El DIODO

Materiales semiconductores
Semiconductores elementales:
Germanio (Ge) y Silicio (Si)

Son
Son materiales
materiales de
de conductividad
conductividad intermedia
intermedia entre
entre la
la
de
de los
los metales
metales yy la
la de
de los
los aislantes,
aislantes, que
que se
se modifica
modifica
en
en gran
gran medida
medida por
por la
la temperatura,
temperatura, la
la excitacin
excitacin
ptica
pticayylas
lasimpurezas.
impurezas.

Materiales semiconductores
Estructura atmica del Carbono (6 electrones)
1s2

2s2 2p2

Estructura atmica del Silicio (14 electrones)

1s2

2s2 2p6

3s2 3p2

Estructura atmica del Germanio (32 electrones)

1s2

2s2 2p6

3s2 3p6 3d10

4s2 4p2

44 electrones
electrones en
en la
la ltima
ltima capa
capa

Materiales semiconductores

Energa

Reduccin de la distancia interatmica del Carbono

- - -

- - -

- -

2p

- -

2s

- -

1s

Distancia interatmica

Diamante:
Diamante:
Cbico,
Cbico,transparente,
transparente,
duro
duroyyaislante
aislante

Grafito:
Grafito:
Hexagonal,
Hexagonal,negro,
negro,
blando
blandoyyconductor
conductor

Diagramas de bandas

Energa

Diagrama de bandas del Carbono: diamante

4 estados/tomo
Eg=6eV
- - 4 electrones/tomo
- -

Banda de conduccin
Banda prohibida
Banda de valencia

AA temperatura
temperatura ambiente
ambiente casi
casi ningn
ningn electrn
electrn tiene
tiene esta
esta energa
energa
para
parasaltar
saltaraala
labanda
bandade
deconduccin
conduccinyymoverse
moversepor
porella.
ella.
Es
Esun
unaislante.
aislante.

Diagramas de bandas

Energa

Diagrama de bandas del Carbono: grafito

4 estados/tomo

- - 4 electrones/tomo

Banda de
conduccin

Banda de
valencia

No
No hay
hay banda
banda prohibida.
prohibida. Los
Los electrones
electrones de
de la
la banda
banda de
de
valencia
valenciatienen
tienenla
lamisma
mismaenerga
energaque
quelos
losestados
estadosvacos
vacos
de
dela
labanda
bandade
deconduccin,
conduccin,por
porlo
loque
quepueden
puedenmoverse
moverse
generando
generando corriente
corriente elctrica.
elctrica. AA temperatura
temperatura ambiente
ambiente
es
esun
unbuen
buenconductor.
conductor.

Diagramas de bandas

Energa

Diagrama de bandas del Ge

4 estados/tomo
Eg=0,67eV
- - 4 electrones/tomo
- -

Banda de conduccin
Banda prohibida
Banda de valencia

AA temperatura
temperatura ambiente
ambiente algunos
algunos electrones
electrones tienen
tienen energa
energa
suficiente
suficiente para
para saltar
saltar aa la
la banda
banda de
de conduccin
conduccin yy moverse
moverse por
por ella
ella
generando
generandocorriente
corrienteelctrica.
elctrica. Es
Esun
unsemiconductor.
semiconductor.

Diagramas de bandas
Banda de
conduccin
Eg
Banda de
valencia
Aislante
Eg=5-10eV

Banda de
conduccin

Banda de
conduccin

Eg

Banda de
valencia
Semiconductor
Eg=0,5-2eV

Banda de
valencia
Conductor
No hay Eg

AA 0K,
0K, tanto
tanto los
los aislantes
aislantes como
como los
los semiconductores
semiconductores no
no
conducen,
conducen, ya
ya que
que ningn
ningn electrn
electrn tiene
tiene energa
energa suficiente
suficiente para
para
pasar
pasar de
de la
la banda
banda de
de valencia
valencia aa la
la de
de conduccin.
conduccin. AA 300K,
300K,
algunos
algunoselectrones
electronesde
delos
lossemiconductores
semiconductoresalcanzan
alcanzaneste
estenivel.
nivel.Al
Al
aumentar
aumentar la
la temperatura
temperatura aumenta
aumenta la
la conduccin
conduccin en
en los
los
semiconductores
semiconductores(al
(alcontrario
contrarioque
queen
enlos
losmetales).
metales).

SEMICONDUCTORE INTRNSECO
Representacin plana del Germanio a 0 K

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

No
No hay
hay enlaces
enlaces covalentes
covalentes rotos.
rotos. Esto
Esto equivale
equivale aa
que
que los
los electrones
electrones de
de la
la banda
banda de
de valencia
valencia no
no
pueden
puedensaltar
saltaraala
labanda
bandade
deconduccin.
conduccin.

Situacin del Ge a 300K

-

Ge

Ge

Ge

+
Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Hay
Hay 11 enlace
enlace roto
roto por
por cada
cada 1,710
1,71099 tomos.
tomos.
Un
Un electrn
electrn libre
libre yy una
una carga
carga +
+ por
por cada
cada
enlace
enlace roto.
roto.

Situacin del Ge a 300 K

-

Ge

Recombinacin

Onda
EM

+
Ge

Ge

+
Ge

Ge

Generacin

Ge

Ge

Ge

Siempre
Siempre se
se estn
estn rompiendo
rompiendo (generacin)
(generacin) yy
reconstruyendo
reconstruyendo (recombinacin)
(recombinacin) enlaces.
enlaces. La
La vida
vida media
media
de
deun
unelectrn
electrnpuede
puedeser
serdel
delorden
orden100us
100us

Ge

--

--

El
Elelectrn
electrnlibre
librese
semueve
muevepor
poraccin
accindel
delcampo.
campo.
Y
Yla
lacarga
carga+
+?.
?.

