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CAPÍTULO 1
1. INTRODUCCIÓN
El diodo puede ser descrito como un dispositivo de dos terminales, el cual es sensible a la
polaridad. Es decir la corriente en el diodo puede fluir en una dirección solamente (descripción
ideal).
El diodo semiconductor, algunas veces llamado diodo de estado sólido, tiene muchas
ventajas importantes sobre el diodo de vacío. El diodo de estado sólido es mucho más pequeño,
barato, y muy confiable. Actualmente los diodos de vacío son usados en muy raras ocasiones.
El comportamiento del diodo de estado sólido (y luego el del transistor) puede ser
comprendido a través del análisis de la estructura atómica de los materiales usados en su
construcción. Antes de realizar este análisis se deben comprender algunos aspectos generales de la
teoría atómica.
El átomo puede ser modelado como una estructura que tiene un núcleo compuesto de protones
(p+) y neutrones, más una capa o nube electrónica que lo envuelve, la cual esta compuesta sólo de
electrones (e−).
Los electrones tienen carga negativa, los neutrones no tienen carga y los protones tienen carga
positiva.
q(e−)= −1.6·10-19 C q(p+)= +1.6·10-19 C
1
Postulado por N. Bohr en 1913.
Apunte de Clases de Electrónica −R.G.C. 1−1
CAPÍTULO 1: Fundamentos de la Física de los Semiconductores
órbitas de e-
Núcleo
K 2
L 8
M 18
N 32
O 50
P 72
Q 98
Por ejemplo, el Germanio (Ge) que tiene peso atómico 32 tiene sus tres primeras capas
completas y la cuarta capa incompleta, fig. 1.2a y 1.2b. Por otro lado, el Silicio (Si) cuyo
peso atómico es 14 tiene sus dos primeras capas completas y la tercera incompleta.
Núcleo Núcleo
K
L Capa de
M Valencia
N (Capa de
Valencia)
(a) (b)
Fig. 1.2 Descripción simplificada del Átomo de Germanio, Ge (32 e- ). a) Distribución por
capas, las capas K, L y M están completas, última capa (N) incompleta. b) Detalle
de la capa de Valencia (capa N en este caso), la cual contiene 4 electrones.
A medida que el radio de la órbita aumenta, el nivel de energía también aumenta. Las
capas externas tienen mayores niveles de energía que las capas internas. Por esto la energía de la
banda de valencia (la capa externa de un átomo) es la más alta para un elemento particular.
Como se dijo anteriormente, las órbitas de los electrones están en un radio específico y
espacios vacíos separan las diferentes capas. El espacio en el cual no son posible órbitas de e- es
llamado espacio de energía prohibida o Banda de Energía Prohibida(B. E. P.).
Así, las capas de electrones son separadas por espacios de energía prohibidas.
Claramente, si un e- cambia su órbita, también cambia su nivel de energía. Una reducción en el
radio de la órbita del e- hace que la energía del e- disminuya y la diferencia de energías será
liberada en forma de energía radiada.
Para mover el electrón a una órbita mayor (digamos de la capa K a la L, por ejemplo) se
requiere una cantidad de energía discreta. Esto se puede realizar suministrando energía al átomo
en forma de calor o energía mediante un voltaje eléctrico.
E
Banda de Conducción
(B.E. P)
Banda de Valencia
(capa M, 4 niveles completos, 14 vacíos)
(B.E. P)
8 niveles de Energía
(capa L, 8 niveles completos)
(B.E. P)
Baja Energía asociada con las capas internas
(pequeños radios de órbitas)
(B.E. P) (capa K, 2 niveles completos)
E [eV]
1.9
B. de C.
1.8
B. E. P.
0.6
B. de V.
0.5
Fig. 1.4 Diagrama de Energía de un elemento cualquiera, en el que se indican los valores
asociados a su banda de Conducción y la de Valencia.
El concepto de espacio de energía puede ser mostrado con el ejemplo numérico de la fig.
1.4. En ésta se puede observar que las energías asociadas a las bandas externas son:
Energía Banda de Valencia 0.5-0.6 eV
Energía Banda de Conducción 1.8-1.9 eV
Banda de E. Prohibida 0.6-1.8 eV
⇒ para mover un e- de la B. de V. a la B. de C. se requiere un
mínimo de 1.2eV
(eV: Electrón-Volt 2 )
2
1eV=1.6·10-19 J 1J= 1Coulomb·Volt
Los e- libres son e- de V. que han sido removidos de su órbita por un incremento de
energía. Este incremento, en ausencia de energía eléctrica (voltaje), es debido principalmente a la
temperatura. Cada e- que llegó a ser libre deja en su lugar un "hueco". Este proceso es referido
como la generación par electrón-hueco. El proceso inverso, donde los e- caen en "huecos", es
llamada recombinación.
En los materiales, los electrones se pueden elevar a niveles de energía más altos por medio de la
aplicación de calor, que provoca vibración de la red cristalina del material. Los materiales que son
aislantes a temperatura ambiente pueden volverse conductores cuando la temperatura se eleva lo
suficiente. Esto provoca que algunos electrones se muevan a una banda de energía mayor, donde
quedan disponibles para conducción.
E
Banda de Conducción
Barrera de Energía
Espaciamiento
Banda de Valencia
atómico del cristal
C Si Ge Sn
Fig. 1.5 Diagrama de bandas de Energía para distintos tipos de materiales. Se observa que
mientras menor es el espaciamiento atómico del Cristal, se requiere más energía
para mover los e- desde la banda de Valencia a la de Conducción.
El tipo de diagrama de energías de la fig. 1.5 se utiliza para ilustrar la cantidad de energía
necesaria para que los electrones alcancen la banda de conducción. El eje de abscisas de esta
gráfica es el espaciamiento atómico del cristal. A medida que aumenta el espaciamiento, el núcleo
ejerce menos fuerza en los electrones de valencia. El eje esta marcado con el espaciamiento
atómico para cuatro materiales. El Carbono (C) es un aislante en forma cristalina (diamante). El
Silicio (Si) y el Germanio (Ge) son semiconductores, y el Estaño (Sn) es un conductor. La barrera
de Energía mostrada en la figura representa la cantidad de energía externa requerida para mover
los electrones de valencia hacia la banda de conducción.
1 2
1+
3 Notación utilizada::
2+ 3+
2 3 10 1+ : Núcleo (el número identifica el átomo)
1 2 3
1 : Electrón de Valencia (el número
4 5 6
próximo al e- indica el átomo
al cual pertenece)
4 5 6
4+ 5+ 6+
5 6 11
4 5 6
7 8 9
7 8
9
7+ 8+ 9+
8 9 12
7 8 9
15 14 13
1 2 3
1+ 2+ 3+
2 3 10
1 2 3
4 5 6
4 5 6
4+ 5+ 6+
5 6 11
4 6
hueco 5
+
7 8 e- libre 9
7 8
9
7+ 8+ 9+
8 9
12
Fig. 1.7 Generación par electrón-hueco. Cuando un e- llega a ser libre (por ejemplo,
mediante energía calórica) "deja" o "produce" un hueco en su lugar.
2+
5 electrón extra
4 5
4+ 5+ 6+
5 6
Atomo Donador
8
(5e- de Valencia)
8+
Fig. 1.8 Detalle del enlace covalente entre un material donador (átomo nº5 con 5 e- de
valencia) y un material con 4 e- de valencia (átomos 2, 4, 6 y 8). El enlace
covalente estable es de 8e- y está completo y sobra 1 e-.
2+
hueco
4 5
4+ 5+ 6+
5 6
Atomo Aceptador
8 (3e- de Valencia)
8+
Fig. 1.9 Detalle del enlace covalente entre un material Aceptador (átomo nº5 con 3 e- de
valencia) y un material con 4 e- de valencia (átomos 2, 4, 6 y 8). El enlace
covalente estable de 8e- no está completo (falta 1 e- por cada enlace).
Introduciendo impurezas con tres electrones de valencia (boro, aluminio, galio, indio) Se
puede controlar la concentración de huecos, ya que cada impureza trivalente agrega un hueco a la
estructura atómica. Estas impurezas son llamadas átomos aceptadores, debido a que producen un
exceso de huecos "libres" que pueden aceptar e-. Este tipo de dopado produce un material
llamado tipo P (positivo debido al exceso de portadores positivos).
