Amplificadores.

Conceptos, Modelos y Dispositivos: Transistores

Amplificadores
Conceptos, Modelos y Dispositivos Bsicos: Transistores
1. Fuentes controladas
2. Amplificadores
3. Transistores

Un amplificador puede ser definido como un dispositivo o circuito capaz de aumentar una seal
dada. Para conseguir una amplificacin trabajamos con los llamados componentes activos, que son
dispositivos capaces de provocar cambios en las condiciones de un circuito reaccionando ante las
seales aplicadas. Podemos considerar que los elementos activos aportan energa al circuito, en
lugar de consumirla (como es el caso con las resistencias, condensadores y bobinas). La mayora de
los elementos activos utilizados en los circuitos modernos son dispositivos creados a partir de
materiales semiconductores. En este tema trataremos principalmente los transistores, elementos ms
simples en el proceso de amplificacin.

1. Fuentes controladas
En relacin con la caracterstica de amplificar seales podemos distinguir diversos tipos diferentes de
elementos del circuito que modulan la informacin: son las fuentes controladas, elementos
multiterminales con cuatro terminales agrupadas dos a dos en las denominadas, respectivamente,
puertas de entrada y de salida. En cada una de estas puertas nos interesa medir la tensin y la
intensidad, que denotaremos con los subndices in (para la puerta de entrada) y out (para la de
salida). En funcin a las caractersticas de estos datos podemos clasificar las fuentes controladas en
cuatro categoras:
Fuente de intensidad controlada por intensidad (CCCS):
La puerta de entrada es un cortocircuito (por tanto v in = 0 ) y la intensidad de salida es
mltiplo de la intensidad de entrada.
Fuente de intensidad controlada por tensin (VCCS):
La puerta de entrada es un circuito abierto ( i in = 0 ) y la intensidad de salida es un mltiplo
del potencial de entrada.
Fuente de tensin controlada por intensidad (CCVS):
La puerta de entrada es un cortocircuito y la tensin de salida depende de la intensidad de
entrada.
Fuente de tensin controlada por tensin (VCVS):
La puerta de entrada es un circuito abierto y la tensin de salida es un mltiplo de la tensin
de entrada.

ngel Rodrguez Vzquez, Antonio Acosta Jimnez, Roco del Ro Fernndez

Este Documento es una copia de trabajo, incompleta, que puede contener errores, y cuya distribucin slo pueden autorizarla
los autores. Queda totalmente prohibida su reproduccin por cualquier medio no autorizado.
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En general las fuentes controladas se representan con un

rombo en los esquemas de un circuito, como puede observarse
en la Figura 1. Su dependencia con el valor de la tensin o
intensidad suele indicarse mediante una frmula junto al
(a) de tensin (b) de intensidad
smbolo de la fuente.
Para estudiar los casos anteriores resulta til introducir el
Figura 1 Fuentes controladas.
concepto de ganancia, que representa en todos los casos el
factor de amplificacin y se obtiene como cociente entre la seal de entrada y de salida.
Dependiendo del tipo de fuente controlada que estudiemos hablaremos de ganancia de tensin
(cociente entre las tensiones de entradas y de salida, utilizado en las fuentes VCVS) o de intensidad
(para las fuentes CCCS). En estos casos observamos que el factor de ganancia es adimensional. Sin
embargo, en los dos tipos restantes de fuentes controladas la ganancia tendr unidades; bien de
resistencia (VCCS), o bien de conductancia (CCVS).
Observemos que cada tipo de fuente controlada que hemos mencionado anteriormente representa
un tipo de amplificador ideal, ya que es capaz de reaccionar ante una seal dada y producir una seal
de salida mayor.

Ejercicio 1

Crear un circuito cuya caracterstica i v corresponda a la de una resistencia negativa (i.e., recta
de pendiente negativa). Para ello utilizar nicamente resistencias positivas y fuentes controladas del
tipo VCVS.

