UNIDAD III.

SISTEMAS DE MEMORIAS




BALLESTAS MENDOZA MARTIN EMILIO
LUIS CARLOS JOLY DUENAS
ESNER LUGO CARDENAS
SANTIAGO GIL ALFARO CARDENAS












Universidad de Cartagena
Facultad de Ingeniera de Sistemas
Programa de Ingeniera de Sistemas
VIII Semestre - Grupo:
Arquitectura de Computadores
Cartagena 2014


UNIDAD III. SISTEMAS DE MEMORIAS




Director del Trabajo: Ing. JORGE ELIECER GIRALDO LIPEDA

BALLESTAS MENDOZA MARTIN EMILIO
LUIS CARLOS JOLY DUENAS
ESNER LUGO CARDENAS
SANTIAGO GIL ALFARO CARDENAS









Universidad de Cartagena
Facultad de Ingeniera de Sistemas
Programa de Ingeniera de Sistemas
VIII Semestre - Grupo:
Arquitectura de Computadores
Cartagena 2014



TABLA DE CONTENIDO

TABLA DE CONTENIDO ............................................................................................................................. 3
INTRODUCCION ......................................................................................................................................... 4
OBJETIVOS ................................................................................................................................................. 5
SISTEMAS DE MEMORIAS ......................................................................................................................... 6
DEFINICIONES Y CARACTERSTICAS DE LA MEMORIA. ............................................................................... 6
CARACTERISTICAS DE LOS DISTINTOS TIPOS DE MEMORIAS ..................................................................... 6
LATENCIA: .............................................................................................................................................. 11
ANCHO DE BANDA ................................................................................................................................. 12
PRECARGAS ........................................................................................................................................... 12
PARALELALISMO .................................................................................................................................... 12
JERAQUIA DE MEMORIA MEJORADA ...................................................................................................... 15
MEMORIA CACH. .................................................................................................................................. 16
CONCLUSIN ............................................................................................................................................ 22
BIBLIOGRAFIA ......................................................................................................................................... 23












INTRODUCCION

El tema a tratar en desarrollo de este trabajo es el de analizar y comprender los
conceptos bsicos de la organizacin y funcionamiento de los mdulos de
memorias en los computadores y su funcionamiento en cuanto al almacenamiento
control y fluidez de la informacin
Esto con el fin de aprender a conocer los diferentes tipos de memoria su -
estructura, forma de ejecucin, organizacin y su evolucin.
Adems de comprender las diferentes transformaciones y avances que se han
dado a travs del tiempo en cunto estructura, diseo y capacidad de -
almacenamiento, aprendamos a generar ideas para en un futuro aportar a el
desarrollo de nuevas tecnologas aplicables a la estructura y organizacin y
funcionamiento de estos dispositivos de almacenamiento.
Este trabajo queda limitado en primer lugar a analizar y comprender solo lo
concerniente al, diseo y funcionamiento delas memorias de almacenamiento,
este tema tiene mucha informacin tanto en libros como en la red, debido a esto
desechamos mucha informacin ya que, no queramos poner cosas para rellenar y
mucho menos, repetirnos con lo que desborda la web.
Esta tarea, ha sido difcil, ya que aunque lo hemos intentado hay cosas que
hemos tenido que incluir porque era informacin relevante y fundamental para el
desarrollo del trabajo y la asignatura como tal.
Para el desarrollo de esta asignatura elegimos solo la informacin correcta que
queremos hacer llegar para una fcil comprensin lo cual se convierte en una
tarea que nos competer en un futuro como ingenieros de sistemas, por lo que la
experiencia ha sido doblemente clarificadora.






OBJETIVOS

Objetivo General
Analizar y comprender los conceptos bsicos de la organizacin estructural y
operativa de estos dispositivos y su funcionamiento en cuanto a software
hardware. Capacidad y rapidez en el flujo de la informacin
Esto con el fin de aprender a diferenciar entre los distintos tipos y
funcionamientos de los dispositivos de memorias y su posible aplicacin.

Objetivos especficos:
Comprender las diferentes transformaciones y avances que se han dado a travs
del tiempo en cunto estructura, diseo y avance computacional.













