Electrnica I Laboratorio #3

II.

Estudio de las caractersticas de un transistor

RACTICA 4 INCISOS A,B,C,D.

Resumen: Por medio de la siguiente prctica podremos
analizar los funcionamientos y las distintas caractersticas
de los transistores, as como la clasificacin entre ellos y
sus ms marcadas diferencias.
Index Terms Palabras Claves. Transistor, NPN, PNP, corte,
saturacin, activa, MOSFET, BJT.

I.

INTRODUCCION.

En esta prctica analizaremos toda la teora de

los transistores, como los BJT y los MOSFET.
Aqu se lograra ver la diferencia de ambos
transistores debido a que
los BJT son
transistores de unin bipolar y los MOSFET son
transistores de efecto de campo.
Primero se realizara el estudio de las
caractersticas de cada uno de los transistores
utilizados en las practicas, Por ejemplo, sus
terminales, si son NPN o PNP, etc. Tambin se
tratara muy especficamente en los BJT sus tres
modos de operacin, corte, activo y saturacin.
En donde el corte las uniones Emisor-base,
Colector-base se encuentran polarizadas
inversamente. En modo activo se usa
principalmente como amplificador de seales.
En modo de saturacin ambas uniones se
encuentran polarizadas inversamente y las
corrientes de colector y emisor son mximas.
En la ltima prctica se realizara el anlisis de
los transistores de efecto de campo MOSFET.
Aqu se entablaran las diferencias que existen
entre estos y los BJT. Al igual que los anteriores
tambin se le reconocer sus terminales: Fuente,
drenaje, compuerta y sustrato o cuerpo. Por
ltimo se analizaran las distintas regiones de
operacin de los MOSFET que son la regin de
corte, la de trodo y la de saturacin.

A. Reconocimiento del transistor BJT.

En primer instante utilizamos el transistor
2N3904 su descripcin fsica se comentara a
continuacin. Es un dispositivo semiconductor
fsicamente es negro y posee tres terminales,
segn uso general se encuentra catalogado para
amplificar pequeas seales. Este es un transistor
NPN, se constato de manera prctica en el
laboratorio con ayuda del multimetro.
Colocamos el multimetro en la funcin de
diodos, luego colocamos el negativo en la base y
colector, nos dimos cuenta que marcaba una
tensin de alrededor de 0.6. As mismo ocurri
cuando el negativo lo colocamos en el emisor y
el positivo en la base. Por ultimo colocamos el
negativo en la base y el positivo primero en el
colector y luego en el emisor y no marco nada.
Segn lo anterior podemos darnos cuenta segn
la teora de diodos que de base a colector o a
emisor se encuentra en polarizacin directa. Y al
contrario estn en inversa.
El reconocimiento de las tres terminales son
caractersticas dadas por el fabricante as que
tenemos que remitirnos a la hoja del fabricante
obtenida
del
sitio
Web:
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairch
ild/2N3904.pdf. En esta colocan al transistor
boca arriba, es decir la forma circular arriba y lo
miran con las terminales de frentes colocadas a
la izquierda de la siguiente manera

Figura 1. Transistor 2N3904

Las hoja del fabricante nos proporciona su

mxima corriente que son 200 mA, 40 V en la

Electrnica I Laboratorio #3

tensin colector- emisor, de colector base 60 V

y de emisor-base 6 V.

terminales as como la mxima corriente que

soporta.

Tabla 2. Caractersticas del 2N3906

Tabla 1. Caractersticas del 2N3904

Para el transistor 2N3906 podemos describir sus

caractersticas fsicas como similares a las del
2N3904. La nica diferencia es que es un
transistor PNP, lo constatamos con el mtodo
utilizado en el anterior transistor, probando de
qu manera marcaba la prueba de diodo
polarizacin directa. En este encontramos que
marca una tensin cercana a los 0.6 V cuando el
negativo del multimetro se coloca en la base y el
positivo primero en el colector y despus en el
emisor.

B. Polarizacin con una fuente.

En la primera prctica de polarizacin con una
sola fuente se trabajo con el transistor 2N3904,
aqu. Primero se procedi a realizar el siguiente
montaje con la ayuda de nuestras herramientas
bsicas.