Ge

Ge

+
Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Aplicacin de un campo externo

SEMICONDUCTORE INTRNSECO
Todo lo comentado hasta ahora se refiere a los llamados
Semiconductores Intrnsecos, en los que:
No hay ninguna impureza en la red cristalina.
Hay igual nmero de electrones que de huecos n = p = ni
Ge: ni = 21013 portadores/cm3
Si: ni = 1010 portadores/cm3
AsGa: ni = 2106 portadores/cm3
(a temperatura ambiente)

Pueden
Puedenmodificarse
modificarseestos
estosvalores?
valores?
Puede
Puededesequilibrarse
desequilibrarseel
elnmero
nmerode
deelectrones
electronesyyde
de
huecos?
huecos?
La
Semiconductores Extrnsecos
Extrnsecos
Larespuesta
respuestason
sonlos
losSemiconductores

Semiconductores Extrnsecos
Introducimos pequeas cantidades de impurezas del

- -

Ge

Ge

Tiene 5 electrones en la
ltima capa

0K

Ge

Sb

Ge

Ge

Ge

Ge

grupo V

AA0K,
0K,habra
habraun
unelectrn
electrn
adicional
adicionalligado
ligadoal
altomo
tomode
deSb
Sb

Semiconductores Extrnsecos

Ge

Ge

- -

Ge

Sb
Sb+
3

Ge

300K
0K

Ge

Ge

Ge

AA 300K,
300K, todos
todos electrones
electrones adicionales
adicionales de
de los
los tomos
tomos de
de Sb
Sb estn
estn
desligados
desligados de
de su
su tomo
tomo (pueden
(pueden desplazarse
desplazarse yy originar
originar corriente
corriente
elctrica).
donador yy en
en el
el Ge
Ge hay
hay ms
ms electrones
electrones que
que
elctrica). El
El Sb
Sb es
es un
un donador
huecos.
tipoN.
N.
huecos.Es
Esun
unsemiconductor
semiconductortipo

Semiconductores Extrnsecos

Energa

Interpretacin en diagrama de bandas de un

semiconductor extrnseco Tipo N

3
4 est./atm.
1
0 electr./atm.

ESb=0,039eV

300K
0K
Eg=0,67eV

- - - 4 electr./atm.
El
El Sb
Sb genera
genera un
un estado
estado permitido
permitido en
en la
la banda
banda prohibida,
prohibida, muy
muy
cerca
cerca de
de la
la banda
banda de
de conduccin.
conduccin. La
La energa
energa necesaria
necesaria para
para
alcanzar
alcanzar la
la banda
banda de
de conduccin
conduccin se
se consigue
consigue aa la
la temperatura
temperatura
ambiente.
ambiente.

Semiconductores Extrnsecos
Introducimos pequeas cantidades de impurezas del

Ge

0K
-

Ge

Ge

Tiene 3 electrones en la
ltima capa

Al

Ge

Ge

Ge

Ge

grupo III

A
A 0K,
0K, habra
habra una
una falta
falta de
de
electrn->
electrn-> HUECO
HUECO

Semiconductores Extrnsecos

Ge

4 (extra)

Ge

300K
0K

Al
Al-

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

El
El Al
Al es
es un
un aceptador
aceptador yy en
en el
el Ge
Ge hay
hay ms
ms huecos
huecos que
que
electrones.
electrones.Es
Esun
un semiconductor
semiconductor tipo
tipoP.
P.

Semiconductores Extrnsecos

Energa

Interpretacin en diagrama de bandas de un

semiconductor extrnseco Tipo P

4 est./atom.
EAl=0,067eV

+- - 43 electr./atom.
- - 01 huecos/atom.
hueco/atom.

300K
0K
Eg=0,67eV

El
ElAl
Algenera
generaun
unestado
estadopermitido
permitidoen
enla
labanda
bandaprohibida,
prohibida,muy
muycerca
cercade
de
la
la banda
banda de
de valencia.
valencia. La
La energa
energa necesaria
necesaria para
para que
que un
un electrn
electrn
alcance
alcanceeste
esteestado
estadopermitido
permitidose
seconsigue
consigueaala
latemperatura
temperaturaambiente,
ambiente,
generando
generandoun
unhueco
huecoen
enla
labanda
bandade
devalencia.
valencia.

Resumen
Semiconductores intrnsecos:
Igual nmero de huecos y de electrones

Semiconductores extrnsecos:
Tipo P:
Ms huecos (mayoritarios) que electrones (minoritarios)
Impurezas del grupo III (aceptador)
Todos los tomos de aceptador ionizados -.

Tipo N:
Ms electrones (mayoritarios) que huecos (minoritarios)
Impurezas del grupo V (donador)
Todos los tomos de donador ionizados +.

Unin PN
Germanio tipo P

Sb+

Sb+

Sb+

Sb+

Sb+

Sb+

Al-

Sb+

Al+

Al-

Al+
Al-

Al-

Al- +

+
Al-

Germanio tipo N

Sb+

Ambos
Ambosson
sonneutros
neutros
Compensacin
Compensacinde
de
Barrera que impide la difusin cargas
cargaseeiones
iones

Qu
Qu pasara
pasara si
si no
no existiera
existiera la
la
barrera
barrera que
que impide
impide la
la difusin?
difusin?

ATE-UO PN 02

Unin PN
Germanio tipo P

Sb+

Sb+

Sb+

Sb+

Sb+

Sb+

++
+
Al-

Sb+

Al+

Al-

-- -- -

Al+
Al-

++
+

Al-

Al- +

+
Al-

Germanio tipo N

Sb+

Se produce difusin de huecos de la zona P hacia la zona

N y de electrones de la zona N hacia la zona P.

Se
Se va
va aa producir
producir una
una difusin
difusin
completa
completa de
de huecos
huecos yy electrones?
electrones?

