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UNIVERSIDAD PRIVADA

DEL VALLE

FACULTAD DE INFORMATICA Y
ELECTRONICA

DPTO: DE ELECTRONICA Y
BIOINGENIERIA

ELECTRONICA BASICA II

GUIA PRACTICA DE LABORATORIO

Ttulo de la Practica
PRACTICA
PRACTICA
PRACTICA
PRACTICA
PRACTICA
PRACTICA
PRACTICA
PRACTICA
PRACTICA

N 1
N 2
N 3
N 4
N 5
N 6
N 7
N 8
N 9

AMPLIFICADOR CON BJT EN FRECUENCIAS MEDIAS


ESTUDIO DE TRANSISTOR FET
AMPLIFICADORES MULTIETAPAS EN FRECUENCIAS MEDIAS
RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA DE AMPLIFICADORES
RESPUESTA EN FRECUENCIA DE LOS AMPLIFICADORES
AMPLIFICADORES REALIMENTADOS
AMPLIFICADORES REALIMENTADOS OSCILADORES
CIRCUITOS O ETAPAS DE POTENCIA
CARACTERIZACION Y APLICACIONES BASICAS DEL AOP

UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE


SERVICIOS DE LABORATORIO.
ASIGNATURA: ELECTRNICA BASICA II.
PRACTICA N 1
AMPLIFICADOR CON BJT EN FRECUENCIAS MEDIAS
1. CONOCIMIENTO TEORICO REQUERIDO

Principios de funcionamiento del transistor bipolar, BJT.


Significado de los parmetros hbridos del BJT.
Conceptos de Ganancias de voltaje y corriente e impedancias de entrada y salida del
amplificador.

2. COMPETENCIAS
El estudiante:
Disea, analiza y caracteriza circuitos amplificadores en frecuencias medias en las distintas
configuraciones utilizando transistores BJT., a travs de la resolucin de problemas que se
presentan en el campo de trabajo del profesional.
Comprende los parmetros que caracterizan a cada amplificador, como ser sus ganancias y
sus impedancias, en la electrnica bsica.
3. MATERIALES Y EQUIPOS
1 Generador de seal
Resistencias de diseo
Transistores BJT de diseo
Capacitores de diseo
4. PROCEDIMIENTO
Parte 1.1
Montar el circuito amplificador en Emisor Comn con transistor bipolar NPN que se muestra en la
figura.
V1
12 V

R3
39k

R1
2.2k
C1

R5
V2560
10mVrms
5kHz
0

R6
3.9k

Vin

Q1

C3
220F

Vout

220F

2N2222

R7
3.9k
R4
10k

Zin

R2
680

C2
220F

Parte 1.2
Seleccionar una onda sinusoidal de frecuencia F = 5 [KHz]. Conectar el Osciloscopio para medir
las seales de entrada y salida: CH1 = Vin y CH2 = Vout. Actuar sobre la amplitud de entrada para
obtener la mxima seal de voltaje de salida sin distorsin. Anotar los valores en el siguiente
cuadro y calcular la Ganancia de tensin y el desfase entre las seales.

Frec [KHz]

Vin

Vout

Av = |Vout/Vin|

Desfase []

Parte 1.3
Medicin de la impedancia de entrada Zin del Amplificador a F = 5 [KHz].
a) Medir la tensin de entrada Vin en vaco, VVACIO, es decir sin conectar a la entrada del
amplificador.
b) Conectar la fuente de entrada al amplificador y medir la tensin en las terminales, VCARGA.
c) Calcular la impedancia de entrada Zin segn la siguiente frmula:
Zin = (

Parte 1.4
Medicin de la impedancia de salida Zout:
a) Medir la tensin de salida Vout en vaco (tal como se ve en la figura), VOUT VACIO.
b) Conectar una resistencia de carga RL=10K y volver a medir el voltaje de salida, VOUT CARGA.
c) Calcular la impedancia de salida Zout segn la siguiente frmula:
(

d) Repetir los pasos 2 al 4 si se quita el capacitor C2.