2. Amplificadores
En este apartado vamos a tratar con componentes (entidades fsicas) y elementos (entidades
matemticas) de ms de dos terminales (3 4 en general).
Un amplificador es un dispositivo representado en la Figura 2 mediante una caja, puesto que
todava no nos interesa estudiar su estructura interna. Consta de cuatro terminales, agrupadas dos a
dos en las puertas de entrada y de salida. Para que dos terminales constituyan una puerta la corriente
que circula por ambos ha de ser la misma. La seal de entrada, en tensin o intensidad, es recibida a
travs de la puerta de entrada y la seal modificada se emite por la puerta de salida.

iS

Puerta de
entrada

RS

Fuente
vS

Puerta de
salida

Amplificador

RS

RL
Carga

Figura 2 Representacin de un amplificador.

ngel Rodrguez Vzquez, Antonio Acosta Jimnez, Roco del Ro Fernndez
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Nos interesa que una fuente de tensin sea capaz de generar un valor de la misma independiente
de la intensidad que circule por ella, del mismo modo que al generar intensidad sta no dependa de la
tensin aplicada a la fuente. Sin embargo, de forma real hay que considerar cierta resistencia
asociada a la fuente, bien en serie (para las fuentes de tensin), bien en paralelo (para las fuentes de
intensidad).
Las fuentes controladas del apartado anterior son fuentes ideales, pues consideramos las seales
de entrada y de salida medidas bien en circuito abierto (para las tensiones) o bien en cortocircuito
(para las intensidades).
Denominamos carga al dispositivo de salida, que en general representamos con una resistencia,
aunque tambin puede tener carcter capacitivo, inductivo, o una mezcla de los anteriores. Del
mismo modo denominamos fuente al circuito conectado a la puerta de entrada, representado en la
Figura 2 tambin mediante una caja, puesto que su estructura interna no nos es conocida.
Como caso particular, vamos a considerar que la carga, al igual que la fuente, es de tipo resistivo.
Por tanto siempre nos va a ser posible sustituir la fuente (que puede ser un circuito de gran
complicacin) por su equivalente Thvenin o Norton.
Entonces, de forma similar a la seguida con las fuentes controladas, podemos clasificar los
amplificadores de nuevo en cuatro grupos:
Amplificador de tensin:
Partiendo de una tensin de entrada proporciona una versin amplificada de la misma.
Utilizamos el equivalente Thvenin para la fuente. En general nos interesara que dicha
amplificacin fuera lineal:
v out = A v v S

(1)

donde A v fuera un trmino constante. Sin embargo esto slo ocurre en los amplificadores
ideales (VCVS).
Amplificador de intensidad:
Obtenemos una intensidad de salida que es una versin escalada de la de entrada. Por tanto
en esta ocasin nos interesa representar la fuente mediante su equivalente Norton. De nuevo
de forma ideal:
i out = A i i S

(2)

con A i constante, lo cual solamente se encuentra en los casos ideales (CCCS).

Amplificador de transconductancia:
Proporciona una intensidad de salida a partir de una tensin de entrada (fuente representada
en su equivalente Thvenin). Su comportamiento en modo ideal equivaldra al de la fuente
tipo VCCS.
Amplificador de transrresistencia:
Proporciona una tensin de salida a partir de la intensidad de la seal de entrada (fuente
representada en su equivalente Norton). En modo ideal trabajara como una fuente CCVS.
En los amplificadores ideales el factor de amplificacin A es una constante que no depende ni de
R S ni de R L , resistencias de fuente y de carga, respectivamente. Sin embargo en un amplificador
real esto no se cumple. Adems en los modelos reales nos van a aparecer parmetros nuevos: R in
resistencia de entrada del amplificador y R out resistencia de salida. Con estos cuatro parmetros
vamos a poder describir el efecto de los amplificadores.
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Por ejemplo, el comportamiento real del amplificador de tensin podemos expresarlo:

v out
1
1
--------- = A v ----------------- -------------------RS
R out
vS
1 + ------1 + --------R in
RL

(3)

De forma similar, para los amplificadores restantes:

Amplificador de intensidad:
i out
1
1
-------- = A i ----------------- -------------------RL
R in
iS
1 + --------1 + ------RS
R out

(4)

Amplificador de transconductancia:
i out
1
1
-------- = G m ----------------- -------------------RL
RS
vS
1 + ------- 1 + --------R in
R out

(5)

Amplificador de transrresistencia:
v out
1
1
--------- = R m ----------------- -------------------R in
R out
iS
1 + ------1 + --------RS
RL

(6)

Estudiemos ahora algunos ejemplos de amplificadores, utilizando las fuentes ideales estudiadas
en la seccin anterior.
Amplificador de tensin:
vS

