n

n
n
d
d
d
i
i
i
c
c
c
e
e
e



TEMA 11: Modelos de gran seal del BJT 11.1

11.1. INTRODUCCIN 11.1

11.2. MODELO DE EBERS-MOLL 11.3
11.2.1. Deduccin del modelo 11.3
11.2.2. Clculo experimental de
F
,
R
,
ES
I e
CS
I
11.7
11.2.3. Otra forma de expresar las ecuaciones de Ebers-Moll 11.8
11.2.4. Versin transporte del modelo de Ebers-Moll 11.10

11.3. CURVAS CARACTERSTICAS IDEALES I-V 11.11

11.4. DESVIACIONES RESPECTO AL TRANSISTOR BIPOLAR IDEAL 11.15
11.4.1. Efecto Early 11.15
11.4.2. Variaciones de
F
con I
C
11.20

11.5. RECTA DE CARGA ESTTICA 11.22

11.6. ESTABILIDAD DE LA POLARIZACIN: CIRCUITO DE AUTOPOLARIZACIN
O POLARIZACIN POR EMISOR.
11.27
11.i


11.1





T
T
T
e
e
e
m
m
m
a
a
a


1
1
1
1
1
1



M
M
M
o
o
o
d
d
d
e
e
e
l
l
l
o
o
o
s
s
s


d
d
d
e
e
e


G
G
G
r
r
r
a
a
a
n
n
n


S
S
S
e
e
e

a
a
a
l
l
l


d
d
d
e
e
e
l
l
l


B
B
B
J
J
J
T
T
T



11.1.- Introduccin
En el tema anterior ya se ha comentado que existen cuatro modos de
funcionamiento o polarizacin del transistor bipolar en funcin de las polarizaciones
directa o inversa aplicadas a sus uniones. El clculo de las corrientes en los terminales
en funcin de dichas tensiones puede realizarse para cada modo de funcionamiento
particular a partir del perfil de minoritarios existente en cada una de las regiones
neutras de emisor, base y colector. Sin embargo, este estudio tambin puede abordarse
de forma general para dos valores cualesquiera de las tensiones aplicadas a las
uniones, obtenindose un conjunto de ecuaciones vlidas para cualquier regin de
polarizacin. Las corrientes en los terminales, para cada modo particular, se
Tema 11: Modelos de gran seal

11.2
obtendrn (tanto el valor como el sentido) teniendo en cuenta si la unin
correspondiente est directa o inversamente polarizada.
En concreto, el modelo analtico que vamos a deducir para el transistor bipolar
es el denominado Modelo de Ebers-Moll. Una variante de ste est implementada en
el programa SPICE, considerado un estndar dentro de los simuladores de circuitos
analgicos y de uso universalmente extendido.
La representacin grfica de las ecuaciones obtenidas permitir obtener y
analizar las curvas caractersticas del transistor en las diferentes regiones de
funcionamiento.
Finalmente, se analizarn algunos efectos de segundo orden no tenidos en
cuenta en la descripcin inicial del transistor bipolar, como son el Efecto Early y la
variacin de
F
con la corriente de colector I
C
.

Modelo de EbersMoll

11.3
11.2.- MODELO DE EBERS-MOLL
11.2.1.- Deduccin del Modelo
Al objeto de fijar ideas, vamos a considerar que estamos trabajando con un
transistor pnp. Su funcionamiento para cualquier modo de polarizacin puede deducirse
fcilmente sin ms que tener en cuenta que est formado por dos uniones pn muy
prximas entre s. Esto es, la conexin entre ambas uniones se realiza a travs de una
regin de base sumamente estrecha, tal y como hemos visto en la descripcin del
funcionamiento del transistor en el modo activo.
Supongamos entonces que el pnp est polarizado por dos tensiones cualesquiera,
y V (Figura 11.1). 0
EB
V > 0
CB
>





En tal caso, la corriente de emisor
E
I presenta dos componentes (Figura 11.2):
- La corriente que se produce en dicha unin debida a su polarizacin,
F
I .
- La corriente debida a la presencia prxima de la unin de colector. Es decir,
la fraccin de la corriente generada por la unin de colector,
R
I , que se
transmite a travs de la base y es recogida por la unin de emisor,
R R
I
.


V
EB
V
CB
Figura 11.1.- Transistor pnp polarizado con dos tensiones cualesquiera, 0
EB
V > y 0
CB
V > .
Tema 11: Modelos de gran seal

11.4
Anlogamente, la corriente de colector
C
I presenta dos componentes:
- La corriente debida a la polarizacin de la unin de colector,
R
I .
- La fraccin de corriente producida por la unin de emisor,
F
I , que se
transmite a travs de la regin de base y es recogida por la unin de colector,
F F
I .






(a)
I
F

R
I
R
I
B
I
R

F
I
F
I
C



I
E
(b)
VCC_CIRCLE
VCC_CIRCLE

R
I
R
I
F

F
I
F
I
R
I
C
I
B
I
E

Figura 11.2.- (a) Componentes de corriente en un transistor pnp; (b) Modelo de Ebers-Moll de gran seal
para un transistor pnp.
VCC_CIRCLE
La representacin circuital de las consideraciones hechas en el prrafo anterior
se muestra en la Figura 11.2b. Los dos diodos en oposicin representan las uniones del
transistor bipolar, mientras que los dos generadores de corriente indican la conexin
Curvas caractersticas ideales I-V

11.5
entre ambas uniones. Los subndices significan: F (forward), transmisin directa de
emisor a colector y R (reverse), transmisin inversa de colector a emisor.
Las corrientes en los terminales del circuito representado en la Figura 11.2b
pueden expresarse en funcin de estas componentes como:
E F R R
C F F R
I I I
I I I

