Paaina caPiTULD £ CAPITULO. £ LOS COMPONENTES ACTIVOS DE Los CONVERTIDORES ESTATICOS J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIA e e e e e e e e o {"seeeeeeeeeee caPITULO 1 Paina 2 El tuncionamento de los convertidores de votencia esta basado en la transferencia de Ja corriente de una rama del circurto hacia otra rama del misao caircuito: covmutacion de corriente entre mailas. Para realizar esta overacion se necesitan interuotores destinados abrir una rama o cerrar otra | fioura 1.1). Froura [+1 @ La conmutacz‘on+ Para ue el rendiniento de esta overacion sea maximo. el interruotor tendrs aue tener las caracteristicas electricas siguientes: - Interruptor abrerto: Corriente despreczable. ~ Interruotor cerrado: Caida de tension en sus bornes ‘euy debiles. ~ Tiempos vara cambiar de estados. uy cortos. Hace alaunos afios. Jos interruotores estaticos utilizados eran sistemas de vaoor de aercurio como tiratrones. iomitrones... €1 desarrollo de Ja técnica de Producci¢n de semiconductores ha peraitido sustituir éstas valvulas por Gispositivos estaticas v uniones de silicio. Los principales componentes que se estudiaran soi = Los diodos. ~ Los transistores. - Los tirastores. v+P CHASSANDE ELECTRONICA DE FOTENCIACAPITULO 1 Paina 5 I.1 GENERALIDADES SOBRE LOS MATERIALES. L.4.1 ESTADOS ELECTRONICOS EN LOS SOLIDOS. En un atono aislado. los electrones se encuentran en zonas llamadas érbitas o S28@e50e50eeeeeee 1. | capas electronicas. Cada una de estas capas tiene una energia bien definida. Sobre una reoresentacién en eneroias Jos niveles * bajos * est4n ocupados por los | electrones mas Lioades al nucleo. Los niveles mas " altos " corresponden a los electrones menos liaados al nucleo. alli se encuentran los electrones de valencia. La fioura 1.2 representa esta disvosicion en el caso del silicio, Si. que tiene 14 electrones ( 2 = 14), Electrones * f libres : 2 : 2 j Electrones 6 : i ligados 2 2 j bes Estados de electrénicgs” 18 | 14 puest ds ] electronics potencial Gisponibles| ocupados Froura 1:2 @ Wiveles electronicos de un atono de Srlicio aislado- iu J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIA5,20 0ee0eeeceee : les a) q 4 , “ot capitulo 1 Pioina 4 Cuando se acercan dos atonos de Silicio. en luoar de encontrar dos veces puestos disoonables por cava, Jas capas se diferencian en dos niveles eneraet auy cercanos. $i ahora se considera un cristal de N atomos identicos. cada a de la distribucion se divide en N subniveles discretos muy cercanos unos de otros. Estos orupos de niveles de enerota cue resultan de 1a diferenciacion cada nivel de eneroia de los estados electronicos Ye un atono. forman lo que llasa Sandas de eneroia oeraitida. Estas bandas pueden “suoerponerse o © sevaradas. En este uitino caso se encuentran entre ellas niveles eneroeticos corresponden a ninoun estado electronico oosible: estas zonas se ilamant fa prohibidas. fsa. de fa misma manera ole en un atoao Jos electrones se encuentran = naveles de eneroia bien detinidos. en un solido. los electrénes solo pueden po aouellas eneroias que corresponden a bandas de eneroia peraitida. La ultiaa b permitida suele llasarse: Banda de Conduccién v la penditina: Banda de Valen La anchura de las bandas tanto permitidas como prohibidas depende de la dista interaténica. es decir del tipo cristalino del sélido: en consecuencia. comportasiento eléctrico de un solido se deducira de la estructura de sus be de eneroia y. de la manera cao se encuentran ocupadas por los electrones. [21.2 CONDUCTORES. SEMI-CONDUCTORES y ALSLANTES. En cada solido se define un navel particular de energia ilanado Nivel Ferm, tal oue a la teaperatura: f= 0°K., la probabilidad de ocupacion © niveles de eneroia inferiores al nivel de Fermi es 1. ( es decir que los est eneroeticos estan ilenos ) y que los estados de energia superiores al ive! fermi estan vacios ( orobabilidad de ocupacidn 1ouai a cero}. Asi las propte: conductoras de un sélido se caracterizan con su diacrana de bandas de enerare posicion relativa del nivel de Fermi con respecto a estas. 1.4.2.1 LOS CONDUCTORES. En {os netales. 1a teoria permite obtener un diaorama de las banda eneroia en ef cual las bandas de valencia vy de conduccién se super) parcialmente. Lueco existen electrones libres ( en la banda de conduccidn cero absoluto. La fioura I.3 da el diaorama de eneroia de un metal v 1a pos de su nivel de Ferni. 1.1.2.2 LOS SEMI CONDUCTORES. En los semi conductores la banda de conduccion esta separada de la band J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIAa ae) td © Ge ) en su red cristalina. Entre las dos. existe una banda prohibida. el silicio v 0.78 ev para e) ) vale por ejemplo 1.12 ev Fioura +3 @ Diaorana de un netal- Froura I-4 @ Diaorana de un sexi—conductor+ ELECTRONICA DE POTENCIA Pagina 5 La anchura de esta bande e e e e e e e e e e o € “Energia Banda de Conducciéa Estados cios . weet aivel_de | Fermi ——= Estados Banda de = tenes ==] | vatencia “Energia A Banda de Conduccién nivel de { Banda ~~ Fermi { prohibida Banda de Valencia Un semi conductor intrinseco esta constituide por un solo tipo de atono ( po: Para esos semi conductores el nivel decceeecece 2° teil Sa CAPITULO I Paoina Ferai esta situado en la mitad de 1a banda orohibida. ( fioura I.4) . Asi al cer absoluto 1a banda de valencia esta totalmente llena v la banda de conduccié totalmente vacia. 1.4.2.3 LOS arstal El diaorama de un aislante se presenta de Ja aisma manera que €! de un sea: conductor. salvo que 1a banda prohibida es auy ancha. A titulo de comparacion & diamante ( C ) tiene una banda prohibida de 5.3 ev. [21.3 ESTRUCTURA DE LOS OIVERSUS TIPOS DE SEMI CONDUCTORES. Los cristales de Ge o de Si utilizados en la fabricacién de interruntore estaticos tienen que tener un muy alto grado de pureza: tienen que tener a J sumo. un solo atono de elementos extrafos por 10 atomos de Geo de Si. Par obtener esta pureza se utiliza primeranente técnicas quisicas para obtener u orden de 99.999 % de pureza v luego un procedimiento Ilanado refinaniento po zonas. para llegar al grado requerido, Es necesario tener ésta alta pureza. porqu los atomos extraios ( 0 impurezas ) nodifican la red cristalina e introduce niveles energeticos que cambian las caracteristicas eléctricas del crista original. I.1.3.1 LOS SEMI CONDUCTORES INTRINSECOS. Un cristal de Ge o de Si oure constituve’ un semi conductor intrinseco. cristal de Si ( Z = 14) ouede representarse como en Ja fioura 1.5, En su altis capa electronica. ei atomo de Si vosee 4 electrones v 4 puestos libres. asi va compartir sus 4 electrongs con 4 atonos vecinos para que cada uno tenoa 8. Cad par de electrones constituve un enlace covalente. La fioura I.5 muestra los cuatr enlaces covalentes ue cada atomo de Si tiene con sus cuatro dtomos vecinos. A una temperatura auy baja todos los electrones de valencia permanece ligados en ios enlaces covalentes vy el saterial de un aislante. En 1 representacion de las bandas de enerosa. 