PRCTICA 3: Caracterizacin de componentes activos. Diodos semiconductores.

1. Objetivos
Mediante el desarrollo de esta prctica se pretenden lograr los siguientes objetivos:

Identificacin de los diferentes tipos diodos semiconductores.

Interpretacin del cdigo marcado por el fabricante sobre el cuerpo.
Extraccin y verificacin de las caractersticas tcnicas de los diodos.
Simulacin y realizacin prctica de circuitos electrnicos basados en diodos.

Para ello, se va a dividir el desarrollo de la prctica en las siguientes fases:

Identificacin e interpretacin de los diodos semiconductores.

Obtencin de las caractersticas tcnicas.
Montajes de aplicacin.

Al finalizar la prctica, el alumno deber entregar como memoria los resultados obtenidos, para
lo que se proporcionan unas tablas o figuras para cada apartado. Debern incluirse tambin las
simulaciones resueltas, as como un apartado final de conclusiones, donde se comentarn los
aspectos que el alumno considere ms significativos del desarrollo de la prctica.

2. Conocimientos previos necesarios

Para la realizacin de esta prctica es conveniente repasar los contenidos tericos desarrollados
en el captulo correspondiente a Diodos Semiconductores de la asignatura de Dispositivos
Electrnicos.
Algunos conocimientos de inters que conviene recordar son:

Estructura y simbologa
Curva caracterstica I-V de un diodo (idealizaciones)
o Valores lmites
o Tensin umbral
o Tensin Zner
o Intensidad inversa de saturacin
o Resistencia esttica y dinmica
o Circuitos equivalentes en cada tramo
Polarizacin
o Directa
o Inversa
Clculo del punto de trabajo
Comportamiento de un diodo en rgimen dinmico (conmutacin)
o Tiempos de conmutacin
o Capacidades en la unin
o Modelo equivalente
Tipos y aplicaciones de los diodos

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3. Identificacin
3.1. Estructura y simbologa
Un diodo semiconductor de estado slido es un componente electrnico fabricado a partir de un
material base semiconductor sobre el que se difunde una unin P-N.
El terminal correspondiente a la zona P se denomina nodo (A) y el correspondiente a la zona
N, ctodo (K).
En la figura 1 queda reflejada la constitucin de una unin P-N, el smbolo genrico utilizado
para representar un diodo, as como la caracterstica I-V del mismo.
De manera terica, con algunas idealizaciones y aproximaciones, puede obtenerse que:
I = IS(eqV/KT -1)
Con:

I y V: intensidad y tensin por el diodo en sentido nodo-ctodo.

IS: intensidad inversa de saturacin.
KT/q = 0,026(T/300) Volts.: potencial trmico (T viene dado en K).

Ge Si

IFM

I
K

VRM

V
IS V

nodo

Ctodo

Figura 1. Estructura y simbologa

3.2. Codificacin
En la codificacin de diodos se distinguen tres cdigos fundamentales, que son:

Europeo (PROELECTRN)
Americano (JEDEC)
Japons (JIS)

Habitualmente se utiliza la codificacin europea o americana.

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Cdigo europeo (PROELECTRN)

Dispone de dos o tres letras seguidas de un nmero (que tambin puede tener alguna
letra intermedia).
La primera letra indica el material utilizado (A Germanio, B Silicio). Las otras
letras son relativas a la aplicacin. (vase anexo-hojas caractersticas).

Cdigo americano (JEDEC)

El cdigo americano empieza con 1N (una unin) seguido de un nmero sin ninguna
significacin especial que no sea de identificacin en catlogo.

Evidentemente estas distintas codificaciones dan lugar a que diodos con cdigos diferentes
puedan ser equivalentes (caractersticas similares).

3.3. Tablas de identificacin

Con ayuda de la plantilla de diodos, de los catlogos y de las hojas caractersticas compltese la
tabla de resultados (T1).

TABLA T1- Identificacin de diodos.

CDIGO

1N4007

OA90

1N4747

1N4148

BZX55C5V1

TIPO
(Ge/Si )
FABRICANTE
IF ( mA )
VRM ( v )
P ( mW )
Tjmax (C)
IZ max ( mA )
VZ ( v )
T (%)
Cp ( pF)
EQUIVALENTE
CPSULA
APLICACIONES

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4. Obtencin de caractersticas
Una vez realizada la identificacin de algunos diodos se procede en este apartado a obtener la
caracterstica I-V y los tiempos de conmutacin de alguno de ellos.
Para ello es necesario utilizar:
Pspice
Trazador de curvas
Osciloscopio

4.1. Curvas caractersticas I-V

En este apartado se pretenden obtener las curvas caractersticas de diversos diodos, tanto en
simulacin (Pspice), como de forma prctica (trazador de curvas).

4.1.1. Simulacin
Mediante el Pspice obtngase la curva caracterstica I-V de los siguientes diodos:

1N4002
1N4148
1N750

Para obtener la curva caracterstica I-V en simulacin es necesario realizar un DC sweep del
generador de tensin V1.
1. Implementacin del montaje
R1

R1

1k

1k

V1

V1

0Vdc

D1

0Vdc

D2

D1N4148

D1N750

1N4148

1N750

2. Configuracin parmetros de simulacin (DC sweep):

Ajuste de los parmetros de barrido a las caractersticas de los diodos
1N4002, 1N4148: Barrido entre -2 y +2 volts.
1N750: Barrido entre -10 y +2 volts.
Incremento: 0.01 volts

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3. Resultados simulacin: Curva caracterstica I-V

Seleccionar VD como variable del eje X (plot axis settings).
1.5mA
I(D1)
1.0mA

Curva I-V
1N4148

0.5mA

0A

-0.5mA
-2.0V

-1.6V

-1.2V

-0.8V -0.4V
V1(D1)

0V

0.4V

0.8V

10mA

1N4148
Curva
I-V
1N750

0A

-10mA
-5.0V
I(D1)

-4.0V

-3.0V

-2.0V

-1.0V

-0.0V

1.0V

V1(D1)

4.1.2. Trazador de curvas

Utilizando el trazador de curvas, obtngase la curva caracterstica I-V de los siguientes diodos:

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1N4007
1N4148

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4.2. Tiempos de conmutacin

En este apartado se pretenden obtener los tiempos de conmutacin de un diodo, tanto en
simulacin (Pspice), como de forma prctica (osciloscopio). La figura 2 muestra el montaje a
realizar.
R=1K
Generador
de
funciones

VE

VD

Diodo

VE canal 1 del osciloscopio

VD canal 2 del osciloscopio
V
VE

VD
t

tfr tiempo recuperacin directo

trr = ts + tt tiempo recuperacin inverso
tfr

ts t t
Figura 2. Tiempos de conmutacin

Para visualizar los tiempos de conmutacin es necesario seleccionar una seal de entrada con
una frecuencia tal que permita visualizarlos correctamente. La figura 3 muestra la seal de
entrada propuesta. En el caso de una visualizacin defectuosa de los mismos modifquese la
frecuencia de dicha seal hasta una correcta visualizacin.

VE(t)
5v
t
-5v
T=10us
Figura 3. Seal de entrada para visualizar los tiempos de conmutacin.

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