentes del filtro con reactor son simplemente las de las inductancias en general: el valor finito de la resistencia de la bobi- na y el tamafio relativamente grande que tiene un inductor con un valor apreciable. Un reactor tipo de 10 H tiene una resistencia de 56 9 y deja pasar 209 mA. Si este reactor se utilizara con el circuito de la figura 5.18, ‘entonces al voltaje de salida dada en la ecuacion (5-12) se le deberia restar la caida de tension a través de la bobina, 0 Ves = (220) (2) = (56,002) = 129 V , La corriente es de aproximadamente 200 mA, y 1.1 V rms de rizo (en 120 Hz) es superpuesto sobre el voltaje de cd (rizo < 19%). Si se desea una canti-INSTRUMENTACION ELECTRONICA / 121 Fig. 5-18. Circulto de fuente de poder utlizando filtro por reactor. Q w (60 He dad mas pequeha de rizo, el costo y el tamafto prohibitivo de un reactor més ‘grande sugieren que debe emplearse un capacitor mayor. Claro est, si se dispusiera de un reactor mAs grande, la resistencia incrementada de la bobina conduciria a un decrecimiento en la tensi6n de salida, Una opcién para incrementar la capacitancia es el uso de dos secciones de filtro LG (figura 5.19). El factor de rizo se calcula multiplicando la ‘ecuacién (5-13) por otro término 1/w*LC de modo que — V2 1.76 x 10°)? 3 LCF a Por tanto, si los valores componentes en el circuito de la figura 5.19 son los mismos que aquellos que se tienen en la figura 5.18, el rizo tendré cer- ca de 20 mV rms, 0 0.015%. El voltaje de salida, V.z, continia siendo el mismo. Cierto nmero de permutaciones y combinaciones de los circuitos basi- cos de filtro se presentan aqui. Algunos de los mas comunes, con las ecuaciones apropiadas de Vj, yr, se dan en la tabla 5.. La disponibilidad de reguladores de circuito integrado, que se analiza n detalle en el capitulo 7, ofrece una metodologia adicional para realizar fuentes de energia con alta regulacion y bajo rizo. Las consideraciones implicadas en la regulacién se presentaron en la secci6n anterior. La regulacién se puede mejorar significativamente agre- gando una etapa de regulador a la salida ya filtrada. Un dispositivo que muy seguido se emplea como regulador de voltaje es el diodo Zener. El analisis previo del diodo de unién omiti6 una caracteristica impor- tante de la operacién del diodo, la avalancha 0 el proceso de ruptura in- verso. Suponga que se aumenta grandemente la polarizacion inversa en un diodo, Cuando el voltaje sea suficiente, los electrones de valencia se- ran liberados de sus posiciones alrededor del niicleo que los ata. Como los electrones poseen energia en exceso, sus colisiones con otros étomos liberaran electrones adicionales por choques; éstos a su vez soltarn por impacto mas electrones, y asi la corriente inversa llega a ser una ‘‘ava- lancha. Quien primeramente observ6 y utiliz6 este efecto fue Clarence Zener, cuyo nombre se aplica a este fendmeno. Una versién mas comple- ta de la conducta de la corriente y el voltaje de un diodo se puede ver en 10H 220 I Peo) nr oy Ly Ls ° FAA aS GS gn, Fig. 519. Dos secciones de filtro LC. REGULACION O ESTABILIZACION122 / DIODOS Y ALGUNAS APLICACIONES TABLAS.5. Combinaciones comunes de circuitos de filtro basicos. ome FILTRO RIPPLE Secci6n 7c ae eae ‘Secclont LC, desplegada 5 & 33:10 CGAL | sax 10" i 7 T 7 T 2 Gece, ‘Seceidn TAC, desplegada 33x10 CeCe, RM SASF SRL ONY AES BN UREN RT 1 40 20 20 Fig, 5:20. Comportamiento del diodo Zener. ——VvouTase inverso 35-30 -25 -20 -15 -10 -5 Os 10 15. a VOLTASE, DIRECTOINSTRUMENTACION ELECTRONICA / 123 la figura 5.20. Observe que, para los voltajes inversos mayores que el de ruptura, basta solamente un cambio muy pequefio en voltaje para causar un gran cambio en corriente. El voltaje de ruptura 0 voltaje Zener de un diodo se puede controlar en el proceso de manufactura, y los diodos es- tan disponibles en varios valores desde 3.9 V hasta varios cientos de volts. Es patente en la figura 5.20 que, cuando se polariza en forma inversa un diodo Zener, cualquier corriente que fluya y sea mayor que unos po- cos