Laboratorio Integrado de Ingeniera Industrial Prctica 1

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Prctica 1. Simulacin de circuitos electrnicos mediante PSIM.
Aplicacin a circuitos con transistores y amplificadores
1. Objetivos
Aprender a utilizar y manejar el software PSIM para la simulacin de circuitos electrnicos.
Conocer el funcionamiento de circuitos bsicos a travs de los resultados del simulador PSIM.
Conocer los conceptos bsicos de funcionamiento de los transistores y amplificadores mediante la
simulacin de los circuitos.
2. Introduccin al software PSIM
El uso de la simulacin es actualmente uno de los recursos ms importante e indispensable en la
formacin prctica, principalmente para los ingenieros con un conocimiento tcnico de nivel elevado.
Esta prctica pretende realizar una breve introduccin sobre la simulacin de circuitos electrnicos
mediante el simulador PSIM. Este programa es una herramienta de simulacin de circuitos elctricos y
electrnicos por computador, siendo un software diseado especficamente para poder simular electrnica
digital, de potencia y controladores de motores. Sus principales caractersticas son:
La simulacin de los circuitos, sean complejos o no, es bastante rpida.
Su programacin resulta muy sencilla e intuitiva, ya que se hace por medio de una interfaz grfica
sencilla que permite dibujar los esquemas de los circuitos que se desea simular, disponiendo para
ello de una extensa paleta de elementos, que incluye desde la parte generadora, hasta la carga
junto con todos los elementos de control necesarios (medicin, regulacin, etc.).
La simulacin que permite es de muy alto nivel para electrnica de potencia, control digital y
analgico, dispositivos magnticos, modelos trmicos y estudios de sistemas de control de
motores.
Adems posee otra serie de caractersticas ms avanzadas como es la co-simulacin con Matlab/Simulink
y la capacidad para interconectarse con cdigo externo en C/C++ (esta ltima opcin slo est disponible
en la versin de pago).
La empresa que comercializa PSIM es Powersim, (http://www.powersimtech.com/). Powersim se
dedica al desarrollo de herramientas para simulacin y diseo de productos como fuentes de alimentacin,
controladores de motores, conversin de potencia y sistemas de control. Su idea es incrementar la
eficiencia del cliente y su productividad para reducir el coste y el tiempo de salida al mercado de nuevos
productos. De la pgina web de la empresa, se puede descargar una versin demo del software de forma
gratuita, adems de incluir manuales y tutoriales de este programa. Dicha versin demo es la 9.1 y se
puede encontrar en la siguiente web: http://www.powersimtech.com/index.php?name=download (para
bajrsela, es necesario registrarse antes). Esta versin demo, con respecto a la profesional de pago, posee
las siguientes limitaciones software:
El nmero de elementos es el esquema del circuito est restringido a 34. Adems, algunos
elementos no estn habilitados.
El nmero de puntos en la simulacin (intervalos de tiempo o pasos) est limitado a 6,000.
La funcionalidad de crear sub-circuitos est deshabilitada.
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2.1 Ficheros, estructura de programas y abreviaturas de PSIM.
El paquete software PSIM est compuesto por tres programas: PSIM (PSimulator) es el programa
responsable de efectuar los clculos necesarios en la simulacin dependiendo del circuito o esquema
dibujado en su panel principal. En este mdulo software se encuentran integrados todos los componentes
para crear el esquema o circuito. Posteriormente, Simview es el programa que se utiliza para visualizar el
comportamiento dinmico o a travs del tiempo de los distintos elementos seleccionados para su
medicin en el esquema o circuito realizado en PSIM. Es decir, Simview es el visor y programa de
anlisis de los resultados de la simulacin computada por PSIM. Este mdulo software contiene diversas
herramientas y complementos para el anlisis de los resultados dinmicos, tales como funciones de post-
proceso como adicin/sustraccin y clculo de la media/rms de seales. Finalmente, se encuentra
PsimBook, que es un visor de archivos tipo .psimbook que contienen proyectos con una serie de
ejercicios guiados sobre diferentes circuitos (por ejemplo, el circuito de regulacin de un motor de CC).
La Figura 1 muestra los iconos que crea la instalacin del software para cada uno de los programas
descritos.

Figura 1. Iconos de los mdulos de programa de PSIM.
En el paquete software demo que proporciona Powersim, se encuentra un plug-in adicional
denominado SmartCtrl, un software de diseo especficamente para aplicaciones de electrnica de
potencia y control. Con este programa, el usuario puede disear controladores de varios motores o
mquinas fcilmente (Figura 2).

Figura 2. Imagen de un circuito de una fuente conmutada tomada del software SmartCrtl.