RS

Rin

Rout
Avvin

RL

El comportamiento de este circuito se aproximar al ideal cuando R in y R out 0 . En esas

condiciones la tensin de entrada se medir en circuito abierto y la tensin de salida ser
independiente de la intensidad de corriente que circule por la terminal de salida. En definitiva, se
tratar de una fuente controlada VCVS.
Pero tambin resulta posible imaginar situaciones para que este amplificador, sin dejar de ser real,
se comporte idealmente. Bastara con que R S 0 (con lo que la fuente sera ideal) y R L (el
circuito de salida estuviera abierto).
Amplificador de intensidad:

iS

RS

Rin

Aiiin

Rout

RL

En esta ocasin el comportamiento ser ideal cuando R in 0 (intensidad de entrada medida en

cortocircuito) y R out , con lo que tendramos una fuente CCCS. Similarmente al caso anterior,
tambin puede lograrse comportamiento ideal si R S (fuente ideal) y R L 0 .
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3. Transistores
Los resistores, condensadores e inductores, al ser elementos pasivos, son incapaces por s mismos de
amplificar o aumentar las pequeas seales asociadas con la mayora de los aparatos electrnicos.
Actualmente el componente generalmente empleado para amplificar seales es el transistor.
En 1948 los fsicos americanos J. Bardeen y W. H. Brattain anunciaron la invencin del transistor,
un nuevo tipo de dispositivo amplificador hecho a partir de cristales semiconductores. En ese
momento muy pocos podran haber previsto los desarrollos revolucionarios que seguiran, tan
importantes y de tan largo alcance como para cambiar por completo la ciencia y la tecnologa de la
electrnica; adems de dar comienzo a la multimillonaria industria de los semiconductores, el
transistor ha originado toda clase de invenciones relacionadas, como los circuitos integrados, los
dispositivos optoelectrnicos y los microprocesadores. Los principios fsicos en la base del
funcionamiento del transistor fueron desarrollados en colaboracin con su colega W. Shockley. En
reconocimiento de su trabajo los tres fsicos recibieron el Premio Nobel en 1956, constituyendo el
primer caso en la historia que dicho premio era otorgado como consecuencia de un desarrollo de
ingeniera.

3.1. Operacin bsica y constitucin interna del transistor BJT

El transistor es un elemento semiconductor que tiene la propiedad de poder gobernar a voluntad la
intensidad de corriente que circula entre dos de sus tres terminales (emisor y colector), mediante la
circulacin de una pequea corriente aplicada en el tercer terminal (base). Este efecto nos permite
aplicar en la base una corriente muy pequea con cualquier forma de variacin en el tiempo, y
obtener la misma corriente, con la misma variacin en el tiempo, pero de mayor amplitud.
Su funcionamiento interno se puede describir a partir de lo ya explicado para los diodos, con la
diferencia de que el transistor posee dos uniones semiconductoras, que pueden ser n (semiconductor
con ms electrones disponibles para la conduccin) o p (ms huecos disponibles para la conduccin),
y entre ambas una muy delgada del tipo p o n respectivamente, como vemos representado en la
Figura 3. Este conjunto formar dos uniones: una n-p, entre el emisor y la base, y la otra p-n entre la
base y el colector (si las dos zonas exteriores son del tipo n y la interior tipo p, lo denominaremos
transistor NPN. Si las regiones exteriores son del tipo p y la interior del tipo n el transistor ser del
tipo PNP).
Si le aplicamos una tensin externa a la unin n-p, de forma
que quede polarizada en directa, se producir una circulacin de
n
p
n
corriente entre ambas regiones. Aplicando una segunda tensin
externa en la otra unin, de modo que sta quede en inversa (el
terminal positivo de la fuente conectado al colector y el
negativo a la base), los electrones de la corriente generada en la
Figura 3 Transistor NPN.
otra unin sern atrados por la diferencia de potencial positiva
aplicada al colector, ocasionando que prcticamente todos los
electrones provenientes del emisor lleguen al colector, salvo una pequea cantidad que saldr por la
base. Y es justamente esta pequesima corriente de base la que nos permite gobernar la corriente
circulante desde el emisor al colector.