Unin PN
Se va a producir una difusin completa de huecos y
electrones?
Germanio antestipo N

AlAl-

Zona P no neutra, sino

cargada negativamente

+ Sb+

Al-

Sb+

Sb+

Sb+

Al-

Al-

Al-

Al-

Al-

Germanio antes tipo P

Sb+

Sb+

Sb+

Sb+

Zona N no neutra, sino

cargada positivamente

Es
Es esta
esta situacin
situacin la
la situacin
situacin final?
final?
NO
NO

Unin PN
Germanio tipo P

Sb+

Sb+

Sb+

Sb+

- -

Sb+

Sb+

++
Al-

Sb+

Al+

Al-

- -

Al-

Al+
Al-

++

Al- +

+
Al-

Germanio tipo N

Sb+

Aparece
Aparece un
un campo
campo elctrico
elctrico en
en la
la zona
zona de
de
contacto
contacto (unin
(unin metalrgica)
metalrgica) de
de las
las zonas
zonas

Unin PN
Germanio tipo P

Sb+

Al-

Al-

Sb+

Sb+

Al-

Sb+

Sb+

Sb+

Al-

Al+

+
AlAl-

Por campo elctrico

Por difusin
El
Elcampo
campoelctrico
elctricolimita
limitael
elproceso
procesode
dedifusin
difusin

Sb+

Sb+

+ -+
Al

Germanio tipo N

Zonas de la unin PN

Sb+

Sb+

Zona P NEUTRA
(huecos compensados
con iones -)

Al-

Sb+
Sb+

Sb+

Al+

Sb+

Al+

Sb+

Al-

Al-

+
Al
Al+

Al-

Sb+

Zona N NEUTRA
(electrones compensados
con iones +)

Zona
Zona de
de Transicin
Transicin
Existe
Existe carga
cargaespacial
espacial yyno
noexisten
existencasi
casi
portadores
portadoresde
decarga
carga

Zonas de la unin PN
Unin
Uninmetalrgica
metalrgica

+ -

Zona P
(neutra)
Muchos
Muchoshuecos,
huecos,
pero
peroneutra
neutra

Zona N
(neutra)
Muchos
Muchoselectrones,
electrones,
pero
neutra
pero neutra

VO

Zona
Zona de
de Transicin
Transicin (no
(no neutra)
neutra)

Existe
Existe carga
cargaespacial
espacial (que
(quegenera
generacampo
campoelctrico,
elctrico,,
,yy
diferencia
diferenciade
depotencial
potencialelctrico,
elctrico,VVOO))yy no
noexisten
existencasi
casi
portadores
portadoresde
decarga.
carga.

Polarizacin inversa
Baja resistividad:
VP=0

- +
V

+-

Baja resistividad:
VN=0

iO 0

- +
V

El campo elctrico impide la difusin de mayoritarios

La zona de transicin crece haciendose menos conductora
La corriente circulante IO se debe a portadores minoritarios
IO depende mucho de la temperatura (se duplica con cada incremento de 10C)

Polarizacin directa
Baja resistividad:
VP=0

i0

+-

Baja resistividad:
VN=0

- +
V
U

El campo exterior favorece la difusin de mayoritarios

La zona de transicin se hace ms estrecha
La corriente de minoritarios es prcticamente despreciable

El Diodo

A
i

+
V

i [mA]

P
N

Ge

Si
V [Volt.]

-0.25

0.25

VKDTq
I D = I S e
1

0.5

IS = Corriente Saturacin Inversa

K = Cte. Boltzman
VD = Tensin diodo
q = carga del electrn
T = temperatura (K)
ID = Corriente diodo

DIODO REAL (Distintas escalas)

Ge: mejor en conduccin
Si: mejor en bloqueo

i [mA]

i [mA]
30

Ge
Si

Si

Ge

V [Volt.]

V [Volt.]
-0.25

0.25

-4

0.5

i [A]

i [pA]

V [Volt.]
0

-0.5

Ge

V [Volt.]
0

-0.5

Si
-0.8

-10

DIODO: distintas aproximaciones

I

I
Solo tensin
de codo
Ge = 0.3
Si = 0.6

Ideal

Tensin de codo y
Resistencia directa
V

I
Corriente de fugas con
Tensin de codo y
Resistencia directa
V

Curva real
(simuladores,
anlisis
grfico)
V

DIODO: distintas aproximaciones

Existe un modelo elctrico sencillo del diodo?
Linealizacin de las caractersticas
id

id
rd =

id
Vd

VR

VR
Vd

V
VR
rd
directa

Vd
id

inversa

Vd

DIODO: limitaciones
Diodo ideal
I

Tensin inversa
mxima
Ruptura de la Unin
por avalancha

Corriente mxima
Lmite trmico

Cortocircuito
V

Circuito
abierto

600 V/6000 A

200 V /60 A

1000 V /1 A

DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes

id
IOmax

VR =
IOMAX (AV)=
VF =
IR =

VR =
IOMAX (AV)=
VF =
IR =

1000V
1A
1V
50 nA

100V
150mA
1V
25 nA

Tensin inversa mxima

Corriente directa mxima
Cada de Tensin directa
Corriente inversa

Tensin inversa mxima

Corriente directa mxima
Cada de Tensin directa
Corriente inversa

VR
iS

Vd

NOTA:
Se sugiere con un buscador obtener
las hojas de caractersticas de un
diodo (p.e. 1N4007). Normalmente
aparecern varios fabricantes para el
mismo componente.

Capacidades parsitas: capacidad de transicin

Condensador

Unin PN
Con V

- +
- +

Con V + V

+ + +

+++++

- - -

-----

Con V + V

Con V

Condensador:
Condensador:nuevas
nuevascargas
cargasaala
lamisma
mismadistancia
distancia(C=cte.)
(C=cte.)
Unin
UninPN:
PN:nuevas
nuevascargas
cargasaadistinta
distintadistancia
distancia(C
(Ccte.)
cte.)

Capacidades parsitas: capacidad de transicin

Ctrans
100pF

30pF

Es
Esuna
unafuncin
funcindel
del
-1/2
tipo
tipoK(V
K(VOO-V)
-V)-1/2
Disminuye al aumentar la tensin inversa aplicada.
Las cargas se alejan ms unas de otras

Capacidades parsitas: capacidad de transicin

Los diodos varicap o varactores son diodos que se utilizan como

condensadores variables controlados por por tensin.
Se basan en la capacidad de transicin de una unin PN polarizada
inversamente.
Se utilizan frecuentemente en electrnica de comunicaciones para realizar
moduladores de frecuencia, osciladores controlados por tensin, control
automtico de sintona, etc.