SISTEMAS DE MEMORIAS

DEFINICIONES Y CARACTERSTICAS DE LA MEMORIA.
Memoria dispositivo fsico que usan los ordenadores para almacenar los datos y
programas, para los cuales se necesita tener un acceso rpido.
CARACTERISTICAS DE LOS DISTINTOS TIPOS DE MEMORIAS
Localizacin
Capacidad
Unidad de Transferencia
Metodo de Acceso
Rendimiento
Tipo Fsico
Localizacin
Dependiendo de donde est ubicada fsicamente la memoria se distinguen tres
tipos:
Memoria interna al procesador. Memoria de alta velocidad utilizada de
forma temporal.
Memoria interna (Memoria Principal).
Memoria externa (Memoria Secundaria).
Capacidad
Cantidad de informacin que puede almacenar el sistema de memoria.
La capacidad de la memoria se mide en mltiplos de Tema unidades de bit.
1 bit 1MB=1024 KM=

bits
1 nibble = 4 bits 1 GB = 1024 Mb =

bits1 byte = 1 octeto = 8 bits 1 Tb = 1024 Gb =

bits1 Kb = 1024 bits =

bits



Unidad de transferencia
Es igual al nmero de lneas de datos de entrada y salida del mdulo de memoria.
Conceptos asociados:
Palabra. El tamao de la palabra es generalmente igual al nmero de bits
utilizados para representar un nmero entero y la longitud de una
instruccin.
Unidad direcionable. Es el tamao mnimo que podemos direccionar la
Memoria.
Unidad de transferencia. Para la memoria principal es el nmero de bits que
se leen o escriben en memoria a la vez.
Mtodo de acceso
Forma de localizar la informacin en memoria.
Tipos:
Acceso secuencial (SAM: Sequential Access Memory).
Acceso directo (DAM: Direct Access Memory).
Acceso aleatorio (RAM: Random Access Memory).
Acceso asociativo (CAM: Content Addressable Memory).

Velocidad
Para medir el rendimiento se utilizan tres parmetros:
Tiempo de acceso (TA)
RAM: tiempo que transcurre desde el instante en el tiempo que transcurre
desde el instante en el que se presenta una direccin a la memoria hasta
que el dato, o ha sido memorizado, o est disponible para su uso.
Otra: tiempo que se emplea en situar el mecanismo de lectura/escritura en
la posicin deseada.
Tiempo de ciclo de memoria (

)

Tiempo que transcurre desde que se da la orden de una operacin de
lectura/escritura hasta que se pueda dar otra orden de lectura/escritura.
Velocidad de transferencia (

).


Es la velocidad a la que se pueden transferir datos a, o desde, una unidad
de memoria.

En el caso de acceso aleatorio

= 1/

En el caso de acceso no aleatorio

+ N/

= Tiempo medio de lectura/escritura de N bits

Tiempo de acceso
N Nmero de bits

Velocidad de transferencia (bits/segundo)
Dispositivo fsico
Los sistemas de memorias empleados en los Computadores utilizan diferentes
dispositivos fsicos.
Los tipos ms usados son:
Para la memoria principal se utilizan memorias semiconductoras
Como memoria secundaria se emplean:
Memorias magnticas, discos, cintas, etc.
Memorias pticas, utilizadas.
Memorias magneto-pticas
Aspectos fsicos
Las principales caractersticas fsicas a tener en cuenta para trabajar con
determinados tipos de memorias son:
Alterabilidad. Esta propiedad hace referencia a la posibilidad de alterar el
contenido de una memoria. Memorias ROM y RWM.
Permanencia de la informacin. Relacionado con la duracin de la
informacin almacenada en memoria:
Lectura destructiva. Memorias de lectura destructiva
(DRO:Destructive ReadOut) y memorias de lectura no destructiva
NDRO (No Destructive ReadOut).
Volatilidad. Esta caracterstica hace referencia a la posible
destruccin dela informacin almacenada en Cierto dispositivo de