A continuacin se muestra una lista de los archivos que el paquete software PSIM gestiona:
Extensin .hlp: fichero de ayuda, donde se explican los diferentes elementos y su
funcionalidad.
Extensin .psimsch: fichero del esquema o circuito a simular realizado con el software PSIM.
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Extensin .txt: ficheros de texto donde se pueden los resultados de simulacin del circuito. Este
fichero, que lo genera el mdulo PSIM, se puede cargar y editar en el mdulo Simview. Adems,
tambin se puede editar mediante un programa de clculo como Excel, ya que el fichero se
encuentra codificado en ASCII.
Extensin .smv: contiene la misma informacin y posee la misma funcin que el fichero .txt
explicado anteriormente, pero codificado en binario.
Extensin .fra: fichero generado por el mdulo Simview para una salida de un circuito de
corriente alterna.
Finalmente, comentar que para facilitar el uso de unidades en la definicin de los elementos,
PSIM, posee una serie de abreviaturas estndares utilizadas en ingeniera y ciencia. A continuacin se
muestra la tabla de los sufijos que PSIM permite para la definicin de valores.

Sufijo Nombre Valor
p Pico 10
-12
n Nano 10
-9
u Micro 10
-6
m Mili 10
-3
k Kilo 10
+3
M Mega 10
+6
G Giga 10
+9
Tabla 1. Abreviaturas/sufijos de PSIM para la definicin de unidades

3. Caractersticas principales de PSIM. Descripcin de la interfaz del mdulo
de creacin de circuitos.
3.1. Nuevo proyecto en PSIM.
Para poder empezar a construir un nuevo circuito en PSIM, en primer lugar hay que acceder al
mdulo PSIM (vase Figura 1) que se encuentra instalado en el ordenador. Posteriormente, se debe crear
un nuevo proyecto desde la interfaz principal (Figura 3). Una vez creado el nuevo proyecto, ya se puede
empezar a dibujar el esquema elctrico del circuito utilizando la paleta de elementos que nos ofrece el
programa.
La simulacin de un circuito en PSIM se basa en la realizacin de seguir los siguientes pasos:
Dibujar el esquema elctrico del circuito seleccionando los elementos necesarios del men
Elements.
Configurar los parmetros de cada uno de los elementos definiendo sus nombres y valores tal
como se explicar en el siguiente apartado.
Definir los parmetros de simulacin mediante el componente SimulateSimulation Control. En
dicho componente se pueden definir las variables que se desea simular, tiempo de simulacin etc.
Ejecutar la simulacin mediante la opcin SimulateRun Simulation.
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Figura 3. Creacin de un nuevo proyecto en PSIM.
3.2. Elementos.
Los elementos grficos que posee PSIM para dibujar el circuito se encuentran disponibles en el men
superior en la opcin de Elements. PSIM incorpora todos los elementos necesarios para construir el
esquema del circuito que se desea simular. En el men Elements hay diferentes submens:
Power: incluye todos los elementos de potencia (resistencias, condensadores, bobinas, etc.), como
los elementos pasivos, interruptores, transformadores y motores elctricos.
Control: incorpora todos los elementos que se engloban dentro de la ingeniera de control como
las puertas lgicas, filtros, comparadores, transistores, controladores P/I/PI y otros elementos que
son necesarios para el estudio y anlisis de las maquinas elctricas .
Other: sensores, conexin a tierra y prueba de medicin (de voltaje y corriente).
Sources: encontramos todos los tipos de fuentes, continua y alterna.
Symbols: contiene smbolos, en concreto la flecha (arrow).
Los elementos se introducen dentro del proyecto seleccionando el nombre del elemento en el men.
Posteriormente, haciendo un click en el panel del proyecto, se incluye el elemento dentro del circuito.
Todos los elementos incorporan terminales, que permiten conectarlos al resto del circuito mediante la
opcin Wire de la barra de herramientas principal (vase apartado 3.3).
Dentro de los elementos de potencia y de las fuentes, se pueden encontrar de dos clases: elementos
monofsicos y elementos trifsicos. Adems cada elemento viene caracterizado por una serie de
parmetros, cuyos valores debemos definir a la hora de construir el circuito. Para acceder a los
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parmetros, es necesario realizar un doble click al elemento. A continuacin se muestran un par de
ejemplos para mostrar los parmetros de los elementos y cmo se pueden cambiar a travs de su interfaz:
1. Inductor (bobina). Monofsica y trifsica.
Monofsica (Figura 4). ElementsPowerRLC Branches Inductor. Parmetros:
Name: nombre de la bobina (L1).
Inductance: valor de la inductancia (H).
Inicial Current: intensidad que pasa por la bobina cuando t=0 (A).
Current Flag: 0 si no se quiere saber el valor de la intensidad que atraviesa la bobina, 1 si se quiere
saber.