Smbolo
Muy
importante

Se usa polarizado
inversamente

Diodo Varicap (Varicap , Varactor

or Tuning diode)

N
-

La unin PN polarizada inversamente puede

asimilarse a un condensador de placas
planas (zona de transicin).

Esta capacidad se llama Capacidad de

Transicin (CT).

Dielctrico

Notar, que al aumentar la tensin inversa

aumenta la zona de transicin. Un efecto
parecido al de separar las placas de un
condensador (CT disminuye).
Tenemos pues una capacidad dependiente de
la tensin inversa.

CT
d

30 pF

Un diodo Varicap tiene calibrada y

caracterizada esta capacidad.

VI
10 V

Uso en equipos de comunicaciones (p.e.

Control automtico de frecuencia en
sintonizadores)

Capacidades parsitas: capacidad de difusin

dominante con polarizacin directa

La capacidad de difusin.
Esta capacidad est ligada a la concentracin de minoritarios en
los bordes externos de la zona de transicin.
Al incrementar la tensin tiene que producirse un aumento de
concentracin de minoritarios, que tarda tiempo en producirse,
lo que se asocia a la llamada capacidad de difusin

Tiempos de conmutacin
Transicin de a a b (apagado), en una escala
detallada (s o ns).

R
a
V1

b
V2

i
+

V1/R

trr

V
-

ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )

ts
-V2/R

tf = tiempo de cada (fall time )

trr = tiempo de recuperacin
inversa (reverse recovery time )

-V2

t
tf (i= -0,1V2/R)

DIODOS ESPECIALES

Diodo Zener (Zener diode)

Tensin
Zener
(VZ)

La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).
En la zona Zener se comporta
como una fuente de tensin
(Tensin Zener).

Necesitamos, un lmite de
corriente inversa.

Lmite mximo
Normalmente, lmite
de potencia mxima

Podemos aadir al modelo

lineal la resistencia Zener.
Aplicaciones en pequeas
fuentes de tensin y
referencias.

Diodos zener
Fenmeno de avalancha o zener.
Avalancha: la ruptura de los enlaces se produce por el choque de los
portadores minoritarios contra los tomos del cristal. Los portadores son
acelerados por el campo externo aplicado.

Zener: Se consigue dopando ms uno de los semiconductores para provocar

un elevado gradiente de campo elctrico en la zona de transicin, y ste es
el causante de la ruptura de los enlaces.

Diferencias:
Coeficiente de temperatura positivo en el caso de la ruptura por
avalancha y negativo en el caso ruptura zener.
Cundo se produce cada una?
Para el Si: si la tensin a la que se produce la ruptura es menor de 4,5
voltios, la ruptura es tipo zener; si es mayor que 9 voltios, es tipo
avalancha; a tensiones entre 4,5 y 9 voltios es mixta.
Para el Ge: lo mismo pero con 2,7 y 5,4 voltios.

Diodos zener

pend.=1/rd

VZ

V
0

pend.=1/rZ

V
A
A

Circuito equivalente
asinttico

VZ

ideal

rZ

rd
K

ideal

V
K

Diodos zener
Circuito estabilizador con zener

RS

R1

+
VB
Fuente de
tensin real

RL

V
-

VRL

i
i
VZ

V
0

Queremos que
VRL sea constante

Si se disea para que el punto de trabajo del zener

est en la zona de ruptura (zona zener),

Diodo LED (LED diode)

Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode
El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con
la unin PN polarizada directamente emiten fotones (luz) de
una cierta longitud de onda. (p.e. Luz roja)

Diodo LED (LED diode)

Materiales:
GaAs
ALInGap
GaP
SiC
GaN

Infrarrojo
Rojo
Verde
Azul
Ultravioleta

Fotodiodos (Photodiode)
Los diodos basados en compuestos III-V, presentan
una corriente de fugas proporcional a la luz incidente
(siendo sensibles a una determinada longitud de
onda).

i
V
0

iopt

Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante. Siendo

su aplicaciones principales:
Sensores de luz (fotmetros)
Comunicaciones
COMENTARIO
Los diodos normales presentan variaciones en la corriente
de fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser
usados como sensores trmicos

El modelo puede ser una fuente de

corriente dependiente de la luz o de
la temperatura segn el caso

i
V

I = f(T)

T1
T2>T1

Clulas solares (Solar Cell)

Efecto fotovoltaico
Luz (Eluz = h)
i

+
V

P
N

sin luz

v
GL=0
GL1

Ojo!! la variacin
de temperatura no
genera operacin en
el tercer cuadrante
i

T2

GL2
T1

GL3

Comportamiento Comportamiento
como fotodiodo como clula
fotovoltaica o
clula solar

Clulas solares (Solar Cell)

Cuando incide luz en una unin PN, la
caracterstica del diodo se desplaza hacia el 4
cuadrante.

En este caso, el dispositivo puede usarse como

generador.

VCA

V
Zona
uso

iCC
Paneles de clulas
solares

Diodo Schottky (Schottky diode)

Unin Metal-semiconductor N. Producindose el llamado efecto

schottky.
La zona N debe estar poco dopada.
Dispositivos muy rpidos (capacidades asociadas muy bajas).
Corriente de fugas significativamente mayor.
Menores tensiones de ruptura.
Cadas directas mas bajas (tensin de codo 0.2 V).
Aplicaciones en Electrnica Digital y en Electrnica de Potencia
El efecto Schottky fue predicho tericamente
en 1938 por Walter H. Schottky

Diodo tunel y diodo GUNN

(Gunn diode and Tunnel diode)

Tienen dopadas mucho las dos zonas del diodo (105

veces mayor).

ID

Zona de resistencia
negativa.
Efecto Tnel

Aparece un efecto nuevo conocido como efecto tnel.

(Descubierto por Leo Esaki en 1958).
Un efecto parecido (GUNN) se produce en una cavidad
tipo N de Ga As.
El diodo GUNN fue descubierto por Ian Gunn en 1962.