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El sentido de circulacin de la corriente

Colector (C)
adoptado en el prrafo anterior es el de circulacin
Base (B)
de los electrones, y como la convencin utilizada
Transistor NPN:
toma el sentido opuesto entonces en un transistor
Emisor (E)
del tipo NPN la corriente ser entrante por el
C
colector y la base, y saliente por el emisor. Debido a
B
que la corriente de emisor ser siempre un mltiplo
Transistor PNP:
de la de base obtendremos los resultados deseados
de amplificacin.
E
Para comprender mejor el funcionamiento de un
Figura 4 Smbolos de los transistores.
transistor NPN podemos sustituirlo por un circuito
con un par de diodos y una fuente de intensidad controlada por tensin, dispuestos de la forma
mostrada en el esquema de la Figura 5. En este esquema ambos diodos no son idnticos. El situado
entre la base y el emisor tiene una corriente de saturacin pequea, inferior a I S , mientras que la
intensidad de saturacin del diodo que une la base con el colector es aproximadamente I S .
Veamos los modos de operacin de este circuito segn la polarizacin directa o inversa de los
diodos que lo constituyen (que depender de los valores que tomen las tensiones v BC y v BE en
relacin con las tensiones de cut-in de los diodos), lo que origina un total de cuatro posibles zonas de
funcionamiento:
Corte:
Los dos diodos se encuentran en polarizacin inversa ( v BC y v BE son ambas menores que
las respectivas tensiones de cut-in).En este caso podemos considerar las corrientes que
atraviesan el transistor prcticamente nulas, por lo que ste va a comportarse como un
circuito abierto.
Saturacin:
Ambos diodos conducen ( v BC y v BE son mayores que las tensiones de cut-in). Esto implica
que la tensin entre el colector y el emisor ( v CE ) va a ser prcticamente nula, por lo que
podemos considerar el transistor como un cortocircuito.
Activa inversa:
La unin base-emisor se encuentra polarizada inversamente, mientras que la base-colector va
a estar polarizada directamente. Esta zona se puede considerar como carente de inters.

Colector (C)
vBC
+
Base (B)
+
vBE
-

I S(e

v BE U t

v BC U t

Emisor (E)
Figura 5 Representacin de un transistor NPN.
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Activa directa:
Esta zona de funcionamiento es justamente contraria a la anterior: el diodo base-colector est
en OFF, y el diodo base-emisor en ON. El transistor slo amplifica en esta zona, y se
comporta como una fuente de intensidad constante controlada por la intensidad de base
(ganancia de corriente).
Veamos la zona activa directa ms detalladamente. El transistor va a comportarse como el circuito
representado en la Figura 6, donde hemos eliminado la corriente entre la base y el colector, al ser sta
despreciable por estar el diodo en OFF. Sabemos que el trmino v BC no es muy grande por estar el
diodo base-colector en inversa, por lo que podemos realizar algunas aproximaciones:
iC I S e
I S v BE U t
i B ------ e
F

v BE U t

, F 1

Entonces:
I
v BE U t
= (F + 1) iB
i E I S + -----S- e

F
Y vemos por tanto el efecto amplificador del
transistor sobre la seal aplicada a la base.

Colector (C)
iC
Base (B)
+

I S(e

v BE U t

v BC U t

vBE

iB

iE
Emisor (E)

Figura 6 Transistor NPN en zona activa directa.

3.2. Anlisis de las caractersticas de entrada y de salida

El estudio y anlisis de los transistores se suele realizar mediante el empleo de las llamadas curvas
caractersticas, con las cuales se puede caracterizar completamente el comportamiento o
funcionamiento elctrico del transistor, siendo stas las expresiones grficas de las relaciones entre
las corrientes i B , i C e i E en funcin de las tensiones externas. Estas grficas suelen ser
proporcionadas por el fabricante del transistor.
Las curvas describen el comportamiento de los transistores, pero como stos no se comportan
todos de igual manera, varan segn el tipo de transistor, y, si bien difieren de un tipo a otro, son muy
semejantes en la forma. Adems no se refieren a uno en concreto, sino que son un promedio de un
gran nmero de unidades.
Las curvas caractersticas ms importantes son las
iB
caracterstica de entrada y la de salida. En las de
entrada se expresa la relacin entre la corriente de base
i B y la tensin base-emisor v BE para una tensin
colector-emisor v CE constante. A partir de ellas
podemos calcular la corriente que circula por la base
cuando se aplica una tensin externa entre sta y el
vBE
emisor. Suelen tener una forma parecida a la que puede
0.6V
observarse en la Figura 7, que es muy semejante, como
Figura 7 Caracterstica de entrada.
podamos esperar, a la correspondiente al diodo.
En las curvas de salida se representa la corriente que circula por el colector i C en funcin de la
tensin colector-emisor v CE cuando mantenemos constante i B . Generalmente se dibuja una familia
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iC (mA)
Saturacin

iB4

Activa directa

iB3

iB2

iB1
1

vCE (V)