memoria cuando se produce un corte en el suministro elctrico.
Memorias voltiles y no voltiles
Almacenamiento esttico/dinmico. Una memoria es esttica si la
informacin que contiene no vara con el tiempo. Una memoria es
dinmica si la informacin almacenada se va perdiendo con forme
transcurre el tiempo. Para que no se pierda el contenido habr que
recargar o refrescar la informacin. Memoria SRAM (StaticRAM) y
Memoria DRAM (Dynamic RAM).
Organizacin
Hace referencia a la disposicin fsica de los bits para formar palabras.
La organizacin depende del tipo de memoria que se trate.
Para una memoria semiconductora distinguimos tres tipos de organizacin:
Organizacin 2D : RAM de

palabras de n bits cada una, la matriz de

celdas est formada por

filas y n columnas.
Organizacin 2D : Utiliza dos decodificadores con m/2 entradas y

/2
salidas.
Organizacin 3D : Es similar a la organizacin 2D pero la palabra de n
bits se almacena en n planos y dentro de cada plano se selecciona la
posicin x y la posicin y.

Memorias RAM.
RAM ("Read Aleatory Memory") almacena datos e instrucciones de manera
temporal, es una memoria de corto plazo o voltil ya que pierde los datos
almacenados una vez apagado el equipo tiene una capacidad mucho ms
limitada que la de largo plazo.; pero a cambio tiene una muy alta velocidad para
realizar la transmisin de la informacin. Otra de sus caractersticas es el de
permitir que los programas funcionen de forma simultnea sin que el PC
disminuya su velocidad.




Memoria no voltil
Retendr la informacin almacenada incluso si no recibe corriente elctrica
constantemente, como es el caso de la memoria ROM. Se usa para
almacenamientos a largo plazo y, por tanto, se usa en memorias secundarias,
terciarias y fuera de lnea.
La memoria dinmica.
Es una memoria voltil que adems requiere que peridicamente se refresque la
informacin almacenada, o leda y reescrita sin modificaciones.
Hay tres tipos de Memoria RAM
DRAM: las siglas provienen de ("Dinamic Read Aleatory Memory") o dinmicas,
debido a que sus chips se encuentran construidos a base de condensadores
(capacitores), los cules necesitan constantemente refrescar su carga (bits) y esto
les resta velocidad
SRAM: ("Static Read Aleatory Memory") o estticas, debido a que sus chips se
encuentran construidos a base de transistores, los cules no necesitan
constantemente refrescar su carga (bits) esto las hace veloces. El trmino
memoria Cach es frecuentemente utilizada pare este tipo de memorias, sin
embargo tambin es posible encontrar segmentos de Cach adaptadas en discos
duros, memorias USB y unidades SSD.
Memorias SRAM para insertar en ranura de la tarjeta principal (Motherboard).
Memorias Cach integradas en los discos duros.
Memorias Cach integradas en los microprocesadores.
Swap. La memoria virtual o memoria Swap ("de intercambio") no se trata de
memoria RAM como tal, sino de una emulacin (simulacin funcional), esto
significa que se crea un archivo de grandes dimensiones en el disco duro o unidad
SSD, el cul almacena informacin simulando ser memoria RAM cundo esta se
encuentra parcialmente llena, as se evita que se detengan los servicios de la
computadora.





LATENCIA:
Latencia de la memoria est Relacionado con el tiempo que toma un bit de Viajar
de un extremo de un medio al otro en memoria hasta que es recibido. Depende de
tres factores:
Tiempo de propagacin del bit por el medio, que depende del tiempo de
propagacin de la corriente o luz por el medio, adems de la distancia recorrida
Mxima cantidad de datos que pueden ser transmitidos por la red sin
segmentarse. Al tiempo de propagacin del bit en un paquete se le llama tiempo
de transmisin.
Tiempos de espera para difundirse un paquete a travs de un conmutador,
adems del trfico de la red. A este tiempo se le denomina tiempo de cola.
La latencia es por esto una medida fundamental de la velocidad de memoria: a
menor latencia, ms rpida es la operacin de lectura.
Latencia = Tiempo de propagacin + Tiempo de transmisin + Tiempo de
cola
Tiempo de propagacin = distancia a recorrer/ velocidad de la luz
Tiempo de transmisin = tamao del paquete/ tasa de transferencia terica

La latencia y la tasa de transferencia
El producto de la latencia por la tasa de transferencia sirve para determinar el
tamao de los buffers para almacenar datos en los sistemas conectados a una
red.
Un adecuado tamao de buffer evitar la prdida de datos al momento de ser
transferidos.
Una tasa de transferencia alta es deseable cuando se transmiten grandes
cantidades de datos.
Una latencia baja es importante cuando se transmiten bajos volmenes de datos.




