1.

- Mencionar todas las caractersticas sobresalientes de los transistores Bipolar

es y los
MOSFETs.
El Transistor Bipolar
Un transistor bipolar est formado por dos uniones pn en contraposicin. Fsicamente,
el transistor est consitutdo por tres regiones semiconductoras denominadas emisor,
base y colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los denominados NPN
y PNP:
Transistores Bipolares npn y pnp.
A partir de este punto nos centramos en el estudio de los transistores bipolares
NPN, siendo el comportamiento de los transistores PNP totalmente anlgolo.
Condiciones de funcionamiento
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el
diodo B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra polari
zado en inversa. En esta situacin gran parte de los electrones que fluyen del emi
sor a la base consiguen atravesar sta, debido a su poco grosor y dbil dopado, y ll
egar al colector.
El transistor posee tres zonas de funcionamiento:
1. Zona de saturacin: El diodo colector est polarizado directamente y es tran
sistor se comporta como una pequea resistencia. En esta zona un aumento adicionar
de la corriente de base no provoca un aumento de la corriente de colector, sta d
epende exclusivamente de la tensin entre emisor y colector. El transistor se asem
eja en su circuito emisor-colector a un interruptor cerrado.
2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente
de corriente , determinada por la corriente de base. A pequeos aumentos de la co
rriente de base corresponden grandes aumentos de la corriente de colector, de fo
rma casi independiente de la tension entre emisor y colector. Para trabajar en e
sta zona el diodo B-E ha de estar polarizado en directa, mientra que el diodo B-
C, ha de estar polarizado en inversa.
3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalen
te a mantener el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la corrie
nte de colector es prcticamente nula y por ello se puede considerar el transistor
en su circuito C-E como un interruptor abierto.
Los transistores se usan en su zona activa cuando se emplean como amplificadores
de seales. Las zonas de corte y saturacin son tiles en circuitos digitales.
ESTRUCTURA DEL MOSFET
Controla el paso de corriente elctrica entre un terminal llamado fuente y otro ll
amado drenador mediante la aplicacin de una tensin elctrica en un tercer terminal l
lamado puerta, modificando la tensin elctrica aplicada a la puerta aparece o desap
arece un canal conductor que conecta o desconecta la fuente y el drenador permit
iendo el cierre o la apertura del drenador.
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de cana
l P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de acumulacin (enhancement) o
deplexion (deplexion); en la actualidad los segundos estn prcticamente en desuso
y aqu nicamente sern descritos los MOS de acumulacin tambin conocidos como de enrique
cimiento.
En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es contro
lada por la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los tra
nsistores FET, la corriente de salida es controlada por una tensin de entrada (un
campo elctrico). En este caso no existe corriente de entrada.
Los transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que manipularlos con c
uidado. Debido a que la capa de xido es muy delgada, se puede destruir con facili
dad si hay alta tensin o hay electricidad esttica.
2.- Para qu se colocan Diodos en Serie y Diodos en Paralelo?
Diodos conectados en serie.- En muchas aplicaciones de alto voltaje, un diodo co
mercialmente disponible no puede dar la especificacin de voltaje requerida, por l
o que los diodos se conectan en serie para aumentar las capacidades de bloqueo i
nverso.
Diodos conectados en paralelo.- En aplicaciones de alta potencia, los diodos se
conectan en paralelo para aumentar la capacidad de conduccin de corriente, a fin
de llenar las especificaciones de corriente deseadas. La distribucin de corriente
de los diodos estar de acuerdo con sus respectivas cadas de voltaje directas. Se
puede obtener una distribucin de corriente uniforme proporcionando inductancias i
guales o conectando resistencias de distribucin de corriente.
3.- Qu ventajas ofrece un circuito convertidor que utiliza dispositivos de potenc
ia en vez de dispositivos electromecnicos?
Conversin de potencia es el proceso de convertir una forma de energa en otra, esto
puede incluir procesos electromecnicos o electroqumicos.
Dichos dispositivos son empleados en equipos que se denominan convertidores estti
cos de potencia, clasificados en:
Rectificadores: convierten corriente alterna en corriente continua
Inversores: convierten corriente continua en corriente alterna
Cicloconversores: convierten corriente alterna en corriente alterna de otra frec
uencia menor
Choppers: convierten corriente continua en corriente continua de menor o mayor t
ensin
En la actualidad esta disciplina est cobrando cada vez ms importancia debido princ
ipalmente a la elevada eficiencia de los convertidores electrnicos en comparacin a
los mtodos tradicionales, y su mayor versatilidad. Un paso imprescindible para q
ue se produjera esta revolucin fue el desarrollo de dispositivos capaces de manej
ar las elevadas potencias necesarias en tareas de distribucin elctrica o manejo de
potentes motores.
4.- Cul es la causa del tiempo de almacenamiento, ts, en los BJT?
Cuando el voltaje de entrada se invierte de V1 a -V2 y la corriente de base tamb
in cambia a Ib2, la corriente d colector no cambia durante un tiempots es el tiemp
o de almacenamiento
5.- Para aplicaciones de potencia, cules son los factores a tomar en cuenta para
una correcta seleccin de un diodo?
Los diodos que se utilizan para aplicaciones de potencia, son de rpida recuperacin
inversa. A diferencia de los diodos de propsito general, estos pueden operar a f
recuencias mas altas. Las caractersticas mas sobresalientes son:
El tiempo de recuperacin inversa es menor a 35S.
Llegan a operar a temperaturas de 175C.
Manejan corrientes y voltajes del rango de kA y kV, respectivamente.
La corriente de fuga es del orden de A.
Para la eleccin correcta de los diodos, se deben obtener las corrientes pico as co
mo el mximo voltaje inverso.
6.- Explicar el proceso de ENCENDIDO un transistor MOSFET. Qu requisitos se deben
cumplir para el que MOSFE conduzca?
Es el retardo de encendido td(enc) es el tiempo necesario para cargar la capacit
ancia de entrada hasta el valor del voltaje umbral.
7.- Por qu de la importancia de la seleccin y clculo de un disipador de calor, en lo
s dispositivos de potencia?
Los disipadores de calor son unos elementos complementarios que se usan para aum
entar la evacuacin de calor del componente al que se le coloque hacia el aire que
lo rodea. Esto trae como consecuencia que se reduce la temperatura de trabajo d
el componente ya que la cantidad de calor que se acumula en l es menor que sin di
sipador.