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UNIVERSIDAD DE OVIEDO
LECCIN :
Presentada por:
-0-
NDICE
1. INTRODUCCIN ..................................................................................................................................... 2
2. FUNCIN Y TIPOS DE REDES DE AYUDA A LA CONMUTACIN ................................................... 3
3.
2.1
Justificacin ......................................................................................................................... 3
2.2
Clasificacin ........................................................................................................................ 8
3.1
3.1.1 Introduccin............................................................................................................. 11
3.1.2 Anlisis de funcionamiento ...................................................................................... 14
3.1.3 Ejemplos de aplicacin ............................................................................................ 22
3.2
3.2.1 Introduccin............................................................................................................. 24
3.2.2 Anlisis de funcionamiento ...................................................................................... 26
3.2.3 Anlisis de prdidas................................................................................................. 31
3.2.4 Snubber de enclavamiento de tensin RCD ............................................................. 36
4.
4.1
5.
SNUBBER UNIFICADO................................................................................................................. 48
6.
SNUBBERS NO DISIPATIVOS....................................................................................................... 49
6.1
6.2
6.3
7. BIBLIOGRAFA
............................................................................................................................ 62
7.1
Textos
............................................................................................................................ 62
7.2
Artculos y seminarios........................................................................................................ 63
-1-
1. INTRODUCCIN:
Leccin 10:
El objetivo perseguido en esta leccin es dar una visin general de las mencionadas
tcnicas de proteccin de semiconductores de forma que el alumno pueda entender su
necesidad e iniciarse en su diseo, adquiriendo los conceptos necesarios para poder
profundizar posteriormente en el tema, a travs de la bibliografa existente.
-2-
En el diseo de los circuitos de potencia son varios los objetivos que deben
permanecer constantemente en la mente del diseador:
Minimizar el tamao del equipo
Mantener un alto rendimiento
Ajustarse al coste que el mercado reclama
A la vista de los cuales parece poco viable el tratar de solventar los problemas de
estrs elctrico (sobretensin, elevadas prdidas en conmutacin, etc.) que aparecen en
aquellos circuitos de potencia donde se incorporan dispositivos semiconductores trabajando
en conmutacin, con la seleccin de un dispositivo capaz de soportar elevadas magnitudes
-3-
-4-
diC
dt
(2. 1)
Debido a que el trmino diferencial es negativo, puesto que el interruptor esta siendo
bloqueado, aparece la sobretensin el colector.
-5-
iB
Vi
D
ta
Io
t
retraso en la conduccin de (D)
uC
td
t
iC
recuperacin inversa
(D)
t
Figura 2.2 Conmutacin de un transistor bipolar con carga inductiva
PON =
t
1
Vi Io ON
2
T
POFF =
t
1
Vi Io OFF
2
T
( Encendido)
(2. 2)
( Apagado)
(2. 3)
-6-
donde tON y tOFF se corresponden con la duracin de cada etapa en el proceso de encendido
y apagado respectivamente.
encendido
apagado
iC
iC
Pmax
Pmax
uCE
uCE
Nos encontramos por lo tanto con un serio problema al que se presentan varias
soluciones. Una de ellas consistir en incorporar redes de ayuda a la conmutacin pero no
es la nica, tambin podramos acudir a topologas capaces de incorporar los elementos
parsitos presentes en el circuito como parte integrante de la propia topologa de potencia,
estaramos haciendo referencia a los convertidores de tipo resonante, cuasi-resonante
conmutados a corriente cero (ZCS) o a tensin cero (ZVS), o bien a los convertidores con
transiciones resonantes (ZVT) como ejemplos ms caractersticos.
Centrndonos en los snubbers, stos consiguen reducir el estrs elctrico en los
semiconductores durante el proceso de conmutacin cuando trabajan en un convertidor
electrnico, de varias formas:
1. Limitando el pico mximo de tensin aplicado al interruptor durante el
transitorio que aparece en el proceso de apagado.