Figura 4. Imagen del smbolo Inductor y de sus parmetros en PSIM.

Trifsica (Figura 5). ElementsPowerRLC Branches L3. Parmetros:
Name: nombre de la bobina (L31).
Inductance: valor de la inductancia (H).
Current Flag_A, Flag_B y Flag_C: 0 si no se quiere saber el valor de la intensidad que atraviesa la
bobina, 1 si se quiere saber, por alguna de sus fases A, B, y C.



Figura 5. Imagen del smbolo L3 y de sus parmetros en PSIM.

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2. Voltage probe (Figura 6). ElementsOtherProbesVoltage Probe. Elemento que simula
un voltmetro para medir la tensin en un punto.
Name: nombre del voltmetro (V1).
Show probess value during simulation: si se desea ver el valor en tiempo real durante la
simulacin.



Figura 6. Imagen del smbolo Voltage Probe y de sus parmetros en PSIM.
3.3. Interfaz grfica. Herramientas.
En la parte superior de la interfaz grfica, existe una barra de herramientas con una serie de
opciones para la edicin, configuracin y simulacin de los circuitos que se vayan realizando. La barra de
herramientas se muestra a continuacin, junto con la explicacin de algunas de las opciones ms
importantes.

: habilita el elemento dentro del circuito.
: deshabilita el elemento dentro del circuito.
: gira el componente 90 en sentido contrario a las agujas del reloj.
: dibuja una simetra respecto al eje vertical y horizontal de los elementos seleccionados.
: crea la unin entre dos puntos del dibujo, traza un cable entre esos dos puntos.
: elemento Label. Pone una etiqueta en los elementos. Resulta muy til para esquemas
complicados, ya que permite separar el circuito en varias partes.
: movimiento y seleccin de elementos.
: herramienta de zoom.
: ejecutar y parar la simulacin.
: ejecutar el mdulo Simview para la visualizacin de los resultados obtenidos en la
simulacin.
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: ejecutar SmartCrtl.
Finalmente, comentar que en la parte inferior se encuentran una serie de los elementos ms
comunes utilizados en los circuitos (vase Tabla 2). Esto es para tener un acceso ms rpido a los
elementos, sin tener que buscarlos en el men de Elements.


Tierra

Fuente de CC

Resistencia

Fuente seno

Bobina

Fuente triangular

Condensador

Fuente cuadrada

Diodo

Seal de un paso (step)

Tiristor

Sensor de tensin

MOSFET

Sensor de corriente

IGBT

Regulador PI

Puente de diodos monofsica

Restador

Puente de diodos trifsica

Sumador

Seal de pulsos

Comparador

Interfaz de mando/control

Limitador

Voltmetro

Puerta inversora

Voltmetro diferencial

Multiplicador

Ampermetro

Divisor
Tabla 2. Lista de elementos de la barra de herramientas de acceso rpido
3.4. Configuracin de los parmetros de simulacin.
Una vez que el circuito se ha dibujado en PSIM, se procede a la simulacin. Para ello, hay que
acceder a la opcin de men SimulateSimulation Control. Realmente, esta opcin es un componente
que se debe aadir al circuito, sin conectarlo con nada. Las opciones que posee dicho elemento son para
configurar la simulacin en s, es decir, la frecuencia de simulacin, el tiempo inicial, el tiempo final, etc.
Los parmetros que se pueden configurar son los siguientes (Figura 7).
Time step: paso de simulacin (seg.).
Total time: tiempo final de simulacin.
Print time: tiempo inicial de simulacin.
Print step: cada cuntos puntos se graban en el fichero de texto.
Load flag: recupera del fichero los tiempos anteriores si es que ha sido grabado.
Save flag: graba en un fichero los parmetros de tiempo que se seleccionan para realizar la
simulacin.


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Figura 7. Imagen del smbolo para la simulacin y de sus parmetros en PSIM.
3.5. El visor y analizador de seales Simview.
Una vez terminado el circuito, y despus de ejecutarse la simulacin (PSIM ha realizado todos los
clculos), deber aparecer el mdulo Simview, una interfaz como la de la Figura 8. Si el mdulo no se ha
ejecutado, habr que pulsar al icono correspondiente de la barra de herramientas de PSIM. Previamente,
preguntar cules son las variables que deseas visualizar.

Figura 8. Interfaz grafica del mdulo Simview.

A continuacin, se describen las opciones ms importantes de la barra de herramientas del mdulo
Simview.

