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01-Elementos de Microelectrónica PDF
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Elementos de Microelectrnica
Seccin 1
1- ELEMENTOS DE MICROELECTRNICA
1.1- Cristal PN sin Excitar
El cristal de tipo P se caracteriza por poseer una gran cantidad de huecos mviles, y un numero limitado de electrones libres,
permaneciendo el conjunto elctricamente neutro; mientras que el tipo N contiene muchos electrones libres, y numero pequeos de
huecos quedando elctricamente neutro. Al realizar la unin de estos cristales, el exceso de electrones libres del cristal N tiende a
difundirse hacia el cristal P a travs de la unin.
Cuando un electrn abandona el cristal N, en su ligar aparece una carga elctrica positiva: Ion positivo. Cuando este electrn penetra
en el cristal P se recombina con un hueco, creando una carga negativa: ion negativo. El resultado es que cada vez que un electrn
libre de la zona N se difunde a travs de la unin hacia la zona P, se forma una pareja de cargas elctricas de diferente signo. En la
figura 2 se muestra mediante un signo positivo + encerrado en un circulo, los iones + creados en la zona N por efecto de la difusin, y
con signo negativo encerrado en un circulo los iones negativos de la zona P.
El resultado de este proceso de precombinacin es que en la zona de la unin se produce una escasez o agotamiento de electrones
libres y de huecos, formndose la capa de agotamiento. Al mismo tiempo, segn va aumentando la acumulacin de iones en ambas
zonas, aparece una diferencia de potencial electrico entre las mismas, llamada Barrera de Potencial, que se opone a que continue la
difusin de electrones libres de la zona N a la P, alcanzndose definitivamente un estado de equilibrio en el momento en que las
fuerzas que empujan al fenmeno de la difusin son contrarrestadas por la oposicin creciente generada por las cargas elctricas que
aparecen en ambos cristales. As por ejemplo en la figura 3 cada vez que un electrn libre del cristal N se difunde, a travs de la capa
de agotamiento, hacia el cristal P se encuentra con una barrera de iones negativos que tienden a repelerlo. Mientras la energa de dicho
electrn libre sea suficiente, ste podr superar la barrera de potencial, creando un nuevo ion negativo al caer en un hueco. El aumento
de los iones negativos en la zona P provoca un aumento de las fuerzas de repulsin cada vez que un electrn libre se difunde hacia la
misma. Cuando se alcanza un equilibrio entre ambas tendencias, la difusin de electrones a travs de la unin se detiene.
La tensin formada por la barrera de potencial depende de la temperatura de la unin y de la sustancia empleada para la fabricacin
del semiconductor. Por ejemplo para una temperatura de 25C la barrera de potencial para diodos de silicio es de 0,7 volt y de 0,3 volt
para los de germanio. (Principios Fundamentales de Electrnica Pablo Alcalde S. Miguel Edit. Paraninfo, 1995).
1.2- Semiconductor Intrnseco (Microelectrnica Millman- Grabel Ed.Mc Hill Inc. Edit. Hispano Europea S.A. 1991)
Los tres semiconductores mas empleados son el silicio, el germanio y el galio. La estructura cristalina del silicio consiste en una
repeticin regular tridimensional de una clula unitaria en forma de tetraedro con un tomo en cada vrtice. La figura 4 es una
representacin simblica de esta estructura en dos dimensiones. Los tomos de Silicio tienen 14 electrones, 4 de los cuales son de
valencia, luego el tomo es tetravalente
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portadores se mueven en direcciones opuestas en un campo elctrico, pero como son de signo elctrico contrario, ambas corrientes
son en el mismo sentido.. La densidad de corriente J resultante de un campo elctrico E se deduce de la ecuacin
J = q.n.vd
A
J = q.n..E = .E 2
m
;;
(1)
en donde:
= conductividad en [.m]-1
n = concentracin de electrones
= movilidad en [cm2 / volt.seg]
vd = velocidad de desplazamiento.
Dicha ecuacin para ambos portadores resulta
La conductividad es
A
J = q(n. n + p. p ).E = .E 2
m
= q.(n. n + p. p )[.m]1
(2)
(3)
i = q.ni .( n + p )[.m]1
(4)
La tabla 1 da los valores de algunas propiedades importantes del Silicio. Obsrvese que el silicio tiene del orden de 1022 tomos /
cm3, mientras que a temperatura ambiente de 300K es ni = 1010 cm3. De aqu que solo un tomo de entre 1012 de ellos contribuya con
un electrn libre y un hueco debido a la rotura de enlace covalente.
Tabla 1 Propiedades del Silicio Intrnseco
Propiedad
Numero Atmico
Peso Atmico
Densidad (g/cm3)
Permitividad Relativa (constante dielctrica)
tomos /cm3
Energa EGO a 300K (electrn/volt)
Energa EG a 300K (electrn / volt)
Resistividad a 300K (.cm)
Movilidad electrones n a 300K [cm2 / volt.seg]
Movilidad de Huecos p a 300K [cm2 / volt.seg]
Concentracin intrnseco a 300K (cm-3)
Constante difusin electrones Dn a 300K (cm2 / seg)
Constante difusin huecos Dp a 300K (cm2 / seg.)
de "VSLI Technology" McGraw-Hill Book Company,NY 1983
Valor
14
28,1
2,33
11,9
5,0x1022
1,21
1,12
2,30x105
1500
475
1,45x1010
34
13
Ejemplo
Una barra de silicio intrnseco tienen 3 mm de longitud y una seccin recta rectangular de 50 x 100 micras. Determinar la intensidad
del campo elctrico E en la barra y la tensin a travs de ella cuando circula una corriente de 1 A, a temperatura de 300K.
