De la arena al silicio

La fabricacin de un chip
Historia ilustrada
Septiembre de 2009

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Arena / Lingote

Arena
Con cerca de un 25% (masa), el silicio es,
despus del oxgeno, el segundo elemento
qumico ms frecuente en la corteza
terrestre. La arena, especialmente el
cuarzo, tiene altos porcentajes de silicio en
forma de dixido de silicio (SiO2) y es el
ingrediente bsico para la fabricacin de
semiconductores.

Silicio derretido
Escala: nivel de oblea (~300 mm).
El silicio se purifica en mltiples etapas para
finalmente alcanzar la calidad de fabricacin
de semiconductor conocida como Silicio de
Calidad Electrnica. El Silicio de Calidad
Electrnica slo puede tener un tomo
extrao para cada mil millones de tomos
de silicio. En esta imagen se puede ver
cmo se produce un gran cristal a partir del
derretimiento del silicio purificado. El
monocristal resultante se conoce como
lingote.

Lingote de Silicio Monocristal

Escala: nivel de oblea (~300 mm).
Se produjo un lingote a partir del
Silicio de Calidad Electrnica. Un
lingote pesa cerca de 100 kilos y tiene
una pureza de silicio del 99,9999%

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Lingote / Oblea

Corte del lingote

Escala: nivel de oblea (~300 mm).
Se corta el lingote en discos de silicio
individuales llamados obleas (wafers).

Oblea
Escala: nivel de oblea (~300 mm).
Se pulen las obleas hasta eliminar todos
sus defectos. La superficie queda lisa
como la de un espejo. Intel compra de
otras empresas esas obleas ya listas para
la fabricacin. El proceso altamente
avanzado de High-K/Metal gate de 45 nm
de Intel usa obleas con un dimetro de 300
milmetros. Cuando Intel comenz a
fabricar chips, la empresa imprima
circuitos en obleas de 50 mm. Ahora la
empresa usa obleas de 300 mm, lo que
resulta en un menor costo por chip.

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Fotolitografa

Aplicacin de la capa
fotoresistente
Escala: nivel de oblea (~300
mm).
El lquido (aqu, de color azul)
que se derrama en la oblea
mientras sta gira es un
acabado fotoresistente similar
al usado para la fotografa de
pelculas. La oblea gira
durante esta etapa para
permitir una aplicacin muy
fina y homognea de la capa
fotorresistente.

Exposicin
Escala: nivel de oblea (~300 mm).
El acabado fotoresistente se expone a la luz ultravioleta
(UV). La reaccin qumica activada por esta etapa del
proceso es semejante a lo que le ocurre a la pelcula de
una cmara en el momento en que se presiona el botn
del obturador. El acabado fotoresistente expuesto a la
luz UV se volver soluble. La exposicin se realiza
usando fotomscaras, que actan como plantillas en
esa etapa del proceso. Cuando se usan con una luz
UV, las fotomscaras crean varios patrones de circuito
en cada capa del microprocesador. Un lente (el del
medio) reduce la imagen de la fotomscara. Por lo
tanto, lo que se imprime en la oblea suele ser cuatro
veces menor linealmente que el patrn de la
fotomscara.

Exposicin
Escala: nivel de transistor (~50-200 nm)
Aunque generalmente se construyan
centenas de microprocesadores en una
nica oblea, de ahora en adelante esta
historia ilustrada se concentrar apenas en
una pequea pieza de un microprocesador:
en un transistor o partes de un transistor.
Un transistor acta como un conmutador,
que controla el flujo de corriente elctrica en
un chip de computadora. Los investigadores
de Intel desarrollaron transistores tan
pequeos que sera posible poner cerca de
30 millones de ellos en la cabeza de un
alfiler.

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Ataque Qumico

Lavado de la capa fotoresistente

Escala: nivel de transistor (~50-200
nm)
Se disuelve completamente la capa
fotoresistente por medio de un
disolvente. Esto revela un patrn de
la capa fotoresistente trazado por la
fotomscara.

Ataque qumico
Escala: nivel de transistor (~50-200 nm)
La capa fotoresistente est protegiendo
el material que no debe ser atacado. El
material revelado se atacar con
productos qumicos.

Eliminacin de la capa fotoresistente

Escala: nivel de transistor (~50-200nm)

Tras el ataque qumico, la capa
fotoresistente se elimina, lo que deja
visible la forma deseada.

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Implantacin de Iones

Aplicacin de la capa fotoresistente

Escala: nivel de transistor (~50-200

nm).
Se aplica y se expone la capa
fotoresistente (de color azul) y la capa
fotoresistente expuesta se lava antes
de la prxima etapa. La capa
fotoresistente proteger el material
que no debe recibir la implantacin de
iones.

