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Iep1 0506
Iep1 0506
1.1.- Introduccin.
Cada vez son ms los dispositivos y sistemas que en una o varias de sus etapas son
accionados por energa elctrica. Los accionamientos consisten, en general, en procesos que
transforman la energa elctrica en otro tipo de energa, o en el mismo tipo, pero con diferentes
caractersticas. Los encargados de realizar dichos procesos son los Sistemas de Potencia.
Las aplicaciones de la electrnica estuvieron limitadas durante mucho tiempo a las tcnicas de
alta frecuencia (emisores, receptores, etc.). En la evolucin de la electrnica industrial, las
posibilidades estaban limitadas por la falta de fiabilidad de los elementos electrnicos entonces
disponibles (tubos amplificadores, tiratrones, resistencias, condensadores). Esta fiabilidad era
insuficiente para responder a las altas exigencias que se requeran en las nuevas aplicaciones del
campo industrial.
Gracias al descubrimiento de los dispositivos semiconductores (transistores, tiristores, etc.) en
la dcada de los 60, que respondan a las exigencias industriales (alta fiabilidad, dimensiones
reducidas, insensibilidad a las vibraciones mecnicas, etc.), la electrnica industrial hizo progresos
increbles, permitiendo la realizacin de procesos cada vez ms complejos, destinados a la
automatizacin de procesos industriales.
En general, cualquier conversin de energa elctrica se puede realizar por procedimientos
electromecnicos o por procedimientos electrnicos. Los convertidores electrnicos disponen de las
siguientes ventajas frente a los electromecnicos:
1.
2.
3.
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CIRCUITO DE
POTENCIA
Informacin
Alimentacin
carga
Seales
gobierno
CIRCUITO AUXILIAR
Circuito Disparo
y Bloqueo
Circuito de Control
Seal tratada
Seal
Entrada
Salida
Potencia
Potencia
modificada
Entrada
Fuente auxiliar
de potencia
Salida
Seal de cebado
Electrnica de Seal
Electrnica de Potencia
Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja
impedancia (conduccin).
Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y con pequea potencia de
control.
Ser capaz de soportar altas tensiones cuando est bloqueado y grandes intensidades, con
pequeas cadas de tensin entre sus extremos, cuando est en conduccin.
Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.
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Electrnica de Potencia
Electrnica
Industrial
Convertidores de
Potencia
Electrnica de
Regulacin y Control
Aplicaciones a
Procesos Industriales
Componentes
Electrnicos de Potencia
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Conversin alterna-continua.
Conversin alterna-alterna.
Conversin continua-alterna.
Conversin continua-continua.
Desde el punto de vista real, dado que el funcionamiento del sistema encargado de
transformar el tipo de presentacin de la energa elctrica viene condicionado por el tipo de energa
disponible en su entrada, hemos adoptado como criterio para la estructuracin del programa de la
asignatura : Clasificar los convertidores estticos de energa en funcin del tipo de energa elctrica
que los alimenta, tal y como se muestra en la siguiente figura:
Alimentados
desde alterna
Rectificacin
Cicloconversin
Reguladores AC
Troceadores
Reguladores DC
Inversin
Alimentados
desde continua
Carga1 a V1
Fuente 1
Convertido
r1
(AC/AC)
Carga2 a V2
Bus DC
Convertidor2
(AC/DC)
Convertidor
4
(DC/DC)
Fuente 2
Carga3 a V3
Convertidor
3
(DC/DC
bidirec.)
Convertidor
5
(DC/AC)
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De las clasificaciones anteriores se pueden extraer las caractersticas bsicas de cada uno de
los convertidores mencionados:
a).- Rectificador no controlado: Transforma la corriente alterna de voltaje constante en corriente
continua de voltaje constante. Formado por diodos, constituyen montajes irreversibles.
b).- Rectificador controlado: Transforma la corriente alterna de voltaje constante en corriente
continua de voltaje variable. Formado por tiristores. El montaje puede ser reversible, denominndose
inversor no autnomo.
c).- Reguladores de AC: Transforman la corriente alterna de voltaje constante en corriente alterna de
voltaje variable y de la misma frecuencia
d).- Cicloconvertidores: Reguladores de alterna o convertidores directos alterna/alterna de distinta
frecuencia.
e).- Ondulador autnomo o Inversor: Transforman una corriente continua en corriente alterna de
frecuencia fija o variable.
f).- Troceador o "chopper": Transforma corriente continua de voltaje constante en corriente continua
de voltaje variable.