Figura 8 Caracterstica de salida.

de curvas para distintos valores de i B . En esta caracterstica (Figura 8) se observa que por encima de
un valor de tensin v CE la corriente se mantiene prcticamente constante, independientemente del
valor de v CE ; esta regin corresponde a la zona de funcionamiento activa directa. Por debajo de este
valor sucede todo lo contrario, i C vara rpidamente con pequeas variaciones de v CE , lo que
corresponde a la zona de saturacin. Este valor de v CE es aproximadamente 0.2V. La zona de
funcionamiento donde i C es casi constante es la utilizada cuando se desea amplificar una seal. En
este caso i C solamente depende de i B .

3.3. Punto de operacin y comportamiento en pequea seal

Es conveniente fijar el punto de trabajo del transistor, dependiendo de la tarea que queremos que ste
realice en un circuito y utilizando las caractersticas antes vistas. De este modo podemos tratarlo de
manera cuasi-lineal, a pesar de ser un dispositivo no lineal. El procedimiento es similar al visto para
el diodo de unin.
Comenzamos por hallar la recta de carga del transistor y representndola con la familia de curvas
de salida ya vista. La recta de carga es til dado que nos muestra, en forma grfica, todos los puntos
de trabajo posibles del transistor para una polarizacin dada.
En la Figura 9 vemos un ejemplo de un circuito
RC
con un transistor para el que vamos a obtener la
recta de carga.
RB iB
En zona de corte i B 0 , entonces podemos
VCC
+
concluir que v BE V BB . Por tanto el punto i B = 0 ,
vBE
VBB
v BE = V BB pertenece a la recta de carga.
Por otro lado si v BE se anulara en algn
momento, tendramos que concluir que:
V BB
i B = --------RB

Figura 9 Obtencin de la recta de carga.

Y con ayuda de este segundo punto podemos concluir que la expresin general para la recta de carga
de este transistor es:
v BE = V BB R B i B

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Si representamos esta recta junto con la

iB
caracterstica de entrada del transistor (Figura 10),
el punto de interseccin de ambas es el punto de
VBB/RB
operacin del circuito. En caso de que
desconociramos el valor de v CE obtendramos un
Punto de
operacin
conjunto de puntos de operacin posibles, en
Recta de carga
funcin de v CE . A la tensin e intensidad
correspondientes al punto de operacin las
vBE
VBB
denominamos v BEQ y i BQ , respectivamente.
Figura 10 Recta de carga.
Este proceso puede simplificarse si en lugar de
la caracterstica de entrada consideramos el
modelo correspondiente al diodo ideal con tensin de cut-in E , concretamente a una tensin cut-in:
E = 0.6V . Entonces, en el ejemplo anterior podemos obtener la intensidad del punto de operacin
directamente como:
V BB E
i BQ = --------------------RB
Si no realizamos esta simplificacin entonces tendramos que obtener el punto de operacin de modo
grfico, ya que a partir de la ecuacin real de un diodo la intensidad i BQ no podra despejarse de
forma analtica.
De modo similar al descrito anteriormente podemos dibujar la recta de carga correspondiente
junto con la caracterstica de salida1, lo cual nos permitira obtener i CQ y v CEQ en funcin de i B . El
procedimiento (o procedimientos) ms conveniente lo dictan los datos de que dispongamos y
aquellos que tengamos inters en obtener.
En cualquier caso, siempre resulta posible obtener una polarizacin que nos permita observar el
comportamiento en pequea seal del transistor, en funcin del fenmeno que queramos estudiar
(para ello podemos utilizar un circuito como el utilizado en el ejemplo anterior, sustituyendo los
valores de las fuentes de tensin y de las resistencias segn nos convenga, o bien usar otro circuito
que resulte adecuado). La tarea de estos circuitos polarizadores no es otra que la de hacer que a las
distintas entradas del transistor lleguen diferentes tensiones, pero a partir de una nica fuente de
alimentacin, intentando, adems, hacer que el parmetro de amplificacin F (o cociente entre la
intensidad del colector i C y la de base i B ) sea lo ms estable posible, es decir, que no vare con los
diversos factores externos que pueden llegar a alterar el mismo. Una vez fijado el punto de operacin,
para estudiar el comportamiento del transistor en pequea seal nos basta hacer variar ligeramente la
tensin aplicada al mismo en torno a la del punto de trabajo.
Concentrmonos ahora en la aplicacin a la base del transistor de la pequea seal, mediante el
empleo de una fuente de tensin dependiente del tiempo v s ( t ) . En principio se nos pueden ocurrir
dos formas de conectar la misma: bien en serie (Figura 11a), bien en paralelo (Figura 11b). Sin
embargo ninguno de estos mtodos funcionara. En el primer caso (conexin en serie), la seal v s ( t )
perturbara el circuito, y por tanto el punto de operacin del transistor. En la conexin en paralelo
podramos eliminar la fuente de tensin V BB y la resistencia R B sin alterar en circuito (pues la
tensin aplicada a la base sera independiente de la intensidad que circulara por R B y vendra dada
1