El proceso de dopado modifica substancialmente la distribución de energía en el sólido.
Sin agregar donadores, cada e- que deja la B. de V. y llega a ser un e- libre (electrón de alta
energía) deja tras de sí un hueco, h+ (ausencia de un e- ). Así, en un material semiconductor puro
(intrínseco), la concentración de huecos iguala la de e-. La energía promedio del electrón está
precisamente en la mitad del gap de energía. El material tipo N tiene un exceso de e- libres. De
aquí la energía promedio es más cercana a la banda de Conducción, mientras en el material tipo P,
la energía promedio está más cercana al nivel de la energía de Valencia.
E Ec (E. conducción) E Ec
n n
e e Ea
r r
g Ea (E. promedio) g
í í
a a
Ev (E. valencia) Ev
E Ec (E. conducción)
n
e
r
g Ea (E. promedio)
í
a
Ev (E. valencia)
Debido a que los portadores minoritarios y mayoritarios tienen carga eléctrica opuesta,
ellos llevan la corriente en direcciones opuestas. En la fig. 1.11 los portadores minoritarios y
mayoritarios están viajando en la misma dirección. La corriente neta es (5·1012 −106 ) debida a los
portadores mayoritarios como se muestra. El signo menos se debe al efecto opuesto que tienen los
portadores minoritarios y mayoritarios.
Es posible construir un cristal juntando un material tipo p con un tipo n. Un cristal p-n se
conoce comúnmente como diodo.
+ + + + + - - - - - + + + + θ ⊕ - - - -
+ + + + + - - - - - + + + + θ ⊕ - - - -
+ + + + + - - - - - + + + + θ ⊕ - - - -
+ + + + + - - - - - + + + + θ ⊕ - - - -
+ + + + + - - - - - + + + + θ ⊕ - - - -
+ + + + + - - - - -
+ + + + θ ⊕ - - - -
Debido a su mutua repulsión, todos los electrones libres en el lado n tienden a difundirse ó
esparcirse en todas direcciones algunos se difunden a través de la unión hasta que se logra el
equilibrio.
(El ión positivo se forma porque el átomo que tenía e- libres pero era eléctricamente
neutro, ya que está dopado y por cada enlace covalente existe 1 e- libre, los cuales son portadores
mayoritarios, y el material con el que se "dopo" tiene un núcleo con la cantidad de protones tales
que el átomo es neutro.
Por ejemplo, el Ge que tiene 4e- de valencia dopado con Fósforo (P) que tiene 5e- de valencia
forma un enlace covalente de 8e- y 1e- libre, es decir, Σ p+(Ge + P) = Σ e-(Ge + P) (incluye el e-
libre) ⇒ átomo neutro).
Cada vez que un e- se difunde a través de la juntura se crea un par de iones. Estos iones
están fijos en el cristal pues forman la estructura de los enlaces covalentes, por lo que no pueden
moverse como los e- libres y los huecos.
A medida que el número de iones crece, la región cerca de la unión se agota de e- libres y
huecos. A esta región se la llama capa de deplexión ó agotamiento.
Por otro lado, los portadores de carga se mueven aleatoriamente en el cristal debido a la
agitación térmica. Las colisiones con el enrejado hacen que los portadores de carga cambien su
dirección frecuentemente. En efecto, la dirección de la trayectoria después de una colisión es casi
perfectamente aleatoria - cualquier dirección es probablemente como cualquier otra. Sin campo
eléctrico aplicado, la velocidad media de los portadores de carga en cualquier dirección es cero.
Si se aplica un campo eléctrico, se ejerce fuerza sobre los portadores de cargas libres.
(Para huecos la fuerza es en la misma dirección que el campo eléctrico, mientras que para
electrones la fuerza es opuesta al campo.) Entre las colisiones, los portadores de carga son
acelerados en dirección de la fuerza. Cuando los portadores colisionan con el enrejado, su
trayectoria otra vez es aleatoria. De esta manera los portadores de carga no se mantienen
acelerados. El resultado neto es una velocidad constante (en promedio) en la dirección de la
fuerza.
Después de cierto punto, la capa de agotamiento actúa como una barrera para la posterior
difusión de e- libres a través de la unión. Por ejemplo, imagínese un e- libre en la región n
difundiéndose a la izquierda hacia el interior de la capa de deplexión. Aquí encuentra una pared
negativa de iones empujándolo hacia la derecha. Si el e- libre tiene suficiente energía, puede
romper la pared y entrar a la región p, donde cae en un hueco y crea otro ion negativo.
La energía de la capa de agotamiento continúa aumentando con cada cruce de e- hasta que
llega al equilibrio; en este punto la repulsión interna de la capa de agotamiento detiene la difusión
posterior de e- libres a través de la unión.
E Ec (E. conducción) E Ec
n n
e e Eap
r r
g g
í Eap (E. promedio) í
a a
Ev (E. valencia) Ev
Tipo P Tipo N
Voltaje de Barrera
Ec
iones EaP-EaN
Ec
EpromP EpromN
Ev
P
Ev
N
Fig. 1.14 Realineamiento de los niveles de energía después del contacto de los materiales.
Para producir una corriente directa a través de la juntura, es necesario reducir o eliminar el
voltaje de barrera (equivalente a reducir o eliminar la región de deplexión). Esto se realiza
aplicando un voltaje externo que excede el voltaje de barrera y de polaridad opuesta, fig. 1.15. Se
debe aplicar un voltaje externo mayor (VB) y de polaridad opuesta al voltaje de barrera, Vbr. El
B
efecto, del voltaje aplicado es reducir y finalmente eliminar la región de deplexión. Los electrones
inyectados por la fuente de voltaje en la región N eliminan (si el voltaje aplicado es lo
suficientemente alto) los iones positivos de la región de deplexión. Similarmente, los iones
negativos en el lado P son eliminados mediante la inyección de huecos. La corriente producida en
estas condiciones es principalmente una corriente de Difusión.
No hay Corriente
Difusión de portadores de Corrimiento
mayoritarios
h+ e-
P N
huecos electrones
portadores portadores
mayoritarios mayoritarios
+ Vbr - Región de
Deplexión eliminada
R
+
I, corriente en el
sentido convencional VB
Fig. 1.15 Diodo polarizado directo. El voltaje de la batería es mayor que el voltaje
producido en la región de deplexión al estar en contactos los dos materiales.
Descripción del proceso que ocurre durante la polarización directa del diodo:
Durante la polarización directa del diodo, el terminal negativo de la fuente repele los e-
libres en la región n hacia la unión. Estos electrones energizados deben cruzar la unión y caer en
los huecos. La recombinación ocurre a diferentes distancias de la unión, dependiendo del tiempo
en que un e- pueda evitar la caída en un hueco. La posibilidad de que la recombinación ocurra
cerca de la unión es alta.
A medida que los e- libres caen en los huecos, se convierten en e- de valencia. Luego,
viajando como e- de valencia, continúan hacia la izquierda a través de los huecos en el material P.
Cuando los e- de valencia alcanzan el terminal izquierdo del cristal, la abandonan y fluyen hacia
el terminal positivo de la fuente.
La secuencia de un solo e-, desde el momento en que este se mueve del terminal negativo
de la fuente al terminal positivo, es el siguiente:
1.- Después de salir del terminal negativo, se introduce por el extremo derecho del
cristal.
2.- Viaja a través de la región n como electrón libre.
3.- Cerca de la unión se recombina y se convierte en e- de valencia.
4.- Este viaja a través de la región p como e- de valencia.
5.- Después de salir del lado izquierdo del cristal, fluye hacia el terminal positivo de
la fuente.
Corriente de Corriente e-
Difusión de corrimiento h+
θ θ θ ⊕ ⊕ ⊕
P θ θ θ ⊕ ⊕ ⊕ N
θ θ θ ⊕ ⊕ ⊕
Región de Deplexión
aumentada
I, corriente en el R VB
sentido convencional
Fig. 1.16 Diodo polarizado inverso. El voltaje de la batería es mayor que el voltaje
producido en la región de deplexión al estar en contactos los dos materiales.