1.3.-Campos de Aplicacin.
En general los sistemas de potencia se utilizan para accionar cualquier dispositivo que
necesite una entrada de energa elctrica distinta a la que suministra la fuente de alimentacin
primaria. Veamos a continuacin algunas de las aplicaciones industriales de cada uno de los
convertidores:
Rectificadores:
- Alimentacin de todo tipo de sistemas electrnicos, donde se necesite energa elctrica en
forma de corriente continua.
- Control de motores de continua utilizados en procesos industriales: Mquinas herramienta,
carretillas elevadoras y transportadoras, trenes de laminacin y papeleras.
- Transporte de energa elctrica en c.c. y alta tensin.
- Procesos electroqumicos.
- Cargadores de bateras.
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Reguladores de alterna:
- Calentamiento por induccin.
- Control de iluminacin.
- Equipos para procesos de electrodeposicin.
Cambiadores de frecuencia:
- Enlace entre dos sistemas energticos de corriente alterna no sincronizados.
- Alimentacin de aeronaves o grupos electrgenos mviles.
Inversores:
- Accionadores de motores de corriente alterna en todo tipo de aplicaciones industriales.
- Convertidores corriente continua en alterna para fuentes no convencionales, tales como la
fotovoltaica o elica
- Calentamiento por induccin.
- SAI
Troceadores:
- Alimentacin y control de motores de continua.
- Alimentacin de equipos electrnicos a partir de bateras o fuentes autnomas de corriente
continua.
Aplicaciones de baja potencia (< 10 kW)
Domsticas
Industriales
Equipos de Oficina
Telecomunicaciones
Industriales y comerciales
Accionadores
Traccin
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Electricidad terica.
1900
Electricidad aplicada
ELECTRNICA
Electrnica de vaco
Transmisin elctrica de informacin
Electrnica de gas
Transmisin de energa elctrica
1904
vlvula diodo
1901
1906
1920
1927
triodo
tiratrn
tetrodo
1902
1912
1928
1928
pentodo
1948
1952
1956
1960
1985
1987
1988
1990
Visin Actual.
I.T.T.(S.E.) - Universitat de Valncia -
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ELECTRNICA
PORTTIL
EFICIENCIA
ENERGTICA
Controles de velocidad variable.
HVAC y Flexible AC Transm.
Balastos electrnicos
Propulsin : Mass Transist.
Almacenadores magnticos
MEDIO-AMBIENTE
Control de emisiones
Calidad de la Potencia consumida.
Vehculos elctricos / hbridos
ELECTRNICA DE
POTENCIA
2 REVOLUCIN
INDUSTRIAL
Automatizacin de empresas
Control de procesos
Control de velocidad variable
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CAD
Electrnica Analgica
y Digital
Componentes
Semiconductores
de Potencia
ELECTRNICA DE
POTENCIA
Micro-Computadores
Convertidores
Circuitos
Teora de Control
Mquinas
Elctricas
VLSI
Figura 1.8.- Electrnica deCircuitos
Potencia una
tecnologa interdisciplinar.
Visin Interdisciplinar
Veamos a continuacin cual es la relacin de la Electrnica de Potencia con las principales
reas que forman la Electrnica. Para ello realizaremos esta visin interdisciplinar empezando por
definir los distintos niveles estructurales que comprende la Electrnica.
El estudio de la Electrnica pretende alcanzar, como objetivo final, los conocimientos
necesarios para poder realizar e interpretar sistemas electrnicos. Estos ltimos debern realizar unas
funciones especficas en un proceso determinado. Para alcanzar dicho objetivo, es decir, realizar e
interpretar un sistema, la Electrnica se subdivide en niveles estructurales o bloques fundamentales
que se sustentan cada uno de ellos sobre el anterior, dichos niveles se muestran en la siguiente figura.