El saber cuales eran las terminales se obtuvo por

medio de hoja del fabricante con la siguiente
imagen que es un instructiva para localizar las
terminales, aunque por lo general siempre se
localiza la base del transistor en el medio, es
decir, la que se encuentra justo entra las otras
terminales.
Figura 3. Transistor 2N3904

Despus de haber realizado el montaje se

dispone de la toma de valores con ayuda del
multimetro para esto se tiene en cuenta todas las
recomendaciones pertinentes. Se hallaron los
siguientes valores.
Figura 2. Transistor 2N3906

Vth
(V)

V. R1
(V)

V. Rc
(V)

Los datos mas importantes de la hoja del

fabricante son los voltajes entre cada una de las

0,5
1,00
2
1,50
6

11,98

0,003

10,99

0,5345

10,49

1,259

V. Re
(V)
0,019
5
0,349
8
0,852
7

V. B-E
(mV)

V. C.-B.
(V)

515

11,47

644,3

10,45

663,1

9,234

V. C.E (V)
11,9
7
11,1
9,90
4

Electrnica I Laboratorio #3
2,01
4
2,53
5
3,01
2
3,51
3
4,00
3
4,5
5,03
3
5,50
1

9,984

1,425

673,1

7,975

9,461

2,759

1,946

680,4

6,696

8,87

3,502

2,427

687,4

5,445

8,647

4,203

2,921

693,7

4,261

7,972

4,922

3,463

701,2

3,038

7,47

5,646

3,95

707,7

1,83

6,932

6,424

4,423

715,8

0,5154

6,469

7,052

4,785

735,8

0,3650

8,66
7,38
6

6,23E-05

0,010508

0,010819

7,2E-05

0,012305

0,012826

6,14
4,96
4
3,75
6
2,54
3
1,23
2
0,15
09

8,85E-05

0,014115

0,01463

9,66E-05

0,01606

0,016381

0,000208

0,01763

0,017722

Tabla 3. Polarizacin una fuente 2N3904

Como la prxima tabla requera el calculo de las

corrientes se calculo cada una de ellas, excepto
la de base, dividiendo la tensin obtenida en los
resistores de colector y emisor entre sus
respectivos valores de resistencia, I=V/R.
Despus de obtener las corrientes de cada una de
las terminales del transistor se prosigui a hallar
y que son los la ganancia de corriente de
base y emisor comn respectivamente. Estos
valores se hallaron con la formula =Ic/Ie; y =
Ic/Ib. Recordemos que el debe ser cercano a 1
cuando se encuentre en activa ya que la
idealizacin de un transistor es que la corriente
del colector sea igual al de emisor, por eso es
que esta ganancia oscila entra valores de 0.98 a
0.998. Por otro lado se en los resultados de se
obtiene rangos cercanos al 150, aunque esto
varia segn la temperatura y la fabricacin del
transistor. En la resolucin de ejercicios se
estima un igual a 100. Estas dos ganancias se
encuentran relacionadas con la siguiente formula
= / (+1).

Ib (A)

Ic (A)

Ie (A)