Descripción del proceso que ocurre durante la polarización inversa del diodo:
Durante la polarización inversa del diodo, los e- salientes dejan más iones positivos de la
unión, y los huecos salientes dejan más iones negativos. Por lo tanto, la capa de agotamiento se
ensancha. Cuando mayor sea la polarización inversa, mayor es la capa de agotamiento; ésta
detiene su crecimiento cuando su diferencia de potencial es igual al voltaje de la fuente. Cuando
esto ocurre, los electrones y huecos detienen su movimiento. A pesar de esto existe una corriente
muy pequeña denominada corriente de fuga que es debida a los portadores minoritarios. La
corriente de fuga (ó corriente inversa de saturación) Is es solo de unos pocos mA para el Ge y de
unos pocos pA (10-12) para el Si.
Durante la polarización inversa una carga que sale del terminal positivo de la fuente se
encuentra con un "gran obstáculo" que es el potencial de barrera el cual puede tener valores muy
próximos al voltaje de la batería. Por esto, la cantidad de cargas que logran atravesar la "barrera"
es muy escasa, y por esto, se forma una corriente muy pequeña llamada de fuga.
CAPÍTULO 2
EL DIODO DE UNIÓN
2. INTRODUCCIÓN
El diodo es un dispositivo básico pero muy importante que tiene dos terminales, el ánodo
y el cátodo. Como se estudió en el capítulo1, el diodo se forma de la unión de un material tipo P y
otro N. Basados en un análisis principalmente cuantitativo se establecen dos modos de operación
para la unión P-N, fig. 2.1a:
P N
K A K
A
Ánodo Cátodo
+ VD - ID=IF + VD - ID=IS
Fig. 2.2 Polarización del diodo. a) Directa, la corriente queda determinada por los
parámetros del diodo y la característica de la carga. b) Inversa, la corriente que
circula es de fuga y es prácticamente despreciable.
Una medición de las corrientes directa e inversa del diodo (ID) como una función del
voltaje directo e inverso (VD= VAK) entrega la característica gráfica de la fig. 2.3. La operación del
diodo puede ser dividida en tres regiones 1 .
• La región B, el voltaje directo aplicado es menor al voltaje de barrera del diodo. El resultado
es una mezcla de corrientes de difusión y de corrimiento (de portadores mayoritarios y
minoritarios, respectivamente). La corriente neta (muy pequeña) es la diferencia de corriente
entre los portadores mayoritarios y minoritarios.
ánodo cátodo
+ vD=vAK −
vD
1
La descripción realizada es simplificada. Las tres regiones se solapan un poco con respecto
a las corrientes de corrimiento y difusión. También, además de las corrientes de difusión y de
corrimiento existen otras. Sin embargo, las de difusión y corrimiento son las componentes de
corriente más importantes.
Apunte de Clases de Electrónica − R.G.C. 2−2
CAPÍTULO 2: El Diodo de Unión
Donde:
k=1.38·10-23 J/K : Constante de Boltzmann.
q=1.6·10-19 C : carga del electrón.
También con polarización directa de al menos unas milésimas de volt, la parte exponencial de
la ecuación de Schockley es mucho mayor que 1, y con buena precisión se tiene
⎛ v ⎞ (2.3)
iD ≅ I S exp⎜⎜ D ⎟⎟
⎝ n ⋅ VT ⎠
Ejercicio 2.1 A una temperatura de 300ºK, un diodo de unión tiene iD=0.1mA para vD=0.6V.
Considere que n=1 y utilice VT= 0.026. Encuentre el valor de la corriente de saturación IS.
Luego evalúe la corriente del diodo a vD=0.65V y vD=0.7V (Sugerencia: utilice la forma
aproximada de la ecuación de Schockley, ec. 2.3)
Ejercicio 2.2 Considere un diodo polarizado directamente, de manera que se puede aplicar la
ecuación de Schockley aproximada. Considere que n=1 y VT= 0.026. a) Cuánto debe
incrementarse vD para que la corriente se duplique. b) Y para que la corriente aumente en un
factor de 10.
Resp.: a) ΔvD=18mV, ΔvD=59.9mV.
Para diodos típicos de pequeña señal RS tiene valores comprendidos entre 10 y 100Ω.
Ocasionalmente, se utiliza la ecuación de Schockley para obtener resultados analíticos
de circuitos electrónicos, sin embargo, más útiles son los modelos más simples que se ven a
continuación.
Ejercicio 2.3: Un diodo de unión p-n tiene parámetros IS =10-10 y n=2. Determine la corriente
del diodo a la temperatura ambiente si el voltaje aplicado al diodo es 0.6V; 0.7V y 0.75V.
Respuesta: 16 μA; 120 μA y 327μA.
Ejercicio 2.5: Para el ejercicio 2.3, estime el valor de vD que se requiere para producir una
corriente en el diodo de aproximadamente 1mA.
Respuesta: 0.806V
Ejercicio 2.6: Como el voltaje directo de diodos de silicio de pequeña señal decrece alrededor
de 2mV/ºK. Determine el voltaje de un diodo a 1mA y a una temperatura de 175ºC. Este diodo
tiene un voltaje de 0.600V a una corriente de 1mA y a una temperatura de 25ºC.
Apunte de Clases de Electrónica − R.G.C. 2−4
CAPÍTULO 2: El Diodo de Unión
Solución:
Sí D1 off y D2 on:
El circuito equivalente resulta el de la Fig. 2.5a Circuito ejemplo 2.1.
fig. 2.5b. Resolviendo iD2=0.5mA. iD2=0.5mA
+ vD1 --
Pero si planteamos la LVK en la
trayectoria de los dos diodos tenemos,
vD1 − E1 + E2=0
→ vD1=10 − 3 =+7 V Esto no
es consistente con la suposición que
D1 es OFF (ya que sí vD1 ≥ 0 ⇒ D1
ON) Fig. 2.5b Equiv. D1 off; D2 on.
Por esto se debe probar otra
suposición.
Sí D1 on y D2 off:
El circuito equivalente resulta el de la iD1=1mA - vD2 +
fig. 2.5c. Resolviendo iD1=1mA. Pero
si planteamos la LVK en la D1
trayectoria de los dos diodos tenemos,
E1 − iD1·R1 + vD2 − E2=0
→ vD2=3 − 10 +1m·4k =−3V
Este valor es consistente con la Fig. 2.5c D1 on; D2 off.
suposición que D2 es OFF (ya que sí
vD2 < 0 ⇒ D2 off)
Luego, D1 ..............................................
Luego, D1 ..............................................
Algunas veces se requiere un modelo más preciso que la suposición de diodo ideal
pero sin recurrir a la resolución de ecuaciones no-lineales o técnicas gráficas. La característica
v-i puede ser aproximada por segmentos de líneas rectas. De esta manera es posible modelar
cada sección de la característica del diodo con una resistencia en serie con una fuente de
voltaje constante. En las distintas secciones de la característica se utilizan diferentes valores
de resistencias y voltajes.
Con este nuevo modelo el procedimiento para analizar circuitos con diodos ideales se
modifica ligeramente. En efecto, los diodos en conducción se reemplazan por fuentes de 0.7V
(para el Silicio) y los diodos en corte por circuitos abiertos. Para verificar la suposición de
conducción se necesita que la corriente de la fuente, iD sea positiva. Para verificar la
suposición de corte se necesita que vD ≤ 0.7V, no que vD ≤ 0 como para el diodo ideal.
iD
Sí vD >Vγ
ON Vγ vD =Vγ
− Vγ iD ?
Diodo vD=vAK
≅
on
iD + Diodo Sí vD <Vγ
ideal OFF iD=0
off vD ?
Vγ vD
(a) (b) (c) (d)
Fig. 2.8 Aproximación de primer orden del diodo. a) Curva real del diodo y la
aproximación de su voltaje umbral Vγ . b) Símbolo del diodo e indicación de
sentidos de corriente y voltaje. c) Aproximación del diodo, utilizando un diodo
ideal y modelando su voltaje umbral con una fuente de continua. d) El modelo
del diodo en estado de conducción (ON) y en estado de no−conducción (OFF).
Notación: ? :denota que la variable queda determinada por el resto del circuito.
2.2.2.2 Modelo con tensión umbral y resistencia directa (modelo de 2do orden)
Una mejor aproximación se obtiene al agregarle una resistencia en serie que modela la
caída de tensión durante la conducción, fig. 2.9a. De esta manera se obtiene una buena
aproximación a la curva real durante la conducción directa. Este modelo aumenta la precisión,
pero también incrementa la complejidad del análisis manual.