microamperes debe estar acompafiada por un voltaje cuando menos tan grande como el voltaje Zener. Ademas, el cambio en el voltaje a tra- ves del diodo Zener, V;, es completamente pequefio para cambios relati- vamente grandes en la corriente inversa, Iz. A la variacién del voltaje respecto a la corriente se le designa como impedancia dinamica, Z;, del diodo Zener. Esta es la clave para utilizar al diodo Zener como un estabi- lizador de voltaje. Suponga que una fuente de alimentacion V,, de 21 volts sin regulacion, se desea regular a +15 V con un diodo Zener, como se muestra en la figura 5.21. De una lista de caracteristicas para diodos Zener se selecciona el tipo 1N4743. Se usa un resistor para limitar la corriente. Su valor se puede calcular directamente, usando el 20% del va- lor maximo de la corriente permisible como el valor de 7 con objeto de tener un factor de seguridad: (6-15) Si se supone en la carga una corriente de 150 mA, entonces R = 37. En operacién, el diodo Zener mantendra el voltaje Vz entre sus termina- les (y, por lo mismo, a través de la carga) en todo tiempo, mientras V, ex- ceda a 15 V5 el exceso de V, sobre Vz aparecera a través de R. Bajo estas condiciones la regulaci6n es excelente, pese a las demandas de corriente dela carga. Se pueden disponer dos 0 mas diodos Zener en serie para obtener casi ‘cualquier voltaje regulado que se desee; los valores de los V;_indivi- duales son simplemente agregados, como se muestra en la figura 5.22. Sin embargo, observe que la maxima corriente permisible a través de tal arreglo es la del diodo con el valor mas bajo de Imus). Se pueden utili- zar otros arreglos, como el de la figura 5.23, para obtener voltajes regu- lados de cualquier valor especifico. Es posible estimar el cambio en V; con variacion en Jz. En el circuito de la figura 5.21, asuma un decremento de 10% en el valor de f,. Por consecuencia, I se incrementa en 15 mA, lo que produce un incremento Fig. §:22. Disposicién de diodos Ze a =a | | | Zype tT Mat fy 17 mA Ipimee) 61 mA Fig. 21. Circuito regulador de voltaje con un ‘solo diodo tipo Zener.124 1 DIODOSY ALGUNAS APLICACIONES 200 Fg. &:23. Dieposicién de diodos Zener para obtener una salida deseada. 7900 425v en V; de menos de 0.3 V (0.015 A x 17 0). Esto es menos que un 2% de cambio en el voltaje para un 10% de cambio en la corriente de carga. CIRCUITOS DIODO Hay una amplia variedad de circuitos que incluyen diodos, resistores y capacitores (y algunas veces inductores). Todos ellos asocian el compor- tamiento no lineal del diodo. Varios de estos circuitos tienen nombres que sugieren sus funciones. DIODO LIMITADOR El diodo limitador que se ve en la figura 5.24 se utiliza para limitar la amplitud de una sefial alterna. Note que en ausencia de una sefial, D, se polariza inversamente por V; y D; también lo es por Vz. Durante el me- dio ciclo positivo de la sefial senoidal de entrada, D, no conduce hasta que Vent excede a V,. Cuando D, conduce durante el medio ciclo positi- Vo, vgs limitado en amplitud a V,, Esto mismo es valido para el medio ciclo negativo tomando en consideracion D. y Vs. (La explicacién ante- rior ignoré la caida de tensién del diodo V» polarizado directamente. SiV» es apreciable comparado a Vy Vz, entonces las amplitudes de salida estan limitadas a V, + Vs durante el medio ciclo positivo y a V+ Vs durante elmedio ciclo negativo.) El limitador se emplea en los circuitos radiorreceptores, donde actiia para restringir la amplitud de las seftales de voz que en otra forme podrian haber excitado al siguiente circuito fuera de la region de opera- cin. La seftal limitada, por supuesto, es deformada, pero cualquier se- fial cuya amplitud sea menor que la del voltaje de polarizacién pasa sin suftir distorsion. Como se muestra en la figura 5.25, cuando se conectan los Anodos de dos diodos Zener se forma un circuito limitador que tiene Gerta utilidad. Este circuito tiene la ventaja de no necesitar baterias. Du- rante el medio ciclo positive, V, se comporta como un diodo Zener, mientras que Vs Io