ANCHO DE BANDA
En conexiones a Internet el ancho de banda es la cantidad de informacin o de
datos que se puede enviar a travs de una conexin de red en un perodo de
tiempo dado.
El ancho de banda se indica generalmente en bites por segundo (BPS), kilobits
por segundo (kbps), o megabits por segundo (mps).
En las redes de ordenadores, el ancho de banda a menudo se utiliza como
sinnimo para la tasa de transferencia de datos - la cantidad de datos que se
puedan llevar de un punto a otro en un perodo dado (generalmente un segundo).
En general, una conexin con ancho de banda alto es aquella que puede llevar la
suficiente informacin como para sostener la sucesin de imgenes en una
presentacin de video.
PRECARGAS
Podemos precargar datos Tanto como queramos y almacenarlos en memoria
para su posterior uso. El circuito de Precarga sirve para dar soporte a los
amplificadores de seal.
Al conectarse los transistores para lectura (y amplificacin) se produce una
pequea diferencia de potencial en las lneas BL y BL*. La diferencia de potencial
en las lneas BL y BL* se ha de restaurar (a Vcc/2) durante una fase llamada de
precarga (

), antes de poder volver a acceder a una nueva fila.

PARALELALISMO
Es una funcin que realiza el procesador para ejecutar varias tareas al mismo
tiempo. Es decir, puede realizar varios clculos simultneamente, basado en el
principio de dividir los problemas grandes para obtener varios problemas
pequeos, que son posteriormente solucionados en paralelo.
Tipos de paralelismo informtica
Nivel de bit.
Nivel de instruccin.
Nivel de datos.
Nivel de tarea.

El paralelismo o procesamiento paralelo ha sido empleado durante muchos aos,
sobre todo en la computacin de alto rendimiento, teniendo en cuenta las
generaciones de procesadores y sus caractersticas.
Desventajas
Requieren de un gran nmero de ciclos de procesamiento o acceso a una
gran cantidad de datos.
Encontrar un hardware y un software que permitan brindar estas utilidades
comnmente proporciona inconvenientes de costos, seguridad y
disponibilidad.
Ventajas
Brinda a las empresas, instituciones y usuarios en general el beneficio de la
velocidad.
Ventaja competitiva, provee una mejora de los tiempos para la produccin
de nuevos productos y servicios.
Colaboracin y flexibilidad operacional.
Clasificacin de los sistemas paralelos en la informtica
Flujo de control; las instrucciones se van ejecutando segn el orden en el
que se encuentran en memoria.
Flujo de datos; el flujo de ejecucin es conducido por los datos; una
instruccin ser ejecutada cuando los operandos estn disponibles.
Reduccin; la ejecucin se realiza por demanda, una instruccin ser
ejecutada cuando otra necesite sus resultados. Son una clase de las de
flujo de datos.
SISD; arquitectura de simple construccin sobre simple dato. Serie en datos
e instrucciones, arquitectura Von Neumann.
SIMD; un solo flujo de instrucciones y mltiples en datos. Computadores
matriciales. Una unidad de control que gobierna varias unidades aritmtico-
lgicas.
MISD; varios flujos de instrucciones y uno solo de datos. Arquitectura no
implementada, consecuencia terica de la clasificacin. Superestructura
Pipeline, varios conjuntos de unidad de control ms unidad aritmtico lgica
realizan partes de una operacin sobre un flujo de datos.
MIMD; arquitectura multiprocesador con varios flujos tanto de instrucciones
como de datos. Varios procesadores serie convencionales que manejan
cada uno un flujo de instrucciones sobre un flujo de datos.