=
= +
( ) 11.1
Si desarrollamos estas ecuaciones, resulta:
exp 1 exp 1
exp 1 exp 1
CB EB
E ES R CS
T
CB EB
C F ES CS
T T
V V
I I I
V V
V V
I I I
V V

=



= +


T

( )
( )
11.2
11.2
a
b
Las ecuaciones (11.2) constituyen las ecuaciones del MODELO DE
EBERS-MOLL para un transistor pnp y son vlidas para todos los modos de
polarizacin.
Las corrientes
ES
I e
CS
I representan las corrientes de saturacin de las uniones
emisor-base y colector-base respectivamente. Dichas corrientes, tal y como se vio en el
caso del diodo, tienen dos componentes que provienen del anlisis de las regiones
neutras involucradas.
Los parmetros
F
y
R
son ambos menores que la unidad, puesto que no toda
la corriente generada por una unin es recogida por la otra unin. En efecto, tal y como
se vio en el tema anterior, existen, por una parte, componentes de corriente que no
intervienen en el efecto transistor (tal es el caso de la corriente de portadores inyectados
por la base en el emisor,
nE
I ) y, por otra, prdidas por recombinacin en la base,
rB
I .
Los valores de
F
,
R
,
ES
I e
CS
I dependen del dopado y de la geometra de las
Tema 11: Modelos de gran seal

11.6
regiones de emisor, base y colector.
Por lo tanto, segn las ecuaciones (11.2), cuatro son los parmetros que
gobiernan el funcionamiento del transistor bipolar:
F
,
R
,
ES
I e
CS
I . Sin embargo, el
nmero de parmetros se reduce si se tiene en cuenta que stos verifican la siguiente
relacin:
F ES R CS S
I I I = = ( ) 11.3
La ecuacin (11.3) se denomina Relacin de Reciprocidad y el parmetro
S
I
es la Corriente de Saturacin del Transistor. Su interpretacin fsica es la
siguiente: La corriente de saturacin de una unin pn posee dos trminos, cada uno de
los cuales proviene del anlisis de la regin neutra considerada. Como consecuencia de
ello,
F ES
I representa la porcin de la corriente de saturacin de la unin de emisor
ES
I
que proviene del anlisis de la regin de base,
F
. Anlogamente,
R CS
I es la porcin
de la corriente de saturacin de la unin de colector
CS
I que proviene del anlisis de la
base,
R
. La relacin de reciprocidad, ecuacin (11.3), simplemente pone de manifiesto
que el anlisis de la regin de base es el mismo tanto para
ES
I como para
CS
I , siendo
S
I la porcin comn de ambas corrientes de saturacin. La corriente
S
I constituye, por
lo tanto, una constante fundamental del dispositivo.
Si se tiene en cuenta la relacin de reciprocidad, slo son necesarios tres
parmetros para caracterizar el funcionamiento del transistor bipolar:
F
,
R
e
S
I .
Indudablemente, si la regin de base fuera muy ancha (w
B
>>L
mB
), la fraccin
de corriente que atraviesa la base sera muy pequea. Es decir,
F
y
R
seran mucho
menores que la unidad o, lo que es equivalente, la corriente de recombinacin en la base
rB
I sera apreciable. En tal caso, el modelo del transistor bipolar degenerara en el de
dos diodos conectados en oposicin con un terminal comn, esto es, el efecto transistor
entendido como la transferencia de corriente de una unin a otra desaparecera.
Curvas caractersticas ideales I-V

11.7

Para obtener las ecuaciones de EBERS-MOLL de un transistor npn, basta con
cambiar el signo a las tensiones y las corrientes, lo que conduce a:
exp 1 exp 1
exp 1 exp 1
BC BE
E ES R CS
T T
BC BE
C F ES CS
T T
V V
I I I
V V
V V
I I I
V V

= +



=

( )
( )
11.4
11.4
a
b
Finalmente, cabe sealar que, conocidas las corrientes de emisor y de colector, la
corriente de base se obtendr teniendo en cuenta que en un transistor bipolar la suma de
las tres corrientes ha de ser cero.
0
E B C
I I I + + = ( )
B E C
I I I = + ( ) 11.5
11.2.2.- Clculo experimental de
F
,
R
,
ES
I e
CS
I
Las constantes que aparecen en el modelo de Ebers-Moll pueden interpretarse
tambin como parmetros externos del transistor bipolar, puesto que pueden medirse
experimentalmente. En efecto, si partimos de las ecuaciones de Ebers-Moll para un pnp
(ecuacin 11.2) y cortocircuitamos la unin de colector, resulta que:
0
CB
V = exp 1
EB
E ES
T
V
F
I I I
V

= =



exp 1
EB
C F ES F E F
T
V
F
I I I
V


= = =


I
0 0
CB CB
C C
F
F E
V V
I I
I I

= =
= =
Es decir,
F
es la ganancia directa de corriente en base comn con la salida en
Tema 11: Modelos de gran seal

11.8
cortocircuito, mientras que,
ES
I es la corriente inversa de saturacin de la unin de
emisor con la salida en cortocircuito.
Anlogamente,
R
es la ganancia inversa de corriente en base comn con la
entrada en cortocircuito, mientras que
CS
I es la corriente inversa de saturacin de la
unin de colector con la entrada en cortocircuito.
11.2.3.- Otra forma de expresar las ecuaciones de Ebers-Moll
Las ecuaciones de Ebers-Moll pueden expresarse tambin en funcin de las
corrientes de colector y emisor de circuito abierto. Para ello, teniendo en cuenta las
ecuaciones de Ebers-Moll para un transistor pnp, ecuaciones (11.2), si en la ecuacin
(11.2a), se despeja el primer trmino y se sustituye en la ecuacin (11.2b), resulta que:
( ) 1 exp
CB
C F E F R CS
T
V
I I I
V
1