ELECTRNICA DE
ESTADO SLIDO
ELECTRNICA DE LOS DISPOSITIVOS
Transductores
Componentes
Pasivos
Componentes
Activos
Dispositivos
Optoelectrnicos
CIRCUITOS
ELECTRNICOS
Circuitos Integrados
Analgicos
Digitales
Circuitos
Analgicos
Circuitos
Digitales
Circuitos de
Potencia
Convertidores
A/D y D/A
SUBSISTEMAS ELECTRNICOS
Subsistemas
Analgicos
Dispositivos
de Potencia
Subsistemas
Digitales
Subsistemas de
Potencia
SISTEMAS ELECTRNICOS
Fig. 1.9.- Niveles estructurales de la Electrnica.
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Veamos las principales caractersticas de cada uno de estos conmutadores de estado slido.
DIODO:
Es el elemento semiconductor formado por una sola unin PN. La figura siguiente muestra el
smbolo y la caracterstica esttica i-v de dicho componente.
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trr
D epende
de la
tensin
Una vez empieza a conducir, es fijado al estado de ON, aunque la corriente de puerta
desaparezca, no pudiendo ser cortado por pulso de puerta. Solo cuando la corriente del nodo tiende a
ser negativa, o inferior a un valor umbral, por la influencia del circuito de potencia, se cortar el tiristor
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Io
Iak
Vak
td(on)
tr
tps
Transitorio a corte: Si el circuito externo fuerza una reduccin muy brusca de la intensidad del nodo e
intenta la conduccin en sentido inverso, los portadores de las uniones no pueden reajustarse, por
tanto hay un tiempo de retraso por almacenamiento donde se comporta como un cortocircuito
conduciendo en sentido contrario al estar polarizado positivamente, produciendo un pico de corriente
IRRM,, tal como se muestra en la siguiente figura. Las restantes cargas se recombinan por difusin.
Cuando ha disminuido la concentracin, la puerta recupera su capacidad de gobierno, pudiendo
aplicar tensin directa sin riesgo de cebado. A este tiempo se le denomina tiempo de recuperacin de
puerta tgr. La duracin del proceso de corte es t OFF t g = t RR + t GR . Tg suele ser del orden de 5us
para los tiristores rpidos y 50us para los de red.
I
Tq=Toff
t3
t1
t4
t2
t5
t6
Irrm
tgr
trr
De esta forma tq es el menor tiempo que debe transcurrir entre que se invierte la intensidad
por el nodo y el instante en que aplicamos tensin nodo-ctodo positiva sin que entre en
conduccin. El tiempo tq depende de varios factores:
a).- Aumenta con la Temperatura.
b).- Disminuye con la tensin inversa aplicada.
c).- Aumenta con la intensidad directa del estado de conduccin.
Dependiendo de la aplicacin, existen diversos tipos. Adems de parmetros de tensin y
capacidad de corriente, el tiempo de turn-off (tq), la cada directa de tensin, el di/dt en el turn-on y el
dv/dt en el turn-off son caractersticas determinantes ante la eleccin de uno u otro tipo.
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Conmutadores Controlables
En esta categora se incluyen diversos dispositivos semiconductores de potencia, incluyendo
BJTs, MOSFETs, GTOs e IGBTs, los cuales pueden ser conmutados a conduccin y a corte mediante
seales de control.
Un conmutador ideal controlado tiene las siguientes caractersticas:
Bloquea cualquier tensin directa o inversa sin que circule a traves suyo ninguna corriente.
Conduce cualquier corriente con cero voltios de cada entre sus terminales.
Conmuta de conduccin a corte o viceversa instantneamente cuando es disparado.
No consume potencia para su control.
Sin embargo los componentes reales no disponen de todas esas caracterstica: bloquean voltajes
finitas, disipan potencia, conmutan en tiempos finitos y no son capaces de bloquear voltajes inversos
(dependiendo del dispositivo). Estas limitaciones llevan al conmutador real a su destruccin si no se
utiliza correctamente. Para considerar la disipacin de potencia en un semiconductor, consideremos el
circuito de la figura siguiente:
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La figura anterior muestra el smbolo y caracterstica esttica de un transistor bipolar NPN. Tal
como se muestra en su caracterstica V-I, una corriente de base suficientemente grande IB>IC/hfe (dep.
de la I colector) llevar al componente a la plena conduccin. En el estado de conduccin la tensin
Vce(sat) est normalmente entre 1-2V.