VD
Diodo GUNN

Los efectos se traducen en una zona de resistencia

negativa en la caracterstica directa del diodo.
Esta zona se aprovecha para hacer osciladores de
microondas.
(El diodo GUNN aparece en el oscilador local del receptor
del radar. Est presente en todos los radares marinos
actuales).

ASOCIACIN DE DIODOS
Puente rectificador
Diodo de alta tensin
(Diodos en serie)

Monofsico

Trifsico

DISPLAY
-

APLICACIONES DE DIODOS

Detectores reflexin de objeto

Detectores reflexin de espejo

Detectores de barrera

APLICACIONES DE DIODOS

Sensores de luz: Fotmetros

Sensor de lluvia en vehculos
Detectores de humo
Sensor de Color

Objetivo

LED azul
LED

LED verde
LED rojo

Fotodiodo

COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS

Los diodos (y el resto de dispositivos electrnicos) son dispositivos
no lineales.
Cuidado, no se puede aplicar el principio de superposicin!
Cuidado, no se puede aplicar el anlisis con complejos

EJEMPLO TPICO:

VE

VS

RECTIFICADOR

VE

VMAX
R

VE
t

VMAX

VS

ID

VD

COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS

Si POLARIZAMOS en una zona de funcionamiento, podremos aplicar el principio de
superposicin y sustituir el dispositivo por un equivalente lineal.

AQU SI, PODEMOS CONSIDERARLO UN ELEMENTO LINEAL!!

VE

VS
VAC

VCC
t
Hablaremos de:

Circuito de polarizacin
(Circuito de continua)

+
VS

VCC

t
ID

VE

y de:

Circuito alterna

VD

Equivalente
del diodo

RECTA DE CARGA Y PUNTO DE FUNCIONAMIENTO

CIRCUITO
LINEAL

ID
RTH

VTH

+
VD
-

Caracterstica
del diodo

VTH
RTH
ID

Caracterstica del
circuito lineal
(RECTA DE CARGA)

PUNTO DE
FUNCIONAMIENTO
VD

VTH

DIODOS: Propuesta para el alumno

Bsqueda en la web: Con ayuda de un buscador(Google o similar), se sugiere obtener y consultar hojas
de caractersticas (Datasheet) de diodos comerciales. Familiarizarse con los parmetros
caractersticos de los dispositivos, tensin y corriente mximas, ...

Es normal encontrar para cada referencia de componente, fabricantes distintos. Toda la informacin
est siempre en Ingles.
A continuacin se sugieren algunas referencias para la bsqueda. No obstante, con el trmino ingles
(diode, Zener diode, tunnel diode, etc) aparecen muchsimas referencias, catlogos completos, guas de
seleccin, etc.

1N4007
1N4148
OA91
HLMPD150
BZX79C15
10MQ040N
OK60
BB152
MG1007-15
AI201K
BPW21R

Diodo de Silicio
Diodo de Silicio rpido (FAST)
Diodo de Germanio
Diodo LED
Diodo Zener
Diodo Schottky
Panel Solar
Diodo Varicap
Diodo GUNN
Diodo Tunel
Fotodiodo

TRANSISTORES (Panormica)

BIPOLARES

TRANSISTORES

NPN
PNP

UNIN

CANAL N (JFET-N)
CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor

TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor)

En principio un transistor bipolar est formado por
dos uniones PN.

Base
(B)
Colector
(C)

N P N
C

SMBOLO
B
C

Para que sea un transistor y no dos diodos deben

de cumplirse dos condiciones.
1.- La zona de Base debe ser muy estrecha y poco
dopada (Fundamental para que sea transistor).
2.- El emisor debe de estar muy dopado.
Normalmente, el colector est muy poco dopado y
es mucho mayor.

IMPORTANTE !!!
No es un dispositivo simtrico

NP

Emisor
(E)

N+
E

ASPECTO MAS REAL DE UN

TRANSISTOR BIPOLAR

Descubiertos por
Shockley, Brattain
y Barden en 1947
(Laboratorios Bell)

Transistor mal hecho (con base ancha)

VEB=0.3

IE

VBC

IB B

N-

P+

IC

WB>>LP
Circuito equivalente
con Base ancha.

VEB VBC

Los portadores de la zona de E (huecos) no alcanzan

el colector ya que se recombinan en la zona de base
IE=-IB
E

-IC=ICO
B

Lp: Longitud de difusin es la distancia media recorrida

por un portador antes de recombinarse

Transistor bien hecho (con base ancha)

VEB
E

N-

P+

Emisor

VBC

(P)

Colector (P)

Reducimos el ancho de la base:

WB<<LP
B (N)

VEB

VBC

Los portadores procedentes del emisor

se ven atrados por el campo elctrico y
llegan al colector. Solo una pequea parte
se recombina en la zona de base.

Tipos de Transistores
Emisor

IC

Colector

p n p

C
Base

B
VCE

IB

b Base
Transistor PNP
Emisor

Colector

Emisor

PNP

Colector

n p n
b

Base

Transistor NPN

Polarizamos las uniones:

Emisor-Base, directamente
Base-Colector, inversamente

CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN

IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada

VCB
+
VBE
-

IB

IC

En principio necesitamos conocer 3

tensiones y 3 corrientes:
IC, IB, IE
VCE, VBE, VCB

VCE
IE

En la prctica basta con conocer solo

2 corrientes y dos tensiones.
Normalmente se trabaja con IC, IB,
VCE y VBE.
Por supuesto las otras dos pueden
obtenerse fcilmente:

IC = f(VCE, IB) Caracterstica de salida

IE = I C + I B
VCB = VCE - VBE

Configuracin en Emisor Comn

RC

VBE, VCE,IC y IB
B
VBE

VCE
E

IC

RB

VCE
VBB

VCC

IB

Emisor Comn

- VBE, - VCE,- IC y - IB
VBB

RC
RB

IB

IC

VCE

VCC

Configuracin en Emisor Comn

IC = f(VCE, IB)
Caracterstica de salida

IB = f(VBE, VCE)
Caracterstica de entrada

Avalancha
Secundaria

Activa
IC

IB
VCE = 0

IB6

CMax

VCE1 VCE2

IB5
Saturacin

PMax = VCEIC

IB4
IB3

Avalancha
Primaria

IB2
IB1

VBE

IB= 0
VCEMax

1V
Corte

VCE

Factor de amplificacin de corriente

IE

Partimos de :
-IC IE y IE = -IB -IC
Eliminando IE queda:

Tpicamente:

= 50-200

VEB -I
B B

IC IB/(1-)
Definimos :
= /(1-)
Luego:
IC IB

-IC

VBC

Los fabricantes usan el

trmino hFE en vez de .

max

min tpica
IC

Resumen
Zona Activa

Zona de Corte

VEB

VCB
-IB

VCB < 0
-IC IE y -IB (1-)IE
-IC -IB y IE -(1+)IB

P
V1

VCB
-IB

IE

-IC

-IC

-IC

VCB
-IB

Zona de Saturacin

VBE

IE

VEB
V1

P
P
IE

V1

IC 0, IE 0

VCB > 0 (VCE 0)

y IB 0

-IC V1/R

Resumen
Zonas de trabajo
Referencias normalizadas

IC
+
-

B
VBE

IB

VCE
E

-40

Curvas de salida
IC [mA]
IB=-400A
IB=-300A

IB=-200A

-20

IB=-100A

Saturacin

IB=0A VCE [V]

0

Zona Activa

-2

-4

-6

Corte

Anlisis grfico en emisor comn

-IC [mA]

-IC

-IB=400A

40

R=200

-IB=300A

-IB

20

-VCE
V1

-IB=200A
-IB=100A

+
V2=6V

-VCE [V]

IB=0A

-IB =

0 -IC 0 -VCE 6V Corte

-IB =

100A -IC 10mA -VCE 4V Zona activa

-IB =

200A -IC 20mA -VCE 2V Zona activa

-IB =

300A -IC 30mA -VCE 0,4V Saturacin

-IB =

Recta de carga

400A -IC 30mA -VCE 0,4V Saturacin

Anlisis grfico en emisor comn

IC
Ac
tiv

Saturacin

Z.

Esta representacin justifica

en trmino saturacin.

Corte

IB
Determinacin
Determinacindel
delestado
estadoen
enzona
zona
activa
activa ooen
ensaturacin
saturacinen
encircuitos
circuitos

Zona
Zona Activa:
Activa: IICC IIBB
FF
Saturacin:
Saturacin: IICC<< IIBB
FF

Resumen con transistores NPN

IC

NPN, z.
activa

VCB
IB

R
+

P
VBE

VCB
IB

IC

NPN,
corte

-IE

VCB > 0
IC (-IE)
IC IB

V1

VCB
IB

VEB

-IE

IC

NPN,
saturacin

V1

VBE

N
N
-IE

V1

IC 0, IE 0

VCB < 0 (VCE 0)

y IB 0

IC V1/R

Curvas caractersticas en emisor comn en un

transistor NPN
Referencias
normalizadas

B
VBE

100

VCE
E

VCE=5V

IB[A]

IB
+
-

IC

VCE=0

Curvas de
entrada

VCE=10V
VBE[V]

IC [mA]
40

IB= 400A

0,6

IB= 300A
Curvas de
salida

IB= 200A

20

IB= 100A

IB=0A VCE [V]

0

Todas las magnitudes

importantes son positivas

Algunos transistores y fabricantes ms comunes.

VCE = 1500
IC = 8
HFE = 20

TOSHIBA

USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como interruptor

12 V

3A

12 V
36 W

3A

12 V

12 V
36 W

= 100
40 mA

Sustituimos el interruptor principal por

un transistor.
La corriente de base debe ser suficiente
para asegurar la zona de saturacin.
Ventajas:
No desgaste, sin chispas, rapidez,
permite control desde sistema lgico.
Electrnica de Potencia y Electrnica
digital

IC
IB = 40 mA

4A
ON

PF (ON) 3 A
OFF

VCE
12 V
PF (OFF)

USOS DEL TRANSISTOR NPN:

Como fuente de corriente (amplificador)
+

RB
12 V

UC
-

IC

UE
IB

UE

RC

= 100

UC
12

PF

ELECTRNICA
ANALGICA

UBIAS
UBIAS

En RC (p.e. altavoz) obtenemos una copia de UE (p.e.

msica).
Notar la presencia de un indeseable nivel de continua.

Podremos aplicar el principio de

superposicin y linealizar el transistor
entorno a su punto de funcionamiento.
Hablaremos de circuito de continua
(polarizacin) y de circuito de alterna.

Necesitamos polarizar el transistor para que siempre

se comporte como una fuente de corriente
dependiente: IC = f(IB)

USOS DEL TRANSISTOR NPN:

Saturacin como amplificador

RB
12 V

UC
-

PF

IC

UE
IB

UE

RC

= 100
UBIAS

UC
12
UBIAS

El transistor se sale de la zona de fuente de

corriente. Las tensiones del circuito no
pueden sobrepasar las de alimentacin.
Decimos que el amplificador se satura (y
distorsiona).

TRANSISTORES: Propuesta para el alumno

Bsqueda en la web: Con ayuda de un buscador(Google o similar), se sugiere obtener y
consultar hojas de caractersticas (Datasheet) de transistores comerciales.
Familiarizarse con los parmetros caractersticos de los dispositivos, tensin y
corriente mximas, ...

Reproducir los circuitos previos (transistor como interruptor y fuente de corriente)

para un transistor PNP
Identificar los sentidos reales de la corriente
Que transistor es ms rpido NPN o PNP?, por qu?

IC

C
ICMAX

B
E

IC-MAX

Corriente mxima de colector

VCE-MAX

Tensin mxima CE

PMAX

Potencia mxima

VCE-SAT

Tensin C.E. de saturacin

HFE

Ganancia

PMAX

SOAR

VCE-MAX

rea de operacin segura

(Safety Operation Area)

VCE

FOTOTRANSISTOR (Phototransistor)

La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de

base desempean el papel de corriente de base
C

El terminal de Base, puede estar presente o no.

