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12.El diodo Gunn funciona como oscilador en la frecuencia de MO. Cmo se regula su frecuencia
de oscilacin?
Se emplea una varilla de sintona, la cual sintoniza mecnicamente la cavidad y hace que la
frecuencia cambie linealmente con la profundidad del mbolo. La varilla requiere un buen
contacto elctrico con las paredes de la cavidad o bien con una bobina para evitar fugas de RF.
13.Explicar los tres parmetros temporales que definen los diferentes modos de operacin de los
dispositivos electrnicos transferidos. Adems, detalle dichos modos de operacin.
Constante de tiempo de crecimiento de dominio: tiempo de relajacin dielctrica en la regin de
movilidad negativa.
Se muestra la banda de 1427-1525Mhz con 22 portadoras separadas por 2Mhz. En este caso el
OL de transmisin y recepcin es el mismo de forma tal que la FI es distinta (70 y 124MHZ).
El 1er ejemplo se usa siempre en media y alta capacidad, y el segundo puede usarse algunas
veces en baja capacidad, ya que aunque es ms simple ya que un solo OL sirve para ambas
direcciones, la FI es distinta e impide efectuar mediciones de linealidad y retardo de grupo en la
FI. Esto es solo posible si la banda de transmisin es estrecha (es decir en baja capacidad) y
donde no se requiere el ajuste debido a las distorsiones.
15.En un TWT, indicar la funcin campo magntico, campo elctrico, espira, colector y
qu factores limitan el ancho de banda y su eficiencia?
Ancho de banda: depende de:
La variacin de la longitud elctrica de la hlice con la frecuencia (la longitud elctrica es la
relacin entre la longitud fsica de la hlice y la longitud de onda).
La dificultad de conseguir la adaptacin de impedancia perfecta en el Terminal de salida, para
un ancho de banda grande.
Potencia:
La tensin de hlice VH y la corriente mxima de ctodo determinan la cantidad mxima de
electrones que pueden ser emitidos (en unidad de tiempo), estos son los parmetros que
determinan la potencia mxima.
El ajuste de potencia de salida se hace, para una determinada tensin de hlice VH fija,
variando la tensin de nodo que es el que controla la corriente de ctodo.
Po
PF PH PC
Eficiencia de un TWT:
La eficiencia de un TWT se define como:
Donde:
Po = potencia de salida de RF
PF = VF.IF = potencia disipada en el filamento
PH = VH.IH= potencia disipada en la hlice
PC = VC. IC=potencia disipada en el colector
La tensin de la hlice VH (que fija la velocidad inicial del haz) y la corriente mxima de ctodo
(que fija la cantidad mxima de electrones que pueden ser emitidos por unidad de tiempo)
determinan la potencia mxima del TWT.
16.Describa la accin de un TWT como amplificador y describir las formas principales de
distorsin de dicho tubo
En un TWT, el haz electrnico debe viajar una distancia mucho mayor y es necesario un
mecanismo de enfoque para evitar que se disperse el haz. El mtodo de enfoque consiste en la
aplicacin de un campo magntico esttico longitudinal a lo largo del eje del haz.
La onda que se propaga a lo largo de la estructura debe tener una componente de campo E
paralela al haz, de manera que haya lugar interaccin continua entre las ondas y el haz. La
hlice es la estructura ms utilizada.
A medida que la onda de RF viaja desde la entrada del TWT hacia la salida, participa de una
interaccin acumulativa con el haz electrnico.
Los campos elctricos de RF en la estructura de onda lenta, hacen que algunos de los
electrones se aceleren y que otros se desaceleren. Como resultado, los electrones reciben una
modulacin de velocidad peridica, aproximadamente en fase con los campos elctricos de RF.
As, los electrones forman grupos que aparecen como regiones en las que el haz es ms
denso, separadas por regiones en las que es menos densa.
Debido a los campos aceleradores y desaceleradores, los grupos de electrones tienden a
concentrarse delante de los campos aceleradores y detrs de los desaceleradores.
La velocidad media del haz es ligeramente mayor que la onda de RF, la mayora de los
electrones desaceleraran. A medida que pierden velocidad pierden parte de su energa cintica,
la cual se transforma en energa RF, producindose un aumento de la amplitud de la onda de
RF.