1a banda de conduccién situada arriba de navel de Ferai esta totaleente vacia. A una temperatura mas elevada ( el ambiente). el avaento de temperatur produce vibraciones térmicas én los atonos, Esta excitacién del sdlido romp enlaces covalentes v Jibera electrones. Sobre el diacrama de Jas bandas ¢ eneroia, alunos electrones han recibido una eneroia suficiente ( Eg , anchura 6 1a banda prohibida ) para subir de 1a banda de valencia a la banda de conduccién Esta produccién de electrones libres se llama ceneracién térmica « J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIAa 4 So par Ba CAPITULO 1 Paoina 7 Wet 1a banda de valencia esta oarcialaente vacia v 1a banda de conduccié: parcialnente Lena. | Foura 1-3 @ Enlaces covasentes ev 1a red cristalina del Silicio- En 1a red cristalina. el ouesto de los electrones que han salido de lo enlaces covalentes. ueda vacio v se define. para caracterazar este puesto libre una varticula avarente Jlamada "hueco” . De esta manera. en un sem: conductor intrinseco. existe el misno numero d electrones Libres como de huecos libres, 4.1,3.2 LOS SEMI CONDUCTORES EXTRINSECOS. En un seni conductor intrinseco las concentraciones de vortadores ( huecos + electrones ) son basas. adeads hav ioualdad de concentraciones de huecos electrones. Para aunentar 1a concentracidn de un tipo, de portadores u otro, si Sustituven algunos atoaos de Ge o Si por otros extraiol: por inpurezas. Existe: dos tives de impurezas que darén dos tipos de seni conductores extrinsecos dependiendo s1 el ndaero de electrones de valencia es superior o anterior al de semi conductor intrinsecos « Geo $2). * se CONDUCTORES DE TIPO N LEONDUCTORES DE TIPO Ns Cuando se contamina un sea: conductor intrinseco con impurezas donadoras de Glectrones se obtiene un semi conductor de tipo N. Por ejeaplo se puede contaminar Stlicio con atonos de tosroro { P }. de Arsenio ( As ) 0 de Antinomio ( Sb) que tienen un electron mas de valencia cue el semi conductor padre. En la fioura [.é Se reoresenta la sodificacién de 1a red constituida por atomos de silicio cuande Se introduce un atomo de fostoro u+P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIA Ss@e50ec5ececeeeoeeeoj 4 CAPITULO 1 Pagina g | x Froura 1-6 Atowo donador en 1a red cristalina del Silicio- £1 atomo de fostoro tiene 5 electrones en su cava de valencia: una vez en la red cristalina de silicio. 4 de estos electrones son compartidos en 4 enlaces covalentes con 4 atonos de silicic. vel electron cue sobra queda. al reposo. cerca del atomo de P. pero poco lioado a el. La eneroia necesaria pare desprenderlo. sera mucho menor a 1a necesaria ara romper un enlace covalente Jas impurezas introducen naiveles er (ueao en el diacrasa de las bandas de eneral. Ja banda prohibida del semi conductor padre. Estos niveles se localizan cerca de Ja banda de conduccién. Para hacer pasar estos electrones en 1a banda de conduccion. solo se necesita un veauefio aumento de eneraia ( temperatura). A le temperatura ambiente los ND Atomos donadores han liberado ND electrones. Los atomos donadores auedan entonces con carcas positivas fijas en la rec cristalina ( que no participan en ninouna corriente ). Las caroas libres Jas mas humerosas en un semi conductor de tivo N son los electrones v por esta razon se Jaman: portadores mavoritaros. * SEMI CONDUCTORES DE TIPO P. Cuando de contamina el semi conductor por impurezas aceptadoras de electrones se obtiene un semi conductor de tino P, Estas impurezas son atonos de Boro ( BD. Aluminio ( Al), Galio ( Ga} o de Indio ( In}. La introduccién. por ejemplo. de Boro ( $ electrones de valencia) deja en la red cristalina una falta de un electron de enlace covalente, Este hueco tiene una oran capacidad de atraer un electron onizado por otro atomo de la red. Asi se necesitara poca energia para gue un electrén de un atoso cercano venga a Ilenar este sitio vacio. En J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIACAPITULO 1 Pacina 7 consecuencia 8 cana un electron v queda con una caraa necativa tija v algun aton, i de S1 con una carga positiva en La banda de valencia. Coao el nivel de Ferai =: encuentra cerca del nivel de eneraia de los atonos aceptadores, un pequefio auaent ge 1a temperatura conunicara la eneraia suficiente como para ionizer todas 1a : impurezas aceptadoras. Los vroductos de esta ionizacion son huecos libres. las caroas electricas libres las aas numerosas son los huecos que forma: entonces 10s portadores mavoritarios en un material de tipo P. £1 termino savoritario se entiende con respecto a portadores sinoritario: i Producidas por Ja oeneracién térmica vista anteriormente ( seni conductores } intrinsecos ) x Ane | 1.2.5) COMPORTAMIENTO DE UNA UNION P-N. : Para crear una union P-N. se contamina una zona del cristal semi-conductor a Si.) con impurezas de tipo Ny otras por inpurezas de tipo P. La frontera entre % una zona vy Ja otra se Ilama union. La fioura 1.7 muestra una reoresentacior j ie adealizada de tal union. ay huecos mébiles electrones mél mayoritarite Pp: unién oN _-mayoritarios les } electrones = | OQ L LQ 00 obi } electron huecos mébiles minoritarios minoritarios iones negativos fijos iones positives fijos Fioura 1:7 @ Representaci6n 1dealizada de una un16n PH En resumen: £1 sem: conductor de la region P tiene inpurezas de tipo aceptadoras de concentracion NA y la reoién N tiene inpurezas de tipo donadoras ND. A Ja temperatura ambiente estas