05/07/2012

TRANSISTOR

TRANSITOR

Ing. Roberto Prez Checa

Historia:
Considerado como "el mayor invento del siglo
XX".
Este dispositivo electrnico bsico di lugar a los
circuitos integrados y dems elementos de la alta
escala de integracin.
En la Revolucin industrial del siglo XIX se
establece en base a la mquina de vapor de
James Watt, puede decirse que la era de las
comunicaciones ha podido establecerse en base
al transistor.

TRANSISTOR

TRANSISTOR

Historia:
El transistor es un dispositivo de tres terminales
que surge en los Laboratorios Bell de la AT&T.
Se buscaba un conmutador de estado slido para
ser utilizado en telefona y para reemplazar tanto
a los rels como a los sistemas de barras.
Luego se contempla la posibilidad de obtener el
reemplazo de la vlvula (o tubo) de vaco.

Historia:
Un diodo surge al unir un material N con uno P, el
transistor surge de una unin de tipo NPN, o bien
PNP.
La denominacin "transistor" fue sugerida por
J.R. Pierce, quin dijo: "y entonces, en aquella
poca, el transistor fue imaginado para ser el
dual del tubo de vaco, as si un tubo de vaco
tena transconductancia, ste debe tener
transresistencia, y as llegu a sugerir
transistor".

TRANSISTOR

TRANSISTOR

Historia:
El transistor bipolar fue inventado en los
Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de
1947.
La patente inicial de un Transistor le fue
concedida a John Bardeen y a Walter Brattain
por el transistor de punta de contacto.
La patente del transistor de juntura (o unin),
aparecido en 1951, le fue
concedida a William Shockley.

Historia:
El transistor es un dispositivo electrnico
semiconductor que cumple funciones de:
Amplificador,
Oscilador,
Conmutador o Inversor.

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TRANSISTOR

TRANSISTOR

BJT:
Del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT)
Es un dispositivo electrnico de estado slido
consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre s, que permite controlar el paso de la
corriente a travs de sus terminales.
La denominacin de bipolar se debe a que la
conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento
de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos).

BJT:
Son de gran utilidad en gran nmero de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes,
entre ellos su impedancia de entrada bastante
baja.
Los transistores bipolares son los transistores
ms conocidos y se usan generalmente en
electrnica analgica aunque tambin en algunas
aplicaciones de electrnica digital, como la
tecnologa TTL o BICMOS.

TRANSISTOR

TRANSISTOR

BJT:
Un transistor de unin bipolar est formado por
dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una regin muy estrecha. De esta
manera quedan formadas tres regiones:

BJT:
Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo
N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en
un transistor NPN. Cada regin del
semiconductor est conectada a un terminal,
denominado emisor (E), base (B) o colector (C),
segn corresponda.

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar

fuertemente dopada, comportndose como un metal.
Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy
estrecha, que separa el
emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.

Corte del Transistor.

TRANSISTOR

TRANSISTOR

BJT:
Para distinguir un transistor de tipo NPN de un
PNP es observando la flecha del terminal de
emisor.
En un NPN esta flecha apunta hacia fuera del
transistor; en un PNP la flecha apunta hacia
dentro.
En funcionamiento normal,
dicha flecha indica el sentido
de la corriente que circula
por el emisor del transistor.

BJT:
En general se definen una serie de tensiones y
corrientes en el transistor, de la siguiente
manera:

Sigue una representacin fsica de las mismas

(pues en funcionamiento normal todas las
corrientes y tensiones definidas son positivas).

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TRANSISTOR
BJT Funcionamiento:
El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio (Base N), en el cual
se difunden impurezas, para obtener las tres regiones antes
mencionadas.
Sobre una base n (substrato que acta como colector), se difunden
regiones p y n+, en las que se ponen los contactos de emisor y base.
Por la disposicin de los materiales, quedan formadas dos junturas PN.

Haciendo una equivalencia, esto se podra aproximar a dos diodos.

TRANSISTOR
BJT Funcionamiento:
Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se
aplica la potencia a regular, y en el terminal de base
(B) se aplica la seal de control gracias
a la que controlamos
la potencia.
Con pequeas variaciones
de corriente a travs del
terminal de base, se
consiguen grandes variaciones a travs de los terminales de colector y emisor.
Si se coloca una resistencia se puede convertir esta
variacin de corriente en variaciones de tensin
segn sea necesario.

