FABRICACIN DE UN CIRCUITO INTEGRADO

En un circuito integrado monoltico los componentes estn en una sola pastilla de silicio. Para
fabricarlo se parte de una lmina de silicio llamada "oblea" la cual est dividida en un gran nmero
de plaquetas o chips, cada uno de los cuales va a constituir un (CI), por lo que con una sola oblea
se puede fabricar a la vez muchos (CI)
Se suele partir de un semiconductor tipo P y por la tcnica epitaxial se coloca encima una capa de
silicio tipo N.
Para esto se usa un horno epitaxial. Esto asegura que la regin tipo N que se aade tenga una
estructura de un solo cristal, igual que la regin tipo P.
Luego, se coloca una capa de xido a la oblea, para esto se introduce en un horno de oxidacin
formndose una capa delgada de dixido de silicio (SiO2) que recubre a la oblea y su funcion ms
importante va ser la de proteger al circuito contra la contaminacin.
La siguiente etapa se llama fotoproteccin. Consiste en colocar una sustancia orgnica que sea
sensible a la luz ultravioleta, llamada fotoprotector, sobre la capa de xido.
En esta capa se pone una mscara que tiene unas ventanas opacas en la zona donde se va a
realizar la siguiente difusin (por ejemplo, se quiere integrar un transistor NPN se tiene que tener
bien definidas tres regiones: el colector, la base y el emisor. Estas tres zonas determinarn cmo
ser la mscara y dnde tendr las ventanas opacas). Se expone la oblea a rayos ultravioleta y el
barniz fotosensible que haba debajo de las ventanas opacas se va a eliminar y va a aparecer la
capa de dixido de silicio.
Despus se ataca a la oblea con cido fluorhdrico y las zonas de SiO 2 que han quedado al
descubierto se van a destruir quedando ahora al descubierto la capa de material tipo N.
El siguiente paso es realizar una difusin tipo P. Se pone la oblea en un horno de difusin y se
dopa con una gran cantidad de impurezas tipo P. As convertimos en tipo P la zona que queda al
descubierto de la capa epitaxial tipo N. Debido a esto se consigue aislar una zona tipo N, que ha
quedado rodeada por semiconductor tipo P y por dixido de silicio.
Se repite el proceso de oxidacin y de fotoproteccin y se colocan unas mscaras diferentes.
Para conectar todas las regiones "n" y "p" se usa una pelcula delgada de un material conductor.
Se pone de nuevo una capa de oxidacin y un fotoprotector y la mscara que pone ahora tiene
ventanas que van a permitir que se realicen las conexiones elctricas, Despus de realizar la
metalizacin y una vez que las conexiones elctricas se hayan hecho, se cortan los diferentes
chips de la oblea.
Despus de separarlos, se realizan las conexiones necesarias de cada chip con los pines de la
cpsula que va a contener el circuito integrado, estas conexiones se realizan soldando hilo de

aluminio muy delgado. Para acabar, se introduce el chip dentro de la cpsula que lo va a proteger,
y as termina el proceso de fabricacin de un CI.