inpurezas estan ionizadas v foraan iones cargados, fijos en la red: 1ones negativos en la region F e iones positivos en le region N. En 1a reoion P. ios huecos libres de densidad elevada son los portadores mavoritarios: tasbien existen electrones libres producidos en poca cantitad por lé ie J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIA e e e e e e e e e e o @ «tls at sal aw Hatt CAPITULO “rT Pagina 10 eneracion teraica : ellos forman los portadores minoritarios. En la regién N. los portadores mavoritarios son tos electronés sientras los huecos son portadores manoritarios. La representacion de Ja fioura 1.7 es idealizada porque en la realidad. la Proximidad e regiones de concentraciones distintas de portadores va a ‘crear movimientos de caroas libres de una zona hacia otra. {1.4.1 HOVINTENTO DE LOS PORTADORES MavORITARIOS. En el aomento en sue se produce 1a union aparece una zona con elevada densidad de huecos (portadores mavoritarios del sea: conductor P) frente a una Feoion con baia densidad de huecos « portadores minoritarios del semi conductor N14-por Jo tanto. habra un flujo de huecos. desde 1a reoidn P hacia 1a reaidn Ne traves de 1a union. Este fenoneno se lama: proceso de difusién de los huecos. Este flujo de huecos deja atras 1ones caraados negativanente cerca de la union del lado P, La difusién de estos huecos da un movimiento j de caraas positivas eouavalente a una corriente i, en el mismo sent ido. foual proceso de difusin ocurre para los electrones ( savoritarios) desde la zona NW hacia 1a zona P. Este aoviniento de caroas negatives 3, da una corriente iy en sentido opuesto ( de P hacia N) v deja en Ja zona N. cerca de 1a unidn. iones caraados positivanente. tas corrientes 1, © 1, son de misao sentido. 1a susa de elias i, caracteriza e1 movimiento de los portadores mavoritarios. La figura “1.8 resune este proceso de sityfon. 1.1.4.2 MOVIMIENTO DE LOS PORTADORES MINORITARIOS. Ahora existen, cerca de la union. dos reoiones caraadas con ones fijos. Esta caroa espacial oroduce un canoo electrico £ dirioido de 1a reoion WN hacia 1s reaion FP. Este canvo va a evercer fuerfas electricas sobre los portadares. Con respecto 3 los portadores mavoritarios. el campo tiende a Gisminuir el aoviaiento de caroas por difusion. Pero tasbién. eyerce fuerzas electricas sobre los sortadores minoritarios: ordaueve e1 desplazamiento de los slectrones einoritarios de 1a reaion P hacia Ja reoién M: este aoviniento de Garaas necativas 3, es equrvalente a ung corriente i de sentido opuesto. De igual panera se tiene un'aoviaiento de caross positivas. fuecos minoritarios }. de la Teeron W hacia La reoion P..equivalente a una corriente 1 de aisno sentido ( fic. 1.9), La suna de estas dos corrientes se lana : rat a J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE FOTENCIAen wags ui ots yah em eas ote captTuLo 1 Paoina 11 unién P N - ip movimiento de hueco: Mayoritarios —————» Ip " eG OS ih clectrones Corrientes - mes ———"" i, ———— iones = Fiones = ¢ cargas de espacio pt iy Froura 1-8 @ Proceso de ditusion+ (a union P -N Ileaa a un estado de eauilibrio cuando 4 Pp unidn N Minoritarios ip movimiento de huecos ———+ i, " electrones jf ~________ i, Corrientes —_ —_j ip + | Froura 1:3 @ Hoviazento de tos vortadores ainoritaries- £1 campo electrico & oroduce una diferencia de potencial entre los dos lados Ge 12 union V_ que se dendmina barrera de cotencial. Esta barrera ae potencial se Bpone al cruce de 1a union por Los portadores mavoritarios: por eso 1a region Cerca de la unién se ilaea zona de enoobrecimiento o de transic.on. Para franouear esta barrera de ootencial los vortadores navoritarios deben poseer una eneroia W= qV (q = caroa del electron). £1 némero de Portadores que Poseen esta eneraia viene dado oor 1a formula: J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIA “se50e5eceeaeooeoLoeseeeqeeooe tle (aa caPITULO 1 Paoina 12 avo er utue donde Ks es Ja constante de Boltzman = 0.86 10 ‘ evs OK, y 4 es La temperatura absoluta, Goma La corriente i, es proporcional a este numero. se tiene: avo yor ie al eouilibrio i 1 1 1.2 EL propo. Un diodo es una barrera de semi conductor con dos zonas, una contaminada P otra N. El extreno P se llama anodo, el extremo N se llama catodo. s reoresentacion viene a ser 1a de la fioura 1.10. Anodo sentidos direcios A Tensién P N K Corriente Catodo Froura 1-10 @ Estructura y Sinbolo de un diodo- £:2.1 DIODO POLARIZADO EN SENIIDO_INVERSO. Cuando se aplica una tension inversa ¥. en Jos bornes del diodo. ver en la figura [.11 . se produce en 1a union un campo electrico £ en el mismo sentido que € ° tos dos campos se suman v se produce un aumento de la barrera de potencial que Ileqa ahora a V+ V. y la zona de empobrecimiento auaenta de anchura. Entonces. se le hace mas dificil a los portadores mavoritarios franquear 1a unzon. Al contraria los portadores ainoritarios cruzan la unién con mas facilidad. J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIAcAPITULO 1 Paginas 15 Si 18 tension inversa es suficientenente alta todos los nortadores ainoritarios se Gesolazan vy se ileoa ass. a un maximo vara 1a corriente 1 gue se denoning fort iente de saturacion I. © 1, na devende nas de 1a tensidn de polarizacion Rodos tos electrones minoritarids estan particioando en 1a veneracion de ta corriente . Por consiouiente : 1 = 4 1 1 ° co 4, Gepende de 1a *altura" de la barrera de potencial y se tiene ahora: vo _ kr a= te Loe 2 ° co 1, S® gueda entonces muy vor debaio de 1, y la corriente total anversa val Fara et vise 4 1 2 co Yono Jos sortadores winoritarios son poco nuserosos. esta corriente es Sreepre Peaueha \ I_) del orden de 10 pf para un diodo de geraanio de baja co potencia ), Cuando 1a tensi‘on anversa aumenta aucho. se produce un ¢enomeno de dasyuncion, 1.2.1.1 DISYUNCION POR AVALANCHA. El fenomeno de avalancha se observa cuando la aceleracion de los portadores ®imoratarios en 1a regién de carga espacial que esta sonetida al campo eléctrico, JsP CHaSsaANDE ELECTRONICA DE POTENCIA e e e e e e e e e e e e €>900C08OCCCO 2 d tina CAPITULO 1 Paoina 1g #5 tan grande que ocasiona colisiones ionisantes én los tonos producienda asi pares moviles electrdn- hueco que aumentan rapidanente 1a corriente y | feaperatura interna. Este fendmeno no controlado es destructivo para el sen conductor. 