RENDIMIENTO Y JERARQUIA
La forma en que se organizan estos distintos tipos de memoria es lo que se
conoce como jerarqua de memoria.
En la cima de la jerarqua estn los registros.
En la base, las memorias secundarias (discos magnticos) y de almacenamiento
off line (CD, DVD, cintas).
Su objetivo es conseguir el rendimiento de una memoria de gran velocidad al
coste de una memoria de baja velocidad, basndose en el principio de cercana de
referencias.
A medida que ascendemos tenemos mayor rendimiento y ms costo por bit.
Entre la memoria principal y la secundaria hay otro tipo de memoria para salvar la
brecha.
Cuando ascendemos, tambin aumenta la frecuencia de accesos a ese tipo de
memoria
Memoria del computador: Objetivo:
Tecnologas diferentes Capacidad de almacenamiento
Fundamentos fsicos distintos Tiempo de acceso reducido
Localizacin en lugares distintos
Parmetros fundamentales que caracterizan los tipos de memorias del
computador:
Coste.
Velocidad. La memoria no debera provocar estados de espera al
procesador.
Capacidad.
La configuracin ideal: memoria rpida, gran capacidad y poco coste.
No hay que utilizar un solo tipo de memoria, sino emplear diferentes tipos de
memoria, es decir, utilizar una jerarqua de memoria.
Si bajamos hacia los niveles inferiores De la jerarqua curre que

El coste por unidad de informacin (bit) disminuye.
La capacidad aumenta.
El tiempo de acceso aumenta.
La frecuencia de accesos a la memoria por parte del registro del procesador
disminuye.
El principio de localidad de referencia depende de la frecuencia de accesos









JERAQUIA DE MEMORIA MEJORADA
Cuanta ms memoria haya disponible, ms podr utilizarse. La velocidad ptima
para la memoria es la velocidad a la que el procesador puede trabajar, de modo
que no haya tiempos de espera entre clculo y clculo, utilizados para traer
operandos o guardar resultados. En suma, el coste de la memoria no debe ser
excesivo, para que sea factible construir un equipo accesible.
Como puede esperarse los tres factores compiten entre s, por lo que hay que
encontrar un equilibrio. Las siguientes afirmaciones son vlidas:
A menor tiempo de acceso mayor coste.
A mayor capacidad menor coste por bit.
A mayor capacidad menor velocidad.
Se busca entonces contar con capacidad suficiente de memoria, con una
velocidad que sirva para satisfacer la demanda de rendimiento y con un coste que

no sea excesivo. Gracias a un principio llamado cercana de referencias, es
factible utilizar una mezcla de los distintos tipos y lograr un rendimiento cercano al
de la memoria ms rpida.
Los niveles que componen la jerarqua de memoria habitualmente son:
Nivel 0: Registros
Nivel 1: Memoria cach
Nivel 2: Memoria principal
Nivel 3: Memorias flash
Nivel 4: Disco duro (con el mecanismo de memoria virtual)
Nivel 5: Cintas magnticas Consideradas las ms lentas, con mayor
capacidad.
Nivel 6: Redes (Actualmente se considera un nivel ms de la jerarqua de
memorias)
MEMORIA CACH.
La memoria cach es un tipo de memoria voltil (del tipo RAM), pero de una gran
velocidad.
En la actualidad esta memoria est integrada en el procesador, y su cometido es
almacenar una serie de instrucciones y datos a los que el procesador accede
continuamente, con la finalidad de que estos accesos sean instantneos. Estas
instrucciones y datos son aquellas a las que el procesador necesita estar
accediendo de forma continua, por lo que para el rendimiento del procesador es
imprescindible que este acceso sea lo ms rpido y fluido posible.
Hay tres tipos diferentes de memoria cach para procesadores: Cach de 1er nivel
(L1): Esta cach est integrada en el ncleo del procesador, trabajando a la
misma velocidad que este. La cantidad de memoria cach L1 vara de un
procesador a otro, estando normalmente entra los 64KB y los 256KB. Esta
memoria suele a su vez estar dividida en dos partes dedicadas, una para
instrucciones y otra para datos. Cach de 2 nivel (L2):
Integrada tambin en el procesador, aunque no directamente en el ncleo de este,
tiene las mismas ventajas que la cach L1, aunque es algo ms lenta que esta. La
cach L2 suele ser mayor que la cach L1, pudiendo llegar a superar los 2MB. A
diferencia de la cach L1, esta no est dividida, y su utilizacin est ms
encaminada a programas que al sistema.