Sí vD >Vγ
iD vD=Vγ + iD·Rf
Vγ
iD ?
Vγ ON
ΔiD/ΔvD=1/Rf Rf
Rf
on
Diodo
off Sí vD <Vγ
ideal OFF iD=0
vD vD ?
Vγ
Fig. 2.9 Aproximación de 2do orden para el diodo. a) Curva real del diodo y la
aproximación utilizada. b) Modelo circuital de aproximación del diodo. c) El
modelo del diodo en estado de conducción (ON) y en estado de no−conducción
(OFF).
2.2.2.3 Modelo con tensión umbral, resistencia directa e inversa (lineal por tramos)
También es posible modelar el voltaje de ruptura inversa (VBR, ó PIV) agregando otra
rama que solamente se activa cuando el voltaje inverso supera el voltaje VBR, como se indica
en la fig. 2.10a.
Es posible seguir desarrollando otras aproximaciones lineales por tramos cada vez más
precisas, pero no tienen mucho valor práctico. Generalmente, el modelo del diodo ideal
entrega muy buenos resultados. El análisis de circuitos con diodos utilizando el modelo lineal
por tramos es similar a cuando se usa el modelo ideal, excepto que ahora hay tres regiones por
cada diodo. En muchos casos simples se puede determinar la región por inspección, pero
también se puede utilizar aproximación por prueba y error para determinar el estado de cada
diodo. También, esta aproximación se puede utilizar para modelar un diodo Zener, en donde
VZ=VBR y RZ=Rr.
Sí vD >Vγ
vD=Vγ + iD·Rf
iD Vγ
iD ?
ON
ΔiD/ΔvD=1/Rf Rf
iD
Diodo
ideal Vγ
on
Sí VBR <vD <Vγ
VBR off OFF
Rr iD=0
Rf vD ?
Vγ vD
VBR
Diodo
ΔiD/ΔvD=1/Rr ideal
VBR Sí vD<VBR
OFF vD=VBR + iD·Rr
iD ?
Rr
Fig. 2.10 Aproximación lineal por tramos para el diodo. a) Curva real del diodo y la
aproximación utilizada. b) Modelo circuital de aproximación del diodo. c) El
modelo del diodo en estado de conducción (ON) y en estado de no−conducción
(OFF).
iD
100mA
(1.54V,84.54mA)
80mA
20mA
0V
0V 2V 4V 6V 8V 10V
vD
Del ejemplo anterior se puede observar que los circuitos con diodos pueden ser resueltos en
forma matemática y en forma gráfica. Muchas veces la solución gráfica es más práctica y en
circuitos no−lineales es más sencilla.
Ejercicio 2.12. Considerando los diodos ideales y dado que R=2.5kΩ, RA=1kΩ,
VCC=VEE=5V. Determine la corriente por la resistencia y el voltaje en el terminal x con
respecto a tierra.
Resp.: a) 2mA, 0V; b) 0mA, 5V; c) 0mA, -5V; d) 2mA, 0V; e) 3mA, +3V; f) 4mA, +1V
Resp.:
a) ID1 =1 mA V0 =0 (D1 y D2 on)
b) ID1 =0 V0 =3.3V (D1 off y D2 on)
Fig. 2.16
Resp.: Característica Vin-V0 mostrada.
V0
V1
−V2
V1 Vin
−V2
iD(t)
vd(t)
+
vD(t)
VDQ − vD(t)= VDQ+vd(t)
vd(t)=Vm·sen(ω·t), (Vm pequeño)
Fig. 2.17 Circuito conceptual utilizado para determinar el equivalente de pequeña señal
del diodo.
Para una señal alterna lo suficientemente pequeña, la característica es prácticamente una recta.
Luego se puede escribir
⎛ di ⎞
ΔiD ≅ ⎜ D ⎟ Δv D (2.5)
⎝ dv D ⎠ Q
donde ΔiD es el pequeño cambio en la corriente del diodo en torno al punto Q producido por
la señal alterna, ΔvD es el cambio en el voltaje del diodo en torno al punto Q, y (diD/dvD)Q es
la pendiente de la característica del diodo evaluada en el punto Q. Nótese que la pendiente
tiene unidades de resistencia inversa ó conductancia (Siemens, S).
IDQ
id(t)=Im·sen(ω·t)
iD(t)= IDQ+vd(t)
VD0 vD t
VDQ
Vm vD(t)
vd(t)=Vm·sen(ω·t)
vD(t)= VDQ+vd(t)
Como se muestra en la ec. 2.6, se puede determinar la resistencia equivalente del diodo
para pequeñas señales alternas como el recíproco de la pendiente de la curva característica. La
corriente del diodo de unión está dada por la ecuación de Schockley (ec. 2.1)
[ ( ) − 1]
i D = I S exp vD
n⋅VT
Para condiciones de polarización directa con VDQ al menos varias veces más grande que VT, el
término −1 dentro de la ecuación de Schockley es despreciable. Luego
I DQ ≅ I S exp ( )
VDQ
n⋅VT (2.11)
Sustituyendo en la ecuación 2.10, tenemos
diD I DQ
≅ (2.12)
dv D Q n ⋅VT
Tomando el recíproco y sustituyendo en la ec. 2.6, tenemos la resistencia de pequeña señal del
diodo en el punto Q:
n ⋅VT
rd = (2.13)
I DQ
Como resumen, para señales que producen pequeños cambios en torno al punto Q, se puede
tratar el diodo simplemente como una resistencia lineal. El valor de la resistencia está dada por
la ec. 2.13 considerando que el diodo está polarizado directo.
Si en la fig. 2.18 el punto en el cual la tangente intersecta al eje vD se denota por VD0, la
ecuación de la recta tangente se puede escribir como:
1
iD = ( v D − VD 0 ) (2.14)
rd
Esta ecuación es un modelo para la operación del diodo para pequeñas variaciones alrededor
de la polarización o punto Q. Este modelo puede ser representado por el circuito equivalente
de la fig. 2.19 (este modelo fue presentado en el punto 2.2, fig. 2.8), en el cual se tiene
vD = VD0 + iD ·rd
vD = VD0 + ( ID + id )·rd
vD = VDQ + id·rd (2.15)
Apunte de Clases de Electrónica − R.G.C. 2−16
CAPÍTULO 2: El Diodo de Unión
R R
VDD VDD
− VD0 −
(a) (b)
R R
VDD
VD0 − −
(c) (d)
Fig. 2.20 Análisis utilizando el equivalente de pequeña señal del diodo. a) Circuito con
diodo no−lineal. b) El diodo se reemplaza por un equivalente lineal 1
considerando que las variaciones de señal son pequeñas. c) Análisis para la
componente continua. d) Análisis para la componente alterna.
1
El equivalente lineal, permite aplicar el principio de superposición y por esto el análisis se hace separadamente
para las dos fuentes utilizadas. Primero, un análisis en continua cuando la alimentación es continua (VDD), y
segundo, un análisis en alterna para la componente de pequeña señal (vS).
Apunte de Clases de Electrónica − R.G.C. 2−17
CAPÍTULO 2: El Diodo de Unión
Para ilustrar la aplicación del modelo de pequeña señal del diodo, consideremos el circuito de
la fig. 2.20a. Aquí la señal de entrada consta de dos componentes, una componente alterna (vS
) en serie con una componente continua (VDD ). Cuando vS =0, la corriente continua se denota
por IDQ y el voltaje continuo del diodo por VDQ.
Para determinar la corriente de pequeña señal id y la señal de voltaje a través del diodo vd. Se
reemplaza el diodo por el modelo de la fig. 2.19, y se obtiene el equivalente de la fig. 2.20b.