NOTA: Los transistores BC547B, NTE 123AP, 2N3643 y 2N2222 que existen en laboratorio de
electrnica, tienen las mismas caractersticas.
5. CUESTIONARIO
1. Mediante las hojas de datos especificar los valores de los parmetros H de los transistores a
ser usados en laboratorio.
2. Calcular en forma terica la Ganancia de voltaje del amplificador, Av = Vout/Vin, AI, ZIN y ZOUT
en ambos casos.
En cada uno de los puntos mencionados arriba hacer una comparacin de los resultados
tericos y prcticos y explicar las posibles hiptesis sobre las variaciones.
6. TIEMPO DE DURACION DE LA PRCTICA
Tiempo de duracin de la prctica 100 minutos.

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SERVICIOS DE LABORATORIO.
ASIGNATURA: ELECTRNICA BASICA II.
PRACTICA N 2
ESTUDIO DEL TRANSISTOR FET
1. CONOCIMIENTO TEORICO REQUERIDO
Conceptos de polarizacin del transistor JFET.
Explicar el modelo en AC del transistor JFET.
2. COMPETENCIAS
El estudiante:
Calcula el valor de Gm en forma experimental y entender el concepto de la transconductancia.
Y su relacin con el campo de trabajo del profesional.
Disea amplificadores utilizando transistores FET., en la electrnica bsica que permite la
resolucin de problemas.
3. MATERIALES Y EQUIPOS
Resistencias de diseo.
Transistor FET canal N.
Multmetro.
4. PROCEDIMIENTO

Parte 2.1
Determinar la Transconductancia gm para el FET 2N3819 o similar en fuente comn. Luego dibuje
el modelo incremental para pequeas seales con los valores obtenidos de los clculos.
Procedimientos:
Colocar, VG = VS = 0. Colocar una fuente de voltaje variable (con valor inicial VDD=0) entre
Drenador y Fuente.
1. Incrementar el voltaje VDD realizando mediciones simultneas de IDSS. Observar que para
cada incremento de VDS, existe un aumento de Corriente ID, esto ocurre hasta que el voltaje VDD
alcanza un valor en que la corriente permanece constante. Esta corriente es la corriente IDSS.
2. En las condiciones del paso 1, aplicar un voltaje negativo variable
VGS (Con valor inicial VGS = 0)
3. Incrementar el voltaje VGS hasta que la corriente ID sea cero. El valor VGS para ID = 0 es igual
al Vp (=VGSoff).
LECTURA: IDSS, Vp
CALCULOS: gm =2*IDSS/Vp
NOTA: Para seleccionar el valor de RD = 2[K] calcular en base al dato de IDSS del transistor, en
forma aproximada.

PARA EL INFORME:
Para el transistor utilizado buscar los valores de gm y rd o Ys en las hojas de datos del mismo.
Explicar el resultado obtenido y la diferencia con respecto al terico.
Con el valor de gm, dibujar el modelo en AC del transistor.
Parte 2.2
Disear un amplificador en Compuerta Comn con ganancia Av = 3. Utilizar para el mismo,
transistores que se usaron para la Parte 1.1. Utilizando el mtodo de polarizacin que mejor
convenga.
Medir la ganancia del amplificador para varios valores de frecuencia (por lo menos 15 puntos).
Observar el comportamiento de la ganancia a medida que aumenta la frecuencia de entrada,
desde 10 Hz hasta 20 KHz y un voltaje de entrada de Vi = 10[mV].
5. CUESTIONARIO
1. Dibujar la ganancia versus la frecuencia y ubicar el punto a partir del cual la ganancia se
mantiene constante.
2. Qu representa que la ganancia se mantenga constante a partir de una cierta frecuencia?
6. TIEMPO DE DURACION DE LA PRCTICA
Tiempo de duracin de la prctica 100 minutos.