Cach de 3er nivel (L3):
Es un tipo de memoria cach ms lenta que la L2, muy poco utilizada en la
actualidad. En un principio esta cach estaba incorporada a la placa base, no al
procesador, y su velocidad de acceso era bastante ms lenta que una cach de
nivel 2 o 1, ya que si bien sigue siendo una memoria de una gran rapidez (muy
superior a la RAM, y mucho ms en la poca en la que se utilizaba)
La memoria cach se utiliza para mantener una copia en el disco duro de las
pginas de Internet visitadas recientemente.
La cache permite acelerar las lecturas y escrituras del procesador al sistema de
memoria. Esto es muy importante ya que el micro tiene que acceder
continuamente a este elemento para llevar a cabo sus funciones.
Memorias semiconductoras Memoria semiconductora: matriz de celdas que
contienen 1 0, donde cada celda se especifica por una direccin compuesta por
su fila (ROW) y su columna (COLUMN). Utilizacin de transistores >>
semiconductoras
Operaciones bsicas: lectura y escritura de datos. Conexin al exterior mediante
bus de datos, direcciones y control.
Dos categoras principales:
- ROM (read-only memory): los datos se almacenan de forma permanente o
semipermanente en memorias no voltiles.
- RAM (random-access memory): se tarda lo mismo en acceder a cualquier
direccin de memoria (acceso en cualquier orden), capacidad de lectura y
escritura, memorias voltiles. Dos tipos: SRAM y DRAM.
Memoria de acceso aleatorio Es la memoria donde se almacenan los datos en
tiempo real y que estn en ejecucin en un sistema de forma temporal y
controlada, los datos viajan desde y hacia el procesador y perifricos
Memorias de acceso aleatorio esttico (SRAM)
Utilizacin de flip-flops para almacenar celdas. Rapidez de acceso a los datos.
Tecnologa con la que se implementan las memorias cach.
Dos tipos: asncronas y sncronas de rfaga. Diferencia: utilizacin de la seal de
reloj del sistema para sincronizar todas las entradas este reloj.

Modo rfaga en las SRAM sncronas: leer o escribir en varias posiciones de
memoria (hasta 4) utilizando una nica direccin. Tambin presente en memorias
DRAM.
Estructura externa de una SRAM asncrona
Estructura interna de una SRAM asncrona
Cronograma de lectura/escritura de una SRAM asncrona Tiempo de acceso:
tiempo transcurrido desde que se hace la peticin (direccin a la entrada del bus
de direcciones) hasta que se accede al dato. Tiempo de ciclo (ciclo de
lectura/escritura): tiempo mnimo que debe transcurrir entre dos peticiones de
lectura y escritura.
Memorias de acceso aleatorio dinmico (DRAM Celdas implementadas mediante
un condensador en vez de un latch/biestable = mayor densidad de
almacenamiento a un menor costo. Se pasa de 6 transistores a 1 transistor.
Transistor MOS (MOSFET). El transistor acta como interruptor.
Guarda la mnima carga elctrica posible para luego poder ser leda mediante un
circuito de amplificacin: cargado (1) o descargado (0).
Acceso por fila (lnea de palabra) y por columna (lnea de bit)
Memorias ms lentas que las SRAM: se prima bajo costo y la mayor capacidad de
almacenamiento.
Requieren refresco peridico (Dinamic RAM): el condensador se descarga.
Tiempo de ciclo > tiempo de acceso. Multiplexacion de direcciones: ahorro de
pines en los chips de memoria. Las SRAM al tener menor capacidad, no tenan
ese problema
. Asncronas y sncronas: intercambio de seales entre la memoria y el procesador
o utilizacin de una seal de reloj
Memorias DRAM asncronas
Memorias FMP RAM Una operacin de lectura/escritura consiste en una
secuencia de accesos donde slo el primero especifica la fila y la columna. El
resto se realizan sobre la misma fila (pgina) especificando slo la columna. El
primer acceso es el ms lento. Se puede llegar a ahorrar hasta un 50% en el
tiempo de acceso. Problema/desventaja: a la subida de CAS se quita el dato de