= +


( ) 11.6
Anlogamente, si en la ecuacin (11.2b) se despeja el segundo trmino y se
introduce en la ecuacin (11.2a), se obtiene que:
( ) 1 exp
EB
E R C F R ES
T
V
I I I
V


= +

( ) 11.7
Definiendo:
( ) 0
0
1
E
CB
I
CBO CO C F R C
V
S
I I I I
=
<
= =
( ) 0
0
1
C
EB
I
EBO EO E F R ES
V
I I I I
=
<
= =
las ecuaciones (11.6) y (11.7) pueden entonces escribirse de la siguiente forma:
Curvas caractersticas ideales I-V

11.9
exp 1
exp 1
EB
E R C EO
T
CB
C F E CO
T
V
I I I
V
V
I I I
V

CO

( )
( )
11.8
11.8
a
b
Las ecuaciones (11.8) constituyen una forma alternativa de expresar el Modelo
de Ebers-Moll. Al ser unas ecuaciones basadas en la fsica del dispositivo, cuando se
utilicen habr que colocar el signo a todas las tensiones y corrientes conocidas.
Anlogamente, para un transistor npn, partiendo de las ecuaciones (11.4) pueden
obtenerse las ecuaciones (11.8) con los subndices cambiados en las tensiones. Por lo
tanto, las ecuaciones (11.8) tal y como estn expresadas sirven tanto para un pnp como
para un npn (con la salvedad en este ltimo caso, adems de los subndices de las
tensiones ya comentado, que I , ). 0
EO
I >
Teniendo en cuenta las definiciones de
EO
I e
CO
I , resulta que la relacin de
reciprocidad se mantiene tambin para las corrientes de circuito abierto, esto es:
F EO R CO
I I = ( ) 11.9
En lugar de los parmetros
F
y
R
(ganancias directa e inversa en la
configuracin de base comn con la salida/entrada en cortocircuito), pueden tambin
utilizarse los parmetros
F
y
R
(ganancias directa e inversa en la configuracin de
emisor comn) definidos como:
1
F
F
F

1
R
R
R

( ) 11.10


Tema 11: Modelos de gran seal

11.10
11.2.4.- Versin transporte del Modelo de Ebers-Moll
Las ecuaciones (11.2) y (11.4) constituyen el Modelo de Ebers-Moll en su
versin de inyeccin para los transistores pnp y npn respectivamente. Existe otra
manera de expresar este modelo sin ms que utilizar las corrientes de los generadores
como corrientes de referencia y expresar en funcin de ellas las corrientes que circulan
por los diodos. En efecto, si se sigue trabajando con un transistor pnp el resultado es el
que se observa en la Figura 11.3.


VCC_CIR


CLE
VCC_CIRCLE
R
I
R
= I
EC
F CC F

F
I
F
= I
CC
R EC R
I
C
I
B

I = I / I = I /
I
E
Figura 11.3.- Representacin circuital del Modelo de Ebers-Moll en el que se han tomado las
corrientes de los generadores como corrientes de referencia.
Adems, puesto que los generadores de corriente dan cuenta de la corriente de
portadores que se transfiere de una unin a otra a travs de la regin de base, pueden
sustituirse por un nico generador
CT
I entre colector y emisor que represente la
corriente neta de portadores (Figura 11.4).
exp exp
CB EB
CT CC EC S
T T
V V
I I I I
V V

= =



Esto obliga a reformular las corrientes en los diodos que, en este caso, deben
reflejar slo la corriente de portadores inyectados por la base en el emisor y colector
respectivamente. As, la corriente en el diodo emisor-base vendr dada por:
( ) 1 exp 1 exp 1
S F F EB EB
F F F F F F ES
F F T F T
I V V
I I I I I
V V




= = = =



Curvas caractersticas ideales I-V

11.11
De igual forma, la corriente en la unin colector-base es:
( ) 1 exp 1 exp 1
CB S CB R R
R R R R R R CS
R R T R T
V I V
I I I I I
V V




= = = =



Como puede apreciarse en la Figura 11.4, siguen siendo tres los parmetros que
caracterizan el funcionamiento del transistor:
S
I ,
F
y
R
.




VCC_CIRCLE
VCC_CIRCLE
I
CT
F F F R R R
I
C
I
E
I - I I - I I
B

Figura 11.4.- Versin transporte del Modelo de Ebers-Moll para un transistor pnp.
11.3.- CURVAS CARACTERSTICAS IDEALES I-V
Las ecuaciones de Ebers-Moll pueden representarse grficamente obteniendo lo
que se denominan las curvas caractersticas I-V del transistor bipolar.
Para la obtencin de estas grficas y su anlisis, conviene recordar que el
transistor bipolar puede ser utilizado en tres configuraciones diferentes dependiendo de
cul sea el terminal comn a los circuitos de entrada y de salida. Para cada
configuracin tendremos entonces dos tensiones (la de entrada y salida) y dos corrientes
(la de entrada y salida), lo que hace que podamos tomar dos de ellas como variables
independientes en funcin de las cuales se representarn las dos restantes, utilizando
una de las primeras como parmetro. Como consecuencia de ello, se habla de
caractersticas de entrada y caractersticas de salida dependiendo de si la variable
representada grficamente pertenece al circuito de entrada o de salida.
Tema 11: Modelos de gran seal

11.12
De las tres configuraciones, emisor, base o colector comn, la ms utilizada en
circuitos con transistores bipolares es la de emisor comn; de ah que centremos en ella
nuestra atencin. Razonamientos similares pueden hacerse para las configuraciones de
base y colector comn.
Configuracin en Emisor Comn
En la Figura 11.5 se ha representado un transistor bipolar en la configuracin de
emisor comn. En dicha figura aparecen indicadas las tensiones y corrientes de entrada
y salida.