: redibuja de nuevo la simulacin.
: cambia los valores de visualizacin o escala de los ejes X e Y.
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: para aadir o quitar variables en la simulacin.
: para disminuir o aumentar la escala del grfico.
: mide los distintos valores de las curvas de la simulacin.
: cambia los valores de las curvas de forma temporal a valores en forma frecuencial.
En la parte inferior, existe otra barra de herramientas que se utiliza para la medicin y clculo de valores
mximos, mnimos, media, etc. de las variables seleccionadas.

4. Primeras aplicaciones. Simulacin de circuitos bsicos.
A continuacin, se van a describir dos ejemplos de simulacin de circuitos con PSIM. El primero de
ellos es un circuito alimentado en corriente alterna y una serie de resistencias, en el que se desea medir la
tensin y la corriente, y el segundo, es un circuito rectificador de alterna con diodos.
4.1. Circuito bsicos con resistencias.
El esquema del circuito a simular se muestra en la Figura 9. Es un circuito alimentado por una fuente
de tensin alterna y dos resistencias. La idea de la simulacin es medir el voltaje y la corriente producidas
en el circuito.

Figura 9. Circuito de tensin alterna simulado en PSIM.
En primer lugar para simular este circuito, se dibuja el esquema tal y como se muestra en la Figura 9,
arrastrando los componentes y unindolos con el cable ( ). Es necesario tener un poco de cuidado con
las conexiones cuando se utiliza esta herramienta sobre los terminales de los elementos. Los puntos
negros son nodos que estn conectados a la misma tensin (conexin correcta). Cuando existe un cable de
color verde o un terminal con un circulito en blanco, la conexin posiblemente est mal realizada. Los
elementos de este circuito son: una fuente de tensin alterna (ElementsSourcesVoltageSine), dos
resistencias R1 y R2 (ElementsPowerRLC BranchesResistor) y dos medidores, uno de tensin
entre dos puntos (ElementsOtherProbesVoltage Probe (node-to-node)) para medir la tensin de
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cada en la resistencia R2, y uno de intensidad (ElementsOtherProbesCurrent Probe), para medir
la corriente que circula en el circuito. El borne positivo de los medidores se sita en un punto blanco que
existe en uno de los lados. Construido el circuito, se configura la simulacin de la siguiente manera:
Se editan las propiedades de la fuente de tensin alterna y se configuran sus parmetros segn la
imagen de la Figura 10.

Figura 10. Configuracin de la fuente de tensin alterna
Se configuran las resistencias en serie con los valores que se muestran en la Figura 11. Es
conveniente ir poniendo nombres acordes a los elementos, es decir, en este caso las dos
resistencias se han denominado R1 y R2. Es importante poner a 1 el parmetro Current Flag, para
poder medir la intensidad que circula por la resistencia.


Figura 11. Configuracin de las resistencias del circuito.
En la configuracin de los medidores o probes se le asocia un nombre para posteriormente
identificar el valor medido como variable y visualizarla en el mdulo Simview.

Figura 12. Configuracin de los medidores de tensin e intensidad
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Finalizada la construccin y parametrizacin del circuito, se debe simular el circuito, bien desde el
acceso directo de la barra de herramientas ( ), o con SimulateRun Simulation, o con la tecla F8.
Una vez terminada la simulacin, se ejecutar Simview y aparecer una interfaz en la que hay que
seleccionar qu variables se desean visualizar en un diagrama valor-tiempo (Figura 13). En este caso, se
selecciona las variables asociadas a los medidores (I1 y VP1).

Figura 13. Seleccin de las variables a visualizar en Simview.
El resultado mostrado por Simview se puede ver en la Figura 14, donde el valor de la tensin en la
resistencia R2 posee una amplitud ms pequea que la tensin proporcionada por la fuente y el valor de la
intensidad tambin en sinusoidal, pero con un valor pequeo con respecto al valor de tensin. Se puede
utilizar la barra de herramientas de la parte inferior para obtener los valores mximos y mnimos de las
variables ploteadas. Tambin se puede ajustar las escalas de los ejes del visor mediante las opciones de la
barra de herramientas ( ).

Figura 14. Resultados visualizado en Simview.
4.2. Circuito rectificador con diodos.
Este ejemplo es un circuito un poco ms complejo que el anterior y se van a introducir ms
componentes en el esquema. El circuito a simular se muestra en la Figura 15. El primer paso para su
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simulacin, es construirlo en PSIM tal y como se muestra en la imagen. Los componentes nuevos en este
circuito, con respecto al otro ejemplo son los siguientes: el diodo (ElementsPowerSwitchesDiode)
y el condensador (ElementsPowerRLC BranchesCapacitor).
Nota: hay que llevar cuidado con el sentido en el que se ponen los medidores, ya que los resultados
de la simulacin pueden variar si no se ponen correctamente.