salida del bus de datos. Esto limitaba el tiempo que tenan los procesadores para
leer el dato antes de ser quitado de la salida del bus de datos.
Memorias EDO RAM (Exte Mantiene el
dato vlido ms tiempo: se guarda el dato en un buffer y no as no se elimina del
bus a la subida de la seal CAS Extended Out. As la CPU tiene ms tiempo para
leer dato. Aumenta la frecuencia de funcionamiento hasta los 40mhz
consiguiendo una mejora en el rendimiento de un 40% respecto FPM.
Memorias BEDO RAM (Burst EDO RAM) Una vez que se haya proporcionado
una direccin de columna las siguientes direcciones se generan internamente
mediante un Contador -> modo rfaga (burst). Frecuencia 66mhz.-> Problema:
memoria asncrona (y lenta). La seal de CAS# se generaba a partir de CLK y
luego se lea. Por qu no muestrear entonces directamente seal CAS# mediante
seal CLK? -> Siguiente generacin: DRAMs sncronas o SDRAMs.
Otros aspectos relacionados con las DRAMs Operacin de rescritura peridica de
la informacin de la DRAM. La realizan un circuito de refresco que puede ser
independiente o estar dentro de la memoria DRAM. Actualmente integrado
dentro. El refresco puede interferir con los ciclos de acceso a la memoria. Con
cada acceso a la DRAM, para lectura o escritura, se refresca una fila completa de
la matriz de bits. Se refrescan simultneamente todos los chips (del SIMM
DIMM). Supone una bajada en el rendimiento de la RDAM: a veces la DRAM no
est disponible. Diseadores intentan que sea menos del 5% del tiempo total.
Mejoras para aumentar el rendimiento
1 Varias palabras por cada acceso a una palabra de la DRAM. Estas palabras
(bloque) se pueden guardar en una memoria intermedia de tipo SRAM llamada
memoria cach. Requiere aadir una lgica extra (multiplexor) entre ambas
memorias
2 Pipeline de direcciones: el procesador pide un segundo acceso sin tener el dato
antes del primero. Se minimiza el tiempo de latencia del procesador. Relacionado
con el concepto de rfaga. Aparece ya en las memorias FPM.
El controlador de memoria Los chips de DRAM no se conectan directamente al
bus. El controlador de memoria adapta las seales del procesador a las de la
memoria.
Funciones: Traduccin de la direccin que enva el procesador en filas y
columnas. Activar seales de control: RAS#, CAS#,... Sincronizacin con todos