hace como un diodo de silicio normal. La situacion se invierte durante el medio ciclo negativo. En la figura 5.26 se ve que la salida de un diferenciador RC alimentado con una sefial de entrada de forma cuadrada se puede limitar para pro- porcionar pulsos de una sola polaridad. Como esta conectado e! diodo en la figura, 1os pulsos negativos son recortados. DIODO FIJADOR é a El diodo fijador, que se muestra en la figura 5.27, es util para cambiar Fig. 5:24. Circuito de diodo limitador. _el voltaje de referencia de la seal de entrada. Se puede entender la ope-racion del cireuito reconociendo que el diodo conduce s6lo durante el medio ciclo negativo. Esto carga al capacitor del lado del diodo a +V,. Debido a que hay una cantidad finita de fuga de ambos, el capacitor y el diodo, se necesitan pocos ciclos para establecer esta carga completamen- te, Despues de esto, el voltaje de referencia es V,, y la forma de onda de salida oscila entre +2 V, y cero mas bien que entre +V, y —V». Al colo- car una fuente de voltaje (0 sea, una bateria) en serie con el diodo, se puede fijar cualquier voltaje de referencia que se desee. Invirtiendo el diodo, la sefial de salida se puede fijar més bien abajo que arriba de cero. Puesto que la descarga RC del capacitor causara distorsion en la forma de onda de salida, la etapa que sigue debe tener un muy alto valor de im- Pedancia de entrada a fin de que la fijacion funcione adecuadamente. DIODO BOMBA O GENERADOR DE ESCALERA Una aplicacién interesante del diodo es la llamada diodo bomba, que se muestra en la figura 5.28A. También a este circuito se le designa como contador de la velocidad de impulsos. La entrada es una onda cuadrada que ha sido fijada para que s6lo trabaje arriba de cero, como se ve en la grafica. El diodo D, conduce cuando la entrada es positiva (cuando deba ser igual a V,). Cuando la conduccin ocurre, C, es cargado a V,,.0 Qy = C,V,. Cuando la sefial de entrada regresa a cero, D, queda DESCO- NECTADO, y D; queda CONECTADO. Esto pone aC, en paralelo con Fig. §:28. Aplicacion de un circulto diode limitador. INSTRUMENTACION ELECTRONICA / 125 Hone R126 | DIODOS Y ALGUNAS APLICACIONES — Fg. £28. Circulto con diodo bomba. Fig. £27. Circuito de diodo tijador. Cay ahora Q1= (C,+Cz)V,. Cuando la entrada crece otra vez hasta V,, Dz queda DESCONECTADO y aisla aC; del resto del circuito. Las relacianes entre Q,, la carga que se dejé “‘varada’” sobre C, y la carga total almacenada, Q,,€s ee -% (5-16) Si C, es mucho mayor queC,, entonces a-(E+i)o~o (6-17) co El valor de la corriente promedio que pasa por el medidor es BuoCh—cy,f 618) donde f es la frecuencia de la onda cuadrada. Por esto, el medidor se puede calibrar en unidades de frecuencia si se emplea una onda cuadrada de entrada de amplitud constante. Este circuito viene a ser un generador de escalera si el medidor de baja impedancia, M, se reemplaza con un grabador de alta impedancia. Este cambio limita intensamente el camino de descarga de C;. De este modo, la carga que se almacen6 en él se incrementa en cada ciclo sucesivo de la onda cuadrada, como se ve en la figura 5.29, donde los diodos se han in- vertido con respecto a la figura 5.28 y se usa una onda cuadrada sie negativa. Por lo general, lo més que uno puede esperar ver es de 5.a 10'es- calones antes que la descarga a través del registrador cause una “‘inclina- cién o reduccién de amplitud”” considerable.INSTRUMENTACION ELECTRONICA i 127 EI ingenio de los investigadores, la habilidad de los fabricantes de semiconductores y la creatividad de los disefiadores de circuitos han pro- ducido una linea creciente de nuevos dispositivos semiconductores. Algu- nos de estos nuevos desarrollos merecen mencionarse. Un buen ejemplo de una necesidad identificada que se ha satisfecho con una mejora signi- ficativa es el diodo Zener compensador de temperatura. El coeficiente de temperatura de los diodos Zener usuales es alrededor de 0.08%/°C. Siun diodo Zener con Vz = 12.8 V es expuesto a un aumento en temperatura de 50°C, entonces V, aumenta