La familia de curvas ( )
CE
B BE
V parametro
I f V

= constituye lo que se denomina

caractersticas de entrada en la configuracin de emisor comn. De forma anloga, la
familia de curvas ( )
B
C CE
I parametro
I f V

= constituye las caractersticas de salida en la

configuracin de emisor comn. Dichas curvas se encuentran representadas en las
Figuras 11.6a y 11.6b respectivamente.
La Figura 11.6a corresponde a las caractersticas de entrada de un transistor pnp
en la configuracin de emisor comn. En ella pueden observarse dos curvas que
corresponden a las regiones activa y saturacin. En efecto:
Si 0 estamos en SATURACIN, esto es, las dos
uniones se encuentran directamente polarizadas. En este caso, la corriente de
base
0
CE
V =
EB CB
V V = >
B
I est constituida fundamentalmente por la corriente de electrones
inyectados en las regiones de emisor y de colector, de ah que la curva sea
E
C
I
B
B
I
C
V
CE
E
V
BE
Figura 11.5.- Transistor bipolar pnp en la configuracin de emisor comn.
Curvas caractersticas ideales I-V

11.13
semejante a la de un diodo. Efectivamente:
. exp 1 . exp 1
EB EB
B rB
T T
V V
I reg deemisor reg decolector I
V V

= + +



( ) . . exp
EB
B
T
V
I reg emisor reg colector
V

+


1
En SATURACIN, la corriente de base aumenta respecto de su valor en el
MODO ACTIVO
F
efectiva disminuye.






-I
B








V
EB
V
CE
= 0
V
CE
> kT/q
(a)
-I
C
-V
CE
Saturacin
I
B
= 0
I
B
< 0
Regin
Activa
Corte

(b)
Figura 11.6.- Curvas caractersticas I-V en emisor comn para un pnp ideal:
(a) Caractersticas de entrada, (b) Caractersticas de salida.
Tema 11: Modelos de gran seal

11.14
Para valores de tales que 0
CE
V <
CE
V > algunos , podemos observar
una nica curva correspondiente al MODO ACTIVO. Ciertamente, si
/ kT q
CE CB BE
V V V = + 0,7
BE
V
,
con V
CB
para uniones de silicio, valores grandes y
negativos de implican valores grandes y negativos de V . En este caso,
la corriente de base tiene que proporcionar electrones a la base para que se
recombinen con los huecos inyectados por el emisor y, adems, ha de
inyectar electrones en el emisor. Esta ltima ser su componente dominante.
Por lo tanto, los valores de
CE
V
B
I son menores que los correspondientes al
modo de saturacin para una dada. La razn de obtener una nica curva
en el modo activo es debido al hecho de que una vez que la unin de
colector se encuentra inversamente polarizada, su valor no tiene efecto, en
primera aproximacin, en la inyeccin de portadores (en nuestro caso
electrones) desde la base hacia el emisor.
EB
V
En la Figura 11.6b se muestran las caractersticas de salida de un transistor pnp
en la configuracin de emisor comn, distinguindose tres regiones de funcionamiento:
1. Valores grandes y negativos de con
CE
V 0
B
I < e 0
C
I < definen el MODO
ACTIVO de funcionamiento. Fijada una corriente de base o lo que es
equivalente, una polarizacin directa de la unin de emisor, la corriente de
colector es independiente, en primera aproximacin, de los valores de V .
El valor de V define el lmite entre la regin activa y saturacin.
CB
0
CB
=
2. Para valores de , siendo en este caso 0
CB
V > 0,7
CE
V < V
B
, tanto el emisor
como el colector inyectarn portadores en la base (huecos en un transistor
pnp). Nos encontramos entonces en la regin de SATURACIN. Para una
I fija, la corriente de colector
C
I disminuir, debido a la reduccin de V .
EB
CEO
3. El valor de marca el lmite entre la regin activa y la regin de corte,
siendo
0
B
I =
I la corriente de colector de circuito abierto en emisor comn
Curvas caractersticas ideales I-V

11.15
definida como,
0
0
B
CB
I
CEO C
V
I I
=
<
=
Es de sealar que
CEO CO
I I > debido al efecto transistor. En efecto, en el
modo activo sabemos que:
( ) 1
C B CO
I I I = + +
( ) 0
0
1
B
CB
I
CEO C CO
V
I I I
=
<
= = +
Para valores de
C CEO
I I < , la y el BJ T estara en la regin de
CORTE.
0
B
I >
11.4.- DESVIACIONES RESPECTO AL TRANSISTOR BIPOLAR IDEAL
En este apartado se van a analizar algunos de los fenmenos que explican las
desviaciones de los transistores reales respecto al modelo ideal presentado
anteriormente. Concretamente, se estudiarn:
El efecto Early, modulacin de la anchura de la regin neutra de la base con
las tensiones aplicadas a las uniones V , V .
EB CB
La variacin de
F
con la corriente de colector
C
I .
11.4.1.- Efecto Early
En el modelo de Ebers-Moll deducido anteriormente, se ha supuesto que la
anchura de la regin neutra de la base, , es una magnitud constante
independientemente de las tensiones aplicadas a las uniones de emisor y de colector.
Como consecuencia de ello, observbamos que en el MODO ACTIVO las corrientes no
B
w
Tema 11: Modelos de gran seal

11.16
dependan del valor de la tensin inversa aplicada a la unin de colector siempre y
cuando /
CB
V kT q >>
C
. Esto es, las caractersticas de entrada presentaban una sola curva
en el modo activo, Figura 11.6a, y en las caractersticas de salida la I se saturaba, es
decir, la pendiente de estas curvas en el modo activo era cero, Figura 11.6b. Sin
embargo, esto no es estrictamente cierto. Veamos por qu.
Para fijar ideas supongamos un transistor pnp. Al estudiar la unin pn, vimos
que en una regin corta (en nuestro caso la anchura de la base,
B pB
w L << ) el perfil de
minoritarios puede aproximarse a una lnea recta. En la Figura 11.7, aparece
representado el perfil de minoritarios en la base para dos tensiones inversas de
polarizacin de la unin de colector (implcitamente se supone que el transistor est en
ACTIVA).