En un transistor bipolar existen tres regiones de operacin: de corte, activa y de saturacin. En
la regin de corte el transistor est desactivado o la corriente de base no es suficiente para activarlo
teniendo ambas uniones polarizacin inversa. En la regin activa, el transistor acta como un
amplificador, donde la corriente del colector queda amplificada mediante la ganancia y el voltaje Vce
disminuye con la corriente de base: la unin CB tiene polarizacin inversa y la BE directa. En la regin
de saturacin el transistor acta como interruptor teniendo una corriente de base lo suficientemente
grande para disminuir la Vce: ambas uniones estn polarizadas directamente. La caracterstica de
transferencia se muestra en la siguiente figura:
Corte
Activa
Saturacin
Vcc
Vce(sat)
Ib
Figura 1.18.- Caractersticas de transferencia en un transistor bipolar.
Manejan menores voltajes y corrientes que el SCR, pero son ms rpidos. Fciles de controlar
por el terminal de base, aunque el circuito de control consume ms energa que el de los SCR. Su
principal ventaja es la baja cada de tensin en saturacin. Como inconvenientes destacaremos su
poca ganancia con v/i grandes, el tiempo de almacenamiento y el fenmeno de avalancha secundaria.
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BJT
MOSFET
CORRIENTE BIPOLAR.
Portadores minoritarios determinan la
resistencia de conduccin. .Efectos de
almacenamiento.
Coeficiente de temperatura negativo
2 ruptura
Pequea resistencia de conduccin
CORRIENTE UNIPOLAR
No hay efectos de almacenamiento.
Coeficiente de temperatura positivo
No hay 2 ruptura.
RDS(ON) grande especialmente en MOS de
alta tensin.
El IGBT combina las ventajas de los MOSFETs y de los BJTs, aprovechando la facilidad del
disparo del MOSFET al controlarlo por tensin y el tipo de conduccin del bipolar, con capacidad de
conducir elevadas corrientes con poca cada de tensin. El IGBT tiene una alta impedancia de entrada,
como el Mosfet, y bajas prdidas de conduccin en estado activo como el Bipolar. Pero no presenta
ningn problema de ruptura secundaria como los BJT.
El IGBT es inherentemente ms rpido
que el BJT. Sin embargo, la velocidad de
conmutacin del IGBT es inferior a la de los
MOSFETs. Veamos a continuacin una
grfica, donde se compara la cada directa de
tensin respecto a la corriente entre un Mosfet
y un IGBT de similares caractersticas:
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Ventajas del IGBT comparado con el MOSFET y con el Transistor Bipolar respecto de la Resistencia
de ON (Over Junction Temperature) y del Fall Times (Resistance Values at 10 Amps of Current)
Destacamos que los componentes de la tabla anterior son de niveles de V/I comparables, sin
embargo el transistor Bipolar necesita 1.2 veces ms rea de Silicio que el IGBT, y el MOSFET
necesita 2.2 veces ms rea de Si que el IGBT para conseguir los mismos niveles de V/I, lo cual incide
en el coste del semiconductor. Para corrientes elevadas y temperaturas altas, el IGBT ofrece una baja
cada de tensin directa con unos tiempos de conmutacin similares al Bipolar sin complicaciones en
el circuito de disparo.
Mos-Controlled Thyristors (MCT):
Su smbolo y caracterstica esttica se muestra a continuacin.
De la caracterstica se observa que el MCT tiene muchas de las propiedades del GTO,
incluyendo su baja cada de tensin en su estado de ON para corrientes relativamente grandes, junto a
su caracterstica de latch (el MCT permanece a ON incluso si la seal de puerta desaparece). El MCT
es un dispositivo controlado por tensin, y dispone de dos ventajas principales respecto al GTO:
Circuito de disparo ms simple al no necesitar corrientes negativas grandes para el turn-off y mayor
velocidad en las conmutaciones. Adems dispone de una cada de tensin en ON menor que el IGBT.
Finalmente
veamos un grfico
que compara las
capacidades
de
tensin, corriente y
frecuencia de dichos
componentes
controlables.
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