hasta 13.3V. El dispositive compensador de temperatura, que se fabrica con lo que se llama unién de 6xido inerte, tiene un coeficiente de temperatura de 0.001%/°C. Para las mismas condiciones, esto importa un cambio de solamente 6 mV. Los diodos de seftal, designados algunas veces como diodos de conmu- tacion, estén llamados a usarse en situaciones que requieren cambios muy répidos de CONECTADO a DESCONECTADO (y viceversa). El diodo de unién usual es afectado en operaciones de alta velocidad debido a la capacitancia de la unién. Cuando el diodo de unién polarizado en forma directa se conmuta a polarizaciOn inversa, fluye una corriente in- versa de gran valor como resultado de la carga almacenada (portadores ‘minoritarios) en la union. Por tanto, los tiempos de conmutacién son re- lativamente grandes. Controlando la extension de la unién durante el proceso de la manufactura y limitando la corriente a través de la misma, los tiempos de conmutacién se pueden mejorar en forma significativa, DIODOS SCHOTTKY La curva corriente-voltaje de los diodos Schottky es muy parecida a la de los diodos de uni6n, pero su construccién es muy diferente. Como re~ sultado de esta diferencia en la manufactura, tiene un tiempo de almace- namiento de portadores muy bajo, que lo hace un candidato casi ideal para operaciones de conmutacién de alta velocidad. El simbolo del cir- cuito electronic para el diodo Schottky, junto con los de otros diodos especiales, aparece en la figura 5.30. Fig. 529. Circuito con diodo bomba y la forma de onda tipo escalera que resulta, DIODOS ESPECIALES iodo SCHOTTKY DIODO TUNEL 1000 INVERSO VARACTOR REGULADOR DE ‘CORRIENTE128 1 DIODOS Y ALGUNAS APLICACIONES 1, (ma) 200] 100 CAPACITANCIA DEL DIOD0 (pF) or 020305 1 23 Fig. 31. Comportamiento corriente-voltaje de ‘un diodo tipo tunel, DIODO TUNEL EI diodo tunel esta hecho con una concentracion de impurezas acepto- ras y donadoras mas alta que la normal. Como resultado se obtiene una curva corriente-voltaje diferente, la que se ilustra en la figura 5.31. El comportamiento del diodo tinel se caracteriza por el pico (I, y V,) y el valle (/,, y V,) que son partes de la curva, La regi6n entre V, y V,se deno- mina regién de resistencia negativa porque la corriente disminuye con los incrementos de voltaje. Mas alla del voltaje de valle el diodo tinel se comporta como un diodo normal. Si se ubica la operacién del diodo en la parte media de la regidn de resistencia negativa, se puede utilizar como ‘un oscilador de alta frecuencia. Se acufié el nombre de ‘‘diodo tanel’” de- bido a que en mecanica cuantica se ha empleado el término “‘efecto tinel © filtracion cuantica” de los electrones a través de la barrera de unién, con objeto de darle una explicacion a este fendmeno. Diode varactor Fig. 5:92. Capacitancia diodo de un diodo va tor. 10 20.30 50 100 VOLTAJE INVERSO (Vv)INSTRUMENTACION ELECTRONICA / 129 DIODO INVERSO El diodo inverso es un pariente cercano del diodo tanel. En el proceso de su manufactura, el dopado se controla para producir una depresion del pico de corriente caracteristico del diodo tiel. En el diodo inverso se conserva la caracteristica de corriente inversa del diodo tanel. Cuando el diodo es operado en forma inversa, se verifica la conduccién con un vol- taje muy pequefio (50 mV). La conduccién directa, normal, se verifica solamente cuando V,, que por lo comin es de 0.65 V, ha sido excedido. En consecuencia, para las seftales pequefias, la conducta del diodo inver- 80 es opuesta a la del diodo de unién normal; conduce con polarizacién inversa y no lo hace con polarizacién directa. Por consiguiente, el diodo inverso se emplea ampliamente en la rectificacion de sefales muy pequefias. DIODO VARACTOR Este diodo es otro ejemplo de las condiciones de control en la manu- factura para obtener un resultado especial. En este caso, el dopado de la unin se dosifica (esto es, la cantidad de impurezas se incrementa de un lado de la uni6n al otro). Esto resulta en una capacitancia en la unién que varia con la magnitud