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SERVICIOS DE LABORATORIO.
ASIGNATURA: ELECTRNICA BASICA II.
PRACTICA N 3
AMPLIFICADORES MULTIETAPAS EN FRECUENCIAS MEDIAS
1. CONOCIMIENTO REQUERIDO.

Conceptos de polarizacin del transistor JFET.


Explicar el modelo en AC del transistor JFET.

2. COMPETENCIAS
El estudiante:
Disea circuitos amplificadores de varias etapas en cualquier configuracin, a travs de la
resolucin de problemas que se presentan en el campo de trabajo del profesional.
3. MATERIALES Y EQUIPOS
1 Generador de seal alterna
Resistencias diseo
Condensadores de diseo
Transistores de diseo
4. PROCEDIMIENTO
Parte 3.1
Dado el circuito en cascada de la figura se pide:
a) Medir las ganancias individuales de cada etapa.
b) La ganancia total.
c) Analizar el efecto que causa en la ganancia total al conectar la segunda etapa. Explicar las
causas.
V2
12 V
R1
39k

10F

10mVpk
5kHz
0

R6
39

Q1

C4

V1

R3
1k

R2
10k

R4
470

Q2

C3
10F

2N2222
C1
10F

R8
1k

2N2222
R7
10

R5
470

C2
10F

Parte 3.2
Disear e implementar un amplificador de tensin de dos etapas con ganancia de tensin Av =
+500, Impedancia de Entrada Zin > 200 [K] y Zo = 2 [K].
Condiciones:
Elegir los puntos de polarizacin que crean convenientes, as como tambin la tensin de
alimentacin.
Elegir las configuraciones adecuadas y distribuir las ganancias en ellas adecuadamente.
Utilizar condensadores con valor de 10 [F] para capacitancias de acople y desvo.
Se recomienda elegir los valores comerciales de las resistencias que mas se acerquen a lo
calculado. Adems con dichos valores recalcular los valores de las tensiones y corrientes, as
como tambin las ganancias de voltaje del amplificador.
Procedimiento:
a) Medir las corrientes y voltajes del punto de operacin y compararlas con los calculados en
forma terica.
b) Usando el generador de seales inyectar al amplificador una seal con amplitud de 5 mV con
una frecuencia media (por ejemplo 5 KHz).
c) Medir y anotar las ganancias de voltaje en cada etapa y la total a una frecuencia de 5KHz.

5. CUESTIONARIO
1. Discutir las posibles variaciones que se podran hacer (en caso de que lo hubieran), al diseo
de la Parte 3.1 para lograr los mismos requisitos.
6. TIEMPO DE DURACION DE LA PRCTICA
Tiempo de duracin de la prctica 100 minutos.

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SERVICIOS DE LABORATORIO.
ASIGNATURA: ELECTRNICA BASICA II.
PRACTICA N 4
RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA DE AMPLIFICADORES
1. CONOCIMIENTO REQUERIDO
Concepto de frecuencias de corte.
Efectos que causan los capacitores de acople en bajas frecuencias en la magnitud de
la ganancia de voltaje.
2. COMPETENCIAS
El estudiante:
Disea circuitos amplificadores con transistores para diferentes frecuencias de corte inferior
en la magnitud de ganancia de voltaje en la electrnica bsica.
Interpreta los efectos que causan en el comportamiento del amplificador en bajas frecuencias
los capacitores externos, de paso y de acople.
3. MATERIALES Y EQUIPOS
1 Generador de seal
Resistencias diseo
Condensadores de diseo
Transistores de diseo
4. PROCEDIMIENTO
Parte 4.1
Realizar el montaje del circuito.
1. Calcular en forma terica la frecuencia de corte inferior.
2. Obtener experimentalmente la respuesta en bajas frecuencias del circuito, midiendo la
frecuencia de corte inferior y comprobar los resultados con los obtenidos en el inciso 1).
3. Quitar el capacitor C3 y repetir los apartados 1) y 2).
4. Comentar los resultados obtenidos.
V1