Planteando LVK para este circuito se tiene
la cual se representa por el circuito de la fig. 2.20d. Se puede concluir que la aproximación de
pequeña señal permite separa el análisis en continua del análisis de señal o de alterna. El
análisis para la componente alterna (señal) se realiza eliminando todas las fuentes continuas y
reemplazando el diodo por su resistencia equivalente de pequeña señal rd. Del circuito
equivalente de pequeña señal, la señal de voltaje del diodo puede ser encontrada simplemente
del circuito de la fig. 2.20d, como:
r
vd = vS d (2.20)
R + rd
Como este valor es muy cercano a 1mA, el voltaje continuo del diodo es muy cercano al valor
supuesto. En este punto de operación, la resistencia dinámica del diodo rd es:
n ⋅ VT
rd = =53.8Ω
I DQ
El valor peak-to-peak del voltaje alterno en el diodo se determina aplicando LVK
r
v d = 2 d =10.7mV (la amplitud de la componente ac de Vin es 1V, luego su
R + rd
valor peak-to-peak es 2)
De esta manera, la amplitud de la señal sinusoidal a través del diodo es 5.35mV. Por esto, la
expresión del voltaje del diodo es:
vD(t)=0.7 + 5.35·10−3·sen(2·π·50·t) [V]
Ejercicio 2.16: determine los valores de rd para un diodo con corrientes de polarización de
0.1, 1, y 10mA. Considere n=1.
Resp.: 250Ω; 25Ω; 2.5Ω
Ejercicio 2.17: Para un diodo que conduce 1mA con una caída directa de 0.7V y con n=1,
determine la ecuación de la recta tangente en IDQ=1mA
Resp.: iD=(1/25)·(vD − 0.675)
Ejercicio 2.18: Un diodo de Si tiene una corriente de saturación inversa de 1nA y n=2.
Suponga operación a temperatura ambiente. Determine:
a) la corriente del diodo cuando se le aplica un voltaje positivo de 0.6V.
b) el voltaje que se debe aplicar a través del diodo para aumentar su corriente en un factor
de 10.
c) el voltaje que se debe aplicar a través del diodo para aumentar su corriente en un factor
de 100.
Ejercicio 2.19: Un diodo de Si tiene una corriente de saturación inversa de 1nA y n=1.95.
Determine el porcentaje de cambio en la corriente del diodo para un cambio en la
temperatura desde 27 a 43ºC a voltajes del diodo iguales a:
a) −1V.
b) 0.5V.
c) 0.8V.
Resp.: a) 535% b) 249.8% c) 184.4%
Ejercicio 2.20: Un diodo de Si tiene una corriente de saturación inversa de 8nA y n=2.
Determine la corriente del diodo como una función del tiempo. Use la técnica de línea de
carga.
Fig. 2.22
Resp.: transformando fuentes se llega al siguiente circuito equivalente serie; v(t)=2.676+0.8919·sen2t
Req=8.919Ω más el diodo. De aquí se obtiene la recta de carga (en el tiempo) y se intersecta con
la característica del diodo para dar la solución.
Ejercicio 2.21: Los diodos tienen los siguientes parámetros rd1=20, rr1=∞, Vγ1=0.2V, rd2=10,
rr2=∞, Vγ2=0.6V. La fuente de voltaje tiene 200V. Determine la corriente en los diodos
cuando: a) R=20kΩ b) R=4kΩ
Fig. 2.23
Resp.: a) iD1=9.98mA iD2=0 (¡D2 No conduce!) b) iD1=29.93mA iD2=19.87mA
Ejercicio 2.22 Determine los valores peak del voltaje en RL, dibuje un ciclo de la forma de
onda de la fig. 2.24.
Fig.2.24
Ejercicio 2.23 Los diodos del circuito se modelan como rd=0, rr=∞, Vγ=0.7V. Dibuje la
característica de transferencia para 0 ≤Vi ≤30V. Indique todas las pendientes y níveles de
tensión.
Fig. 2.25
Resp.: 0≤ vi ≤3.108V v0 =2.408V
3.108< vi ≤6.2V v0 =0.2885· vi + 1.512
6.2< vi ≤18.33V v0 =0.6· vi − 0.42
18.33< vi≤30V v0 ≅10.6
Ejercicio 2.24 El potenciometro de la fig. 2.26 es puesto de manera que el ánodo del diodo
está a −2V. Si el valor de Vs es de 14 Vpp, y la caída del diodo cuando conduce es de 0.7V.
¿Cuál son los voltajes peak en la carga?
Fig. 2.26
Resp.: +6.36V y −2.7V
CAPÍTULO 3
3. Introducción
E
Emisor
(a) Estructura física. (b) Símbolo circuital.
Esta es exactamente la misma ecuación que para la corriente de la unión de un diodo, excepto
por los cambios en la notación. (El coeficiente de emisión n se hace igual a 1 ya que es el
valor apropiado para muchos transistores de unión.) Valores típicos para la corriente de
saturación IES están en el rango de 10−12 a 10 −16 A, dependiendo del tamaño del dispositivo.
Hay que tener en cuenta que a la temperatura ambiente (300ºK), VT es aproximadamente
26mV.
Por supuesto, la ley de corriente de Kirchhoff requiere que la corriente que sale del
transistor sea igual a la suma de las corrientes que entran. Luego, refiriéndonos a la fig. 3.1b,
tenemos
iE =iC + iB
B (3.2)
p n
n p
Los valores para α están en el rango entre 0.99 a 0.999, siendo muy típico 0.99. La ecuación
(3.2) indica que la corriente de emisor es suministrada parcialmente a través del terminal de
base y parcialmente a través del de colector. Sin embargo, como α es casi la unidad, la
mayoría de la corriente de emisor es suministrada por el colector.
Para vBE mayor que unos pocos décimas de volt, el termino exponencial dentro del paréntesis
es mucho mayor que la unidad. Entonces el 1 dentro del paréntesis puede ser despreciado.
También se define la corriente de escala o corriente de saturación inversa de la unión base-
emisor como
IS = α·IES (3.5)
Resolviendo la ec. (3.3) para iC, sustituyendo en la ec. (3.2), y despejando la corriente
de base, se obtiene
iE =(1 − α)·iE (3.7)
Como α es ligeramente menor a la unidad, sólo una muy pequeña fracción de la corriente de
emisor es suministrada por la base. Utilizando la ec. (3.1) para sustituir iE, tenemos
iB = (1 − α ) ⋅ I ES [ exp( vV ) − 1]
BE
T
(3.8)
β +1
ó también, α= (3.9b)
β
El rango de los valores para β va desde 10 a 1000, y es muy común el valor β=100. Se puede
escribir
iC = β·iB B (3.10)
C
iC=α·iE
iB=(1−α)·iE
+
B vCE
+ −
vBE
iE
−
E
Fig. 3.3 Relaciones de corriente en un transistor npn. Sólo una pequeña fracción de la
corriente de emisor fluye en la base (considerando que la unión colector-base es
inversamente polarizada y la base-emisor está directamente polarizada).
Ejercicio 3.1 Dado un transistor con β=50, IES= 10−14 A, vCE =5V, e iE =10mA. Suponga que
VT=26mV. Encuentre vBE, vBC, iB, iC y α.
B
Resp.:
vBE =0.718V, vBC =−4.28V, iB=0.196mA, iC =9.80mA, α=0.980.
B
Ejercicio 3.4 Repita el ejercicio anterior si se tiene iC=19.8mA e iE=20mA. Determine los
valores de iB, α, y β.
B
iC
iB
+
vCE
+ − VCC
VBB vBE
−
Luego, si vCE es mayor que vBE, el voltaje base−colector vBC es negativo. Esta es la forma
común de operación del transistor como amplificador.
Las características de emisor común del transistor son graficadas para las corrientes
iB e iC respecto a los voltajes vBE y vCE, respectivamente. Características representativas para
B
A medida que vCE es menor que vBE, la unión base−colector se polariza directamente, y
eventualmente la corriente de colector cae como se muestra en el costado izquierdo de la
característica de salida (fig. 3.5b).
Si nos referimos a la fig. 3.5a y notamos que un cambio muy pequeño en el voltaje
base−emisor vBE puede resultar en un cambio apreciable de la corriente de base iB, B
iB
40uA
Δ iB
20uA
Fig. 3.5a Características de entrada (iB vs. vBE) para una configuración emisor común de
B
BJT NPN. Nótese que una pequeña variación ΔvBE produce una gran variación
en iB en la zona indicada. También la pendiente ΔiB/ΔvBE es el reciproco de la
B B
5.0mA
iC
iB4 = 40 μA
4.0mA
iB3 = 30 μA
3.0mA
iB2 = 20 μA
2.0mA
iB1 = 10 μA
1.0mA
iB0 = 0 μA
0.0mA
vCE
0V 2V 4V 6V 8V 10V
IC(Q2)
Fig. 3.5b Características de salida (iC vs. vCE) para una configuración emisor común
de BJT NPN.
vCE es bastante alto de manera que la unión colector−base está polarizada inversa. Por
ejemplo, cuando vCE=2V e iB=10uA, la característica de salida da iC=1mA. Luego
B
β= iC / iB =1mA/10uA=100
B
(Para algunos dispositivos, resultan valores ligeramente diferentes para diferentes puntos de la
característica de salida.)
para la polarización directa de la unión base−emisor como se muestra en la fig. 3.7b. También
se puede observar de la fig. 3.7a que VCE debe ser mayor que alrededor de 0.2V para asegurar
la operación en la región activa (es decir, sobre los "codos" de las curvas características).