Para la caracterstica de salida nos interesa que la recta de carga relacione la tensin v CE con la corriente del colector
i C . Para el circuito del ejemplo estudiado, razonando de forma anloga podemos llegar a la conclusin de que tal
recta de carga tomara la forma: v CE = V CC R C i C .

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vs(t)

RC
VBB

RB

RC

RB

VCC

vs(t)

VBB

(a)

(b)

VCC

Figura 11 Posibles conexiones de la seal variable con el tiempo, ambas incorrectas.

nica y exclusivamente por v s ( t ) ). Entonces evidentemente podemos apreciar que de nuevo el punto
de operacin del transistor habra cambiado.
El modo correcto de establecer la conexin viene mostrado en la Figura 12, en donde hemos
colocado v s ( t ) en paralelo con V BB y R B , pero utilizado en dicha conexin un condensador.
Entonces, si la capacidad C B del condensador es suficientemente grande, la seal sinusoidal pasar
sin perturbarse (por tratarse de un filtro paso de alta).
vs(t)

CB

RC

RB
VBB

+
vBE

VCC
-

Figura 12 Modo correcto de conectar la seal variable.

Veamos con detalle el modelo en pequea seal as obtenido, considerando para ello que la
capacidad C B es suficientemente grande como para que cualquier seal v s ( t ) , por muy baja que sea
su frecuencia, pase sin atenuar (lo que equivale a decir que el condensador acta prcticamente como
un cortocircuito).
Comportamiento en pequea seal en la entrada:
La tensin v BE variar ligeramente en torno a la posicin de equilibrio:
v BE ( t ) = v BEQ + v eq ( t ) v BEQ + v s ( t )
donde hemos aproximado esta variacin a la propia v s ( t ) , al considerar como acabamos de
mencionar que la pequea seal pasa prcticamente sin ser atenuada.
Entonces podemos aproximar para la corriente de base:
I S v (t) U t
I S v (t ) U t I S
i B ( t ) = f [ v BE ( t ) ] ------ ( e BE
1 ) ------ e BE
= ------ e
F
F
F

v BEQ + v ( t )
s
----------------------Ut

Y desarrollando en serie esta ltima expresin obtenemos finalmente:

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IS v U
1 IS v U
i B ( t ) ------ e BEQ t + ------ ------ e BEQ t v s ( t ) +
F
U t F
Podemos observar que el primer trmino de este desarrollo corresponde a la corriente de base del
punto de equilibrio i BQ , lo que implica que el segundo sumando es el correspondiente a la pequea
seal.
Por tanto podemos representar este
CB
comportamiento con el modelo lineal de la Figura
+
13, donde la resistencia r podemos obtenerla a
r
RB
partir del segundo sumando del desarrollo en
vs(t)
vbe(t)
serie de la corriente de base como:
1 I S v U 1 U t
r = ------ ------ e BEQ t ------- U t F

i BQ
Figura 13 Modelo equivalente para la entrada.

Comportamiento en pequea seal en la salida:

Por un proceso similar al seguido anteriormente la corriente del colector ser:
i C ( t ) = i CQ + i c ( t ) = I S e

v BE ( t ) U t

= IS e

v BEQ + v ( t )
s
----------------------Ut

1
i CQ + ------ i CQ v be ( t )
Ut

Lo que nos lleva al modelo representado en la

Figura 14, con un valor de g m :
i CQ
g m -------Ut

RC

gmvbe(t)

Figura 14 Modelo equivalente para la salida.