No confundir con un fotodiodo.

FOTOTRANSISTOR (Phototransistor)

ASOCIACIN DE TRANSISTORES

OPTOACOPLADOR

Conjunto fotodiodo + fototransistor

OBJETIVO:
Proporcionar aislamiento
galvnico y proteccin elctrica.
Deteccin de obstculos.

APLICACIN TPICA DE LOS OPTOACOPLADORES:

"Encoder" ptico para medida de velocidad y posicionado

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

(FET - Field Effect Transistor)

UNIN

CANAL N (JFET-N)
CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)

Dr Julius Lilienfield (Alemania) en 1926 patent el concepto de "Field Effect Transistor".

20 aos antes que en los laboratorio Bell fabricaran el primer transistor bipolar.

JFET de canal N (JFET - Junction Field Effect Transistor)

Notar que es un dispositivo simtrico (D y S son intercambiables)
D
Drenador
D (Drain)

CANAL

NPuerta
(Gate) G

G
canal N

S canal P

D
S

P+

Otros smbolos

P+

Fuente
(Source)

S
SMBOLO

Principio de funcionamiento de los transistores

de efecto de campo de unin, JFET

P+
(S)

(D)

NP+

V1
(G)

Segn aumenta la tensin drenador-fuente, aumenta la resistencia

del canal, ya que aumenta la zona de transicin, que es una zona
de pocos portadores

Principio de funcionamiento de los transistores

de efecto de campo de unin, JFET

ID
G

D
+
VDS
S

Evolucin si la resistencia
no cambiara con la tensin.
ID

VDS
Evolucin real en un JFET
(la resistencia cambia con
la tensin aplicada).

V1

V2

Resumen del principio de funcionamiento

de los JFET cuando VGS = 0

VDS=0
ID

Comportamiento
resistivo
Comportamiento como
fuente de corriente

VDS=V1
VDS=V2

VDS

VDS=VPO
VDS=V3
VDS=V4

V1 V2 VPO

V3

V4

EL CANAL SE VA ESTRANGULANDO
(DISMINUYENDO SECCIN) HASTA
DESAPARECER

Curvas caractersticas de un JFET (canal N)

Referencias
normalizadas

ID
D

G
+
VGS
-

+
VDS
-

Curvas de salida
ID [mA]
VGS = 0V

VGS = -0,5V

VGS = -1V
VGS = -1,5V
VGS = -2V

VDS [V]

Contraccin del canal

SE COMPORTA COMO UN TRANSISTOR BIPOLAR DONDE LA TENSIN DE PUERTA
(UGS) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE.
PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIN.

Anlisis grfico de un JFET en fuente comn

ID
2,5K
D
G
+
VGS
-

ID [mA]
VGS = 0V

VGS = -0,5V

+
VDS
-

VGS = -1V

10V

VGS = -1,5V
VGS = -2V

12 VDS [V]
VGS = -2,5V

VGS = 0V > -0,5V > -1V > -1,5V > -2V > -2,5V

Comportamiento resistivo
Comportamiento como fuente de corriente
Comportamiento como circuito abierto

Comparacin entre transistores bipolares y JFET

ID

IC

R
IB

V1

B (P)

+
VBE
-

C (N)
V2
E (N)

IG 0 G (P)
V1

+
VGS
-

D
N

V2

En ambos casos, las tensiones de entrada (VBE y VGS) determinan las corrientes de
salida (IC e ID).
En zona de comportamiento como fuente de corriente, es til relacionar corrientes
de salida y entrada (transistor bipolar) o corriente de salida con tensin de entrada
(JFET).
La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar es mucho ms pequea en el
caso del JFET (la corriente es casi cero, al estar polarizada inversamente la unin
puerta-canal).

Caractersticas dadas por los fabricantes. Aplicaciones

Comunicaciones
Alta impedancia de entrada
Amplificadores de ganancia elevada
Baja potencia

COMENTARIOS SOBRE LOS JFET

9 Los jfet tanto de canal n como de canal p son actualmente poco utilizados.
9 El jfet es ms rpido al ser un dispositivo unipolar (conduccin no determinada
por la concentracin de minoritarios).
9 El jfet puede usarse como resistencia controlada por tensin, ya que tiene una
zona de trabajo con caracterstica resistiva
9 Cuidado con el termino saturacin del canal, no confundir con regin de
saturacin en el transistor bipolar!!!
Puede resultar un poco confusa la nomenclatura.
9 Al igual que pasa con los transistores bipolares, en igualdad de condiciones, el
jfet de canal n es mas rpido que el de canal p.
(Razn: movilidad de electrones mayor que la de huecos)

TRANSISTORES MOSFET
(MOS - Metal Oxide Semiconductor +
FET - Field Effect Transistor )

CANAL N (JFET-N)
UNIN

CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)

Dr Martn Atalla y Dr Dawon Kahng desarrollaron en primer

MOSFET en los laboratorios Bell en 1960

Los transistores MOSFET

Estructura
Contactos
metlicos

Metal

SiO2

N+
P-

D
N+
+

Substrato

Smbolo
D
G

Substrato
S

MOSFET de enriquecimiento
(acumulacin) de canal N

S
MOSFET de
enriquecimiento de
canal P

Principios de operacin de los MOSFET

S +++
++ +++
++

-- N+

-- --

N+ -P-

Se empieza a formar una

capa de electrones
(minoritarios del substrato)

Substrato
Por atraccin electrosttica la zona bajo la puerta (CANAL) se
enriquece de cargas negativas (minoritarios de la zona P).
El CANAL, as enriquecido, se comporta como una zona N (CANAL N)

Principios de operacin de los MOSFET

S ++++

++++

N+ - - P-

N+
V3 = V TH > V2
+

Substrato

Esta capa de minoritarios es

llamada capa de inversin

Esta capa es una zona de

transicin (no tiene casi
portadores de carga)

Al aumentar la tensin de puerta (VGS), aumenta el canal.

