Transistores a Efecto de Campo

Prof. Gustavo Snchez

Noviembre, 2004

Abstract
Es un resumen sobre FET (Field Eect Transistor) basado en los textos de
Boylestad y Malik

INTRODUCCIN.
Los FETs son dispositivos de estado slido en los cuales un campo elctrico controla
el flujo de portadores en un canal de conduccin. Al igual que los bipolares, los FETs
pueden funcionar como fuentes dependientes de corriente (amplificadores, electrnica
analgica) o como interruptores controlados (electrnica digital).
Sin embargo, los FETs suelen dar lugar a circuitos ms sencillos debido a que
ocupan menos espacio que los BJT. Por otra parte su resistencia de entrada es infinita.
Una desventaja de los FETs con respecto a los bipolares es su menor ganancia de
amplificacin.
A diferencia de los BJT, los FETs son unipolares debido a que utilizan un solo
tipo de carga para transportar la corriente. Otra diferencia es que los FETs son
controlados por voltaje.

TIPOS DE FET

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL N

La fuente S y el drenador D son regiones fuertemente dopadas difundidas en un

sustrato B (Body) de tipo p. Una compuerta conductora G (Gate) se aisla del silicio
mediante una fina capa de SiO2 Durante el funcionamiento normal activo una
tensin positiva es aplicada entre la fuente y el sustrato, lo cual produce una atraccin
de los conductores de la fuente y el drenador creando un canal de conduccin entre
ellos. Este enriquecimiento de carga negativa ( en este caso ) le da su nombre al
dispositivo.
2

En la mayora de las aplicaciones el sustrato B es conectado direstamente a la

fuente o al punto de voltaje ms negativo (para canal n), para asegurar que las
uniones renador-sustrato y fuente-sustrato se mantengan polarizadas en inversa.
Si se polariza la unin compuerta-fuente G-S de forma que
0 < VGS < VT
la carga positiva de la compuerta repele los huecos creando una regin de deplexin
desde la fuente hasta el drenador.
Para
VGS > VT
la compuerta atrae ms electrones al canal creado, aumentando su conductividad: el
material p se convierte localmente en tipo n!

MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO DE CANAL N

Este tipo de dispositivo se caracteriza por la presencia de un fino canal de impurezas
de tipo n entre la fuente y el drenador, depositado durante su fabricacin. Debido
a esto, ya existe un canal para VGS = 0 . Los valores VGS > 0 incrementan la
conductividad del canal. Los valores negativos provocan su deplexin. Si hacemos
VGS suficientemente negativo el canal deja de existir ! En este caso la tensin de
umbral VT es negativa !
Las ecuaciones de estado y los modelos son idnticos que en el caso del MOSFET
de Enriquecimiento.

Funcionamiento para MOSFET canal n

Estado Ecuacin
Corte

VGS < VT

IDS = 0

Activo

VGS > VT

VDG > VT

Ohmico

VGS > VT

VDG < VT

IDS = k2 [VGS VT ]2

2
IDS = k2 [2(VGS VT )VDS VDS
]

MOSFET DE CANAL P
En los MOSFET de canal p se intercambian los materiales n y p con respecto a
los de canal n. En consecuencia, la direccin de la corriente y las polaridades de las
tensiones se ven invertidas. Por ejemplo, para que exista un canal, en un MOSFET de
enriquecimiento canal p, la tensin de compuerta debe ser lo suficientemente negativa.
Funcionamiento para MOSFET canal p
Estado Ecuacin
Corte

VGS > VT

IDS = 0

Activo

VGS < VT

VDG < VT

Ohmico

VGS < VT

VDG > VT

IDS = k2 [VGS VT ]2

2
IDS = k2 [2(VGS VT )VDS VDS
]