Implantacin de iones
Escala: nivel de transistor (~50-200 nm)
Por medio de un proceso llamado implantacin de
iones (una forma de un proceso llamado dopado),
las reas expuestas de la oblea de silicio se
bombardean con varias impurezas qumicas,
llamadas iones. Los iones se implantan en la
oblea de silicio para alterar el modo como el silicio
conduce la electricidad en esas reas. Los iones
se disparan sobre la superficie de la oblea a una
velocidad muy alta. Un campo elctrico acelera
los iones a una velocidad de ms de 300.000 km/
hn

Eliminacin de la capa
fotoresistente Escala: nivel de
transistor (~50-200 nm)
Tras la implantacin de iones, la capa
fotoresistente se eliminar y el
material dopado (de color verde)
ahora tiene tomos externos
implantados (ntense las pequeas
variaciones de color).

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Deposicin de Metal

Transistor listo
Escala: nivel de transistor (~50-200
nm).
Este transistor est casi listo. Se
realizaron tres perforaciones en la
capa de aislamiento (de color
magenta) en la parte superior del
transistor. Estas tres perforaciones se
rellenarn con cobre, que har las
conexiones con otros transistores.

Galvanizacin
Escala: nivel de transistor (~50-200 nm).
En esta etapa, la oblea se coloca en una
solucin de sulfato de cobre. Los iones
de cobre se depositan en el transistor
por medio de un proceso llamado
galvanizacin. Los iones de cobre viajan
desde el polo positivo (nodo) al polo
negativo (ctodo), que est
representado por la oblea.

Despus de la Galvanizacin
Escala: nivel de transistor (~50-200
nm).
En la superficie de la oblea, los iones
de cobre se depositan como una
delgada capa de cobre.

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Capas de Metal

Pulido
Escala: nivel de transistor (~50-200
nm).
Se pule el exceso de material.

Capas de metal Escala: nivel de transistor (seis transistores combinados ~500 nm).
Se crean mltiples capas de metal para la interconexin (como cables) entre los varios
transistores. Los equipos de arquitectura y proyecto que desarrollan la funcionalidad
de los respectivos procesadores determinan cmo esas conexiones necesitan
cablearse (p.ej.: procesador Intel Core i). Aunque los chips de las computadoras
parezcan extremadamente planos, pueden tener, en realidad, ms de 20 capas para
formar un circuito complejo. Si observa la imagen ampliada de un chip, ver una red
intrincada de lneas de circuitos y transistores que parecen un sistema futurista de
carreteras en mltiples capas.

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Prueba de Clasificacin de Oblea / Corte

Prueba de una fraccin de la oblea

Escala: nivel de pastilla (~10mm).

Esta fraccin de una oblea lista est
pasando por una primera prueba de
funcionalidad. En esta etapa, los
patrones de prueba se colocan en
cada chip individualmente; luego se
monitoriza la respuesta del chip y se
compara con la respuesta correcta.

Corte de la oblea
Escala: nivel de oblea (~300 mm).
Se corta la oblea en pedazos, llamados
pastillas (diez).

Descartado de las pastillas con

fallos
Escala: nivel de oblea (~300 mm)
Las pastillas que presenten una
respuesta correcta al patrn de
prueba pasarn a la prxima etapa
(empaquetado).

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Empaquetado

Pastilla individual
Escala: nivel de pastilla (~10 mm).
sta es una pastilla individual que se
cort en la etapa anterior (corte). La
pastilla mostrada corresponde al
procesador Intel Core i7.

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Empaquetado
Escala: nivel de empaquetado (~20 mm).
El sustrato, la pastilla y el disipador de calor
se colocan juntos para formar un procesador
completo. El sustrato verde forma la
interfase elctrica y mecnica para que el
procesador interacte con el resto del
sistema de la computadora. El disipador de
calor plateado es una interfase trmica en la
que se colocar una solucin de
enfriamiento. Eso dejar el procesador fro
durante la operacin.

Procesador
Escala: nivel de empaquetado
(~20mm).
Procesador completo (en este caso, un
procesador Intel Core i7). Un
microprocesador es el producto
manufacturado ms complejo del
planeta. En realidad, pasa por
centenas de etapas, en los ambientes
ms limpios del mundo (las fbricas de
microprocesadores). En esta historia
ilustrada se muestran apenas algunas
de estas etapas.

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Prueba de Clasificacin / Procesador

completo

Prueba de clase
Escala: nivel de empaquetado (~20
mm).
Durante esta prueba final, se probarn
las caractersticas clave de los
procesadores (por ejemplo, la
disipacin de calor y la frecuencia
mxima).

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Agrupamiento
Escala: nivel de empaquetado (~20
mm).
Basndose en el resultado de la
prueba de clasificacin, los
procesadores con las mismas
capacidades se colocan en las mismas
bandejas de transporte.

Empaquetado al por menor

Escala: nivel de empaquetado (~20
mm).
Los procesadores fabricados y
probados (una vez ms, el procesador
mostrado es el Intel Core i7) se
envan a fabricantes de sistemas en
bandejas o a tiendas minoristas en una
caja como la mostrada aqu.

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