TRANSISTOR
BJT Funcionamiento:
Un transistor adems posee contactos metlicos
y los terminales.

Por estos tres terminales es posible controlar una

gran potencia a partir de una pequea potencia.

TRANSISTOR
BJT Funcionamiento:
Es as que el transistor bipolar basa su funcionamiento en
el control de la corriente que circula entre el emisor y el
colector, mediante la corriente de base.
Un transistor se puede considerar como un diodo en
directa (unin emisor-base) por el que circula una
corriente elevada,
y un diodo en inversa
(unin base-colector),
por el que, en principio,
no debera circular corriente,
pero que acta como una
estructura que recoge gran
parte de la corriente que circula por emisor base.
Como probar un Transistor?

TRANSISTOR

TRANSISTOR

BJT Funcionamiento:
Polarizando un Transistor PNP, La unin emisorbase queda polarizada como una unin en
directa, y la unin colector-base como una unin
en inversa.

BJT Funcionamiento:
De la polarizacin del transistor aparecen las
siguientes corrientes:

Esta forma de polarizacin ser la aplicada

normalmente para este
tipo de transistor.

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TRANSISTOR
BJT Funcionamiento:
En donde:

Entre el emisor y la base

aparece una corriente
(IEp + IEn) debido a que
la unin est en directa
El efecto transistor provoca que la mayor parte de la
corriente anterior NO circule por la base, sino que siga
hacia el emisor (ICp)
Entre el colector y la base circula una corriente mnima
por estar polarizada en inversa (ICn ms una parte nfima
de ICp)
Por la base realmente circula una pequea corriente del
emisor, ms otra de colector, ms la corriente de
recombinacin de base (IEn+ICn+IBr)

TRANSISTOR
BJT Funcionamiento:
Para analizar un transistor se debe definir
relaciones entre sus corrientes, estos son y .
Operando para relacionarlos uno al otro:
El parmetro ser muy prximo a la unidad 1
(tpicos 0,9 < < 0,99), por que la corriente de
emisor ser similar a la de colector y el
parmetro tendr un valor elevado
(normalmente > 100).

TRANSISTOR
BJT Funcionamiento:
Del anlisis anterior se concluye que:

Por lo tanto: el transistor es un nodo con tres

entradas o salidas, en donde la suma de las
corrientes que entran o salen al mismo ha de ser
cero.
Expresando en funcin de sus componentes:

TRANSISTOR
BJT Funcionamiento:
Otra ecuacin que puede ser deducida es:
til cuando se trabaja con pequeas corrientes de
polarizacin, en las que el efecto de la corriente
inversa que circula entre colector y base puede no
ser despreciable.
En donde IC0 es la corriente inversa de saturacin de
la unin colector-base, la cual, en general se puede
aproximar por ICn, y corresponde a la corriente que
circulara por dicha unin polarizada en inversa si se
deja al aire el terminal de emisor.

TRANSISTOR

TRANSISTOR

BJT Funcionamiento Cualitativo:

De acuerdo a las tensiones que se apliquen a
cada uno de los terminales del transistor bipolar
podemos conseguir que ste entre en una regin
u otra de funcionamiento.
Por regiones de funcionamiento entendemos valores de
corrientes y tensiones en el
transistor, que cumplen unas
relaciones determinadas
dependiendo de la regin en la que se encuentre.

BJT Funcionamiento Cualitativo:

Con esto se definen tres zonas:
Corte.
Saturacin.
Activa o RAN.

En un grfico
VCE IC,
se tendr:

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TRANSISTOR

TRANSISTOR

BJT Funcionamiento Cualitativo:

Zona de Corte
No circula corriente por sus terminales.
A efectos de clculo, decimos que el transistor se
encuentra en corte
cuando se cumple la
condicin: IE = 0
IE < 0 (la corriente por
el emisor lleva sentido
contrario).
Para polarizar el transistor en corte basta con no
polarizar en directa la unin base-emisor del
mismo, es decir, basta con que VBE=0.

BJT Funcionamiento Cualitativo:

Zona Activa
La regin activa es la normal de funcionamiento
del transistor.
Existen corrientes en
todos sus terminales y
se cumple que la unin
base-emisor se encuentra polarizada en directa y la colector-base en inversa.