del voltaje inverso. Todos los diodos de union exhiben este comportamiento en forma cuantitativa, pero la conducta del diodo varactor en lo que a esto se refiere es mejorada, como se ilustra en la figura 5.32. En otras palabras, el dispositivo es un capacitor controla- do a voltaje (VCC). Encuentra aplicacion en la sintonia de alta frecuen- cia, en la cual se usa un varactor para reemplazar al capacitor de sintonia mecanica, DIODO REGULADOR DE CORRIENTE El diodo regulador de corriente es un dispositivo de efecto de campo. (El efecto de campo se describe en el proximo capitulo.) En realidad, la I, (A) Fig. 5-33. Comportamiento corti dodo reguiador de corriente, Ve W 700 Ty (A)130 1 DIODOSY ALGUNAS APLICACIONES resistencia directa del diodo se hace bastante grande (0.3 a 3 MQ) de modo que la corriente sea independiente del voltaje directo. En la misma forma, como el diodo Zener se prefiere para una regulaci6n de un voltaje especifico, asi el diodo regulador de corriente debe seleccionarse para realizar una determinada regulacion de corriente. Las corrientes nomina- les de que se dispone actualmente tienen valores cuyo margen va desde 0.22 a 4.7 mA. La curva corriente-voltaje para el dispositivo se ve en la figura 5.33. Observe que una vez que se ha rebasado el valor de V;, la corriente es completamente constante. PREGUNTAS Y PROBLEMAS — nn 1, De los datos que incluye la tabla 5.3, calcule el valor apro- piado de la razon R,/R, para el INAOO1. (~1 x 108 2. Usando la figura 5.8 determine qué clase de diodo, si de si- licio 0 de germanio, tiene el valor mas bajo de R. ;Cual tiene la caida de tensi6n directa més baja? 3. Pronostique qué efecto tendré un incremento en el dopa- do sobre R,, Ry, la capacitancia de la unién y sobre la ion directa. nov eo He 4. ,Qué condiciones podrian favorecer la selecci6n de wn rec- tificador de onda completa sobre el rectificador puente? 5. Disene una fuente de alimentaci6n sin transformador para, 300 V con rizo de 1% 0 menos, que sea capaz de propor- Fig. A. Circuito para los problemas 6,7 y 11. Sonal rectificeda de onda ‘complete Fig. B. Circuito para el problema 8.| ov sov Hl 7. Repita el problema anterior para obtener una salida de $00 Va l0mA con 0.1% de rizo.o menos, 8. Las expresiones para la salida y el rizo para el filtro simple con reactor dela figura B son van 2 (ete) re 1ORIL Donde Res la resistencia del reactor. ,Qué efecto se tiene enelrizo con unincrementoen acorriente? 9. Un reactor de potencia tipico tiene con 10 henrios una re- sistencia de 200 ohms aproximadamente. Usando las ecua~ ciones utilizadas en el problema anterior y si R = 1 000 ‘ohms, calcule el voltaje de salida y el factor de rizo de este filtro para una fuente de poder con el secundario del trans- formador en 200 V rms. 10, Para el circuito del problema precedente, disefie un regula- dor con diodo Zener, utilizando un diodo Zener de 1 watt. 1B. 18. 16. INSTRUMENTACION ELECTRONICA / 131 Fig, C. Circuito para los problemas 14y 15. Para el circuito de la figura A (y con os resultados del problema 6), disefe un regulador con diodo Zener, usan- do un diodo Zener de 1 watt, 15 V. ‘Se va'a emplear un circuito diodo bomba para determinar la frecuencia de onda cuadrada (de 100 Hiz a 10 kHz). La amplitud de la seal v deberd preceder al diodo bomba para asegurar operacion correcta? (diode fijador 0 diodo limitador).. Disefte el circuito apropiado para el problema 12. Bosqueje las formas de onda de sada que se esperan ‘cuando una onda senoidal de 100 Hz (5 V,) se ay cada uno de los circuitos en la figura C. Bosqueje las formas de onda de salida que se esperan cuando una onda cuadrada de 100 Hz(10V,,) se aplica @ cada uno de os cireuitos en la figura C. Compare y contraste los usos de los diodos de sefal y el Schottky.BIBLIOGRAFIA Brophy, J. J.. Basic Electronics for Sciemists, 3rd Edition, McGraw-Hill Book ‘Co, New York. 1977. Cohen, A R., Oulline of Linear Circuits and Systems, Regents Publ. Co., New ‘York, 1965. 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