w
B1
V
CE1
V
EB
w
B2
V
V
EB
CE2
|V
CE1
| < |V
CE2
|
w
B1
> w
B2
P
B
(0)

P
B0
w
B1
0

w
B2
Figura 11.7.- Efecto Early. Se muestra el efecto que, sobre la anchura de la base y sobre el perfil de
portadores minoritarios en base, tiene el aplicar una tensin |V
CE1
| <|V
CE2
|.
Desviaciones respecto al transistor bipolar ideal

11.17
El perfil de minoritarios viene dado entonces por la ecuacin de la recta que pasa
por los puntos y 0 x =
B
x w =
EB CB
. Y la concentracin de huecos en cada uno de los
extremos es funcin de las tensiones de polarizacin V y V .
( )
( )
0 0 exp
0 ex
EB
EB B BO
T
CB
CB B B BO
T
V
V p p
V
V
V p w p
V
> =
< = = p 0

Por lo tanto, la ecuacin de la recta ser:
( ) ( ) 0 1
B B
B
x
p x p
w

=



Si se aumenta la polarizacin inversa de la unin de colector, la anchura de la
zona de carga de espacio de la unin de colector aumenta lo que conduce a una
disminucin de la anchura de la zona neutra de la base, . Los cambios de las
anchuras de las zonas de carga de espacio de las uniones de emisor y colector tienen
gran repercusin en la base, al ser sta corta. As, por ejemplo, una pequea
modificacin de 0,05 m puede significar una porcin importante del espesor de la
base. Estas variaciones son especialmente significativas bajo polarizacin inversa ya
que, bajo polarizacin directa, un aumento de esta polarizacin implica una reduccin
de la zona de carga de espacio correspondiente.
B
w
La reduccin de tiene dos consecuencias:
B
w
1. El gradiente de la concentracin de minoritarios en base aumenta, lo que
conduce a un aumento del factor transporte
T
o, lo que es equivalente, a un
aumento de los parmetros y . Es decir, son ms los minoritarios que
consiguen alcanzar la unin de colector y, por lo tanto,
C
I aumenta
(recordar que la componente dominante de
C
I es proporcional al gradiente
del perfil de minoritarios en la base).
Tema 11: Modelos de gran seal

11.18
2. El rea bajo el perfil de minoritarios disminuye, lo que implica una
reduccin de la corriente de recombinacin en la base,
rB
I
,
y por lo tanto un
aumento de
C
I .
Esto es, ambos hechos conducen a un aumento de la corriente de salida del
transistor. Este efecto se conoce como Efecto Early y es el responsable de que en las
caractersticas reales de entrada se observen diferentes curvas para valores grandes y
negativos de V (Figura 11.8a). En las caractersticas reales de salida (Figura 11.8b) el
efecto Early hace que
CE
C
I en el modo activo no se sature, sino que las curvas presentan
una suave pendiente (adems, estas curvas no son paralelas tal y como veremos
posteriormente). Por otra parte hay que tener en cuenta que, debido a la relacin entre
, variaciones de tensin que produzcan una pequea variacin de y ( 5%, por
ejemplo) conducen a grandes variaciones de ( 34%). Por lo tanto, las caractersticas
de emisor comn estn normalmente sujetas a amplias variaciones incluso entre
transistores del mismo tipo. Estas variaciones de han de tenerse muy en cuenta en el
diseo de circuitos.
En la Figura 11.9 se han representado las caractersticas de salida para un
transistor npn. Prolongando la porcin recta de estas curvas (lneas a trazos), todas ellas
van a parar a un mismo punto,
A
V . La tensin
A
V se denomina Tensin Early y,
generalmente, est comprendida entre 50 y 100 V. Esta tensin determina la pendiente
de la caracterstica (
C
)
CE
I f V = . La inversa de esta pendiente tiene unidades de y en
los modelos de transistor bipolar para gran seal se representa por una resistencia en
paralelo con el generador de corriente (Figura 11.10).
Desviaciones respecto al transistor bipolar ideal

11.19

(a)
(b)














Figura 11.8.- Caractersticas tpicas de un transistor pnp en emisor comn: (a) Caractersticas de
entrada; (b) Caractersticas de salida.

Tema 11: Modelos de gran seal

11.20






I
C
V
CE
I
B

-V
A
Figura 11.9.- Caractersticas de salida en emisor comn para un transistor npn. Las prolongaciones
de las curvas (lneas a trazos) se cortan en un punto de tensiones negativas. Dicha
tensin es la tensin Early.


I
B
I
C

F
I
B

R
O
E
C
E
B



Figura 11.10.- Circuito equivalente (para gran seal) de un transistor npn en MODO ACTIVO.
La resistencia
O
R es consecuencia del Efecto Early. Generalmente
O
R es mayor
que las resistencias del circuito, por lo que en muchos clculos se suele despreciar.
11.4.2.- Variacin de
F
con
C
I
El efecto Early no es el nico fenmeno que hace que el parmetro
F
no sea
una magnitud constante, tal y como se haba considerado en la deduccin de las
ecuaciones de Ebers-Moll para un transistor ideal. El parmetro
F
es tambin funcin
Desviaciones respecto al transistor bipolar ideal

11.21
de la corriente de colector
C
I .
En la Figura 11.11 se ha mostrado esta variacin. La explicacin de los
fenmenos que dan cuenta de esta curva cae fuera del alcance de este curso; sin
embargo, s se puede adelantar que la cada de
F
a bajos niveles de corriente es
debida, fundamentalmente, a las corrientes de recombinacin en las zonas dipolares ya
comentadas en el caso del diodo de unin pn. Para corrientes de base bajas, son stas las
componentes dominantes en
B
I , por lo que
B
I es mayor que lo predicho por las
ecuaciones de Ebers-Moll. Es decir,
F
disminuye a bajas corrientes (Figura 11.12).