TRANSISTOR

TRANSISTOR

BJT Funcionamiento Cualitativo:

Zona Activa
En general, y a efectos de clculo, se considera
que se verifica lo siguiente:

BJT Funcionamiento Cualitativo:

Zona Saturacin
Se verifica que tanto la unin base-emisor como la
base-colector se
encuentran en directa.
Se dejan de cumplir las
relaciones de activa,
y se verifica slo lo
siguiente:

donde V es la tensin de conduccin de la unin

base-emisor (en general 0,6 voltios).
En donde las tensiones base-emisor y colectoremisor de saturacin suelen tener valores
determinados (0,8 y 0,2 voltios habitualmente).

TRANSISTOR
BJT Funcionamiento Cualitativo:
Zona Saturacin
Es de sealar especialmente que cuando el
transistor se encuentra
en saturacin circula
tambin corriente por
sus tres terminales,
pero ya no se cumple
la relacin: IC = IB

TRANSISTOR
Fenmenos de avalancha y perforacin:
El transistor por tener uniones PN polarizadas, tiene
unas limitaciones fsicas de funcionamiento por los
fenmenos de avalancha que se pueden producir al
aplicar tensiones elevadas a las uniones.
Un transistor se puede destruir por dos mecanismos
diferentes:
Ruptura por entrar en avalancha alguna de las
uniones.- Al aplicar tensin inversa elevada a las
uniones PN del transistor puede ocurrir que alguna
entre en avalancha. La unin base-emisor es
especialmente sensible a la aplicacin de tensiones
elevadas debido a su alto dopaje.

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TRANSISTOR

TRANSISTOR

Fenmenos de avalancha y perforacin:

Ruptura por perforacin de base.- se produce la
destruccin del transistor al circular una
corriente muy elevada entre emisor y colector.
Otro motivo:
Otro motivo por el que se puede destruir un
transistor bipolar es la potencia mxima que es
capaz de disipar. En general se puede hablar de
potencia en rgimen continuo y potencia en
rgimen alterno.

Potencia del Transistor:

La potencia que disipa el transistor viene dada
por la corriente de colector multiplicada por la
tensin que colector-emisor, es decir:

TRANSISTOR

TRANSISTOR

Potencia del Transistor:

La potencia mxima que puede disipar un
transistor se puede representar en unos ejes de
coordenadas, obteniendo la hiprbola de
mxima disipacin del dispositivo.

Curvas Caractersticas:
Son las representaciones grficas de las
relaciones entre las corrientes y tensiones.
Son representaciones grficas de 3 variables. En
los ejes X e Y se colocan dos de las variables, y se
dibuja una curva para cada uno de los valores de
la tercera variable.
Esta informacin es muy til para el diseador a
la hora de elegir uno u otro transistor para un
circuito, pues permite tanto observar todas las
caractersticas del mismo, como realizar el diseo
en s.

TRANSISTOR

TRANSISTOR

Curvas Caractersticas:
Las tres variables que se elijan para representar
una curva caracterstica permitirn tener curvas
de entrada o salida.
Se pueden definir los siguientes tipos de grficas:

Esta es la potencia disipada por el dispositivo.

Este valor depende del tipo de transistor (de su
fabricacin, caractersticas y encapsulado), de las
condiciones ambientales y del uso de
disipadores.

Curvas Caractersticas:
Como ejemplo se describen curvas caractersticas de
la configuracin de emisor comn por ser la ms
utilizada en la prctica.
En el caso concreto de curvas de salida en emisor
comn, las variables a representar son: IC, VCE e IB
Se representa en el eje Y la corriente de colector (IC),
en el eje X el voltaje colector-emisor (VCE), y se
dibuja una curva para cada uno de los valores de la
corriente de base (IB) que se consideren, por
ejemplo en la figura se toma el intervalo de 10 a 70
A.

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TRANSISTOR

TRANSISTOR

Curvas Caractersticas:
A partir de estas curvas es posible determinar el
punto de trabajo del transistor, es decir, las
tensiones y corrientes del mismo, una vez
polarizado.

Identificacin de las regiones de funcionamiento :

De las curvas caractersticas se deducen las
distintas regiones de operacin.