La situacin es parecida al JFET, solo que ahora vamos aumentando
el canal a medida que polarizamos positivamente la puerta (G)

Principios de operacin de los MOSFET

VDS =VDS1 >0

S +++++ +++++
N+ - - - - PSubstrato

ID
El canal se empieza a contraer
segn aumenta la tensin VDS.

D
N+

VGS

La situacin es semejante a la
que se da en un JFET.

Principios de operacin de los MOSFET

VDS3 >VDSPO
ID

S +++++ +++++
N+
P-

- - -

D
N+

VGS

Substrato
Aparecen dos tendencias contrapuestas que se compensan:
Aumento de la corriente por aumentar la tensin VDS
Disminucin de la corriente por el estrechamiento del canal

Resultado: comportamiento como fuente de corriente

Curvas caractersticas de un MOSFET

de acumulacin o enriquecimiento de canal N

Curvas de salida
Referencias
normalizadas

G
+
VGS
-

+
VDS
S -

ID
ID [mA]
VGS = 4,5V

VGS = 4V

VGS = 3,5V
VGS = 3V
VGS = 2,5V

VDS [V]

6
VGS < VTH = 2V

Los MOSFET de empobrecimiento

o deplexin

N+ N

Existe canal sin necesidad de aplicar

tensin a la puerta. Se podr establecer
circulacin de corriente entre drenador y
fuente sin necesidad de colocar tensin
positiva en la puerta.

N+

P+

Substrato
ID [mA]

Deplexin
VGS = 1V

VGS = 0,5V

VGS = 0V
VGS = -0,5V
VGS = -1V

Modo acumulacin

6 VDS [V]

VGS < -1,5V

Modo deplexin

Smbolos de los MOSFET

S
Tipo
enriquecimiento

Tipo S
deplexin

D
G

S
Tipo
enriquecimiento

S
Tipo
deplexin

Canal N

Canal P

Circuitos de polarizacin

ID

R
D
G
S

+
V1

+
VDS
-

VGS

Canal N

D
G

V2

+
V1

+
VDS
-

-ID

V2

VGS

Canal P

Hay que invertir los sentidos reales de tensiones y

corrientes para operar en los mismas zonas de trabajo.

MOSFET DE CANAL N
( Que pasa con el substrato?)

COMENTARIO:
Aunque a veces se dibuje el smbolo
con un diodo, tener en cuenta que NO
ES UN COMPONENTE APARTE.

ID

G
S

S
Diodo parsito
(Substrato - Drenador)

UGS[V]
=+15 V
=+10 V
=+5 V
=0V

VDS

MOSFET DE CANAL N
(precauciones con la puerta)
D

La puerta (G) es muy sensible.

Puede perforarse con tensiones
bastante pequeas (valores
tpicos de 30 V).
No debe dejarse nunca al aire y
debe protegerse adecuadamente.

ID

- 30 V

+ 30 V

VGS

G
S

CAUTION, ELECTROSTATIC SENSITIVE !!!

USOS DEL MOSFET - Canal N:

Como interruptor

12 V

3A

12 V
36 W

3A

12 V

12 V
36 W

I
La puerta no puede
quedar al aire
(debe protegerse)

ID
Sustituimos el interruptor principal por un
transistor.
LA CORRIENTE DE PUERTA ES NULA
(MUY PEQUEA) !!!

UGS= 12 V

4A
ON

PF (ON) 3 A
OFF

VDS
12 V
PF (OFF)

CURVA DE SALIDA TPICA DE UN MOSFET

DE CANAL N DE POCA CORRIENTE

Comportamiento
resistivo

Fuente de corriente
(aumenta significativamente
con la tensin VDS)

USOS DEL MOSFET - Canal P: Como interruptor

La puerta no puede
quedar al aire (debe
protegerse)

12 V

I 3A

12 V
I

3A

12 V
36 W

12 V
36 W
ID

Sustituimos el interruptor principal por un

transistor.
LA CORRIENTE DE PUERTA ES NULA
(MUY PEQUEA) !!!

USG= 12 V

4A
ON

PF (ON) 3 A
OFF

VSD
12 V
PF (OFF)

CURVA DE SALIDA TPICA DE UN MOSFET DE CANAL P

Comportamiento
resistivo

Fuente de corriente
(aumenta significativamente
con la tensin VSD)

Mosfet comerciales.
Potencias y tensiones de funcionamiento

TO220

TO247

IRF540:
UDS= 100V
ID= 28A
RDS= 7.7m
P=150W
IRF460:
UDS= 600V
ID= 28A
RDS= 0.58
P=180W

SKM 253 B 020:

UDS= 200V
ID= 250A
RDS= 8.6 m
P=1000W

Comparacin entre Bipolar y Mosfet

MOSFET:

BIPOLAR:

Alta velocidad de conmutacin

Controlado por tensin
Circuitos de control simples
Coeficiente de temperatura
negativo
Fcil paralelizado
Impedancias de Entrada Elevadas
(109 - 1011 W)
Ganancias Elevadas 105 106
Temperatura mxima de
funcionamiento 200C

Baja velocidad de conmutacin

Controlado por corriente
Circuitos de control complicados
(potencia)
Coeficiente de temperatura
positivo
Dificil paralelizado
Impedancias de Entrada Elevadas
(103 - 104 W)
Ganancias Elevadas 101 102
Temperatura mxima de
funcionamiento 150C

C
Cada punto
representa
un MOSFET

NP

N+

B
E
BIPOLAR DE POTENCIA

MOSFET DE POTENCIA
(Muchos pequeos MOSFET
en paralelo, realmente es un
"Circuito Integrado")

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS:
PEQUEOS Y GRANDES SEGN LA
APLICACIN

EL MAS PEQUEO

UNO GRANDE
Unos de los 12 SCR para un pequeo
rectificador trifsico de 500 MW y 500 KV
(Inga-Shaba, ZAIRE)