1.2.1.2 DISYUNCION DE ZENER. Este tipo de disyuncin se ebserva cuando, bajo la fuerza debida al cap: eléctrico, se rospen directamente enlaces covalentes ( no requiere aceleracién i un portador). Se obtiene intencionalaente este fendmeno con contaninaciones alta: Gel sei conductor, 10 que tiene por efecto de acercar 1a banda de valencia del nivel de Fersi. Esta disyuncién es reversible aientras se lisita la corriente inversa para que no se funda 1a unién. Aded 1.222 DIODO POLARIZADO EN SENTIDO DIRECTO. Cuando se aplica una tensién directa V, en los bornes de un diodo ( figure 1.12), se produce un campo eléctrico que se opone aE. ° (uego 1a barrera de potencial disminuye asi como la anchura de la zona de empobreciniento. Los portadores aayoritarios fluyen con mayor facilidad a través de 1a unién para llegar a ser minoritarios en 1a zona opuesta. Este proceso se llama: Inyeccién de portadores minoritarios, ya que, los huecos y electrones que atraviesan 1a unién aumentan las concentraciones de los Portadores sinoritarios en las regiones en las cuales estén inyectados. Conc Gensecuencia de este aumento de concentracién, los portadores ainoritarios se slejan por difusién de la unidng en 1a regién Ny los huecos fluyen hacia el catodo, mientras que en la regién P, los electrones fluyen hacia el dnodo. Figura I-12 w Polarizacion directa: J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIAj ee a cAPITULO 1 Pagina 15 Les portadores inoritarios que ahora se encuentran en gran nusero, por eiemplo los huecos en 1a regién My desaparecen por recombinacién con los Portadores ayoritarios ( los electrones ) de ésta zona, luego se crea un fovieiento. de portadores mayoritarios en esta zona N alinentada por la fuente exterior: para Ilegar al equilibria 1a fuente de alinentacién debe aportar igual numero de electrones por el catodo como cruzan huecos por 1a unién. Existe un Proceso similar si se observa la zona P, La corriente i creads asi por ios Portadores mayoritarios, aunenta répidaaente con la tension directa aplicada V. Como el campo eléctrico £ - E es pequefo, 1a corriente i. debida al flujo de ° Portadores minoritarios se aantiene pequeia, Al total la corriente que circula en’ sl Circuito, i, = i, = i, es una corriente directa: ta formula que da el valor de esta corriente es sinilar a la que se encontré en el parafo anterior, aw. 1.2.3 CARACTERISTICAS ESTATICAS DE UN DIODO. 1.2.3 CARACTERISTICAS ESTATIC Vem = Vdisyuncién Figura 1:13 w Caracteristica estatica de un dicdo+ Si se adopta el sentido algetrsico positive para las corrientes y tensiones Girectas, ésta eisna férmula resume los dos tipos de polarizacién y pernite obtener 1a clrva caracteristica de un diodo representada en la tigura 1.13. En la practica, se asimila la caracterfstica directa del diodé a con V_: tensién de Unbral. J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIA e e e e e e e e e e e © Ps79000808 COCCCO 3 a 4 > CAPITULO I Pagina 16 Vv, vale entre 200 y 400 aV para un diodo de germanio y entre 500 y 700 av Para un diode de silicio. la caracter{stica inversa se asimila a una constante 1. Para el silicio 1a corriente 1 | es de 1000 a 10.000 veces inferior a 1a de un°diodo de germanio. Cono se puede deducir de Jas féraulas precedentes, 1a tenperatura de funcionamiento tiene una influencia sobre la corriente inversa 1 y sobre la caida de tension en los bornes del diodo aI = cte. Estos efects? se llanan: Derivas Térmicas, é 1.2. 4 - CARACTERISTICAS DINA@MICAS DE UN DroDt En régigen directo el numero de portadores aayoritarios que fluyen a través de la unién es funcién de la tensién aplicada, Asi se puede definir una caoacidad de difucién C) que va a intervenir en régiaen alterno. Esta capacidad es pequefa. En regiaen inverso ( bloqueo ) 1a anchura de Ia zona de transicién varia’ con ja tensién inversa aplicada. La acuaulacién de cargas espyciales provocada se Puede asimilar a un condensador C variable segdn en valor de la tension inversa. Dos situaciones particulares en el funcionaiiento de un diodo tienen que examinarse con deteniniento: son las transiciones del bloqueo a la saturacion y vice versa. Para entender los fenémenos que ocurren durante cada una de estas transiciones, hay que examiner cuales son las concentraciones de portadares caracteristicas de cada polarizacion. En polarizacion inversa, los unicos portadores que atraviesan la barrera de potencial, constituida por las cargas espaciales concentradas alrededor de la union, son los minoritarios. En polarizacién directa, hay una gran difusién de mayoritarios a través de la union, por consiguiente existe un exceso de portadores minoritarios en cada zona. Asi durante el proceso de saturacién del diodo, va a manifestarse un retardo ligado al estableciaiento de 1a difusién de los ayoritarios a través de la unidn. Este tiempo es del orden del ws para todos los diodos. Durante el bloqueo hay que eliminar los minoritarios en exceso en cada zona y restablecer la barrera de potencial. Este tienpo depende del diodo misao, pero también, del circuito exterior, “y varia de unos ys hasta 100 ns y menos para los diodos rapidos. J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE FOTENCIAi adaey ese yy et ae a wus ates CAPITULO I Pagina 17 la figura I.14 auestra Ia evolucién temporal de la tensién y de La corriente durante el bloqueo de un diodo. ' d } Figura I-14 @ Bloqueo de un diodo- Antes del punto A donde se anula 1a corriente, 1a corriente directa disminuye con una pendiente negativa fijada por el circuito externo. £1 pontaje exterior es tal que después de 1a anulacién de i, la tensién anodo-catodo tiende a tomar el valor negativo representado por Ja curvau (es la accion de esta tensidn que preexiste antes del punto A que provoca la didminucién de la corriente directa ), ba conductibilidad del diodo que le permitia conducir 1a corriente directa, no desaparéée instantaneamente en el punto A, subsiste durante un cierto tieapo para luego descrecer progresivanente. Durante el tiempo ty 1a conductibilidad residual queda del mismo orden como J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCTA7"SeeeeeeCCCe sana CAPITULO 1 Pagina 18 Ja conductibilidad directa. La tensién u toma un valor~ negative cuvo valor absoluto es un poco mas elevado que 1a caida directa. Al mismo tienpo, aparece una Corriente inversa dinémica creciente. de valor elevado. Durante este tiempo t/, se produce una recombinacién de los portadores en exceso. Este lapso de tiempo se finaliza cuando @ concentracién de portadores viene siendo desasiade débil para suministrar la corriente inversa creciente impuesta por el circuito. externo, Durante el intérvalo de tiespo t,. 