7,5E-06

7,22E-05

8,57E-06

0,001336

0,001296

1,86E-05

0,003148

0,003158

2,91E-05

0,005

0,005278

3,61E-05

0,006898

0,007207

0,10384
6
1,03141
1
0,99662
8
0,94736
8
0,95700
2

5,13E-05

0,008755

0,008989

0,97398

155,976
4
169,585
1
171,573
7
191,066
5
170,662
8

0,97125
1
0,95938
5
0,96482
3
0,98037
5
0,99479
6

168,592
1
170,831
6
159,491
5
166,252
6
84,5969
3

Tabla 4. Continuacin Polarizacin una fuente 2N3904

De las anteriores dos tablas podemos identificar

las regiones de corte, activa y saturacin del
transistor. De la regin de corte vemos que
pertenece a los primeros rangos del voltaje
Thevenin cuando este es cercano a 0 ya que no
esta circulando corriente por el transistor y
produce que Vcb no supere los 0.4 para estar en
regin activa. Entre 0.5V y 1V vemos que la
diferencia de tensin entre el colector y la base
van superando los 0.4 V. Por los ltimos valores
vemos que el transistor entra en regin de
saturacin ya que la tensin del colector con
respecto a la base es menor que 0.5 V debido a
un aumento de la corriente de base y colector.
Esto produce el forzamiento de un y que la
tensin entre colector y emisor se mantenga
cercana a 0.2 V.
A continuacin
se expondrn los valores
obtenidos para el transistor 2N3906 que es un
transistor PNP. La descripcin del este montaje
es prcticamente igual al de 2N3904, lo nico
que varia en el montaje es el manejo de la fuente
de DC con tensiones negativas debido a que el
transistor es PNP y para que pueda estar en
regin activa la tensin maneja da entre colector
y base debe ser menor a 0.4 V.

Electrnica I Laboratorio #3

Figura 4. Montaje 2N3906.

Vth
(V)
0,51
1,05
1,51
2
2,00
5
2,51
4
3,05
3,51
4
4,01
6
4,50
9
5,51
3
5,55
3

V. R1
(V)
11,56

V. Rc
(V)

V. Re
(V)

-0,001

-6E-05

-11

-0,773

-0,388

10,53

-1,234

-0,831

10,04

-1,95

-1,311

9,544

-2,702

-1,815

9,007

-3,48

-2,342

8,537

-4,154

-2,797

-8,03

-4,883

-3,393

7,534

-5,598

-3,779

7,022

-6,332

-4,277

6,525

-7,035

-4,761

1E-05

2,90E-03

2,98E-03

0,9732

2E-05

4,76E-03

4,80E-03

0,9935

3E-05

6,54E-03

0,0066

0,9953

4E-05

8,49E-03

8,52E-03

0,9955

5E-05

1,00E-02

1,01E-02

0,9953

6E-05

0,0122

0,0126

0,9714

8E-05

0,014

0,014

0,9999

0,0001

0,0158

0,0158

0,9993

0,0001

0,0176

0,0176

0,9974

2,56E+0
2
2,44E+0
2
2,35E+0
2
2,15E+0
2
2,00E+0
2
1,92E+0
2
1,75E+0
2
1,58E+0
2
1,45E+0
2

Tabla 6. Continuacin Polarizacin una fuente 2N3906

C. Polarizacin con dos fuentes.

V. BE
(mV)
-507
561,
8
679,
6
690,
4
698,
5
706,
4
713,
4
720,
17
728,
1
737,
1
752,
5

V. C.B. (V)

V. C.-E
(V)

-11,56

-12,06

-10,43

-11,1

-9,33

-9,99

-8,111

-8,811

-6,846

-7,553

-5,529

-6,245

-4,392

-5,114

-3,152

-3,88

-1,941
0,701
1

-2,675

0,507
4

Este caso el circuito se alimenta con dos voltajes

DC uno en el resistor de colector y otro en el
resistor de emisor, para el caso de esta polariza la
resistencia Thevenin de la base debe ser menor a
la de utilizada en la polarizacin anterior.

Figura 5. Dos fuentes 2N3904.

-1,438
-244,7

Tabla 5. Polarizacin una fuente 2N3906

Ib (A)

Ic (A)

Ie (A)

1,78E-03

5E-06

1,37E-03

1,39E-03

0,9856

2,74E+0
2

Primero se trabajo para la realizacin del anterior

montaje. En este montaje se utilizo en 2N3904,
la fuente ubicada en el resistor de colector Vcc
estaba fija con una tensin de 12V , y Vee se
variaba de -15V a 0V con una escala de -1 V.
VEE
(V)

V. Rb
(V)

V.Rc
(V)

Re (V)

V. B-E
(mV)

V. C-B
(V)

V. C-E
(V)

-15
13,9
6

-3,604

16,11

10,48

800

-6E-01

0,196

-3

15,41

10,14

792

-0,581

0,205

Electrnica I Laboratorio #3
12,9
3
11,8
5
10,9
4

-2,424
-1,843

14,69
13,9

9,742
9,275

784,9
774,9

-0,551
-0,383

0,22
0,387

-1,404

13,12

8,796

763,5

0,624

1,3

-9,93 -1,173
8,93
3
-1,01
8,00
7
-0,877
7,02
6
0,7423
6,02
6
0,6165
4,98
3
-0,491