Figura 15. Circuito rectificador con diodos construido con PSIM.
Una vez terminado el esquema del circuito, es necesario configurar el elemento de simulacin
(SimulationSimulation Control). Las caractersticas propuestas para este circuito son las mostradas en
la Figura 16.

Figura 16. Configuracin de la simulacin para el cicrucito rectificador.
Finalmente, si se procede a la simulacin y al graficado de las variables mediante Simview, los resultados
obtenidos deben ser los que se muestran en la Figura 17. Como se puede observar, el condensador va
almacenando intensidad de corriente hasta que se descarga en un tiempo determinado (que depende de la
capacidad del condensador) y hace que la tensin en la carga tenga la forma o rizado que se muestra en
la tensin de salida o carga V
L
.

Los diodos solo conducen cuando estn polarizados directamente, de
forma que D1 y D4 conducen en el semi-ciclo positivo de la onda de entrada, y D2 y D3 durante el semi-
ciclo negativo. Por ello el valor de pico disminuye en 1.4V debido a la tensin de cada de los diodos de
0,7V en cada uno.
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Figura 17. Resultados obtenidos de la salida en el circuito rectificador propuesto

5. Simulacin de circuitos con transistores NPN.
5.1. Principios generales del funcionamiento del transistor bipolar NPN.
El transistor de unin bipolar (BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en electrnica
analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital.
Un transistor de unin bipolar tiene tres zonas de silicio dopado y dos uniones PN. Si las zonas son
NP y PN, el transistor se denomina NPN y las tres zonas son:
Emisor: cristal N muy dopado.
Base: cristal P estrecho poco dopado.
Colector: cristal N con dopado medio.
Al unir las zonas P y N se crean barreras de potencial como en un diodo (0,7V de threshold), por lo que el
comportamiento de un NPN se asimila a dos diodos en configuracin como muestra la Figura 18.





Figura 18. Modelo del transistor mediante diodos
La polarizacin de un NPN se efecta con una pequea corriente en la base (I
B
) que produce o inicia una
gran corriente en el colector (I
C
). La relacin entre I
B
e I
C
es la ganancia en CC del transistor y se
identifica como o h
FE
. El valor de puede oscilar entre 50 y 300, dependiendo del transistor. A
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continuacin, se muestra un circuito en el que las fuentes de alimentacin estn conectadas al transistor en
modo de emisor comn. En la Figura 19, tambin se muestran las relaciones entre las variables de
intensidad y voltaje del transistor cuando ste se encuentra polarizado en modo activo y la corriente del
colector es amplificada por la corriente de la base por la ganancia .







Figura 19. Configuracin en modo emisor comn de un NPN y relaciones de tensin/intensidad del circuito
Principalmente, el transistor NPN posee dos tipos de funcionamiento: como amplificador y como
conmutador electrnico. Como funcin de amplificador, el transistor se suele emplear como amplificador
de seales, comparador de tensiones, circuitos reguladores y estabilizadores de tensin o corriente, etc.
Como conmutador, se emplear interruptor para activar-desactivar cargas que requieren grandes corrientes
(LEDs, bombillas, rels, motores, etc.), en electrnica digital para puertas lgicas, convertidores CA-CC,
CC-CC y CC-CA, etc.
5.1.1. Curvas de entrada y salida de un transistor NPN. Zonas de trabajo de un transistor.
La curva de entrada de un transistor NPN, se trata como si la unin base-emisor se comportara
como un diodo. Por lo tanto, para que el transistor funcione se requiere U
BE
=0,6 a 0,7V, dependiendo de
transistor (se suele tomar 0,7V normalmente). La Figura 20 muestra la curva de entrada caractersticas de
un transistor NPN, que relaciona el valor de I
B
y la tensin de cada entre la base y el emisor U
BE
.








Figura 20. Curva de entrada de un transistor NPN.
El valor de U
BEs
es el valor de tensin en base-emisor en modo saturacin o activa, es decir cuando
conduce el transistor. Este valor este de 0,7V, ya que como se ha comentado, es como si condujera un
diodo. Finalmente, el valor de U
BEmax
es el valor de ruptura, que suele estar sobre unos 6V. Este estado es
cuando empieza a deteriorarse el transistor ya que las corrientes que circulan en l son muy grandes.
Con respecto a la curva de salida, representa cmo evoluciona I
C
segn U
CE
para distintas
corrientes de base I
B
. Es importante comentar, que el colector conduce cuando U
CE
es de 0 a 1V. La
Figura 21, muestra la curva de salida de un transistor NPN (en concreto la de un transistor tipo NPN
BC547, que posee una amplificacin de =150):
( )
B C B E
B C
B
C
I I I I
I I
I
I

