Calculo de la inductancia de una bobina:

La inductancia de una bobina puede ser medida a partir de la siguiente formula:

Donde
L = inductancia (micro henrios);
d = dimetro de la bobina (pulgadas);
l = longitud de la bobina (pulgadas);
n = nmero de espiras o vueltas.
Con esto se puede calcular la inductancia de las bobinas usadas en el dispositivo:
Bobina emisora
la bobina emisora esta construida con 12 vueltas de alambre de calibre 22 awg, un dimetro de
10 cm y con una longitud de 0.8 cm.
Conviertiendo a pulgadas las medidas se tiene:
d = 3.93 pulg
l = 0.314 pulg
n = 12
L = 26.75 uH
Bobina receptora
La bobina receptora esta construida con 30 vueltas de alambre de calibre 22 awg, un dimetro de
8.72 cm y con una longitud de 1 cm.
Convirtiendo a pulgadas las medidas se tiene:
d = 3.433pulg
l = 0.39 pulg
n = 30
L = 137 uH

Diseo del circuito

bobina receptora
T1

T2

Bobina emisora

C5
R2
500k

C4
C3

V1
5V

R1
500k

39nF

220nF

220nF

C2
100F

Q1
MTH30N20
D1
1N4007GP
R4
150k

C1
100F

Q2
MTH30N20
D2
1N4007GP
R3
150k

El diseo del circuito esta basado en un oscilador push pull y un multivibrador astable que
amplifica la potencia en la salida. Circula ms corriente en la bobina aumentando el campo
magntico, esto aumenta la posibilidad de generar una mayor corriente y un mayor voltaje en la
bobina receptora. La funcin de los diodos es regular el voltaje que entra en el gate del mosfet.
En este caso se usaron los diodos 1N4007 que regulan el voltaje tan solo a 0.6 voltios, de otra
forma el circuito se sobrecalentara y los diodos y mosfet se destruiran. En el circuito, cada
mosfet crea la mitad de la onda de salida logrando en la salida una onda completa. La onda
debera ser cuadrada. Las resistencaias ubicadas en paralelo a los capacitores de 100 uF se usan
como divisores de tensin, para minimizar el voltaje de entrada en el gate de cada mosfet. Los
mosfet usados son los 2SK955 que soportan hasta 800 voltios y 20 amperios y tambin soportan
altas frecuencias, pero en el diagrama mostrado no fue posible utilizarlos ya que multisim no los
posee en su base de datos. El ciruito oscila a unos 618 kHz daproximadamente, esto se puede
comprobar mediante la formula


Donde la inductancia es la dicha anteriormente de la bobina emisora que equivale a 26.75 uH
La capacitancia es igual a 2.8 nF aproximadamente. Y la frecuencia varia tambin por el valor de
las resistencias que trabajan en la oscilacin del circuito que se explica a continuacin.
Funcionamiento del circuito:
Al estar basado en la configuracin de un multivibrador astable transistorizado tiene las
siguientes propiedades. Este multivibrador tiene dos estados que son inestables, lo que hace que
el circuito alterna entre los dos estados. En el primer estado el transitor uno esta circulando
mientras que el 2 est en corte, el capacitor que va a Drain del transistor uno (capacitor 1) esta
cargado positivamente mientras que el otro esta cargado negativamente.
Como el mosfet 2 esta en corte, solo circula corriente por el mosfet 1 y se satura, entonces el
capacitor 2 empieza a cargarse y el capacitor 1 a descargarse. Entonces el mosfet 1 queda en
corto. Ahora pasa el mismo proceso de carga y descarga pero con el mosfet 2, cuando el mosfet 1
esta en corte. De este modo comienza la oscilacin de los pulsos que recibe el circuito tanque.
El circuito tanque esta formado por el capacitor de 39 nF y la bobina emisora, la cual consta de
un tap central. Este tap central se conecta a los 5 voltios del circuito, esto sirve para la
alimentacin de ambos mosfet. La bobina emisora recibe los pulsos enviados por los mosfet y los
emite como si fuera una antena creando as el campo magntico
Pruebas con anteriores diseos
La primera prueba se realiz con un circuito oscilador colpitts. El oscilador colpitts es muy
estable cuando trabaja a altas frecuencias como son las radio frecuencias en adelante. El
problema con este circuito es que no produce una buena potencia de salida y por lo tanto la
bobina emisora no produca un campo magntico los suficientemente fuerte para inducir la
suficiente corriente a la bobina receptora. El celular no carg.

Circuito oscilador Colpitts

Circuito final

Circuito rectificador

En el circuito rectificador se utiliz un rectificador con tap central, donde el voltaje de salida es
de 11 V. Un regulador de voltaje de 5V y ut capacitor de 1000 uF. Al conectar el celular el
voltaje cae a 3.8 voltios.

Observaciones

Al usar una fuente de 12 voltios con unos mosfet tipo IRFZ44N y diodos zener de 12 V,
los mesfet se recalentaban y por la alta corriente los diodos quedaban en cortocircuito por
lo que quedaron inservibles. Los mosfet tambin quedaron inutilizables.
Al usar una fuente de 12 voltios los mosfet tipo 2SK955 se recalientan y es obligatorio
colocarles disipadores de calor que puedan manejar esas altas temperaturas.
Se us el mutimetro fluke 87 para las mediciones de voltajes y corrientes. En los
primeros diseos, como la frecuencia era baja, se pudo medir sin dificultad los valores en
AC del voltaje RMS de las bobinas; pero al medir voltajes en el circuito final no se
pudieron apreciar los valores reales de los voltajes, en especial el voltaje de la bobina
receptora. Lo mismo ocurre con la corriente AC que circula en el circuito.
Se utiliz un rectificador tipo NTE 6241 que trabaja con tap central, por lo que en la
bobina emisora tuvo que adicionarse dicho tap central. El rectificador NTE 6241 trabaja
con altas frecuencias y puede soportar hasta 600 V como se muestra en su hoja de datos.
Al conectar el celular el voltaje de 5 voltios que da el circuito rectificador cae a 3.8
voltios suficientes para cargar el celular, pero con una corriente muy inferior a un
cargador convencional de 4 mA.

Bibliografa
http://www.nteinc.com/specs/6200to6299/pdf/nte6241.pdf