11,86

8,006

750,7

1,56

2,305

10,56

7,178

736,9

2,584

3,325

9,374

6,396

728,6

3,614

4,362

8,12

5,56

719,6

4,749

5,493

6,833

4,694

712,4

5,896

6,618

5,504

3,784

704,5

7,1

7,83

2,936

699,9

8,29

9,011

1,992

693,4

9,46

10,15

1,183

686,2

10,51

11,22

0,344

662,7

11,62

12,3

12,08

12,08

0,0234 0,0237

0,98928

179,0359179

0,0203 0,0206

0,98579

183,2278055

-9E-05 0,0171 0,0174

0,98259

185,6492295

-7E-05 0,0138

0,98182

187,7637475

-6E-05 0,0104 0,0109

0,96031

187,5730563

-4E-05 0,0072 0,0074

0,98031

186,5912591

-2E-05 0,0043 0,0044

0,9814

183,5031847

-7E-06 0,0012 0,0013

0,97424

176,5684713

0,014

0,03

Tabla 8. Continuacin Polarizacin dos fuentes 2N3904

-3,95 -0,373 4,177

2,94
5
0,2597 2,893
2,02
7
-0,157
1,72
1,04
9
0,0471 0,4965
0

2
0,000
1
0,000
1

12

Se identifican de igual manera que en la

polarizacin de una sola fuente las regiones que
se encuentra el transistor. En anlisis y
resultados ampliaremos las diferencias entra
estos dos tipos de polarizacin.
A continuacin se indicaran los valores del
anlisis de polarizacin con dos fuentes con el
2N3906.

Tabla 7. Polarizacin dos fuentes 2N3904

Luego se hallaron las corrientes de las terminales

dividiendo la tensin de las resistencias de las
terminales entres sus respectivas resistencias. Y
por ultimo se hallaron y con las formulas ya
dadas.

VEE
(V)

V. Rb
(V)

V.Rc
(V)

1,05

-0,239
0,1055
0,2002
0,3008
0,4302
0,5688
0,7243
0,9005

-0,415

-1,07

-10,45
11,572
12,672
13,761

2,07
Ib
0,000
5
0,000
4
0,000
4
0,000
3
0,000
2
0,000
2
0,000

Ic

Ie

0,0403 0,0388

1,03762

74,87305771

0,0385 0,0376

1,02581

86,03916667

0,0367 0,0361

1,01784

101,5088696

0,0348 0,0344

1,01159

126,3293543

0,0328 0,0326

1,00682

156,5242165

0,0297 0,0297
0,0264 0,0266

0,99994
0,99303

169,3563512
175,1287129

3,04
3,93
5,03
2
5,96
3
7,02
1
8,01
2
8,98
7
10,0
19
11,0
12
12,0
1

-1,305
-1,543
-1,82

-1,702
-3,02
-4,297
-5,59
-6,852
-8,072
-9,28

Re (V)

V. B-E
(mV)

V. C-B
(V)

V. C-E
(V)

0
0
-12
-12
0,2842 0,6943 -11,5 12,245
-1,158 0,7325 10,345 11,096
-2,05 0,7496 -9,175 -9,925
-2,96 0,7609 -7,978 -8,735
-3,796 0,7697
-6,8
-7,59
-4,645 0,7769
-5,7
-6,478
-5,491 0,7787 0,4636 -5,417
-6,29 0,7895 -3,594 -4,335
-7,092
-7,881
-8,632
-9,362