1a conductibilidad residual de! diode Giseinuve rapidamente al ismo tiempo que la tensién u alcanza el valor u inpuesto por-el circuito externo. Durante t,. -le~ concentracién de portadores diseinuye segin una ley exponencial cuya constante de tieapo esta ligada a 1a estructura misma del diodo. En ty: 1a barrera de potencial, creada por las cargas espaciales local izadas alrededor de 1a unién, esta totalaente reconstruida. Sin embaroo hay que esperar un tiespo t suplesentario, para que ia concentracién de portadores sea tal que la corriente inversa dindwica ileque al valor i, de 1a corriente inversa estatica caracteristica del diode. ta susa de: t +t +t) = t se llama: tieapo de bloqueo. atts 4 po oa Este tiempo depende de diversos paranetros tales cono la pendiente de la corriente. de la tensién U, asi como de Ja temperatura de funcionamiento de) diodo, Esta corriente inversa dindaica de amplitud ieportante y en presencia de una fension. origina perdidas de conautacién cuve valor puede ser primordial en el dinensionamiento del sistema de enfrianiente para los aontajes que funcionan a fracuencias altas. 1.3 EL TRANSISTOR. Un transistor es una barra de seni conductor con tres zonas dopadas. Unos Jas tienen organizadas en N-P-N otros en P-N-P, Estos seai conductores tienen tres Fonextones como se presenta en la figura 1.15 y solo se estudiarén los transistores N-P-N gue son los mds coaunes en Electrénica de Potencia. FUNCIONAMIENTO LINEAL. 2:5: 1. FUNCIONAMIENTO LINEAL. Este tipo de funcionamiento no se usa en Eléctronica de Potencia, pero es de gran isportancia para entender lo que sucede en este tipo de seni conductor. J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE FOTENCIACAPITULO 1 Paoina 19 Colector Sentidos directos Tensién Base 8 E Corriente Emisor Figura I-15 w Estructura y siabolo de un transistor: La polarizacién adecuada esta representada figura 1.16. - La polarizacién directa VY permite alos portadores ( electrones ) mayoritarios del emisor difundirse en 1a base. De la misaa manera los portadores sayoritarios de 1a base cruzan la unién Emisor- Base. ~ La polarizacion inversa | impide a los ayoritarios de cada zona atravesar 1a unidn Base-Colector, pero facilita el cruce de esta unién a los Asi los minoritarios de 1a Sase reforzados por los mayoritarios del tiendeo a pasar en la zona N del colectar. ainoritarios. enisor que han cruzado 1a unién E-B, Eso a condicién que los electrones mayoritarios del Emisor no se reconbinen con Jos huecos mayoritarios de 1a Base antes de poder pasar en la zona colector. Para eliminar este inconveniente se disminuye 1a contaminacién en impurezas de la Base, Adends se reduce el ancho de !a zona P para facilitar el flujo de los mayoritarios del Enisor hacia el Colector. En 1a tecnologia de construccién del transistor cabe destacar dos caracter{sticas ads: ~ Se eleva mucho 1a concentracién en ispurezas del emisor para tener mis Portadores que atraviesen la unin E-B. ~ Se aunenta 1a superficie de 1a unién 8-C para disminuir todavia nds, el fendmeno de recosbinacitn. La corriente total de base proviene de varios fendnenos: J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIA 7[S9e@3@e@eeeeee e008©008000000: » i } caPiTuLo 1 Pagina 20 ~ Corriente debida a la difusién de los portadores mayoritarios de la base (huecos ) 2 través de la unién B-E. Esta corriente es pequefia porque la base esta poco contaminada. ~ Corriente correspondiente a 1a recombinacién de los mayoritarios del enisor ( electrones ) que han atravesado la unién E-B. Esta corriente queda pequefa gracias a la baja contaminacién de 1a base, a la gran superficie de Ia unién B-C. asi como a la corta anchura de la zona P de base. - Corrientes inversas ( portadores minoritarios de las uniénes ) que son Siempre pequefias. Figura 1-16 @ Polarizacién del transistor en zona lineal: luego la corriente total de base queda siempre de baja anplitud relativa. Al contrario 1a corriente de Eaisor es grande debido al alto orado de contaminacién de la zona N del Enisor. En cuanto a la corriente del colector, ( Ley de los nudos ) es casi igual Ja corriente de emisor con Ja diferencia del valor de la corriente de base. Asi controlando 1a tension V,_ 0 bien 1a corriente I, se controla 1a tensién v._ @ bien la corriente I. ce c Figura I-17 @ Esquena equivalente de un transistor KPH+ J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIAssc a d caPiTULO 1 Pagina 21 Esta amplificacign en corriente se escribe 1 = p1, donde p es una caracteristica del transistor ( f = 200 para los tranSistores de uso general), Es ahora evidente que un transistor no puede representarse solamente con dos diodos en oposicién vy en serie, sino afadiendo una fuente de corriente representando lo que se llama el efecto transistor ( figura 1.17). NOTA: Como el emasor esta caracterizado por una gran inpureza y el colectar por una gran superficie de unin 8-C. queda evidente que no se pueden intercanbiar los papeles del enisor v del colector. £1 transistor no.es un elemento sinétrico. 1.3.2 FUNCIONA@MIENTO EN CONMUTACION, 1.3.2.1 ESTADO DE BLOQUEO 0 DE CORTE. Para bloquear un transistor se polariza en inverso las dos uniones ( figura 1.19) de forma tal que la corriente del colector queda auy pequena. Figura 1-18 @ Polarizacion de bloqueo- Esta polarizacién inversa tiene un lieite. En efecto, como se ha visto anterioraente las capas de eapobreciaiento alrededor de la unién se ensanchan cono el transistor esta construido con una base las zonas la cuando aumenta 1a tensién inversat estrecha, se ilega rapidasente a 1a situacién donde se tocan correspondientes a 1a5 dos uniones; entonces’el transistor se destruiria si corriente de colector no estuviese limitada por una resistencia adecuada, Esta tensidn Iinite se llama tensidn de perforacién. 