Utilizando ambos modelos podemos sustituir el transistor como un amplificador en el circuito

original:
CB
+
vs(t)

RB

vbe(t)

gmvbe(t)

RC

Figura 15 Modelo del transistor completo.

Si consideramos que la capacidad del condensador es prcticamente infinita, podemos calcular

que la amplificacin de este dispositivo viene dada por la expresin:
Av = g m RC
Vemos que no se trata ni de un amplificador ideal de tensin ni de uno de transconductancia, ya que
r no tiende a infinito y R C no tiende a cero. De hecho no se trata de ninguno de los amplificadores
ideales vistos al principio del tema, puesto que es un modelo real.

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3.4. Fenmenos de segundo orden

Consideremos ahora que en el circuito
r
anterior disponemos una transferencia de
informacin del circuito de salida al de
+
entrada, es decir, conectamos ambos
mediante una resistencia r .Entonces
r
RC
vbe(t)
gmvbe(t)
ahora tenemos que aadir al modelo
componentes dinmicos, debido al
retraso en la transferencia de
informacin de unos componentes del Figura 16 Conexin de los circuitos de salida y entrada.
circuito a otros.
En la Figura 17 est representado el modelo del transistor, con los componentes dinmicos
correspondientes.
C
r
+
C

vbe(t)

RC

gmvbe(t)

Figura 17 Modelo dinmico del transistor BJT.

Para estudiar el efecto de estos componentes

dinmicos nos vamos a centrar en el estudio del
circuito representado en la Figura 18.

RS

i CQ = I CC
i CQ
i BQ = ------F
F i BQ
IS v U
i BQ ------ e BEQ t v BEQ U t ln -------------------
IS
F
V BB v BEQ
--------------------------- = i BQ
RS

+
vCE

iB
+

vs(t)

vBE

ICC

VBB
Figura 18

Estamos fijando i CQ = I CC , pero si consideramos el modelo de salida ideal de un transistor en

zona activa directa (recta de pendiente cero en la caracterstica de salida) nos es imposible fijar el
valor de v CEQ , que puede tomar cualquier valor segn dicha grfica. Por tanto resulta necesario tener
en cuenta la pequea inclinacin de estas lneas, para as poder fijar el punto de operacin.
Supongamos a partir de ahora que nos encontramos en un punto de operacin. Substituimos el

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circuito equivalente de salida mediante su equivalente Thvenin.

RS

ro
+

vbe

vs(t)

gmvbe

ro vce

gmrovbe

Figura 19 Cambio del equivalente de salida a Thvenin.

Entonces:
v CE v BE
v CE
1
A v = -------- = --------- -------- = ( g m r o ) ---------------v BE v s
R
vs
1 + -----Sr
i CQ
V
Como g m = ------- y r o = -------A- , sustituyendo:
Ut
i CQ
VA
1
A v = ---------------- ------R Ut
1 + -----Sr
donde el trmino V A U t nos da idea de la capacidad de ganancia del transistor.
Para finalizar compliquemos ligeramente el modelo en pequea seal, segn el esquema de la
Figura 20.
RS
+
vs(t)

vbe
-

C
r

gmvbe

ro

Figura 20

La admitancia equivalente de los elementos marcados es sC + g , segn lo que vimos en temas

anteriores.
Considerando que la entrada es una seal exponencial, la relacin de la amplitud forzada de salida
y la amplitud de entrada vendr dada por:
Gs
A v ( s ) = g m r o ---------------------------------G s + g + sC
Haciendo s = j :
Gs ( Gs + g )
1
1
A v ( j ) = g m r o -------------------------------------------- = g m r o ---------------- ----------------------------------RS
C
Gs + g + s C
--------------------------------------
1 + ------ 1 + j ----------------

r
Gs + g
Gs + g
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( j )

Figura 21

siendo constante de tiempo:

C
= ----------------Gs + g
Imaginemos que tenemos una seal de entrada de la forma v s ( t ) = cos ( t ) . La seal de salida
ser de la forma v CE ( t ) = ( j ) cos [ t + ( j ) ] , donde observamos que ha cambiado tanto
la amplitud como la fase. La funcin ( j ) tendr la forma mostrada en la Figura 21,
mantenindose prcticamente constante en un rango de frecuencia, para posteriormente dejar de
amplificar a partir de una frecuencia determinada.

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