Universidad Nacional De Colombia

Facultad De Ingeniera
Departamento De Ingeniera El ectrica Y Electr onica
Electr onica
An aloga I
2014-I
El transistor MOSFET. Caracterizaci on y
aplicaci ones en compuertas logicas digitales
1. Objetivos
1.1. Objetivo General
Vericar el comportamiento fsico del transitor MOSFET y algunas aplicaciones.
1.2. Objetivos especcos
Caracterizar el transistor MOSFET en terminos de su curva caracterstica.
Aplicar las propiedades del transistor mosfet en el dise no, implementacion y vericacion de circuitos logicos
digitales.
2. Materiales e Instrumentos Requeridos
1 Osciloscopio de 2 Canales.
1 Generadores de se nal con resistencia de salida de 50 .
1 Multmetro Fluke.
1 Fuente Dual.
3 Sondas.
Resistencias de 1/4 [W] (seg un calculos)
Transistores MOSFET canalN de enrriquecimiento (de preferencia en chip, por ejemplo TC4007).
3. Practica
ESTA PRACTICA EST

A DISE

NADA PARA DESARROLLARSE EN UNA (1) SESI

ON DE LABORATORIO,
se divide en 2 partes. Cada una de ellas implica trabajo previo al da de la practica y en el da de la practica.
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3.1. Caracterizaci on de el transistor MOSFET usandolo como fuente de corriente
Modelo SCS(Switch Current Source)
Previo al da de la practica
Analice el circuito de la gura 1 y responda las siguientes preguntas:
Que funcion cumple el diodo dentro de este circuito?
Por que la fuente de excitacion es alterna y triangular?
Para que se mide la se nal en los dos canales y que se mide en cada uno de ellos?
Por que se tiene un potenciometro antes del Gate, cual es su funcion?
Como se puede caracterizar el transistor MOSFET mediante el uso de este circuito?
Que forma tendra la curva caracterstica de transistor (I
D
vs. V
DS
)?
Figura 1: Circuito en conguracion de transistor mosfet como fuente de corriente
El da de la practica
1. Obtenga la graca I
D
vs. V
DS
en el osciloscopio, comparela con sus predicciones.
2. Mida Vt variando el voltaje de Gate hasta el punto en el cual la corriente recien comienza a uir en el terminal
drain de su dispositivo.
3. Graque en el osciloscopio la curva caracterstica del Mosfet para 5 valores distintos de VGS. Etiquete
sus ejes con la corriente ID en mA.
4. Encuentre k

W/L a partir de una de estas curvas en la region de saturacion.

5. Disminuya la amplitud del voltaje V
DS
(entrar a la region triodo) y encuentre la Resistencia lineal R
DS
para un
valor especco de V
DS
por ejemplo. V
DS
= V
t
+ 1. Compare sus resultados con la teora.
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Figura 2: Uso del transistor mosfet en circuitos logicos digitales
3.2. El Mosfet como un Switch Modelo S
Previo al da de la practica
1. Investigue acerca de las familias logicas NMOS, PMOS y CMOS. Especique cuales son las diferencias entre las
diferentes familias e indague en el porque se usara la familia NMOS en esta practica.
2. Teniendo en cuenta el diagrama mostrado en la gura 2. Identique los valores de salida de cada circuito ante las
posibles entradas (Tabla de verdad) considerando que el switch S se comporta como un circuito abierto (OC)
cuando la se naal de control es cero y como un circuito cerrado (SC) en caso contrario.
3. Investigue cual es el circuito (incluyendo en mosfet) y el nombre de la compuerta que genera la siguiente tabla
de verdad.
A B C
0 1 0
0 0 0
1 0 0
1 1 1
4. Analice diferentes conguraciones entre los 3 circuitos analizados hasta ahora y obtenga, mediante combinaciones
de los mismos, otras 2 compuertas logicas.
5. Investigue a que se reeren y como se encuentran los parametros V
OL
, V
OH
, V
IL
, V
IH
en el proceso de caracter-
izacion de una compuerta logica.
6. Identique el esquema correspondiente al inversor MOSFET, verique mediante mediciones en el laboratorio
con el montaje correspondiente: V
OL
, V
OH
, V
IL
, V
IH
. Compare los valores obtenidos con los especicados en el
datasheet de su dispositivo.
El da de la practica
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Monte los circuitos descritos anteriormente con transistores MOSFET cumpliendo la funcion del switch, compruebe
el funcionamiento de cada circuito, graque analticamente la funcion de transferencia del MOSFET como inversor.
Verique los valores VOL, VOH, VIL, VIH para el circuito inversor implementado.
Con respecto a los resultados obtenidos: El resultado obtenido es el esperado?, Que consideraciones puede hac-
er acerca de la funcion de transferencia del inversor MOSFET?
3.3. El Mosfet en la region triodo Modelo SR
Previo al da de la practica
1. Analice el circuito inversor MOSFET de la seccion anterior incluyendo el valor de las resistencias R
ON
= 40 y
R
OFF
= 5M del transistor, Como cambia la curva i
D
/v
DS
con respecto a la suposicion del MOSFET como
circuito abierto o corto?
2. Cuales son los valores lmites de V
DS
, en los que se observa el comportamiento lineal (Region Triodo.) en el
MOSFET?
El da de la practica
1. Basados en el circuito inversor MOSFET que han venido trabajando, obtengan los valores de R
ON
y R
OFF
para
su dispositivo.
2. Compruebe el funcionamiento del MOSFET en la region triodo.
4. Observaciones importantes
Manipule muy cuidadosamente las terminales de su dispositivo (TC4007 recomendado), no toque los pines del
integrado con los dedos, puesto que este es bastante vulnerable a la electricidad estatica.
Las preguntas sugeridas se encuentran distribuidas a lo largo de la gua, sin embargo, no se limiten a estas y ex-
ploren el analisis de cada implementacion desde sus propios puntos de vista de acuerdo a la teora del curso.
Referencias
Para el desarrollo de esta practica se sugiere consultar:
MIT-OpenCourseWare. Circuits and Electronics. Lecture 5: Inside the Digital Gate. [Online]. Available: http://ocw.mit.ed
engineering-and-computer-science/6-002-circuits-and-electronics-spring-2007/video-lectures/
Manuales y hojas de especicaciones de los equipos.
Boylestad R. & Nashelsky L. Electronica y Teora de Circuitos. Prentice Hall.
Sedra K. Smith. Dispositivos electronicos y amplicadores de se nales. Interamericana.
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