15Vdc

0
R3
560k

R1
2.4k
C2
Salida
Q1

C1

390nF

Entrada
330nF

Q2N2222
R5
2k

V2
10mVac
0Vdc

R4
220k

R2
220

C3
10uF

0
0

Condiciones:
Rango de frecuencia 5 [Hz] 100 [KHz].
Tensin de Entrada Vin = 10 [mV].
En bajas frecuencias realizar muestras en rangos cortos de frecuencia.
5. CUESTIONARIO
1. En el informe dibujar el diagrama de Bode de la respuesta en frecuencia y ubicar la frecuencia
de corte inferior, para ambos casos.
6. TIEMPO DE DURACION DE LA PRCTICA.
Tiempo de duracin de la prctica 100 minutos

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SERVICIOS DE LABORATORIO.
ASIGNATURA: ELECTRNICA BASICA II.
PRACTICA N 5
RESPUESTA EN FRECUENCIA DE LOS AMPLIFICADORES
1. CONOCIMIENTO REQUERIDO
Concepto de ancho de banda.
Efectos provocados por los capacitores internos de los transistores en la respuesta en
altas frecuencias.
2. COPETENCIAS
El estudiante:
Interpreta los efectos que causan en el comportamiento del amplificador en bajas y altas
frecuencias, los capacitores internos y externos, en relacin con el cancho de bandas.
3. MATERIALES Y EQUIPOS
1 Generador de seal alterna
Resistencias diseo
Condensadores de acople
Transistores de diseo
4. PROCEDIMIENTO
Parte 5.1
Para el amplificador mostrado en la figura, se pide:
V1

20Vdc

0
R3
39k

R1
3.9k

C1
Out

R6

Q1

C2

1uF

In
10uF

Q2N2222

100

R5
10k

V2
0.01Vac
0Vdc

R4
10k

R2
680

C3
10uF

0
0

1. Para una seal de Entrada V2 de 10mV, a una frecuencia de 5Khz, medir cunto vale la
mxima tensin de salida. En funcin a esto calcular la ganancia a frecuencias medias.
2. Variar la frecuencia de la seal de entrada desde 10 Hz hasta 1MHz. Durante este proceso
ubicar los puntos o frecuencias de corte inferior y superior
3. Cambiar el Capacitor C3 por uno de 100uF y medir la frecuencia de corte inferior. Comentar
los resultados.
4. Colocar un capacitor entre las terminales Base Colector de transistor de 10nF y medir
nuevamente la frecuencia de corte superior. Comentar los resultados.
5. Sacar dicho capacitor y conectarlo paralelo a la Resistencia de Carga y medir nuevamente la
frecuencia de corte superior. Comentar los resultados.
5. CUESTIONARIO
1. En el informe, en base a estas mediciones sacar las conclusiones con respecto a las
frecuencias de Corte, inferior y superior.
6. TIEMPO DE DURACION DE LA PRCTICA
Tiempo de duracin de la prctica 100 minutos

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SERVICIOS DE LABORATORIO.
ASIGNATURA: ELECTRNICA BASICA II.
PRACTICA N 6
AMPLIFICADORES REALIMENTADOS
1. CONOCIMIENTO REQUERIDO
Conceptos bsicos sobre amplificadores realimentados.
Ventajas y desventajas de los amplificadores realimentados.
Efectos que causan en los principales parmetros de un amplificador al introducir un circuito
de realimentacin.
2. COMPETENCIAS
El estudiante:
Disea Amplificadores realimentados en base a transistores, a travs de la resolucin
de problemas en el campo de trabajo del profesional.
Diferencia las caractersticas de un amplificador realimentado y un sin realimentar en
relacin con la electrnica bsica.
Conoce las ventajas y desventajas de cada una de las cuatro topologas en los
amplificadores realimentados.
3. MATERIALES Y EQUIPOS
1 Osciloscopio
1 Multmetro
Transistores bipolares y JFET de diseo
Resistencias de diseo
Capacitores de diseo
4. PROCEDIMIENTO
Parte 6.1
Montar el bloque amplificador de la figura y medir ( sin el circuito de realimentacin):
+12v