En forma similar, para el BJT PNP se debe tener IB >0 y VCE <−0.2V para la validez del
modelo en la región activa.
el normal, pero con el emisor intercambiado. Muchos dispositivos no son simétricos, de modo
que α y β toman valores diferentes para el modo inverso en relación al normal. Este modo de
operación es raro de encontrar en aplicaciones, por lo que se detallarán sólo los otros tres
modos.
C PNP C
NPN
R. Activa R. Activa
IC IC
IB > 0 IB > 0
VCE > 0.2V β·IB
VCE < −0.2V β·IB
IB (a) IB
B B
IE IE
0.7V 0.7V
E E
NPN C C
PNP
Saturación Saturación
IC IC
IB > 0 IB > 0
β·IB > IC > 0 0.2V β·IB > IC > 0 0.2V
IB (b)
IB
B B
IE IE
0.7V 0.7V
E
E
NPN C PNP C
Corte Corte
VBE < 0.5V VBE > −0.5V
VBC < 0.5V VBC > −0.5V
(c)
B B
E E
Fig. 3.6 Modelos a grandes señales del BJT pnp y npn. (Nota: los valores mostrados son
apropiados para dispositivos de silicio típicos de pequeña señal a una
temperatura de 300ºK). a) Región Activa. b) Región de Saturación c) Región
de Corte.
iC Región de Saturación
IC <β·IB
iB
Ejemplo 3.2: Dado un transistor npn con β=100. Determine las regiones de operación sí:
a) IB=50 μA e IC=3mA; b) IB=50 μA y VCE=5V; c) VBE= −2V y VCE= −1V.
B B
Solución:
a) Como IB e IC son positivos, el transistor está en la región activa o en saturación.
B
En la región activa se debe cumplir que IC = β·IB, sin embargo no se cumple está
B
relación para los valores dados, entonces el transistor no está en la región activa.
En la región de saturación se debe cumplir la restricción IC < β·IB, la cual se satisface,
B
c) Se tiene VBE < 0 y VBC =VBE − VCE =−1V < 0. Por esto ambas uniones están polarizadas
inversamente, por lo tanto, está en corte.
Ejercicio 3.5: Para un transistor npn con β=100. Determine las regiones de operación sí:
a) VBE =−0.2V y VCE =5V b) IB =50μA e IC =2mA; c) VCE = 5V e IB =50μA
1.- Realizar una suposición razonable acerca de la operación del transistor en una región
particular (es decir, activa, corte, ó saturación).
2.- Utilizar el modelo apropiado para el dispositivo y resolver el circuito.
3.- Revisar si la solución satisface las restricciones para la región supuesta.
4.- Si se cumplen las restricciones, el análisis es correcto. Si no, se debe suponer una región
diferente y repetir hasta que se encuentre una solución válida (volver al punto 1).
Solución:
Como en la base hay aplicada una tensión positiva elevada, se puede suponer que el
transistor está en saturación. Sin embargo, si se sustituye el transistor por su modelo en
saturación y se utiliza el equivalente de Thevenin, se obtiene la fig. 3.8b. De este circuito se
obtiene que IB es negativa, lo cual contradice la hipótesis de saturación y sugiere el corte.
B
En efecto, en el circuito de la fig. 3.8b el equivalente de Thevenin visto desde los terminales
de base (b) con respecto a tierra es:
Vth=Vbb·Rb/(Rs+Rb)=0.196V
Rth=Rs||Rb=Rs·Rb/(Rs+Rb)=9.82kΩ
Como el resultado anterior sugiere el corte, entonces del circuito 3.8c, se tiene:
VBE=Vth=0.196V (IB=0) y VCE=VCC =15V (IC=0)
B
IC
IB
(a) (b)
(c)
Fig. 3.8 a) Circuito original. b) Circuito equivalente si se supone el transistor en
saturación. c) Circuito equivalente si se supone el transistor en corte.
Se analizaran varios circuitos de polarización. Algunos de estos son tan inestables que
ellos no pueden usarse en aplicaciones de amplificadores. Sin embargo, ellos son útiles para
aplicaciones digitales o de conmutación donde la estabilidad de la polarización no es muy
importante.
Ejemplo 3.4: El circuito de la fig. 3.9 tiene un transistor de silicio con β=100 y VCC=20V,
RC=1kΩ. Debe ser polarizado con ICQ=10mA. Determine RB. B
Solución:
iC ,mA
15
0 vCE ,V
5 10 15 20
VCEQ VCC
Fig. 3.10 Característica de salida, iC vs. vCE, en la cual se indica la recta de carga de
colector para el circuito del ejemplo 3.4.
Ejemplo 3.5 En el ejemplo anterior suponer que β cambia a 300. (Esto ocurre a menudo
cuando se cambia el transistor).
Solución:
No se sabe el valor de ICQ, ya que no sabemos el estado del transistor. Sin embargo,
tanto en saturación como en la región activa VBEQ =0.7V
Del circuito de base, se tiene que
IBQ = (VCC − VBEQ)/ RB =100 μA B
carga de colector,
VCEQ= VCC − ICQ·RC=20 − 30m·1k=−10V
Como VCEQ <0.2V el transistor no está en la región activa.
Como β·IB=300·100μ=30mA > IC =19.8mA se satisfacen las condiciones para la saturación (es
B
iC ,mA
40
Recta de carga, ejercicio 3.6
IBQ = 100 μA
β·IB = 30
Punto Q
VCC/RC = 20
IC·RC + VCE = VCC : Recta de carga de colector
10
0 vCE ,V
5 10 15 20
VCEQ=VCEsat=0.2 VCC
Fig. 3.11 Con β=300 el circuito del ejemplo 3.4 opera en saturación, IBQ=100 μA,
ICQ=19.8mA, VCEQ=VCEsat=0.2V.
IE = (β+1)·IB B
Luego,
IC = β·( VCC − VBE)/[ RB+(β+1)·RE ] ≅ ( VCC − VBE)/[ RB/β + RE ]
B B (3.12)
IC =( VCC − VBE )/ RE
Generalmente se elige RE de modo que su voltaje, VE=IE·RE sea mayor a VBE (por
ejemplo, 3 veces más grande). De modo que, RE=3·VBE/IEQ ≅ 3·VBE/ICQ.
Esta expresión permite seleccionar RE directamente para un ICQ dado.
Ejemplo 3.6: En el circuito de la fig.3.12 se tiene RE=2kΩ, RB=470kΩ, RC=2 kΩ, VCC=15V,
B
Solución:
De la ecuación (3.12) se tiene que
ICQ =( VCC − VBE)/[ RB/β + RE ]=(15 − 0.7)/6.7k=2.13mA
B
Cuando β=200
ICQ =(15 − 0.7)/4350=3.29mA
y VCEQ=15 − 3.29m·4010= +1.807V (sigue en la R. activa)
Ejercicio 3.8: Diseñe un circuito de polarización con realimentación de modo que ICQ=4mA.
VCC=30V, β=50.
Resp.: RE=525Ω (VE=3·VBE) ; RB=340kΩB (Sí VCEQ=20V → RC≅2kΩ)
Luego,
IB=( VCC − VBE )/[ RB + (β+1)·( RC+ RE)]
B (3.13)
e
IC = β·IB = β·( VCC − VBE)/[ RB+(β+1)·( RC + RE)]
B B
variaciones de β.
Solución:
Si se considera VE=3·VBE=3·0.7=2.1V
Como IE =IC ·( β+1)/β=IC/α
IEQ=5m·1.01=5.05mA
RE ≅ 3·VBE/ICQ=2.1/5m=420 Ω
Un circuito que evita la variación del punto de operación es el mostrado en la fig. 3.14.