TRANSISTOR

TRANSISTOR

Identificacin de las regiones de funcionamiento :

Regin de corte.corte.- Cuando no circula corriente por
el emisor del transistor, lo cual se puede
aproximar como la
no circulacin de
corriente por el
colector y la base,
luego la zona
corresponde a
corriente IB=IE=IC=0.

Identificacin de las regiones de funcionamiento :

Regin de saturacin.saturacin.- En esta regin se verifica
que la tensin colector-emisor es muy pequea
(VCE 0,2V, zona
prxima al eje de
coordenadas).

TRANSISTOR

TRANSISTOR

Identificacin de las regiones de funcionamiento :

Regin activa.activa.- El resto del primer cuadrante
corresponde a la regin activa.

Identificacin de las regiones de funcionamiento :

Con respecto a la potencia tendremos la
siguiente grfica.

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TRANSISTOR
Polarizacin :
Polarizar un transistor implica conseguir que las
corrientes y tensiones continuas que aparecen en el
mismo queden fijada a unos valores previamente
decididos.
Es posible polarizar el transistor en zona activa, en
saturacin o en corte, cambiando las tensiones y
componentes del circuito.
Dependiendo la aplicacin el transistor formar
parte de distintos circuitos, cada uno de ellos
polarizado de una determinada forma.
Analizaremos la polarizacin mediante la utilizacin
de una red de resistencias.

TRANSISTOR
Polarizacin :
Este primer circuito tiene como inconveniente por
un lado que el transistor nunca se podra polarizar
en saturacin, pues no se puede conseguir que
VCE=0,2V siendo VBE=0,7V; y por otro lado la excesiva
disipacin.
Un circuito un poco
ms complejo, y con
el que se puede
conseguir polarizar
al transistor en las tres regiones de funcionamiento
es el de la figura mostrada.

TRANSISTOR
Polarizacin :
Se quiere polarizar un transistor bipolar en zona activa.
Se ha de conseguir que sus tensiones y corrientes cumplan
las condiciones de estar en activa: VBE = 0,7V, VCE > 0,2V.
Una primera opcin sera
usar el siguiente circuito:
Podemos ver cmo
conseguimos polarizar
la unin base-emisor
mediante una resistencia (R) conectada a alimentacin.
Por la base del transistor circular una corriente igual a
(VCC-VBE)/R, y en colector-emisor tendremos VCE = VCC >
VCEsat.

TRANSISTOR
Polarizacin :
Vemos que en este caso la tensin colector-emisor
depende directamente de la corriente de base
(VCE=VCC-IBRC), y dicha corriente se fija actuando
sobre la resistencia de base (IB=(VCC-VBE)/RB).
Para polarizar el
transistor en cada
una de las regiones
se pueden emplear las
dos ecuaciones mencionadas y aplicar las
restricciones de cada regin.

TRANSISTOR

TRANSISTOR

Polarizacin :
Cuando se pretende que la polarizacin sea
estable (es decir, que no vare con factores
externos), se usan redes de polarizacin ms
complejas, que fijan la
tensin en base, como
por ejemplo la que
aparece en la figura.

Modelo Hibrido:
Durante el anlisis de amplificadores
transistorizados existen parmetros que no
pueden determinarse con el uso del smbolo
circuital del transistor.
Es necesario el uso de modelos circuitales para el
dispositivo.
Un modelo circuital es la combinacin de
elementos circuitales que permiten describir el
comportamiento real de un dispositivo bajo
ciertas condiciones de operacin.

Ejemplo de Polarizacin

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TRANSISTOR

TRANSISTOR

Modelo Hibrido:

Modelo Hibrido:
El modelo hbrido o equivalente hbrido del
transistor es un modelo circuital que combina
impedancias y admitancias para describir al
dispositivo, de all el nombre de hbrido.
La sustitucin del smbolo del BJT por su modelo
hbrido se lo hace durante el anlisis en C.A.

Existen varios modelos para el transistor BJT,

entre ellos:
Modelo re
Modelo hbrido
Modelo Ebers-Moll, entre otros.

De estos modelos el ms utilizado es el modelo

hbrido puesto que considera casi todas las
caractersticas del dispositivo.