+ = + =
= =
1

CE C C CC
BE B B BB
BE CB CE
U I R V
U I R V
U U U
+ =
+ =
+ =
I
B

U
BE

U
BEs


U
BEmax

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Figura 21. Curva de salida de un transistor NPN
En esta imagen, el valor U
CEs
es la tensin colector-emisor de saturacin (normalmente un valor 0,3V-
0,2V para el BC547). El valor de I
Cmax
es la intensidad de colector mxima (aproximadamente para este
transistor de 100mA). El valor de I
CEO
es la intensidad de fugas del colector con I
B
=0 (aproximadamente
de 0,2nA para el BC547). Y finalmente, el valor de U
CEOmax
es la tensin colector-emisor mxima
(aproximadamente de 45V para el BC547).
Ya vistas las curvas de entrada y salida del transistor NPN, se va a describir las zonas de trabajo
del transistor, junto con sus propiedades ms caractersticas, muy importantes a la hora del diseo de
circuitos que impliquen el uso de un NPN. Las zonas de trabajo, que se muestran en la Figura 22 bajo la
curva de salida caracterstica del transistor NPN, son las siguientes:
Saturacin. En este caso el valor de U
CE
0,2V e I
C
est limitada: I
C
<I
B
. Al conducir el transistor
(existe una corriente de colector, aunque menor que la que determina la amplificacin del transistor:
I
B
), el valor de U
BE
es de 0,7V aproximadamente. Esta zona de trabajo el transistor suele
funcionar como conmutador.
Activa. Esta zona de trabajo se una para la funcionalidad de amplificador. As, el valor de
U
BE
=0,7V, ya que el transistor conduce y el valor de I
B
>0
,
e I
C
=I
B
, amplificando el valor de la
intensidad.
Corte. En esta zona de trabajo no hay conduccin porque U
BE
<0,7V I
B
=0. Se utiliza tambin
cuando el transistor trabaja como conmutador electrnico.
Ruptura. Aqu es donde las intensidades se hacen enormes y es una zona no deseable porque hay
deterioro. En este caso el valor de U
CE
>U
CEOmax
.

Figura 22. Zonas de trabajo del transistor NPN
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5.2. Simulacin de un circuito con transistores tipo NPN.
Para este punto, se va a simular un circuito oscilador o intermitente que iluminar, alternativamente,
dos LEDs. El circuito ya construido en PSIM, se muestra en la Figura 23.

Figura 23. Circuito oscilador implementado en PSIM.

En este cirucito, los elementos nuevos que se han introducido con respecto a los circuitos anteriores
son los siguientes: los transistores bipolares NPNs Q1 y Q2 (ElementsPowerSwitchesnpn
Transistor, los LEDs D1 y D2 (ElementsPowerSwitchesLigth-Emitting-Diode) y los
condensadores C1 y C2 (ElementsPowerRLC BranchesCapacitor). Tambin se han puesto
medidores de intensidad para las corrientes de base y colector en los transistores y de voltaje en los LEDs.
Los transistores se han configurado con una ganancia de 150 y unos voltajes referentes a U
BE
y U
CE
de
0.7V y 0.2V respectivamente. Los LEDs se han configurado con una cada de tensin de 2V. Las
condiciones de simulacin han sido un paso de 0,01 seg. y un tiempo de 5 seg. en total para tomar datos.
El funcionamiento de este circuito es el siguiente: los dos transistores trabajan en conmutacin, es
decir cuando uno conduce (saturacin) el otro no (corte) y viceversa. Al conectar la alimentacin, D1 se
enciende y D2 est apagado, es decir, Q1 conduce y Q2 est cortado ya que Q1 se mantiene en saturacin
gracias a la corriente que llega a su base a travs de por R2. C1 se carga por la unin BE de Q1, R4 y D2,
hacia un voltaje de V
DC
-0,7-0,7. Mientras, C2 se carga por Q1 y R3, desde -(V
DC
-0,7-0,7) hasta 0,7V,
cuando hace conducir la unin BE de Q2. Al conducir Q2, se invierte la polaridad de C1 con respecto a la
base de Q1: la carga de -(VDC-0,7-0,7) se aplica a Q1 y se corta, y Q1 no volver a conducir hasta que
C1 llegue a 0,7V, cargndose por R2 y Q2. Despus el proceso se repite de nuevo. Los resultados
obtenidos en la simulacin se muestran en la Figura 24, que como se puede observar en las grficas (I de
colector y V de cada en los LEDs) cmo se encienden de forma alternativa D1 y D2.