Las resistencias R1 y R2 forman un divisor de tensión que provee un voltaje casi constante en
la base (VBQ) del transistor (independientemente del β del transistor). Como se vio en el
ejemplo 3.6, un voltaje constante en la base resulta en valores casi constantes para IC y VCE.
Debido a que la base no está directamente conectada a tierra o a la alimentación, es posible
acoplar una señal alterna a la base mediante un condensador de acoplamiento.
Equivalente
Thevenin
(a) (b) (c)
Fig. 3.14 Circuito de polarización por divisor de tensión ó de 4 resistencias. a) Circuito
original. b) Circuito original descompuesto en un circuito de base y otro de
colector. c) Equivalente de Thevenin del circuito original.
Como
IE= IC + IB =( β+1)·IB
B B
Luego,
IB=( Vth − VBE)/[Rth +( β+1)·RE]
B
La cual mantiene la condición (R1||R2)<< β·RE. No es preciso decir que ICQ debe ser
conocido.
cuando β2=300
IB2Q=( 3 − 0.7)/[2.4k + 301·470]=15.99 μA
IC2Q=β2·IB2Q=300·15.99μ=4.80mA
IE2Q=IC2Q /α2=4.80m/0.997=4.81mA
VCE2Q= 15 − 15.99μ·[ 300·1.2k + 301·470]=6.98V
Podemos observar que para β1=100 IC1Q= 4.61mA, y para β2=300 IC2Q= 4.80mA. Es decir,
para un cambio de 1:3 en β, la corriente de colector cambia en un +4.12%. Similarmente, VCEQ
cambio en un −4.12%.
Ejemplo 3.9: Dado el circuito de la fig. 3.15 donde β=100, Silicio, RE=1kΩ, R1=8.2kΩ
R2=1.8kΩ, VCC=5V y VEE=5V. Determine el punto Q.
Solución:
Vth= 5·1.8k/10k=0.9V
Rth= 1.8k·8.2k/10k=1.476k
+
VCE
−
Ejercicio 3.9: Para el circuito de la fig. 3.16 donde β=100, Silicio, RE=390Ω, R1=22kΩ
R2=4.7kΩ, RC=2.2kΩ, VCC=10V y VEE=5V. Determine el punto Q.
Resp.: ICQ=4.5mA, VCEQ=3.345V.
Ejercicio 3.10: Diseñe un circuito de polarización por divisor de tensión con los siguientes
parámetros: β=100, Silicio, ICQ=5mA, VCC=20V y VCEQ=10V. Utilice resistencias estándar de
10% de tolerancia.
Resp.: RE=420Ω, R2=4.2kΩ, R1=27kΩ (25.8kΩ) y RC=1.5kΩ (1.58kΩ)
vBC
Región
Activa Región de
Inversa Saturación
vBE
Región Región
Corte Activa
Directa
Ocasionalmente, hay aplicaciones en las cuales los roles del emisor y colector son
intercambiados, y entonces el dispositivo opera en la región activa inversa. La operación en
la región activa inversa es similar a la región activa directa, excepto que el β tiende a ser
pequeño (cercano a 1). Más aún, la respuesta en frecuencia y velocidad de conmutación son
mucho más pobres para un dispositivo operando en la región activa inversa comparado a la
directa. Si se comprende la operación del transistor en la región activa directa, este
conocimiento puede ser transferido a la región activa inversa mediante el intercambio del
emisor y el colector.
Las corrientes y voltajes del punto Q (señales continuas) son denotados por símbolos
en mayúsculas con subíndices en mayúscula. De este modo IBQ es la corriente de base en
continua si la señal de entrada es nula.
2·Ibm
iB(t)
IBQ
iB(t) iB(t)=IBQ+ib(t)
iB(t)=IBQ+ Ibm ·sen(ω·t)
0V
0s
t
Fig. 3.18 Ilustración de la corriente de base total iB(t), la corriente del punto Q IBQ , y la
B
corriente de pequeña señal ib(t). Esta misma ilustración se puede aplicar a casi
cualquier variable total de un amplificador.
Como interesa las señales pequeñas donde la magnitud de vbe(t) es mucho más pequeña
que VT en todo instante. [vbe(t) es de unos pocos milivolt o menos.
Donde rπ=VT/IBQ, entonces para variaciones de pequeña señal alrededor del punto Q, la unión
base−emisor del transistor se puede modelar como una resistencia rπ dada por
rπ=VT/IBQ (3.22)
Sustituyendo IBQ=ICQ/β, se tiene una fórmula alternativa
rπ=β·VT/ICQ (3.23)
Por otro lado, la corriente total de colector es β veces la corriente de base total.
iC(t)= β·iB(t)
B (3.24)
Como las corrientes totales son la suma del valor del punto Q y las componentes de señal,
tenemos,
ICQ + ic(t)= β·IBQ +β·ib(t) (3.25)
Las ecuaciones (3.21) y (3.26) relacionan las corrientes y voltajes de pequeña señal en
un BJT. Es conveniente representar el BJT por su circuito equivalente de pequeña señal
mostrado en la fig. 3.19.
Por supuesto que el transistor pnp tiene exactamente el mismo circuito equivalente que
el npn −aún las direcciones de referencia para las señales de corriente son las mismas. La
resistencia rπ es dada por la ecuación (3.23) para ambos tipos de transistores. (Se supone que
ICQ tiene referencia saliendo del colector para el pnp y tiene valor positivo).
Este modelo es válido para señales pequeñas, es decir para pequeñas variaciones de
voltaje y corriente alrededor del punto de polarización (punto Q) en la región activa. Es un
modelo de baja frecuencia que no considera las capacidades de la unión. También ignora los
efectos secundarios tales como la modulación del ancho de la base. Sin embargo, este modelo
simple es a menudo lo suficientemente preciso para un diseño inicial.
ib(t) ic(t)
B C
+
vbe(t rπ β·ib(t)
)
E
E
Fig. 3.19 Circuito equivalente de pequeña señal, modelo rπ −β, para el BJT.
Otro modelo de pequeña señal para el BJT es el modelo híbrido ó h. Este modelo se
basa en los parámetros h de las redes de dos puertas, conocidos como los parámetros híbridos.
En general, los modelos de los dispositivos activos pueden ser determinados sobre la
base de considerarlos como cuadripolos y en este caso no interesa el comportamiento físico
del dispositivo. Por lo tanto, bajo este criterio existen diversos modelos del transistor, tales
como el de parámetros z, y ó h. Debido a que un transistor se puede considerar como una red
de dos puertas y por razones de medición de sus parámetros se utiliza el modelo h para el
transistor bipolar.
En estas ecuaciones las variables independientes son las corrientes de entrada i1 y la tensión de
salida v2. En un transistor estas variables representan pequeñas variaciones alrededor del punto
de reposo (de este modo los parámetros del transistor pueden considerarse constante.)
En la teoría de circuitos con transistores, los subíndices numéricos son sustituidos por
letras que indican la naturaleza del parámetro, luego las ecuaciones generales de las redes de
dos puertas se modifican convenientemente de la siguiente manera:
v1=hi·i1 + hr·v2 (3.28)
i2=hf·i1 + ho·v2
i1 hi i2
+ +
v1 hr ·v2 hf ·i1 ho v2
− −
v1
hr = : Ganancia de tensión inversa en circuito abierto.
v2 i1 = 0
i2
hf = : Ganancia de corriente directa en cortocircuito.
i1 v2 = 0
En general, los parámetros son diferentes para cada configuración (conexión) y se obtienen a
partir de los circuitos equivalentes para emisor común, colector común y base común.
ib hie ic
B C
+ +
C − − E
Nótese que hie tiene unidades de resistencia, hre y hfe son adimensional, y hoe es una
conductancia.
Partiendo de las ecuaciones (3.29) y (3.30), podemos expresar cada parámetro como
una derivada parcial, evaluada en el punto de operación. Por ejemplo, si ponemos ib=0 en la
ecuación (3.29) y resolviendo para el parámetro hre, tenemos
v
hre = be (3.31)
v ce i =0
b
Debido a que vbe, vce, e ib representa pequeños cambios alrededor del punto Q, se tiene
Δv
hre = BE (3.32)
ΔvCE i = I
B BQ
De esta manera se puede encontrar el valor de hre haciendo pequeños cambios en vCE
manteniendo constante iB, y tomando la razón del cambio resultante en vBE al cambio en vCE.