R1
180k

R3
3.3k

R5
82K

R7
3.3k

C2
1nF

Vo
C1

C5
Q1
NPN BCE

Q2
NPN BCE

47nF
V1
Value = 10mV

1uF

R2
47k

R4
2.2k

R6
22K

C3

100nF

R8
1K

R9

100K
R10
100K

Circuito de
Realimentacin

C4
47uF

a) El punto de trabajo de cada transistor.


b) La ganancia de voltaje del amplificador.
c) Las frecuencias de corte inferior y superior.
Parte 6.2
Realimentar el amplificador con la red que se muestra y repetir los apartados b) y c)
5. CUESTIONARIO
1. Calcular en forma terica la impedancia de entrada, Zi, la de salida Zo y la ganancia de voltaje
Av del amplificador sin realimentar y posteriormente los parmetros del amplificador
realimentado, tal como se lo hizo en clases. Comparar los resultados y comentar.
6. TIEMPO DE DURACION DE LA PRCTICA
Tiempo de duracin de la prctica 100 minutos.

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SERVICIOS DE LABORATORIO.
ASIGNATURA: ELECTRNICA BASICA II.
PRACTICA N 7
AMPLIFICADORES REALIMENTADOS OSCILADORES
1. CONOCIMIENTO TEORICO REQUERIDO

Conceptos sobre realimentacin positiva.

Principios bsicos sobre los osciladores, RC y sintonizados.


2. COMPETENCIAS
El estudiante:
Disea y construye amplificadores sintonizados para radio frecuencias, desde una manera
terica y prctica a travs de la resolucin de problemas.
3. MATERIAL Y EQUIPOS.
1 Generador de seal
Resistencias de diseo
Transistores de diseo
Condensadores de diseo
4. PROCEDIMIENTO
Parte 7.1
Disear e implementar un oscilador de desplazamiento de fase utilizando transistores BJT y FET
con una frecuencia de oscilacin de 5 [KHz].
5. CUESTIONARIO
1. Comparar y comentar sobre las diferencias de las frecuencias de oscilacin en forma terica y
prctica.
6. TIEMPO DE DURACION DE LA PRCTICA
Tiempo de duracin de la prctica 100 minutos

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SERVICIOS DE LABORATORIO.
ASIGNATURA: ELECTRNICA BASICA II.
PRACTICA N 8
CIRCUITOS O ETAPAS DE POTENCIA
1. CONOCIMIENTO TEORICO REQUERIDO
Diferenciar entre un circuito de potencia y un circuito de pequea seal.
Caractersticas de las diferentes clases de amplificadores de potencia.
2. COMPETENCIAS
El estudiante:
Entiende las caractersticas de funcionamiento de los circuitos de potencia a travs de la
resolucin de problemas en el campo de trabajo.
3. MATERIALES Y EQUIPOS
1 Osciloscopio.
1 Multmetro.
Transistores de pequea seal y de potencia de diseo.
Resistencias de diseo.
Capacitores de diseo
4. PROCEDIMIENTO
Parte 8.1
Las figuras 1 y 2 muestran dos tipos de polarizacin de una etapa de salida push-pull o clase B
formada por los transistores complementarios 2N3904 y 2N3906. La figura 1 presenta a una etapa
con distorsin de cruce, y la figura 2 una etapa clase AB con dos transistores en configuracin de
diodo que eliminan ese problema. En ambos circuitos es preciso ajustar el Resistor Variable RB1
de forma que en ausencia de seal de entrada (nudo Vi desconectado) la salida sea nula (vo=0).