1.3.2.2 Estado de saturacion o de cierre. figura 1.19, la corriente de La tensién Eaisor- uniones. Si se polariza las dos uniones en directo ( colector estara Jimitada unicamente por el circuito externo. Colector viene siendo igual a la sums de las caidas directas de las dos Generalnente para cada tipo de transistor se da un valor de 1, = I, | que permite 1, f 1, para un transistor saturado esta cf ia? Megara este estade. La razén J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIAwer uty aa * omy i CAPITULO 1 Pagina 22 comprendida entre 5 y 10. ++ o Figura I-19 @ Polarizaciébn de saturacibn- CARACTERISTICAS DINAMICAS DE UN TRANSISTOR StS: 5 __GARACTERISTICAS DINAMICAS DE UN TRANSISTOR. El estudio de las transiciones corte-cierre y cierre-corte es complejo y la influencia del circuito externo es muy importante. Sin embargo, los constructores definen tiempos de conautacién sobre carga resistiva. 4's Figura 1-20 @ Tienpos de conautacion de un transistor- Se envia un iapulso de corriente en la base de fora bien definida ( figura 1.20 1, 1o que permite nedii J.P CHASSANDE ELECTRONICA. DE POTENCIAi | i j CAPITULO 1 Pagina 23 = El tieapo total de subida de 1a corriente de colector, T es del orden deta2us. = £1 tiespo de bloqueo, T _, es del orden de 2 a5 as. P a wr a” Cuando 1a frecuencia de funcionaniento es elevada, 1a potencia total disipada durante las conmutaciones puede llegar a valores importantes. 1.4 EL TIRISTOR. Ssse50e5eeeaaeeooe Un tiristor es una barra de seri-conductor con cuatro zonas dopadas y tres conexiones organizadas como en la figura 1.21. Anodo sentidos directos A Tensidn 4 N Puerta . API Gatillo ay Ik Corriente Cétodo Figura 1+2f @ Estructura y stabolo de un tiristor~ Las dos zonas extremas estan muy contaminadas y forman, 1a primera, un enisor de huece conectado al dnodo A y la segunda, un enisor de electrones conectado al cdtodo K. La zona P intermedia conectada al gatillo es medianasente contaminada yy la zona N intermedia es poco contaninada. Estas cuatro zonas delimitan tres uniones P- Nt J., J,, J.3 las dos primeras tienen 1a misma orientacién cuando la tercera esta en oposicién con las otras dos. 1.4.1 ESTADOS BLOGUEADOS DE UN TIRISTOR. Hay que distinquir el estado de bloqueo inverso y el estado de bloqueo directo. J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIA[9eeceeeeeeee CAPITULO 1 Pagina 24 1.4.1.1 ESTADO DE BLOQUEO INVERSO. Este estado se encuentra cuando se aplica, gracias a una fuente externa, una tensién negativa entre anodo y catodo. En este caso, las das uniones J, y J, estén bloqueadas, J. esté polarizada en directo. Se establecen sobre las uniones J, y J, unas capas dobles de carga de espacio dispuestas como lo indica 1a figura I.22a. La tensién inversa total se reparte sobre J, y J, de tal manera que las atraviese 1a sisma corriente inversa, Ser 1a unin que, a misma tension, daria 1a corriente inversa la ads débil, 1a gue soportaré 12’sayor parte de 1a tension total. Coso J, se encuentra entre dos zonas bastante contaninadas con respecto a J, su corriente inversa seré ads clevada. por lo consiquiente es sobre J, que se encontrara 1a eayor parte de 1a tension inversa. luego 1a caracteristica inversa del tiristor, sera auy similar ala de la unign J, utilizada como diodo en inverso. 1.4.1.2 ESTADO DE BLOQUEO DIRECTO. Este estado se presenta cuando se aplica una tensién positiva, menor de un cierto limite, entre Snodo y catodo. + ie i+ a) b) LS Figura I-22 m Disposicidn de las cargas de espacio+ En este caso, J. solamente se encuentra bloqueada y se forma de cada lado de J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIAeh etl capitulo t Pagina 25 ésta, una doble capa de carga de espacio como Jo indica la figura I.22b. Una caracteristica directa posible del tiristor es la de 1a unién J, utilizada con diodo en inverso. Esta caracteristica se termina, al aisao tiempo que el estado de bloqueo directo en las condiciones que se examinan a continuacién. 1.4.2 DISPARO DE UN TIRISTOR. para el PNP Es posible separar las cuatro zonas del tiristor en dos grupos de tres formar dos transistores interligados como se muestra en la figura 1.23. colector del transistor NPN provee 1a excitacién de base para el transistor Cuya corriente de colector, as la corriente de gatillo, suministra la corriente de base al transistor NPN. En el transistor NPN, 1a corriente de colector vale: 1 ete et C1 1 et 1K De 1a misma manera, en el transistor PNP se tiene: 1 «1 wl 2 2 E2 2A Adeais a través de 1a unién J, polarizada en inverso va a circular una qus corriente: Is T (t-e ) 3 co Segin 1a ley de Kirchoff, 1a corriente I, es 1a susa de estas tres gus i corrientes: luega: To (t-e Deal tar a co 1k 208 como I = 1 4-1. , la corriente de 4nodo viene ser: kK 6 ba corriente de anodo esta ligada a Ja corriente de saturacién de la union J. y a la corriente de gatillo a través de los coeficientes * de efecto transistor *; Ya, + Como los transistores ( figura 1.23.) se encuentran conectadas en realinentacién una por el otro, estos coeficientes dependen de 1a corriente 1, aisea, Cuando 1a tensién de polarizacién U = U. es superior aun voltio, se puede despreciar la funcién exponencial. J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIA se50ae5ece5ooee eeej ~4 caPITULO 1 Pagina 26 fst para 1 = 0 , 6 La corriente directa del tiristor es igual a la corriante inversa de nultiplicada por el factor: Para corrientes del orden de I, @, + #, queda lejos del valor 1, luego factor de anplificacién es pequeio y 1a corriente directa queda del orden de el la corriente inversa de J_ hasta que la tensién U sea suficientemente alta para Tegar a la tension de avalancha U, donde existe una aultiplicacién de los portadores, luego un ausento aun eds ripido de 1, kK K 'k N 'g B By 6 P P — 4 NPN sa N N Cal Be e PNP tal Ee A A Figura 1-23 @ Modelo de un tiristor con dos transistores+ En las condiciones normales de utilizacién de los tiristores. el aumento de la corriente I, provoca una disminucién de la tensién