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Figura 24. Resultados obtenidos y mostrados en Simview en el circuito oscilador implementado.
6. Simulacin de circuitos con amplificadores operacionales.
6.1. Principios generales del funcionamiento del amplificador operacional.
Un amplificador operacional (comnmente abreviado A.O., op-amp u OPAM), es un circuito
electrnico (normalmente se presenta como circuito integrado compuesto pro varios transistores), que
amplifica la diferencia de tensin entre dos entradas, independientemente del valor de cada una. La
imagen siguiente (Figura 25) muestra el modelo de funcionamiento del amplificador operacional.

Figura 25. Modelo del amplificador operacional
El amplificador posee una ganancia (A
VD
) que amplifica la diferencia entre V
1
y V
2
(V
DIF
).


El valor de V
O
ser muy prximo al valor esperado (E) y estar determinado por la impedancia de salida
Z
0
. Normalmente, la impedancia de salida es pequea, del orden 10-100, por lo que la corriente de
salida no suele ser muy grande (no ms de 50mA). A continuacin, se muestra un ejemplo del clculo de
V
0
con los siguientes valores proporcionados:

DIF VD
DIF
V A E
V V V
=
=
2 1
000 . 100
4700
400
0002 , 0
0001 , 0
2
1
=
=
=
=
=
VD
L
O
A
R
Z
V V
V V
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En primer lugar, calculamos el valor de la diferencia entre las tensiones proporcionadas como entrada a
los bornes del amplificador. Tambin se calcula el valor de E:



Teniendo esto valores, calculo el valor de I
0
y V
0
mediante los siguientes clculos y aplicando la Ley de
Ohm:



Por otro lado, el valor de la salida V
0
siempre est limitado al rango de la tensin de alimentacin
(normalmente esta tensin va de 5 a 15V), o incluso a algn voltio menos debido a la impedancia de
salida. A continuacin, se muestra una imagen con el amplificador operacional alimentado por sus dos
entradas de alimentacin a los valores de 12V:

Figura 26. Modelo del amplificador operacional alimentado.
Se va a mostrar otro ejemplo sobre la saturacin de la salida cuando el amplificador operaciones se
encuentra alimentado. Con los valores siguientes, donde se ha tomado como rango de la salida 11V de la
salida E (E
max
):


, se calcula el valor de la diferencia V
DIF
y de E, viendo que se supera o satura, por lo que se toma el valor
mximo estimado como 11V.



Finalmente, con el valor de E (saturado por la entrada), se calcula el valor real de salida en voltaje e
intensidad V
0
/I
0
:


V V A E
mV , V V V
DIF VD
DIF
10
1 0
2 1
= =
= =
V R I V
mA
R Z
E
I
L O O
L O
O
2 , 9
2
= =
=
+
=
000 . 100
4700
400
11
1 , 0
3 , 0
max
2
1
=
=
=
=
=
=
VD
L
O
A
R
Z
V E
V V
V V
V E E
V V A E
V V V V
DIF VD
DIF
11
000 . 20
2 , 0
max
2 1
= =
= =
= =
V R I V
mA
R Z
E
I
L O O
L O
O
3 , 10
2 , 2
max
= =
=
+
=
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El amplificador operacional se utiliza para multitud de aplicaciones utilizando como principio
fundamental el explicado con anterioridad. A continuacin, algunos de sus usos:
Comparador (inversor y no inversor). Se puede emplear la comparacin para encender una luz
dependiendo del umbral de iluminacin existente.
Amplificador (inversor y no inversor). Se emplea para la amplificacin de una seal de entrada.
Tambin se puede emplear en este modo como sumador/restador.
Integrador y diferenciador de la entrada.
Como implementacin de un Trigger de Schmitt, que no es ms que un comparador con histresis,
que se encarga de producir un pulso de disparo cuando el valor de voltaje en su entrada esta dentro
de un rango especifico, determinado por su ventana de histresis. Este dispositivo se suele emplear
en los circuitos digitales para reconstruir una seal que presente mucho ruido. En los circuitos
analgicos se utiliza como oscilador en conjunto con una red RC.
6.2. Simulacin de un circuito comparador.
En este apartado, se va a mostrar la simulacin mediante PSIM de un circuito comparador no
inversor. El circuito propuesto realiza una comparacin de la seal de entrada (U
I
), de manera que si la
tensin de la seal de entrada supera una tensin de referencia determinada por las resistencias R
1
y R
2
, la
salida conmuta de V
EE
a V
CC
. Dicho valor de referencia U
R
, es el valor del voltaje medido en la entrada
negativa, que en este caso es de 6V (U
R
=V
CC
R
2
/(R
1
+R
2
)). Este funcionamiento, junto con el circuito a
implementar en el software de simulacin PSIM, se muestra en la Figura 27.