Si la velocidad del haz fuese inferior a de la onda, la transferencia de energa sera de la onda
al haz.
La velocidad del haz electrnico lo determina la diferencia de FEM entre el ctodo y la
estructura de onda lenta.
Formas de distorsin:
Distorsin de amplitud: Debido a la caracterstica no lineal de entrada salida de potencia, que
produce una compresin de amplitud a medida que aumenta la potencia d entrada, con la
consiguiente generacin de productos de intermodulacin no deseados.
Distorsin de fase: La variacin de fase del tubo cuando se cambia la potencia de entrada,
produce productos de intermodulacin no deseados.
17.Explique y justifique cmo es posible modular en FM por medio de un Klistrn Reflex.
La suceptancia electrnica B ejerce un efecto sobre la frecuencia. B depende del tiempo de
transito t0, que a su vez depende de la tensin del repeledor y de la tensin andica, estas
tensiones afectan la frecuencia de oscilacin. Este fenmeno se conoce como sintona
electrnica y permite efectuar pequeas correcciones de la frecuencia de oscilacin y obtener
la modulacin por frecuencia de la oscilacin generada.
18.El Klistrn Reflex se utiliza normalmente como oscilador. Explique y justifique la
condicin de oscilacin que se debe satisfacer para producir dicho efecto.
Un Klystron reflex utiliza un resonador de cavidad nica y funciona como oscilador. Sus partes
son: 1) can electrnico 2) resonador 3) repulsor 4) acoplamiento de salida.
El electrodo de repulsin se encuentra a potencial negativo y regresa hacia la cavidad
resonante el haz electrnico parcialmente agrupado. Esto proporciona un mecanismo de
retroalimentacin positiva que sustenta a las oscilaciones.
to
2mdvo
eVr
En la direccin del puerto 4, los campos resultantes de las excitaciones elctricas y magnticas
tienen el mismo sentido y se refuerzan, siendo que en la direccin del puerto 3, estos campos
tienen sentidos contrarios. Si las amplitudes de los campos resultantes de los acoplamientos
elctricos y magnticos fuesen iguales, no habr propagacin en el sentido de la puerta 3 y
solamente en el sentido de la puerta 4, consiguindose un acoplador ideal.
23.Explicar el funcionamiento del acoplador direccional de dos agujeros y dar su
aplicacin en el sistema ramificacion del transceptor
El tipo ms comn de acoplador direccional consiste de dos guas de onda adyacentes, de tal
suerte que comparten una pared comn.
Los dos orificios se colocan a una distancia uno de otro igual a un cuarto de la longitud de onda
de la gua. Cuando se excita una de las guas de onda, el campo acoplado a travs de cada
orificio excita ondas en la otra gua. Cada orificio excita dos ondas: una que viaja hacia la
izquierda y la otra hacia la derecha. Cuando los orificios se colocan a la mitad de la pared
comn, las dos ondas sealadas tienen igual magnitud. Dado el espaciamiento de un cuarto de
onda entre los dos orificios, las dos ondas que viajan hacia la izquierda estn desfasadas entre
s en 180 y se cancelan mutuamente. Las que viajan hacia la derecha estn en fase y se
refuerzan as una de otra. De este modo, hay salida en el puerto 4 y no se acopla potencia al 3.
La cantidad de potencia acoplada al 4 depende de las dimensiones de los orificios en la pared
comn.
El acoplador de dos orificios opera satisfactoriamente slo en una frecuencia, correspondiente
al espaciamiento de un cuarto de onda entre orificios.
24.Cul es el principio de funcionamiento del acoplador direccional compuesto de dos
secciones de gua de onda acopladas a travs un orificio? Cmo se consigue
aproximar este acoplador a la condicin ideal?
Un acoplador direccional es una red de cuatro puertos, que se usa para muestrear una fraccin
conocida de la potencia de microondas que fluye en una direccin particular.
Cuando una onda viaja del punto 1 al 2, aparece una fraccin determinada de esa potencia en
el 4 y no hay salida en el 3. Inversamente, si la onda va del 2 al 1, aparecer una fraccin de
esta seal en el 3 y no habr salida en el 4.