F
cte.
F
I
C
Figura 11.11.- Efectos no lineales sobre
F
.





La disminucin de
F
en el rgimen de altas corrientes es debida a efectos
propios de este rgimen de funcionamiento, esto es, efectos de alta inyeccin y/o cadas
de tensin fundamentalmente en la regin de colector (en la que, por ser la regin
menos dopada, habra que tener en cuenta el efecto de
C
R ). La mayora de circuitos
integrados utilizan transistores en su regin de medias corrientes, donde
F
cte . Esta
ser precisamente la regin que consideraremos nosotros a la hora de resolver
problemas. Por otra parte, esta curva explica el hecho de que las caractersticas de salida
reales no estn igualmente espaciadas (Figura 11.8).
Tema 11: Modelos de gran seal

11.22

F
V
BE
I
C
I
B
Ideal
Ideal
Componente g-r
Alta inyeccin, r
C








Figura 11.12.- Transistor npn en la regin activa, con recombinacin en la regin de vaciamiento
de la unin de emisor y alto nivel de inyeccin.


11.5.- RECTA DE CARGA ESTTICA
El punto de trabajo del BJ T puede obtenerse numricamente sin ms que
resolver el correspondiente circuito de polarizacin, supuestamente conocidos todos los
elementos del circuito (tensiones, resistencias y condensadores).
Ahora bien, si se desea disear un circuito amplificador que sea vlido para un
amplio margen de la seal de entrada, la representacin grfica del anlisis de la
polarizacin, ayudar a elegir el punto de trabajo ptimo. En el tema 12 se analizar la
aplicacin del BJ T como amplificador de pequea seal.
Supongamos que estamos trabajando con el circuito representado en la Figura
11.13 y que conocemos las curvas caractersticas del BJ T que queremos utilizar,
Recta de carga esttica

11.23
representadas en la Figura 11.14. Puesto que, tal y como se ver en el tema 12, la
amplificacin que podemos obtener depende del punto de trabajo Q, lo primero que
debemos hacer es determinar ste a travs del circuito de polarizacin.

Figura 11.13.- Circuito de amplificacin en emisor comn.

V
CE
(V)
I
C
(mA)
V
CE
I
C
V
CC
/R
C
V
CC
V
CEmax
Q
RCS
RCD
P
MAX
I
Cmax

Figura 11.14.- Caractersticas de salida en emisor comn. Recta de carga esttica.
Aunque podemos elegir libremente los valores de
C
R , , y , no
podemos hacer trabajar al BJT en cualquier punto de la regin activa ya que las
L
R
B
R
CC
V
Tema 11: Modelos de gran seal

11.24
diversas caractersticas del transistor limitan su margen de empleo til. Estas
caractersticas limitativas (que figuran en las especificaciones de los fabricantes) son:
Disipacin mxima del colector ; Tensin mxima de colector V ; Corriente
mxima de colector y mxima tensin emisor-base V . La Figura 11.14
muestra tres de estos lmites sobre las caractersticas de colector.
( ) max C
P
( ) max C
( ) max C
I
(max EB
CC
B
)
En el circuito de la Figura 11.13 se emplea un condensador para acoplar la
seal de entrada al BJ T. La alimentacin del colector V suministra la corriente de
polarizacin de la base y del colector,
1
C
I e
C
I respectivamente. Estando en reposo (sin
seal de entrada), (llamado condensador de bloqueo) acta como un circuito
abierto, ya que a frecuencia cero (tensin continua) la reactancia del condensador es
infinita. Los condensadores y C se eligen suficientemente grandes para que a la
menor frecuencia de excitacin sus reactancias sean suficientemente pequeas como
para que puedan ser consideradas como cortocircuitos. Es decir, estos condensadores de
acoplamiento bloquean las tensiones continuas pero dejan paso libre a las tensiones de
seal. As, la tensin de reposo del colector no aparecer a la salida, mientras que, v
ser una rplica amplificada de la seal de entrada, . La seal de salida, v , puede
aplicarse a la entrada de otro amplificador sin afectar para nada a su polarizacin,
debido al condensador de bloqueo, .
1
C
1
C
2
0
i
v
0
2
C
El circuito de polarizacin puede deducirse del circuito de la Figura 11.13 sin
ms que tener en cuenta que los condensadores bloquean la componente continua,
obtenindose el circuito de la Figura 11.15.
Si resolvemos la malla de colector, tenemos que:
CC CE C C
V V R I =
CC CE
C
C
V V
I
R

= (11.11)
Recta de carga esttica

11.25


Figura 11.15.- Circuito de polarizacin del circuito amplificador de la Figura 11.13.
La representacin grfica de la ecuacin (11.11) en las curvas caractersticas de
salida, Figura 11.14, es una recta denominada recta de carga esttica de
Pendiente
1
C
R
=
Abscisa en el origen
CC
V =
Ordenada en el origen
CC
C
V
R
=
La interseccin de esta recta con una de las curvas caractersticas define al
punto Q. Con qu curva caracterstica?. Con la correspondiente a la corriente de base
B
I dada por el circuito. Por lo tanto, resolviendo la malla de la base en el circuito de la
Figura 11.15 resulta que
CC BE B B
V V R I =
CC BE
CC BE CC
B
V V
B B
V V V
I
R R
>>