-7-
L
lS
RED
C
RED
Q
a)
b)
-8-
-9-
corriente
Reducen la potencia disipada y el estrs en el interruptor durante el encendido
Reduce el efecto del pico de recuperacin inversa del diodo
-10-
D
L
R
Cf
L
D
C
Vcc
a)
b)
-11-
I MAX
PMAX
SOA
Avalancha 2
aria
VMAX
V
CC
CE
-12-
Ls
R
Cp
C
Ls
Cp
C = ( 2 4) C P
(3. 1)
(3. 2)
Los valores de R y C estimados mediante las expresiones (3.2) y (3.2) pueden ser
considerados en la prctica como punto de partida, para posteriormente ser ajustados
experimentalmente. A continuacin estudiaremos con ms profundidad el clculo de este
tipo de snubber .
-13-
iL
Df
Vd
L
RS
Io
vdf
CS
Para facilitar el estudio del circuito previo, vamos a considerar que la evolucin de la
corriente a travs del diodo es la indicada en la figura 3.5. Tambin consideraremos que el
apagado del diodo se produce instantneamente una vez alcanzada la corriente mxima
durante el pico de recuperacin inversa del diodo.
-14-
iDf
di
V
= d
dt
L
Io
t
Irr
Figura 3.5 Evolucin de la corriente durante el apagado del
diodo Df
iL
iC
vDf
Vd
-
Df
Cs
Rs
+
uCs
-
Con estas hiptesis de partida, podemos plantear la ecuacin diferencial que rige el
comportamiento del circuito anteriormente indicado (fig. 3.6):
-15-
di L
+ v C S = Vd
dt
(3. 3)
dv C S
dt
= i L
(3. 4)
i L (t ) = I rr cos( wO t ) +
Vd
sen( wO t )
Zo
v C S (t ) = Vd Vd cos( wO t ) + I rr Z O sen( wO t )
(3. 5)
(3. 6)
siendo
wO =
1
L C S
; Zo =
L
CS
(3. 7)
I
= L rr
Vd
(3. 8)
-16-
v C S (t ) = Vd (1 cos(wO t ) ) +
C base
sen( wO t )
CS
(3. 9)
siendo el valor mximo de la tensin que soportara el diodo (asumiendo que RS=0):
C
VC S , max = Vd 1 + 1 + base
CS
(3. 10)
A la vista de esta ltima ecuacin, podemos afirmar que valores reducidos del
condensador CS provocaran elevadas sobretensiones en el diodo. Las formas de onda
de la corriente y la tensin en el condensador CS pueden verse en la figura 3.7.
VCs,max
vCs
iL
Irr
0
t
Figura 3.7 Evolucin de la corriente y tensin en CS
Puesto que el circuito considerado no presenta ninguna resistencia serie (RS=0), las
oscilaciones de tensin y corriente que aparecen no estn amortiguadas y si el circuito
-17-
El circuito equivalente que se propone en la figura 3.6 sigue siendo vlido, pero
considerando ahora la presencia de RS. Las expresiones que definen dicho circuito son:
Vd = L
di L
dt
v df (t ) = R S i L
v df (t )
1
i (t ) dt
C S L
(3. 11)
(3. 12)
L C S
d 2 v df
dt 2
+ RS CS
dv df
dt
+ v df = Vd
(3. 13)
Las condiciones iniciales tanto para la bobina como para el condensador siguen
siendo las ya mencionadas previamente, vc(0)=0, iL(0)=Irr. Resolviendo la ecuacin (3.13)
se deduce la evolucin temporal de la tensin en el semiconductor vdf :
I
w
wC S
(3. 14)
-18-
=
dv df (t )
dt
RS
2 L
w = w O2 2
(3. 15)
w2 2
= (Vd R S I rr ) 2 cos wt +
sen wt e t + rr e t cos wt sen wt e t
w
CS
w
(3. 16)
WR =
1
1
L I rr2 + C S Vd2
2
2
(3. 17)
WC S =
1
C V2
2 S d
(3. 18)
Wtot = WR + WCS =
C
1
L I rr2 1 + 2 S
C base
2
(3. 19)
-20-
-21-
CS
D
N1
CO
N2
VO
Vd
a)
Rs
CS
iL (0)=I rr
iL
Vd(N2/N1)
RS
D
Vd(N2/N1)+V O
CS
VO
b)
c)
Rs1
CS1
LO
+
Vd
D1
N2
VO
N1
N2
D2
Rs2
CS2
a)
Rs1
CS1
2L
LO
D1
Vdrt
iL(0)=Irr
RS2
+
VO
D2
2Vdrt
CS2
VCs2(0)=0
Vdrt
D2
c)
L
Rs2
CS2
b)
Figura 3.11 a) Rectificador con transformador de toma media, b) circuito equivalente desde el
secundario, c) circuito equivalente despus de apagarse el diodo D2.