U en sus bornes lo que Ja aleja del valor limite de avalancha, la formula: us «r Io i-e De Pete Ca te sigue valida y «© §° « depende unicanente de I '? ° 1 2 a La tensidn U =U, viene siendo funcién de 1,. Sit, aunenta lo suficiente ara que a + a sea Superior auno (I, >= I) J, U, cambia de signo: la tension para qi P n at tye Us 9 en los bornes de Ja unin J, pasa a ser directa’ y no existe mas limitacién alguna a1 paso de los portadores. fa féraula anterior deja de ser valida; despreciando J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIA3 capitulo 1 Pagina 27 las caidas de tensién interna, el tiristor es equivalente a un contacto cerrado: est4 disparado o saturado. En lo anterior. se supone que el disparo se produce por avalancha dentro de las capas de carga de espacio de J_. Para eso se debe admitir que, adn que las capas se anchen bajo la influenc’3 de 1a tensién aplicada, ¢stas no toquen las uniones J y J. 1% "2 Si @s superior a cero. La corriente de anodo se ve aumentada de la at 6 6 1 PCa ea) 17 82 Si 1, es suficientenente grande,1, crece sucho eas rapido que para I, = 0, se }lega asi al valor de I, para el cual a + «, es casi igual a 1 para una” tension v. Ul inferior a 1a tensién de avalancha. 1a desaparicién de la barrera de potencial de J se produce eara una corriente 1. = 1. inferior a 1a que era necesaria cuando 1, = 0. Wientras nds grande es 1°, aA5 f4cil se hace el disparo, cant idad: Al contrario, un 1. negative permite disminuir el valor de I, y se opone al aumento de u +a, . Este tipo de comando se usa para aueentar el nivel de bloquec en tension directa de un tiristor cuando la temperatura es elevada, caso para el cual se tiene un I grande. 3 ESTADO SATURADO DE UN TIRISTO! Cuando desaparece 1a barrera de potencial de la unidn J_, se produce uns difusién masiva de portadores emitidos por las zonas extremas P y N. Para grandes densidades de corriente, los atomos de inpurezas de las zonas P y N interaedias tienen concentraciones despreciables en coaparacién con las de los portadores de Jas zonas A y K; el conjunto se comporta asi como una sola unién P-N. Este estado ya no depende del valor de 1; el estado saturado se santiene aunque se interuapa la corriente de gatillo. $i 1, = 0 y que la corriente directa que atraviesa el tiristor disminuye hasta un valor inferior a I,, el tiristor se abre; de alli el nombre de corriente de conservacién de estado { holding current ) dado aI H Si persiste una corriente positiva de gatillo, el tiristor puede mantenerse disparado por debajo de 1, I 4__CARACTERISTICAS ESTATICAS DE UN TIRISTOR. De los resultados obtenidos anteriormente, se pueden deducir las caracteristicas estaticas de un tiristor. Ellas presentan el aspecto de la figura J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIA "-se@5aeeceeoeeoeoeee79@@CCCCCCCOe CAPITULO 1 Pagina 28 1.24, Figura 1:24 w Caracteristicas estaticas de un tiristor+ En funcionamiento inverso, 1a caracteristica se puede asimilar ala de le unién J, como se ha visto anteriorsente y esté liaitada por 1a tension de avalancha U de ésta misma unidn. aU.) de esta ion En funcionamiento directo, para I, = 0, 1a prinera parte de la caracteristic: viene dada por 1a cafacteristica inversa de 1a unidn J, donde 12 corriente aparece 1 y esta limitada por le sultiplicada por el coeficiente: roe ta) 2 tensign de avalancha U, = U,, de ésta unién, Cuando U se aproxima a U.., i corriente crece hasta I, ( aconpafado de una brusca caida de tensién ). Este puntc se encuentra sobre la caracter{stica del tiristor saturado la cual es similar a le caracter{stica de un diodo ( P.N) en directo. . Para 1, > 0, el disparo se produce para una tension U ¢U =U y si le . corriente 1, se mantiene, se llega a la caracteristica del tiristor disparado par: una corriente I< 1,. aH Cuando 1, Ilega a un valor I,, suficiente, 12 tensién U. es auy pequefa y si llega directamente a la caracteristica en saturado. J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIAtat ts CAPITULO 1 Pagina 29 1.4.5 DINAMICA DEL_DISPARO Partiendo de un tiristor bloqueado y sometido a una tensién anodo ~ catodo Constante, 0 con variaciones suficientemente lentas para despreciar las corrientes capacitivas de la unién J, bloqueada, se hace circular entre gatillo y cdtodo, una ipulsion de corriente de gran pendiente inicial, tal como se representa en 1a figura 1,25 y de aaplitud superior a 1, en el instante tanado como origen de tiempo. NOTA: £1 10 que sigue, N. representa la zona Na la cual esta conectado el catodo, P, la zona P a la cual est conectada el dnodo, N 1a zona N interaedia y P, 1a zona P a la cual esta conectado el gatillo. Figura 1-25 @ Dindwica del disparo- Al principio del lapso de tiespo t,, 12 corriente de gatillo I, es une Corriente electrénica emitida por 1a zona N; Los electrones necesitan un cierto k tieapo para llegar al borde de 1a zona de carga de espacio de P.; Despues, 1a Corriente debe adquirir ‘un valor suficiente para hacer crecer « + « hasta valores cercanos de la unidad. durante todo este tieapo la seal de gatillo no tiene ningun efecto aparente. para disainuir este tiempo intervienen cuatro J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE FOTENCIA “seeeeeeeeeoeecapitulo 1 Pagina 30 factores: la aaplitud y 1a pendiente de la corriente I_, el espesor de la zona de carga de espacio de J. ( depende de 1a tensién aplicada) y 1a temperatura. En la Practica t, es del orden del sicrosegundo. Despues de t , 1a tensidn anodo-cétodo disminuye segun una ley casi exponencial hasta t), instante para el cual 1a caida interna de tension llega 2 su valor de régimen permanente. £1 lapso de tieapo t, - t, es necesario al estableciaiento en las zonas My g @@ Jas concentraciones: noraales de portadores Ilegando de las zonas Pay Ne Durante este lapso de tiespa es importante exaninar 1a reparticién de las corrientes en la unién J.. Esta no puede ser uniforme con una disposicién del contacto de gatillo tal camo se ha representado en la figura 1.23, y taepoco con 1a disposicién real. Cuando 1a corriente I, auaenta en una porcién de la unién, aparece un gradiente transversal que genera una difucién lateral de los portadores (0.1 an/us ). Para que