Figura 1

Figura 2

Para el circuito de la figura 1, se pide:


a) Representar grficamente la VTC del circuito. Para ello, utilizar una fuente DC a la entrada.
Medir los niveles de tensin de entrada que producen distorsin de cruce.
b) Aplicar una seal senoidal a la entrada de 2V de amplitud y visualizar Vo, IC1 e IC2.
Representar grficamente el resultado.
Nota: Para medir las corrientes de colector en los transistores utilizar la cada de tensin en las
resistencias de 100 [].
Parte 8.2
Para el circuito de la figura 2, se pide: Repetir el apartado b). y Comparar los resultados.
5. CUESTIONARIO
1. En el informe graficar el comportamiento de la tensin de salida en funcin de la tensin de
entrada.
2. Mostrar entre que valores de la tensin de entrada se produce la distorsin de cruce por cero,
para el caso de la parte 8.1
3. Comentar sobre las mejoras s que hicieron en el circuito 2 con respecto al comportamiento
de la seal de salida.
6. TIEMPO DE DURACION DE LA PRCTICA
Tiempo de duracin de la prctica 100 minutos.

UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE


SERVICIOS DE LABORATORIO.
ASIGNATURA: ELECTRNICA BASICA II.
PRACTICA N 9
CARACTERIZACIN Y APLICACIONES BSICAS DEL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
1. CONOCIMIENTO TEORICO REQUERIDO
Entender los principios bsicos de operacin del Amplificador Operacional.
Entender los conceptos de entrada diferencial y modo comn.
Conceptos de entrada inversora y no inversora de un amplificador operacional
2. COMPETENCIAS
El estudiante:
Comprende algunos conceptos asociados al Amplificador operacional, utilizando tensiones de
polarizacin 15 V. Las resistencias R1 y R2 y limitan la ganancia del amplificador entre -40 y
-50 para este circuito electrnico.
3. MATERIALES Y EQUIPOS
1 Fuente de alimentacin
1 Multmetro
1 Osciloscopio
1 Amplificador operacional LM741
Resistencias de diseo
4. PROCEDIMIENTO
Parte 9.1
1. Realizar el montaje del amplificador inversor basado en el AO 741 de la figura, utilizando
tensiones de polarizacin 15 V. Las resistencias R1 y R2 deben limitar la ganancia del
amplificador entre -40 y -50. Para este circuito, se pide:

2. Realizar el montaje del amplificador inversor basado en el AO 741 de la figura, utilizando


tensiones de polarizacin 15 V. Las resistencias R1 y R2 deben limitar la ganancia del
amplificador entre -40 y -50. Para este circuito, se pide:

3. Medir la ganancia de este amplificador a frecuencias bajas.


4. Representar grficamente la respuesta en frecuencia del amplificador y determinar la
frecuencia de corte superior y comprobar que coincide con la terica. Utilizar amplitudes de
las seales suficientemente bajas para eliminar el efecto del slew-rate.
5. Aplicar una onda senoidal de 5kHz a la entrada y medir el slew-rate del amplificador. Para
ello, es necesario aumentar la amplitud de salida hasta que se observe con claridad el slewrate.
6. Demostrar tericamente si la frecuencia de corte superior limita la frecuencia mxima de
operacin del amplificador o es el slew-rate, en el caso de que la salida sea una onda
senoidal de 5 voltios de amplitud y 10KHz de frecuencia. Comprobar estos resultados
experimentalmente.
7. Colocar una resistencia de carga al amplificador de 100 []. Aumentar la amplitud de entrada
hasta que se produzca recorte en la tensin de salida. Qu produce recorte y por qu?
Calcular tericamente la resistencia mnima de carga para Vo=4 V y comprobarlo
experimentalmente.
5. CUESTIONARIO
1. Graficar el comportamiento de la ganancia de tensin en funcin de la frecuencia.
2. Comentar sobre los resultados obtenidos en forma prctica.
6. TIEMPO DE DURACION DE LA PRCTICA
Tiempo de duracin de la prctica 100 minutos.

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