-23-
D1
LO
R
Io
-24-
-25-
VS
CARGA
D1
Im
D
OFF
R
Q
ON
Antes del apagado del transistor, la corriente que esta conduciendo consideraremos
que tiene el valor Im, y la tensin que soporta ser cero. Durante el apagado del transistor, la
corriente de colector (iC) se reduce linealmente hasta su completa extincin, por lo que la
corriente (Im-iC) circular a travs del diodo D cargando el condensador del snubber C.
-26-
En la figura 3.14 se muestran las tres posibles evoluciones que podemos encontrar
durante el apagado del transistor, dependiendo del valor que tome el condensador del
snubber.
Im
vC
VS
iC
a)
tfi
vC
VS
Im
b)
iO
iC
t
tfi
vC
Im
VS
vo
c)
tfi
iC
t
carga antes de que se haya extinguido la corriente por el transistor (C de reducido valor) o
en caso contrario se alcanzar la tensin mxima despus del bloqueo total del transistor.
Tenemos por lo tanto tres posibles situaciones:
a) Condensador C se carga instantneamente (C tiene un valor despreciable)
W=
1
V I t
2 S m fi
(3. 20)
VS
VS
Im
D1
Im
D
+
iC
iC
VS
-
0<t<
<t<tfi
-28-
iC =
Im t
t fi
o<t
(3. 21)
v C = v CE =
I t2
1 t
i C dt = m
C 0
2 C t fi
0<t
v C = VS
t >
(3. 22)
A partir de esta igualdad (3.22) podemos deducir el tiempo () necesario para cargar
el condensador C hasta la tensin de alimentacin VS :
2 C t fi VS
Im
(3. 23)
Ante esta situacin el proceso de carga del condensador C pasa por las dos etapas
que aparecen en la figura que se muestra a continuacin:
-29-
VS
VS
Im
Im
D
D
+
iC
vC
-
tfi<t<
0<t<tfi
vC = vCE =
I t2
1 t
{0 < t t fi }
iC dt = m
C 0
2 C t fi
vC =
I m t fi
2C
Im
(t t fi ) {t fi < t < }
C
(3. 24)
VS C 1
+ t fi
Im
2
(3. 25)
-30-
Despus del apagado del transistor, el condensador se carga a la tensin del bus VS.
Esta energa se disipa posteriormente sobre la resistencia del snubber al activar el transistor.
No obstante existe un rango de valores de C en el cual las prdidas totales
snubber+transistor son inferiores a las prdidas que presentara el transistor sin dicho
snubber.
k=
t fi
(3. 26)
Para evaluar las prdidas consideraremos como en el apartado anterior dos casos
posibles:
a) C se carga en un tiempo inferior a tfi (valor de C es reducido)
t fi
t fi
Wt = u CE (I m i C ) dt = u CE (I m i C ) dt + VS (I m i C ) dt
(3. 27)
-31-
1
4
k2
I m VS t fi 1 k +
2
3
2
(3. 28)
WC = uC iC dt =
0
k2
1
I m VS t fi
2
2
(3. 29)
WT = Wt + WC =
1
4
I m VS t fi 1 k + k 2
2
3
(3. 30)
En este caso (ver fig.3.14) podemos seguir los mismos pasos indicados en el
apartado a) para deducir:
- Energa disipada en el transistor:
Wt =
I m VS t fi
6 (2 k 1)
2
(3. 31)
WC =
1
1
I m VS t fi k
2
2
(3. 32)
-32-
1
WT = Wt + WC = I m VS t fi
2
k2 k + 1
3
k1
(3. 33)
-33-
k opt =
2
=
t fi 3
(3. 34)
C opt =
2 I m t fi
9 VS
(3. 35)
durante el encendido del transistor, por lo que sta ha de soportar sin deteriorarse la
potencia:
PR =
1
C VS2 f C
2
(3. 36)
-34-
2. Por otra parte para obtener un funcionamiento correcto del snubber, se ha de dar
R=
t ON ( minimo )
(3. 37)
5C
3. Tambin hay que tener en cuenta el pico de corriente que aparece en el instante
inicial de la descarga de C sobre el interruptor, ya que ste se suma a la corriente del
transistor durante el encendido.