Se usan para proteger los sistemas de microondas que tienen amplificadores sensitivos,
mezcladores, detectores, muestreadotes, etc.
27.Como se logra mantener constante la impedancia de entrada de un atenuador
variable a diodo PIN
Cuando la impedancia de entrada permanece constante, el atenuador se conserva acoplado
dentro de su rango de operacin. La manera de realizar lo anterior es tener una red , formada
por tres diodos PIN para R1, R3 yR1, respectivamente. Con ZA se designar la impedancia de la
red hacia la derecha de AA, donde
.
Para el acoplamiento, la impedancia de la red debe ser igual a la impedancia de la fuente.
Cuando el grado de diferencia se ajusta para que los ngulos de fase de las impedancias de los
2 modos sean de 30 respecto al existente en el caso no magnetizado. El modo que posee la
componente de reactancia inductiva, tendr su mximo de voltaje en adelanto respecto al
mximo de corriente (o campo H) en el puerto de entrada en 30 de fase temporal, que es
tambin 30 en fase espacial para este modo. Por tanto, los dos mximos de voltaje coincidirn
en un punto a 30 del puerto de entrada.
Esta rotacin de 30 transporta el nulo del campo E del patrn al puerto 3, tal que no existe
voltaje en este campo.
Para la potencia que penetra por el puerto 2, el dispositivo acta como cavidad de transmisin
con potencia que emerge del puerto 2.
Dado que el dispositivo simetra total, cualquier potencia que entre al puerto 2 establecer un
nuevo conjunto de modos similares, emergiendo potencia de 3 con el 1 aislado. De la misma
manera, la potencia que entre al 1 y el 2 queda aislado.
Este tipo de circulador es una componente muy verstil en frecuencias de microondas. Adems
de usarse como circulador, se puede emplear tambin como aislador (terminando uno de los
puertos con una carga acoplada) o como conmutador (invirtiendo el H).
Circulador de 4 puertos combinando dos circuladotes de 3 puertos:
Cualquier circulador de 4 puertos se puede convertir en uno de 3 puertos, terminando uno de
ellos en un cortocircuito perfecto. Tambin se puede obtener un circulador de 4 puertos
combinando dos circuladores de 3 puertos.
33.Esquematice un amplificador paramtrico degenerado y no degenerado. Destaque
sus diferencias.
Amplificador paramtrico degenerado
Una de las espiras lleva la corriente de entrada de RF y la otra se conecta a la carga. Cuando
Ho es cero, existe un gran aislamiento de entrada salida, pues las dos salidas son
perpendiculares. Con la aplicacin de un Ho, aparece un vector de magnetizacin neto en la
direccin de Ho. La componente H, de campo magntico producido por la corriente de
excitacin en RF en la espira de entrada, hace que el vector de magnetizacin neto aparece
alrededor del eje z.
La componente de magnetizacin de RF resultante induce un voltaje en la espira de salida. En
frecuencias alejadas de la resonancia ferrimagntica y el voltaje que ella induce, son pequeos
y el aislamiento de entrada-salida es alto. Cuando la corriente de entrada es de frecuencia de
resonancia, Mr es mxima. En esta frecuencia, hay gran transferencia de potencia de la entrada
a la salida y la prdida por insercin es pequea.
Arreglo con dos esferas: Las dos esferas se colocan en la trayectoria de la seal de RF. La
seal puede pasar a travs del filtro YIG slo cuando las esferas estn en resonancia.
En frecuencias muy alejadas de la resonancia, el filtro YIG se comporta como corto circuito,
reflejando la mayor parte de la energa de RF hacia la fuente. Si se coloca un filtro de este tipo
en un circuito de retroalimentacin de un oscilador, se puede disear una fuente de seal
sintonizable elctricamente.
Los resonadores YIG se usan mucho en filtros de microondas sintonizables y en osciladores en
estado slido en microondas sintonizables.
44.Formule los parmetros cuasi estticos de la lnea micro strip y explique sus
ventajas e inconvenientes en el uso de este tipo de lnea
La lnea microstrip es interesante en el diseo y construccin de circuitos activos de
microondas.