= (11.12)
Tema 11: Modelos de gran seal

11.26
Q
8
RCS
Q
SAT

Figura 11.16.- Visualizacin grfica de la obtencin del punto Q dependiendo del valor de la corriente de
base.
Ahora bien, qu valor elegimos para
B
I ? o, lo que es equivalente, qu valores
elegimos para V y ?. Depende de lo que queramos amplificar, para lo cual habr
que analizar el circuito de pequea seal que se ver en el tema 12.
CC B
R
BE
0,2V 7V
B
R
B
Es de sealar, adems, que en la ecuacin (11.12) V suele ser mucho mayor
que V ( para un transistor de Ge y 0, para un BJ T de Si), de manera que,
fijados V y la corriente de base,
CC
CC
I , queda determinada. Esto es, es un valor fijo,
una constante determinada por las tensiones y resistencias externas del circuito. Por eso,
al circuito de la Figura 11.13 se le denomina circuito de polarizacin fija.
En resumen, tomando como ejemplo el circuito de la Figura 11.13, resulta que
en la seleccin del punto Q intervienen un cierto nmero de factores como son, las
cargas en continua y en alterna de la etapa amplificadora, la potencia de alimentacin
disponible, los valores mximos del BJ T, los valores de pico de la seal de entrada y la
tolerancia de la dispersin. Algunos de ellos sern tratados en el tema 12.
Q
CORTE
V
CE
(V)
I
C
(mA)
V
CE
I
C
V
CC
/R
C
V
CC
Q
Q
6
Q
7
m
RCS
= -1/R
C
I
B
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
Estabilidad de la polarizacin: circuito de autopolarizacin o polarizacin por emisor

11.27
11.6.- ESTABILIDAD DE LA POLARIZACIN: CIRCUITO DE
AUTOPOLARIZACIN O POLARIZACIN POR EMISOR
En el apartado anterior, se ha analizado el problema de seleccionar el punto Q
dentro de la recta de carga del BJ T. Se van a analizar, ahora, algunos de los problemas
para mantener estable el punto de funcionamiento.
Para ello, seguimos trabajando con el circuito de la Figura 11.13 en el que la
B
I
viene determinada por las tensiones y resistencias del circuito, esto es, es una magnitud
constante. Pues bien, qu ocurre si en dicho circuito se sustituye el transistor por otro
del mismo tipo? A pesar de los grandes avances que han tenido lugar en la tecnologa de
fabricacin de dispositivos, todava transistores de un mismo tipo salen al mercado con
una gran dispersin en los valores de sus parmetros de ah que, en las hojas de
especificacin de los fabricantes, aparecen valores mximos, mnimos y frecuentemente
tpicos.
En la Figura 11.17 se refleja este hecho. Esto es, supongamos que en el circuito
de la Figura 11.13, la corriente de base es
2 B
I y el punto de trabajo idneo para el BJ T1
es . Si sustituimos el BJ T1 por el BJ T2 (transistor del mismo tipo, pero con
1
Q
mayores) las caractersticas de salida se habrn desplazado hacia corrientes mayores
(lneas a trazos). De manera, que como
2 B
I cte = , el punto de trabajo tambin se habr
desplazado hacia corrientes mayores (ahora sera el Q ). Este nuevo punto de trabajo
puede ser completamente insatisfactorio. Incluso puede darse el caso de que el BJ T
entre en SATURACIN. Por lo tanto, vemos que manteniendo
2
B
I cte = no se logra
estabilizar el punto de funcionamiento frente a variaciones de . Es decir, interesara
que al variar , variara
B
I al objeto de que
C
I y V permanecieran constantes.
CE
Tema 11: Modelos de gran seal

11.28
Figura 11.17.- Grfico mostrando las caractersticas de salida de dos transistores del mismo tipo. Las
lneas de trazos corresponden a un transistor cuya es mayor que la del transistor
representado con lneas de trazo continuo.
Pueden hacerse razonamientos similares si tenemos en cuenta las dependencias
con la temperatura de ,
CO
I y V , factores todos ellos de los que depende el punto de
funcionamiento del BJ T en el MODO ACTIVO. As, por ejemplo,
BE
CO CBO
I I = se duplica
por cada aumento de 10 C, mientras que, V disminuye a razn de 2,5 mV, 2,6 mV
por grado centgrado de incremento en la temperatura. En la tabla 11.1, pueden
observarse estas variaciones.
BE

T (C) I
C0
(pA) V
BE
(V)
-65 0.2 0.85 20
25 100 0.65 50
100 20.000 0.48 80
175 3.310
6
0.3 120
Tabla 11.1.- Variacin de los parmetros del transistor de silicio con la temperatura.
RCS
V
CE
(V)
I
C
(mA)
V
CC
/R
C
V
CC
Q
1
I
B2
, fija
I
B1
I
B0
=0
I
B3
I
B4
Q
2
Estabilidad de la polarizacin: circuito de autopolarizacin o polarizacin por emisor

11.29
De las tres causas que producen inestabilidad del punto Q, vamos a fijarnos en la
primera de ellas, inestabilidad debido a variaciones de , ya que a lo largo de toda la
asignatura estamos suponiendo que trabajamos a T 300K
a
= . Vamos a ver, a
continuacin, la forma de disminuir dicha inestabilidad.
Circuito de autopolarizacin o polarizacin por emisor
Uno de los circuitos que se suelen utilizar para mantener ms estable el punto
, es el circuito representado en la Figura 11.18. La Q diferencia fundamental que existe
entre este circuito y el circuito de polarizacin fija de la Figura 11.13 es la presencia de
E
R . El condensador (llamado de paso o bypass) se elige de forma que se pueda
tratar como un cortocircuito a la frecuencia de la seal v
3
C
E
R
i
. As, en condiciones de reposo
(en continua) se utiliza para estabilizar la polarizacin mientras que, a la frecuencia
de la seal, el emisor queda conectado a tierra.