I pico =
VS
+ I m < I MAX transitor
R
(3. 38)
-35-
iC
Im
k=0
ON
aumentando
CS
k<1
k=1
IO
k>1
VCE
VO
VS
OFF
D1
Im
iLs(t)
D
+
Q
vC
-
-36-
Para describir el modo de trabajo de este tipo de snubbers, nos fijaremos en la figura
anterior. Inicialmente el transistor esta conduciendo y la tensin en el condensador
permanece a VS hasta que el transistor se apaga (suponiendo un tiempo de cada de la
tensin en l despreciable). En este momento la corriente a travs de la inductancia parsita
L es precisamente la corriente que circula por la carga inductiva Im. El circuito equivalente
que resulta es el mostrado en la figura 3.20.
VS
D1
VS
Im
LS
vC
Im
iR(t)
iL (t)
iR(t)
+
Q
D1
iL (t)
iL (t)
LS
VS
LS
R
D
iC(t)
+
vC
a)
vC
-
b)
Figura 3.20 Circuitos equivalentes durante el apagado del transistor: a) D conduce, b) D pasa al estado
de bloqueo
VS = v C (t ) + L
iC (t ) = i L (t ) +
di L (t )
dt
VS vC (t )
R
(3. 39)
(3. 40)
-37-
i L (t ) = I m
w o t
e cos( wt )
w
(3. 41)
Im
e t sen( wt )
wC
(3. 42)
v C ( t ) = VS +
siendo
=
1
;
2RC
wo =
1
L C
w = w O2 2 ; = arctg
w
(3. 43)
Una vez que el diodo D deja de conducir el condensador del snubber comenzar a
descargarse sobre la resistencia R hasta alcanzar nuevamente la tensin de alimentacin VS.
iCE(t)
Im
ON
OFF
t
iL (t)
Im
t
VC(t)
VS
VC
DON
DOFF
t1
-38-
v C = v C max VS = I m
L
C
(3. 44)
de donde podemos deducir el valor del condensador C adecuado para obtener una
sobretensin mxima admisible (vC) en el condensador y por tanto en el transistor:
I m2
C = L 2
v C
(3. 45)
R=
TOFF t1
5C
(3. 46)
PR =
1
L I 2 f
2 m S
(3. 47)
-39-
VS
CARGA
D1
Im
iLs(t)
LS
Aunque existe la alternativa de utilizar solamente una bobina y una resistencia para
configurar un circuito de ayuda al encendido (LR), debido a su escasa utilidad en circuitos
de potencia por las elevadas prdidas que genera, estudiaremos el snubber RLD mostrado
en la figura 4.1.
-40-
sobre la resistencia R.
-41-
iC
Im
VS
a)
vC
t
tfv
iC
Im
VS
b)
VO
vC
t
tfv
iC
VS
Im
Io
c)
tfv
vC
t
W=
1
V S I m t fv
2
(4. 1)
V S v C (t )
VS t 2
dt =
LS
2 LS t fv
0
t
iC =
(4. 2)
En este caso el proceso de carga de la bobina LS pasa por dos etapas. Durante el
intervalo o<t<tfv se carga soportando la tensin VS-vC(t) ya que el transistor no esta
totalmente saturado. En la segunda etapa tfv<t< el transistor esta completamente
saturado por lo que la bobina continua cargndose hasta alcanzar la corriente Im, la
tensin a la que se ve sometida durante esta segunda etapa es precisamente la
tensin de alimentacin VS. A partir de este momento el circuito queda enclavado
con iC=Im,, y uC=0 hasta que se provoque el bloqueo del interruptor.