los chips de DRAM. Seleccin mdulo DRAM (en DIMMs). Refresco. A veces
esta funcin (o parte de ella) ya va incluida en los propios chips de DRAM.
Verificar paridad.
Mdulos de Memoria DRAM Los chips de memoria DRAM se agrupan en
circuitos impresos que constituyen mdulos de memoria y que son usados para
ser directamente (insertados) en los computadores. Estos mdulos estn
estandarizados y han evolucionado en paralelo a los diferentes tipos de
DRAMs. Se clasifican/nombran por su patillaje (n contactos), tecnologa DRAM,
fabricante,
Memorias DRAM sncronas Memorias SDRAM (Synchronous DRAM Los
protocolos de comunicacin entre la CPU y la DRAM producen una latencia
alta Se elimina la necesidad de propagar mltiples strobes y de seales para
comunicar la entrada de datos. Nuevas seales Memoria BEDO ampliada que
utiliza seal reloj para sincronizacin, entrelazado interno y dos registros por
separado para datos de E/S.
Memorias SDRAM (Synchronous DRAM) Utilizacin de mandatos (commands)
en vez de seales. Registros de modo programables La latencia CAS (nmero
de ciclos entre mandato READ y datos disponibles en DQs) suele ser 2 3 ciclos.
Memorias DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) Evolucin natural de las
SDRAM Se aaden algunas nuevas seales y se quitan otras Subir los MHz
fsicos es ms difcil (y caro) de fabricar = razn de su xito. Varias familias en
funcin de su frecuencia virtual.
Memorias RDRAM (Rambus DRAM)+ Alternativa sin xito comercial de la
memoria DDR Bus de alta velocidad (entre 800 MHz y 1600 MHz) pero ancho de
bus pequeo (16 bits Arquitectura dividida en dos grandes bloques: un bloque
compuesto por hasta 32 bancos de memoria y otro compuesto por un interfaz
Rambus que permite a un controlador externo acceder con una velocidad de hasta
3,2 Gb/s. Mltiples accesos concurrentes. Tambin orientado a mandatos
Memoria SIMM. Significa "Mdulo de Memoria en Lnea". Este es un tipo ms
antiguo de la memoria del ordenador. Un SIMM es una pequea placa de circuito
con un montn de chips de memoria en la misma. SIMM utilizar un bus de 32 bits,
que no es tan ancho como el bus de 64 bits de doble lnea de mdulos de
memoria (DIMM) su uso

Memoria DIMM. El mdulo de memoria en lnea dual o DIMM es un mdulo de
memoria ms reciente, diseada para ser utilizado en sistemas de computacin de
quinta y sexta generacin. DIMM de 168 pines son de tamao, y proporcionar los
bits de memoria de 64 de ancho.
Memoria DRAM. DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de
memoria dinmica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los mdulos
de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Su
principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de
posiciones y que todava funcionen a una velocidad alta.
Memoria DDR. DDR (Double Data Rate) significa doble tasa de transferencia de
datos en espaol. Son mdulos de memoria RAM compuestos por memorias
sincrnicas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la
transferencia de datos por dos canales distintos simultneamente en un mismo
ciclo de reloj.
Memoria SDRAM. (SDRAM) Synchronous Dynamic Random Access Memory es
una memoria dinmica de acceso aleatorio DRAM que tiene una interfaz sncrona.
Tradicionalmente, la memoria dinmica de acceso aleatorio DRAM tiene una
interfaz asncrona, lo que significa que el cambio de estado de la memoria tarda
un cierto tiempo, dado por las caractersticas de la memoria, desde que cambian
sus entradas.

Memoria RIMM. RIMM, acrnimo de Rambus Inline Memory Module (Mdulo de
Memoria en Lnea Rambus), designa a los mdulos de memoria RAM que utilizan
una tecnologa denominada RDRAM.
Memoria VRAM. Memoria grfica de acceso aleatorio (Video Random Access
Memory) es un tipo de memoria RAM que utiliza el controlador grfico para poder
manejar toda la informacin visual que le manda la CPU del sistema.






CONCLUSIN

en este trabajo comprendimos los distintos tipos de memoria que existen en una
computadora adems aprendimos la funcin de cada una. tambin la ubicacin
de cada una para que sirven y como interactan con el microprocesador para
lograr un mejor rendimiento del mismo asi como mejorar la rapidez y la agilidad a
la hora de procesar los datos que sern almacenados ya sea temporalmente o
para siempre. comprendimos que la memoria rom es una memoria a la cual no se
le puede modificar su informacin , que la memoria ram es una memoria que
alberga informacin solo por un tiempo ya que se considera una memoria voltil al
igual que la memoria cache pero esta ayuda mas al procesador



















BIBLIOGRAFIA

www.taringa.net/posts/info...ecnoloias-de-memorias-RAM.html
es.iipedia.oriiMemoriadeaccesoaleatorio
http://www.slideshare.net/FernandoVanegas/memorias-tecnologa
http://www.slideshare.net/yohiner/tecnologas-de-memoria-11956967
http://www.monografias.com/trabajos82/que-es-memoria-cache-procesador/q