(a) (b) (c)
Figura 11.18.- (a) Etapa amplificadora en emisor comn, de componentes discretos; (b) Configuracin de
polarizacin de cuatro resistencias; (c) El circuito anterior con la red de polarizacin de
base sustituida por su equivalente Thvenin.
Por qu
E
R estabiliza la polarizacin? Si
C
I aumenta por cualquiera de las
razones anteriormente mencionadas ( al sustituir un BJ T por otro, si T
CO
I
Tema 11: Modelos de gran seal

11.30
y ), la corriente que circula por tambin aumenta, Figura 11.18 (b). Como
consecuencia de ello, la cada de tensin en aumenta
BE
V
E
R
E
R
B
I
( ) 1
C B CO
y, teniendo en cuenta
que I I I = + +
C
, I aumentar menos de lo que lo hara de no existir la
resistencia de autopolarizacin .
E
R Es decir, en el circuito de autopolarizacin, la
B
I no
es una magnitud constante definida por las tensiones y resistencias externas del circuito,
sino que la
B
I se va acomodando dependiendo del valor de
C
I al objeto de que ste
ltimo sea aproximadamente constante.
I Medida de la variacin de al variar
C
Se trata ahora de obtener una medida cuantitativa de las variaciones de
C
I ,
debido a las variaciones de aqullos parmetros que determinan el punto Q en la
REGIN ACTIVA. Para ello, los puntos a seguir son (suponiendo que el circuito es
conocido):
1. Obtener ( ) , ,
C BE CO
I f V I =
BE

2. Analizar la variacin que interese
Pues bien, se van a aplicar estos puntos al circuito de autopolarizacin de la
Figura 11.18 (a) en el que el punto Q se determinar resolviendo el circuito de la Figura
11.18 (b) o su equivalente Thvenin de la Figura 11.18 (c). Puesto que V aparece en
la malla de la base, empezaremos a resolver sta. Por lo tanto,
( )
BB BE B B
R
E C B
V V I R I I = + +
( )
BB BE B E B E C
V V R R I R I = + + (11.13)
Por otra parte, en el MODO ACTIVO se cumple que,
Estabilidad de la polarizacin: circuito de autopolarizacin o polarizacin por emisor

11.31
( ) 1
C B CO
I I I = + +
( ) 1
C
B
CO
I I
I

+
= (11.14)
Introduciendo la ecuacin (11.14) en la ecuacin (11.13) resulta:
( )
( ) 1
C CO
BB BE B E E C
I I
V V R R R I

+
= + +
( )
( )
( )
1
C
BB BE B E E B E CO
I
V V R R R R R I

+
= + + +
( )
( )
( )
1
1
C BB BE B
B E
E CO
I V V R R I
R R

+
= + +

+ +

(11.15)
El tercer trmino de la ecuacin (11.15) es prcticamente independiente de ya
que para los valores de habituales,
1
1

+
. La ecuacin (11.15) nos permite, por lo
tanto, calcular la variacin de ,
BE
V e
C
I debido a variaciones de
CO
I . De estas tres
causas de inestabilidad, nos interesan fundamentalmente las variaciones debido a (se
supone, entonces, que
CO
I y V son constantes). Por lo tanto,
BE
( )
( )
1 2 2
1 2 1
1
1
B E C
C B E
R R
I
I R R

+ +
=
+ +
(11.16)
Restando la unidad a los dos miembros de la ecuacin (11.16):
( )
( )
1 2 2
1 1 2
1
1 1
1
B E C
C B
R R
I
I R R

+ +
=
+ +
E

Tema 11: Modelos de gran seal

11.32
( )
2 1 2 2 1 2 1 1 1 2
1 1 2
1
C C B E E B E
C B E
I I
E
R R R R R
I R R
R

+ +
=
+ +


( )( )
( )
2 1
1 1 2
1
B E C
C B E
R R
I
I R R


+

=
+ +


( )
( )
1 1 2
1
B E C
C B E
R R
I
I R R


+

=
+ +

(11.17)
Dividiendo numerador y denominador entre :
E
R
( )
1
1 2
1
1
B
C E
C B
E
R
I R
I R
R

=

+ +


(11.18)
Si se define:
( )
( )
( )
( )
1
1 1
1
1 1
1
E
B B
B E
E E
R
M
R
R R
R R

+
+
= =
+ +
+ +
+
+
(11.19)
Resulta que,
( )
2 2
1 1 2 1
1 1
1
C B B
C E E
I R M R M
I R R

= + +

+

(11.20)
A la vista de la ecuacin (11.20), si queremos que
C
I entonces,
2
1 2
1
B
E
R M
R

+


ha
de ser pequeo, muy prximo a la unidad. Para ello, dos son las posibilidades:

B
E
R
R
, es decir, mucho menor que la unidad.
Estabilidad de la polarizacin: circuito de autopolarizacin o polarizacin por emisor

11.33
1 M ( ) 1
B
E
R
R
<< +
De estas dos condiciones, la ms restrictiva es que o lo que es
equivalente
1 M
( ) 1
B
E E
R R
R R
B
<< + << (11.21)
La ecuacin (11.21) es conocida como condicin de estabilidad y es la que
habremos de imponer en el diseo de los circuitos de polarizacin. El factor M recibe
el nombre de factor de estabilidad ya que en funcin de l pueden calcularse las
variaciones de , V e
C
I debido a cambios de
BE CO
I .
Por lo tanto, en el diseo de circuitos amplificadores, habr que tener en cuenta
la estabilidad del punto Q si queremos que dicho circuito nos valga para transistores de
caractersticas diferentes (siendo siempre del mismo tipo).








Tema 11: Modelos de gran seal

11.34