-0,795
0,7995

-2,62

-3,431

-1,711 -2,528
0,8045 0,8624 -1,66
0,8094 -0,657 0,8751

Electrnica I Laboratorio #3
13,0
15
13,9
81
15,0
17

-2,48
-2,693
-3,32

14,712 10,012 0,8132 0,5441 0,2692

-14,97 10,424 0,8149 0,5874 0,2273
-15,91 -10,87 0,8182 0,6019 0,2163

Tabla 9. Polarizacin dos fuentes 2N3904

Ib

Ic

Ie

4E-05

0,001

0,0011

0,98566

2E-05

0,0043

0,0043

0,9921

3E-05

0,0076

0,0076

0,99439

4E-05

0,0107

0,011

0,97989

6E-05

0,014

0,0141

0,99401

29,0847280
3
270,222748
8
252,672327
7
239,277759
3
217,628532
9
201,795164
8

8E-05

0,0171

0,0172

0,99572

0,0001

0,0202

0,0203

0,99228

0,0001

0,0232

0,0233

0,99587

0,0002

0,0261

0,0263

0,99461

0,0002

0,0289

0,0292

0,99113

0,0002

0,0317

0,032

0,99092

0,0003

0,0344

0,0347

0,99217

0,0004

0,0368

0,0371

0,99187

0,0004

0,0374

0,0386

0,96937

186,684156
172,615213
8
163,586448
6
148,529501
9
137,560596
2
126,646565
9
99,3653225
8
93,1108429
3

0,0005

0,0398

0,0403

0,98797

80,2688253

Tabla 10. Continuacin Polarizacin dos fuentes

2N3906

D. Anlisis en AC
En este punto analizamos el siguiente montaje
que incluye la alimentacin con una tensin AC.

Figura 6. Regulador de tensin

Se procedi a montar el circuito de la figura,

utilizando un transistor 2N3904, un potencimetro
de 1k ajustado a 400 para Rc, una resistencia
de 270 para Re y un potencimetro de 10k
ajustado a 6.7k para Rb. Para la seal de entrada
se ajusto el generador de seales, una onda
sinusoidal con alguna frecuencia cualquiera en el
orden de los kHz, un voltaje pico-pico de 2V y una
seal DC de 4V. La salida mostrada debe tomarse
en el colector. Es necesario introducir una seal
DC, para poder tener una corriente de base, debido
a que en una onda seno el nivel DC es 0, as se
polariza el transistor.

IV. CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES

Este laboratorio nos permiti constatar toda la
teora base para circuitos que incluyen
transistores. Como de manera de inicio vimos el
reconocimiento de este dispositivo, nuestra
familiarizacin con este para esto debimos
identificar previamente sus terminales saber si
era PNP o NPN, y adems consultar la hoja del
fabricante. Como un paso ms avanzado
trabajamos en lo que respecta a las diversas
maneras de polarizar un transistor para esta
prctica utilizamos dos, la primera que era la
polarizacin con una fuente y la otra con dos
fuentes. Para incursionar mas sobre cuales son
sus diferencia podemos nombrar el bajo costo y
la facilidad de polarizar con una fuente asi como
debemos tener en cuenta para esta polarizacin
que la tensin en la base debe ser mucho mayor
que la tensin manejada entra base y emisor,
mientras la de dos fuente requiera mas inversin
pero a su ser mas eficiente debido a que

Electrnica I Laboratorio #3

podemos tener una ganancia mas amplia. Otra

diferencia radica en una mayor Rth en la
polarizacin de dos fuentes para una mayor
estabilidad, las otras resistencias se dejan a
criterio para que el transistor trabaje en la regin
que el diseador desee. Podemos decir que el
resistor de colector debe ser grande para que el
transistor trabaje en regin activa y no halla
algn tipo de problema en la tensin entre el
receptor y la base. Por otro lado el resistor
ubicado en el emisor, o la retroalimentacin
negativa cuando se trabaja el emisor a tierra, es
decir, emisor comn, debe ser pequea
comparado con los resistencias de colector y
base.
Para el anlisis AC se debe tener en cuenta que
la funcin senoidal con una tensin pico -pico de
2V aplicada en la rama de la base debe ser
amplificada por el circuito. Para esto se alimenta
el circuito con una tensin en DC por la rama del
colector para que se obtenga una ganancia y

lograr una seal con ms nivel de tensin. Para

esto tambin se tiene que aumentar el nivel de
offset del generador de seales para obtener el
resultado requerido.

V. REFERENCIAS

SEDRA, Adel; SMITH, Kenneth. Circuitos

Microelectrnicos. 5 Ed. McGraw HIll. Mexico
2006.
Julio A. Maldonado, Nadime I. Rodrguez.
Colaboracin de Ing. Mauricio Pardo. Manual
de guas de Laboratorio. Electrnica I..
Universidad del Norte.
Malvino, Albert. Zbar, Paul. Miller, Michael
A. Practicas de electrnica. 7 Edicin.
.