El estar constituido por 2 conductores, la lnea microstrip permite la propagacin de seales de
RF sin bloquear las corrientes de continua.
Una ventaja importante de utilizar esta lnea es que las longitudes se reducen
considerablemente comparadas con sus valores en el espacio libre debido al confinamiento de
campos en el sustrato.
Toda lnea de transmisin uniformemente llena con un dielctrico soporta un modo bien
definido. Sin embargo, las lneas de transmisin parcialmente llenas no soportan un nico modo
de propagacin, en la lnea microstrip existe un cambio abrupto aire-dielctrico, lo que impide
que existan modos TEM, TE o TM puros. La aplicacin de tcnicas numricas de clculo permite
determinar la distribucin de campos en la lnea: la mayor parte de la energa se propaga a lo
largo de la lnea y la distribucin de campo es muy similar a la del modo TEM. Por ese motivo se
dice que en las lneas microstrip se propagan en modos cuasi-TEM.
La eleccin del sustrato dielctrico de la lnea microstrip no es sencilla por la gran variedad que
existe, cada uno con sus ventajas e inconvenientes.
Plstico: Son econmicos, fciles de manipular, tiene valores pequeos por lo que las
dimensiones del cto resonante, son grandes y el confinamiento del campo no es muy efectivo
Cermicos: tiene valores mas altos, menor rugosidad, menores perdidas, mas difciles de
manipular debido a su dureza, mas caros
Parmetros Cuasi- Estticos
Impedancia caracterstica
Para una Lnea de transmisin uniformemente llena con un dimetro dielctrico:
Zco=raiz(L/C)=vp*L= 1/(vp*c)
donde vp=velocidad de fase
Vp=1/raiz(LC)
Cuando se elimina el sustrato, se tiene una lnea de aire con vp=c0
Zc0=raiz(L/C1)=c0*L=1/(c0*C1)
C1 = capacidad por unidad de longitud
Zc0=1/c0*raz(1/(c*C1))
Permitividad efectiva eff
eff=(c0/vp)2
La impedancia caracterstica se puede escribir como Zc0=Zc01/raz (eff)
Cuando la lnea activa es muy ancha la estructura es muy similar a 1 lnea de lminas plano
paralelas y por consiguiente
ef = r. cuando la lnea es muy estrecha el campo esta compartido por el sustrato y por el aire
y en este caso eff = 0.5(r+1). Por consiguiente la permitividad efectiva vara en el intervalo
0.5(r+1)<= eff<=r
El factor de llenado q, que permite expresar la permitividad efectiva como
eff = 1 + q(r+1); con 0.5<=q<=1
Longitud de onda y longitud fsica
g=o/raiz (eff)
La longitud fsica de l de la lnea se puede determinar a partir de la longitud elctrica =l
Luego l = */2
3
Fc
Fo
f 3 * fc
b
a
fc
c
2a
f 3 * fc fc
3500.10 6
3
2,02Ghz
3.10 8
74,.25mm
2 * 2,021Ghz
Se hace b=a/2
a
37,125mm
2
2
m
a
p
d
2. Una gua de ondas rectangular con b =2a = 2,5 cm. es alimentada por
un Klistrn Reflex cuya frecuencia de operacin se desconoce. A los
efectos de determinar dicha frecuencia se cortocircuita la gua y por
medio de un medidor se ondas estacionaria se determina la separacin
entre dos mnimos obtenindose un resultado de 2 cm. Calcular a) la
frecuencia de operacin. b) velocidad de fase cuando se transmite a
una frecuencia igual al doble de la de corte siendo el modo de
operacin TE 10.
g/2
a) frecuencia de operacin
f 2 fc 2
f 4,5Ghz
fc
c m
2 a
en el modo TE10
fc
c
3.10 8
6Ghz
2a 2 * 2,5.10 2
b) velocidad de fase
vp
c
fc
1
f
3.10 8
6
1
4.5
b
a
fc
c
2a
f 3 * fc fc
f
3
1875.10 6
3
1,085Ghz
3.10 8
138.564mm
2 * 1,085Ghz
Se hace b=a/2
a
69.282mm
2
2
m
a
p
d
2
1
a
d 97.979mm