TRANSISTOR

TRANSISTOR

Modelo Hibrido:
Con esto se obtiene ciertos valores de inters
como son:

Modelo Hibrido:
De la figura se puede observar que el transistor
se lo puede representar mediante una red de
dos puertos, uno de entrada y uno de salida.

La ganancia de voltaje (Av),

Ganancia de corriente (Ai),
Impedancia de entrada (Zi) y
La impedancia de salida (Zo).

Estos valores dependen de la frecuencia y el

smbolo circuital por si solo no considera este
aspecto, de all la utilidad del modelo hbrido
quien si lo considera.

TRANSISTOR
Modelo Hibrido:
Relacionando los dos grficos y sistemas de
ecuaciones tenemos:

Y las ecuaciones de relacionan as:

El siguiente juego de ecuaciones, representa

matemticamente:

TRANSISTOR
Modelo Hibrido:
h11: Impedancia de entrada con la salida en
cortocircuito. Dimensiones de resistencia.
h12: Ganancia inversa de tensin con la entrada en
circuito abierto. Adimensional
h21: Ganancia de corriente con la salida en
cortocircuito. Adimensional
h22: Admitancia de salida con la entrada en circuito
abierto. Dimensiones de conductancia (-1).
En el caso particular de que se trate de un transistor,
se aadir un segundo subndice (e, b, c) indicativo
del tipo de configuracin segn sea emisor, base o
colector comn respectivamente. As, por ejemplo
hie = impedancia de entrada en emisor comn
hfb = ganancia de corriente en base comn

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TRANSISTOR

TRANSISTOR

Modelo Hibrido:
Los valores de los parmetros h, son para un caso
concreto, sin embargo, son muy similares a los
valores tpicos que se pueden considerar para los
transistores BJT en general.
En la siguiente tabla se muestran los valores
tpicos de los parmetros segn la configuracin:

Modelo Hibrido:
Analizando las ecuaciones tenemos:

TRANSISTOR

TRANSISTOR

Modelo Hibrido:
En la segunda ecuacin tenemos:

Modelo Hibrido:

Este es un parmetro hbrido sin unidades

conocido como relacin de transferencia directa
entre la corriente de salida y la corriente de
entrada
En configuracin emisor comn recibe el nombre
de hfe.

Este parmetro h es adimensional y se conoce

como relacin de transferencia inversa de
voltajes, en el transistor BJT en configuracin
emisor comn recibe el nombre de hre.

Parmetro hbrido se mide en y se conoce

como impedancia de entrada con salida en corto
y en BJT en configuracin emisor comn recibe el
nombre de hie .

TRANSISTOR

TRANSISTOR

Modelo Hibrido:
En la segunda ecuacin tenemos:

Modelo Hibrido:
Las ecuaciones 1 y 2 se reescriben y quedan as:

El cual es un parmetro hbrido medido en y se

conoce como admitancia de salida con entrada
en circuito abierto, en el transistor BJT en
configuracin emisor comn recibe el nombre de
hoe.

Cada ecuacin puede representarse

circuitalmente y la unin de los circuitos
resultantes corresponde al equivalente o modelo
hbrido.
Una ecuacin se representa a travs de circuito
en serie (malla), mientras que la otra ecuacin se
representa a travs de un circuito en paralelo, tal
como muestra la figura.

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TRANSISTOR

TRANSISTOR

Modelo Hibrido:
Circuito:

Modelo Hibrido:
La unin de los dos circuitos en la siguiente figura
se hace tomando en cuenta que:
El valor de medido en C.C. es aproximado al
valor de hfe el cual es un parmetro hbrido
medido en C.A., as que: hfe con lo que
ahora:

TRANSISTOR

TRANSISTOR

Modelo Hibrido:
Los valores de hoe y hre son tan pequeos que
pueden despreciarse originando un modelo
hbrido simplificado, as:

Modelo Hibrido:
En hoe, iC<<VCE por lo que hoe resulta en una
admitancia cero hoe0 y una admitancia nula es
equivalente a una resistencia infinita; por esta
razn en el modelo hbrido simplificado no
aparece hoe.

El valor de VBE en hre es muy pequeo

comparado con VCE, por lo que hre0. Este hecho
anula la fuente de voltaje dependiente hreVCE
del modelo hbrido.

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