Figura 27. Valores de las seales de entrada y salida, y circuito comparador a implementar.

En este circuito, adems, posee un LED en el circuito de carga, que se encender cuando U
0
conmute al
valor positivo de V
CC
(para que la corriente I
0
sea positiva y polarice el LED para encenderse).
Este circuito descrito, se muestra en la Figura 28 una vez implementado en PSIM. Los
componentes nuevos utilizados en el circuito comparador son los siguientes: el amplificador operacional
(ElementsPowerOtherOp. Amp), el LED (ElementsPowerSwitchesLigth-Emitting-Diode) y
la seal triangular de entrada (ElementsSourcesVoltageTriangular). La configuracin realizada en
los componentes nuevos es la siguiente:
La seal triangular se ha configurado con una frecuencia de 500 Hz, es decir un periodo de 2 ms y
un valor de pico a pico (peak-to-peak) de 15V.
El amplificador operacional se ha alimentado con unos valores de 12V (Voltaje Vs).
El LED se ha configurado con un valor de 2V de voltaje de cada.
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Figura 28. Circuito comparador implementado en PSIM.
Los resultados obtenidos en la simulacin a travs de los medidores puestos en el circuito y con un
tiempo de simulacin de 0.2 seg a un paso de 1E
-05
, son los siguientes:

Figura 29. Resultados obtenidos en PSIM del circuito comparador simulado.
Como se puede observar, la salida V
0
conmuta o satura del valor -12V a +12V cuando el valor de
referencia de 6V es superado o por la seal triangular de entrada V
in
. El valore de I
0
es bastante pequeo
en comparacin con la escala del voltaje, pero midindolo con las herramientas de PSIM posee un valor
aproximado de 1,1410
-2
A cuando la salida en V
CC
(+12V), que ser cuando el LED se encender.




Laboratorio Integrado de Ingeniera Industrial Prctica 1
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7. Ejercicio de la prctica.
Para el ejercicio de la prctica, se va a plantear un circuito que combine la funcionalidad de un
amplificador y de un transistor. El ejercicio planteado es un circuito que realiza el encendido de una
lmpara (L, que se implementar con un LED de 2V de cada) dependiendo de la temperatura medida por
un NTC (Negative Temperature Coefficient). El circuito es el que se muestra en la siguiente imagen:


7.1. Implementacin de la NTC en PSIM.
Las NTCs son resistencias de material semiconductor constituidas por una mezcla de xidos
metlicos. El aumento de temperatura aporta la energa necesaria para que se incremente el nmero de
portadores capaces de moverse, lo que lleva a un incremento en la conductividad del material,
reducindose la resistencia. Es decir, su resistencia disminuye con la temperatura. La Figura 30 muestra la
caracterstica R-T de una NTC. Se observa que la relacin entre la resistencia y la temperatura no es
lineal, sobre todo, cuando se considera un margen de temperatura amplio. La resistencia nominal de una
NTC hace referencia a su valor resistivo a una temperatura de referencia, generalmente 25C (298 K). Los
valores de resistencia nominal ms comunes varan entre 10 y 20 M.

Figura 30. Relacin R-T de una NTC

El modelo matemtico que se puede plantear para una NTC, se muestra en la siguiente ecuacin:


)
1 1
(
0
0
T T
B
T
e R R

=
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, donde R
0
es la resistencia a una temperatura de referencia (generalmente 25C), T
0
es dicha temperatura
expresada en K, el parmetro B es la denominada temperatura caracterstica del material, y tiene valores
de 2000 K a 5000 K, pero vara con la temperatura, aumentando al aumentar sta. Para el ejercicio, se va
a tomar los siguientes valores constantes: B = 3000K, R
0
= 10k y T
0
= 298K.
Para implementar la NTC en el programa PSIM, se tiene que utilizar un componente no lineal que
relacione la V y la I que circula por la resistencia NTC (ElementsPowerRLC BranchesNonlineal
Element v=f(i)).
7.2. Tareas de la prctica.
1. Implementa el circuito propuesto en PSIM con los medidores necesarios.
2. Prueba el valor del elemento no lineal (NTC) con distintos valores de T y grafica los resultados
obtenidos, viendo cundo se enciende el LED.
3. Guarda los resultados obtenidos en un fichero .smv, visualizando las variables que consideres
oportunas para visualizar los resultados de forma correcta.
4. Explica el funcionamiento del circuito y la funcin que realizan tanto el AO como el Transistor.
Para qu se emplea la resistencia variable Rv? Obtn resultados para distintos valores de dicha
resistencia.