-43-
iC = i LS =
VS t 2
1 t
v L dt =
LS 0
2 L S t fv
{0 < t t fv }
iC =
V S t fv
2 LS
VS
(t t fv )
LS
{t > t fv }
(4. 3)
WT =
1
I m VS t fv
2
1 k + k 2
3
(4. 4)
siendo
k=
1
t fv
(4. 5)
1
WT = I m VS t fv
2
k2 k + 1
3
1
k
2
(4. 6)
siendo
-44-
k=
>1
t fv
(4. 7)
Como vemos son las mismas frmulas que para el snubber de apagado, por lo que
las prdidas totales mnimas se obtendrn tambin cuando kopt=2/3. El valor de
inductancia que se obtiene es esas condiciones es:
L S opt =
2 VS t fv
9
Im
(4. 8)
1
L S I m2 f s
2
(4. 9)
R=
5 LS
t OFFmin
(4. 10)
(4. 11)
-45-
iC
VO
Im
k=0
ON
aumentando
LS
IO
k<1
k=1
k>1
VCE
VS
OFF
VS
CARGA
D1
Im
LS
vC
iC
iLs(t)
D
i=
VS
t2
2 L S t fv
tfv
Q
-46-
iC
Im
ON
VO
k=0
V CE
VS
OFF
Figura 4.5 Trayectoria de la corriente y tensin en el
interruptor del snubber con inductancia saturable.
-47-
VS
CARGA
D1
Im
iLs(t)
RS
LS
DS
CS
Los componentes de este circuito LS, CS, RS se disean siguiendo los pasos
anteriormente indicados para cada tipo de snubber considerado por separado. La potencia
que ahora ha de disipar la resistencia RS depende de la energa almacenada por los dos
elementos reactivos, es decir:
PRS =
1
L S I m2 + C S V S2 f S
2
(5. 1)
-48-
6. SNUBBERS NO DISIPATIVOS
Como hemos visto hasta el momento los snubbers disipativos modifican la evolucin
de la tensin y corriente en el interruptor mediante el almacenamiento temporal de energa
en elementos reactivos como, condensador o bobina. Esta energa posteriormente se disipa
en una resistencia. Cuando el circuito trabaja en altas frecuencias las prdidas generadas
pueden llegar a ser inaceptables, desaconsejando el uso de los snubbers disipativos.
Los principios bsicos de los snubbers no disipativos coinciden en general con los
mencionados anteriormente para los disipativos. Aunque son numerosas las topologas que
has sido desarrolladas en este campo, nos centraremos en algunos ejemplos donde no se
incluyen elementos activos, como transistores.
6.1 Snubber no disipativo de tensin
-49-
VS
CARGA
Df
DC
Im
CO
DO
DS
CS
VS
VS
CARGA
Im
CARGA
Im
vCo(0)=0
-
CO
i
CO
CS
+
vCs(0)=VS
DO
vCo(0)=0
-
CO
DO
vCo(0)=nVS
CS
vCs(0)=VS
-
+
Q
vCs=0
-
b)
a)
CS
c)
-50-
Inicialmente nos encontramos con que los diodos Df, DC y DS estn polarizados
inversamente por lo que resolviendo el circuito resonante de la figura 6.2(b) obtendremos la
evolucin de la corriente a travs de la bobina y de los dos condensadores:
i=
VS
sin (wt )
Z
(6. 1)
donde
Z = 1 + Z O
n
(6. 2)
w = 1 +
(6. 3)
wO =
n=
ZO =
1
wO
n
1
L CO
CS
CO
L
CO
(6. 4)
(6. 5)
(6. 6)
v C S = V S 1
(1 cos(wt ))
1+ n
(6. 7)
-51-
v CO =
VS n
(1 cos(wt ))
1+ n
(6. 8)
n
1
Si n1, CS se descargar hasta alcanzar cero voltios quedando enclavado a ese valor
por la presencia del diodo DS, mientras que CO continua cargndose hasta que la corriente
por la bobina se anule. La evolucin de la corriente durante esta ltima etapa definida por el
circuito equivalente de la figura 6.2(c) puede expresarse como:
2
VS
1 1 n
i=
sin (wO t + ) = tan
ZO
n
(6. 9)
VCO ( MAX ) = n VS
(6. 10)
-52-
iCo(t)
VS
Im
(1 n ) V
2
cos -1(-n)
wt
vCs(t)
VS
wt
vCo(t)
n V S
n V S
wt
VS
CARGA
Df
DC
Im
CO
DS
DO
CS
-53-
Durante el tiempo tfi el circuito evolucionar por tres etapas que describiremos a
continuacin:
- Etapa I