el tiristor no se destruya por perforacién térmica en le cercania del contacto de gatillo ser conveniente lisitar la velocidad de crecimiento de la corriente a valores adecuados ( entre 20 y 200 A / ws para los tiristores usuates }, para no sobrepasar 1a velocidad de cebado de 1a unién J. Finalmente el tiristor quedara disparado sila corriente de gatillo se santiene hasta t,, tieapo para el cual I ha Iegado al valor 1,2 ainiao neceserio Para que se eantenga el estado disparado. Taabien puede dispararse un tiristor sin corriente de gatillo si 1a variacién de tensidn entre dnodo y cétodo es tal que 1a capacidad equivalente a la carga de espacio de J. genera una corriente suficiente para ausentar « +, . Para los tiristores usales este fendmeno de disparo aparece para pendientes de 200 hasta 1000 v / us. DINAMICA DE BLOQUED. £1 bloqueo de un tiristor sigue las mismas etapas de un diodo donde se encontraria una zona intrinseca Ny P,. El tiespo de bloqueo queda cos una funcion de la distancia entre 1as uniones J. y Joe Asi para realizar tiristores rapidos se disminuira el espesor de las zonas Ny P_; en contrapartida estos tiristores tendran tensiones inversas reducidas. Como punto de corparacién un tiristor * normal * de 1000 A puede llegar a tener tensiones inversas de 3500 Vy un tiempo de bloqueo de 350 us. En su versién * rapido ", su tensién inversa se reduce a 2000 v y su tienpa de bloqueo a 50 ys. J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIACAPITULO I Pagina 31 1.5 SEMI CONDUCTORES ESPECIALES. 1.5.1 EL TIRISTOR ASIMETRICO _ASCR Este elenento es una variante del. tiristor clasico con una pequefa sodificacion de 1a contaminaci6n de las capas constituyentes. La unign J, situads entre las capas P, del gatillo, aediananente contasinada, YN, intermedia, poco contasinada, es 14 que soporta 1a tensién de polarizacién en el Estado de bloqueo directo; Como 1a extensién de 1a zona de carga de espacio es funcién de 1a contaninacién del seai conductor, 1a zona N intermedia debe tener un espesor importante para soportar tensiones directas elevidas, pero eso conlleva tiempos de bloqueo £ inportantes, Para disminuir el espesor de 1a zona Ny se afade una subcapa N." bastante contaminada en 1a regién de 1a unién J, DE esta anera, gracias alsespesor de esta zona internedia se obtiene un t pequeno y un aguante en tension igual, pero como oy se encuentra ahora entre dos‘zonas bastante contaminadas, esta unién va a tener Gna tensién inversa eéxima pequefia. La estructura completa tiene una tensién de bloqueo directo ieportante, unt Pequefio pero una tensién de bloqueo inverse pequeia ( 20 - 30 V ). Eso nd constituye un problesa ya que estos seni conductores se utilizan en convertidores ( chopper e inversor } donde tendrdn generalnente un diado en anti paralelo. En 1a figura 1.26 se ha representado las estructuras del tiristor y del tiristor asinétrico. SCR N ASCR Figura 1+26 @ Comparacién entre SCR y ASCR+ J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIA2OCCCCCOCORO ! } CAPITULO 1 Pagina 32 L EL TIRISTOR GTO. £1 tiristor GTO ( Gate Turn Off ) es un tiristor que se puede controlar al cierre y la apertura. Su proceso de cebado es idéntico al de un tiristor noreal y su bloqueo puede realizarse como para un tirictor noraal o extrayendo cargas por el gatillo. Para entender el proceso de apertura controlada y sus dificuldades, es necesario regresar a 1a representacién del tiristor por dos transistores. °NY Figura 1+27 w Representacién por dos transistores y sixbolo del GT0- Se llama a, y a, las ganancias de los transistores en réginen saturado. Para bloquear 1a estructura basta bloquear el transistor 1 ( NPN), Para lograrlo, se lleva su corriente de base a un valor inferior o igual a cero o sea: I, Ta 6 Bi *2 ‘a cono ot i (taal) e tie (tea dead . ne K i 208 con ot ied Asi, para bloquear un GTO hay que imponer una corriente de gatillo tal que: t- (ata 1" *2 y Ja ganancia a la apertura es: 6 = |- J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIA2 CAPITULO 1 Pagina 33 Para que.esta ganancia sea 12 sayor posible, hay que lograr que | ses lo ads grande posible: es decir casi igual a uno, luego: es oe "aq y que la ganaacia del transistro PNP (a) sea la més pequefia posible. Para disminuir a, habré que reducir 1a duracién de vida de los portadores para el transistor PNP. En la practica subsisten muchos probleaas que globalmente se pueden resumir en que una ganancia grande solo se puede obtener aceptando una caida de tensidn directa elevada y una corriente de manteniaiento elevada. Esta Wltiea Liaitacién hace que 8 nas dificil disparar un 610 que un tiristor noraal. Tambien estos productos tienen un I{mite relativamente bajo en cuanto a la corriente de carga que pueden cortar debido al probleea siguiente ( figura 1.28 ). Durante 1a conduccién, 1a densidad de corriente esta repartida en todo el Componente; A la apertura, 1a extraccién de portadores por el gatillo crea una corriente de K hacia G, Ja cual asociada a la resistencia de la capa P crea una diferencia de potencial gatillo ~ cétodo y un campo eléctrico lateral que confina la corriente de carga A --) K hacia los bordes de 1a estructura. La concentracién de 1a corriente en los bordes crea recalentasientos euy localizados y Ja tensién 6K puede llegar a niveles suficientemente altos como para Sobrepasar 1a tensién de avalancha de esta unién PN, el GTO no puede ads apagarse. 6 K | P N N ; A Figura I-28 @ Focalizacién de 1a corriente a 1a apertura de un GTO En este capitulo, se’ha nombrado los problemas tecnolégicos a los cuales se enfrenta la concepcién de los GT0, en otra oportunidad se estudiar en detalle el funcionasiento de los transistores de potencia y se examinara la dindmica de los J. CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIA 7Feeeeeeeoeeoe2seeeeeeoooeo i j i Wee eu eee ku: te bast CAPITULO 1 Pagina 34 tiristores 670. Actualaente los GTO compiten con los transistores de potencia en el rango de Jas pequeias y sedianas potencias. La utilizacién) de uno u otro depende Principalmente de las. caracteristicas logradas para cada uno de ellos, en el somento de la concepcién de un convertidor. J.P CHASSANDE ELECTRONICA DE POTENCIA