Solucin
La intensidad de campo se puede deducir de la densidad de corriente y de la conductividad,
E=
En tabla 1 los valores de p resulta
I 1
I
= . [V / m]
S
S
10 6
5
2
5 V
3 V
E=
2
,
30
10
10
=
4
,
6
10
4
,
6
10
=
cm
50.10 6.100.10 6
m
La tensin a travs de la barra es:
V = E.l
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ni2 = A0 .T 3 .e
E GO
K .T
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semiconductor no sea uniforme. Tal como se indica en la figura 7 la concentracin de huecos p varia con la distancia x en el
semiconductor y existe un gradiente de concentracin dp / dx en la densidad de portadores. La existencia de ese gradiente implica
que si se traza una superficie imaginaria indicada con trazos en la figura 7, la densidad de huecos en un lado de tal superficie es mayor
que la del otro lado. Los huecos tienen un movimiento aleatorio motivado por la energa trmica. De acuerdo con esto los huecos se
movern continuamente adelante y atrs a travs de esa superficie y cabe esperar que en un cierto intervalo de tiempo, mayor numero
de ellos crucen la superficie desde el lado de mayor densidad al de menor que no en sentido contrario. Este transporte de huecos
constituye una corriente en el sentido positivo + de x. Obsrvese que este transporte de cargas no es el resultado de la repulsin
mutua entre cargas del mismo signo sino que es el resultado de un fenmeno estadstico. Esta difusin es exactamente anloga a la
que existe en un gas neutro si hay un gradiente de concentracin en el mismo. La analoga puede ejemplificarse con el proceso por el
cual el aroma de una flor puede extenderse a toda la habitacin. La densidad de corriente de difusin de huecos Jp es proporcional al
gradiente de concentracin, y viene dada por
Jp = q.Dp.
dp A
dx m 2
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Inicialmente existe un gradiente de concentracin a travs de la unin lo que hace que los huecos se difundan hacia la derecha y los
electrones hacia la izquierda. Vemos que los huecos que neutralizaban los iones aceptadores prximos a la unin en el silicio de tipo p
han desaparecido como consecuencia de la combinacin con los electrones difundidos a travs de la unin. De igual forma los
electrones en el silicio de tipo n han combinado con huecos que han cruzado la unin desde el material p. Los iones no neutralizados
en las proximidades de la unin se conocen con el nombre de cargas descubiertas y se traducen en una densidad de carga pv como
puede apreciarse en la figura
9a.
Figura 9 (a) Densidad de carga; (b) Intensidad de Campo Elctrico; (c) Potencial Electroesttico; (d)
Barrera de Potencial para los Electrones en la Regin de Deplexion de una unin pn.
Como la regin de la unin no contiene cargas mviles se la denomina regin de Deplexin de Carga Espacial o de Transicin. El
ancho de esta regin es del orden de unas pocas dcimas de micra (aproximadamente como la longitud de onda de la luz visible).
Solo existen portadores fuera de esta regin; hacia la izquierda son predominante huecos p NA ; y hacia la derecha electrones n
ND. De una concentracin de cargas no uniformes resulta un campo elctrico y la diferencia de potencial en la unin. La distribucin
de carga, que es cero en la unin, forma un dipolo elctrico, es decir que es negativo en u7n lado y positivo en el otro. La forma de la
curva de pv en funcin de x depende de cmo este graduada la unin.
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Elemento Parasito 2: La capacidad parsita debida a la juntura en inversa entre el colector y el sustrato, da lugar a una constante de
tiempo con rc', que reduce fT. Para reducir a un mnimo esta capacidad y lograr la aislacion elctrica, el sustrato tipo P debe quedar
conectado al potencial ms negativo del circuito para lograr as la mxima dolarizacin inversa en el diodo sustrato colector. El valor
de esta capacidad parsita varia entre una fraccin de pico faradio hasta varios pico faradios, dependiendo de la concentracin de
impurezas, rea de la juntura y tensin aplicada. Es posible reducir la tensin de saturacin y aumentar fT, usando una capa en la
figura 1.10. Esta capa se introduce en el sustrato a travs de un proceso de difusin separado antes de hacer crecer la capa epitaxial.
Para lograr una capa de baja resistividad se usa una alta concentracin de impurezas. En el dispositivo terminado, esta capa queda en
paralelo con la resistencia de cuerpo de colector, con lo cual reduce rc' sin degradar otros parmetros deseados del transistor. Esta
tcnica permite alcanzar en transistores integrados, valores de tensin de saturacin del orden de 100 mV y valores de fT por encima
de 1 GHz.
1.11- Transistores como Diodos
La construccin de diodos en diseos integrados, se hace a partir del transistor integrado bsico, por simplicidad de fabricacin.
Existen 5 conexiones bsicas para usar el dispositivo como diodo.
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