Inicialmente DC no conduce puesto que al estar CS descargado la tensin anodocatodo en dicho diodo es negativa. Por lo tanto tenemos al condensador CS cargndose a
travs del diodo DS tal y como se estudi en el apartado 3.2.2.b. DC entrar en conduccin y
provocar el paso a la etapa II cuando la tensin en CS =(1-n)VS, mientras tanto, CO se
mantiene con la tensin (n)VS. La evolucin de la tensin en CS es la siguiente:
VC S =
Im
t2
2 C S t fi
(6. 11)
Etapa II
CARGA
DC
Im
CO
DO
VCo (0) = n V S
DS
iCE
iT
Im
tfi
+
CS
VCs (0) = 1 n VS
-54-
I m = iCO + iC S + I m
(6. 12)
t
1
t
fi
(6. 13)
siendo tO el tiempo que dura la etapa I y tfi el tiempo que tarda en extinguirse la corriente
(iT) en el transistor. Las evoluciones de la tensin y corriente que resultan vlidas en esta
etapa son:
vC S =
n I m t 2 t O2
+ 1 n VS
n + 1 C S 2 t fi
(6. 14)
n
t
Im
n +1
t fi
(6. 15)
iC S =
iC O =
i CS
n
(6. 16)
VS
Im
CARGA
CO
DC
DO
DS
CS
Etapa I
Im
n VS
iT(t)
Etapa II
Etapa I
VS
vCo(t)
Im
n V S
IO
VO
iT(t)
Etapa II
Etapa III
VS
vCo(t)
IO
vCs(t)
VO
tO
tfi
vCs(t)
tO
tfi
Figura 6.7 Evolucin temporal de la corriente en el transistor y las tensiones en los condensadores CS y
CO
-56-
(6. 17)
I m = iC O + iC S
(6. 18)
n
Im
n +1
iC O =
i CS
n
(6. 19)
(6. 20)
Puesto que la energa almacenada por los condensadores se recupera sin que sea
disipada en ningn elemento resistivo, el circuito no presenta una limitacin en cuanto a
poder utilizar valores elevados en los condensadores, y cuanto mayor sean estos, menores
prdidas aparecern durante el apagado. El problema se presenta debido a que con niveles
de corriente bajos en la carga, el tiempo de descarga del condensador CO puede ser elevado
limitando el correcto funcionamiento del snubber.
6.2 Snubber no disipativo de corriente
Aunque son varias las posibles topologas que cumplen con la funcin de suavizar la
evolucin de la corriente en el transistor, a modo de ejemplo analizaremos la indicada en la
figura 6.8.
VS
CARGA
Df
Im
DS
lp
lS
iC
isec
+
Vsec
-
1:N
Uno de los mtodos ms sencillos para recuperar la energa de una bobina consiste
en incorporar en el dispositivo magntico un devanado adicional (fig. 6.8). Esto nos permite
enviar por medio del segundo devanado la energa almacenada en el primario a cualquier
punto del circuito y controlar la sobretensin en el interruptor mediante la relacin de
espiras y la tensin sobre la que se descarga el inductor.
VCE = VS 1 +
N
(6. 21)
(6. 22)
Vsec
VS
Isec
-NVS
Im/N
IC
Im
t
VC
(1+1/N)VS
VS
ON
OFF
t
-59-
t ft = l p
Im
N
VS
(6. 23)
A la vista de la expresin anterior podemos decir que cuanto menor sea la relacin
de transformacin N menor ser el tiempo empleado en la descarga de la bobina lp a travs
del secundario y mayor podr ser la frecuencia de conmutacin del transistor. En el anlisis
se supone que el tiempo de cada de la corriente en el colector es despreciable comparado
con la descarga del ncleo magntico. La conclusin que podemos obtener en cuanto a la
seleccin de la relacin de transformacin N es que se ha de acudir a una solucin de
compromiso que depender de cada caso en concreto.
-60-
eficientemente con convertidores de alta potencia donde los tiempos de subida y bajada son
altos incluyndose tambin un snubber de tensin.
6.3 Snubber no disipativo unificado
VS
CARGA
Df
Dr
Im
CO
LS
DO
DS
CS
-62-
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