B
iB
VCE=15V
VCE=5V
40uA
VCE=10V
ΔvBE
IBQ
20uA
Punto Q
0uA
0V 0.2V 0.4V 0.6V 0.8V
VBEQ vBE
Fig. 3.22 Obtención del parámetro hre ó ganancia de tensión inversa del transistor, a
partir de la característica de entrada del BJT.
incremental es hecho a lo largo de la línea horizontal, como se muestra en la fig. 3.22. Por
ejemplo, en el caso indicado ΔvCE= 15−5=10V, y el incremento resultante en vBE es
ΔvBE=6mV. Luego, hre=6mV/10V=6·10−4.
Debido a su bajo valor, en general, el parámetro hre se puede despreciar (ya que por su
pequeño valor, equivale a un coci en el modelo) sin afectar mayormente los cálculos. Hay que
tener presente que los modelos en ingeniería siempre son aproximados, y la elección del
modelo más apropiado depende fundamentalmente de la aplicación.
tomando la razón del cambio resultante en vBE al cambio en iB. En otras palabras, hie es la
B
derivada parcial de vBE con respecto a iB. En la fig. 3.23 se describe el significado en forma
B
iB
VCE=10V
La tangente en el punto
Q representa la
resistencia dinámica, rd
IBQ
ΔiB
Punto Q
ΔvBE
VBEQ vBE
Fig. 3.23 Obtención del parámetro hie ó impedancia de entrada con la salida en coci, a
partir de las características de entrada del transistor.
Es decir,
hie= vbe/ib |punto Q = VT/IBQ ≅ β·( VT/ICQ) (3.34)
Como se puede observar, este parámetro depende principalmente de ICQ y su valor está
comprendido, generalmente, entre 200Ω y 2kΩ.
tomando la razón del cambio resultante en iC al cambio en iB. En otras palabras, hfe es la
B
derivada parcial de iC con respecto a iB. En la fig. 3.24a se describe el significado en forma
B
iC
IB4
iB=ΔiB=IB4 − IB3
ic=ΔiC
IB3 =IBQ
ICQ
Q
IB2
IB1
VCEQ vCE
Fig. 3.24a Obtención del parámetro hfe ó ganancia de corriente directa del transistor, a
partir de las características de salida del transistor.
ic
hoe =
vce ib = 0
(3.36)
ΔiC
hoe =
ΔvCE i B = I BQ
El valor de hoe se obtiene haciendo pequeños cambios en vCE manteniendo constante iB, y B
tomando la razón del cambio resultante en iC al cambio en vCE. En otras palabras, hoe es la
derivada parcial de iC con respecto a vCE. En la fig. 3.24b se describe el significado en forma
gráfica del parámetro.
iC
IB4
ic=ΔiC
IB3 =IBQ
ICQ
Q
IB2
vce=ΔvCE
IB1
VCEQ vCE
Fig. 3.24b Obtención del parámetro hoe ó admitancia de salida del transistor, a partir de
las características de salida del transistor.
Finalmente, considerando que hre y hoe son muy pequeños el circuito equivalente de la
fig. 3.21 se puede reducir al siguiente.
ib ic
B
C
+
vbe hie β·ib(t)
−
E
E
Fig. 3.25 Circuito equivalente de parámetros h con hre=0 y hoe=0. Este circuito es
equivalente al modelo rπ −β.
Como una aproximación, se puede hacer hre y hoe igual a cero. (Como hoe es una
conductancia, haciéndola igual a cero representa un circuito abierto.) Con estos cambios, el
circuito de parámetros h se reduce al mostrado en la fig. 3.25. El cual es equivalente al modelo
rπ −β de la fig. 3.19.
Apunte de Clases de Electrónica − R.G.C. 3−31
CAPÍTULO 3: Transistor de Unión Bipolar
En general, en electrónica no se hace mucho uso del modelo completo del equivalente
de parámetros h en el análisis o diseño. Sin embargo la hoja datos del fabricante contiene
información acerca de los parámetros h. Por ejemplo, la hoja de datos del transistor 2N2222A
entrega los valores de los parámetros h en dos puntos de operación.(Ver anexo)
En la fig. 3.26 se muestra un circuito equivalente de pequeña señal para el BJT conocido como
el modelo π−híbrido. Este modelo es un modelo físico del transistor, es decir, sus parámetros
están relacionados con su física interna. La resistencia rx, llamada la resistencia de
base−extendida, considera la resistencia óhmica de la región de base. Típicamente, es
pequeña comparada a rπ , variando entre 10 y 100Ω para dispositivos de pequeña señal. Este
valor es casi independiente del punto de operación.
Cμ
rx B´ rμ
B C
+
vπ rπ Cπ gm·vπ ro
− E
C
Fig. 3.26. Circuito equivalente π−híbrido.
ro ≅ 1/ hoe (3.40)
Algunas veces la constante de tiempo del circuito RC entre los terminales de base y
colector es dada en la hoja de datos. Por ejemplo la hoja de datos del transistor 2N2222A
entrega este valor denominado como rb·CC. Esta constante de tiempo es aproximadamente
igual a rx·Cμ. Considerando que Cμ es conocido, se puede utilizar el valor de la constante de
tiempo para encontrar rx.
ib ic
B
C
+
vπ rπ gm ·vπ
− E
E
Fig. 3.27. Modelo π−híbrido con rx =0, rμ=∞, ro =∞, y los condensadores reemplazados
por circuitos abiertos. Este modelo aproximado de baja frecuencia es
equivalente al modelo rπ−β de la fig. 3.25.
Ejemplo 3.10 Utilice la hoja de datos del transistor 2N2222A para determinar el circuito
equivalente π−híbrido para un transistor típico 2N2222A en el punto Q: ICQ = 10mA y
VCEQ=10V.
De la hoja de datos encontramos que un valor típico para hfe =β es 200. (El rango dado en la
hoja de datos para hfe en este punto de polarización es desde 75 a 375.) De la ec. (3.23),
tenemos
rπ= β·VT/ICQ =200·26mV/10mA=520Ω
(La hoja de datos da valores para hie = rπ en el rango 250 a 1250Ω, lo cual es bastante
consistente con el rango dado para hfe =β.)
La hoja de datos da un valor máximo para hre de 4·10−4. Utilizando este valor máximo
para calcular rμ. De la ecuación 3.39 da
rμ ≅ rπ/ hre =520/4·10−4=1.3 MΩ
La hoja de datos da un rango para hoe desde 15 a 200μs. Por esto, ro varia desde 5 a 66.7kΩ.
Para VCBQ=10V e IEQ=0, la hoja de datos un valor máximo de que Cobo=Cμ de 8pF. Esta es la
capacitancia de deplexión de la unión de colector y es casi independiente de la corriente de
emisor. La capacitancia depende de VCBQ, pero del punto Q dado en el problema se tiene
VCBQ= VCEQ−VBEQ ≅10−0.6=9.4V
De esta forma se han utilizado los valores de la hoja de datos para encontrar los parámetros del
circuito equivalente π−híbrido.
Ejercicio 3.11 Suponga que un transistor tiene ft=500MHz β=100, y Cμ=4pF. Suponga que ft,
β, y Cμ son independientes de ICQ. (Realmente, esto no es verdadero; en la práctica dependen
de ICQ. Sin embargo, la dependencia no es pronunciada. Considerando constante β y ft es una
primera aproximación razonable, al menos para un rango restringido de corriente. Dibuje rx,
Cπ y gm a escala con relación a ICQ. Utilice escalas logarítmicas para todos los ejes. Grafique
para una variación en ICQ desde 1 a 100mA.
Los condensadores de acoplamiento (C1 y C2) son usados para conectar la carga y la fuente de
señal sin afectar el punto de polarización. Estos condensadores y el de desacoplamiento (CE)
son elegidos lo suficientemente grandes para que tengan una impedancia muy baja a la
frecuencia de la señal (en análisis de alterna.) Luego, en un análisis de pequeña señal a
frecuencias medias, estos condensadores son efectivamente cortocircuitos. Sin embargo, a
bajas frecuencias estos condensadores limitan la ganancia del amplificador, y por esto
determinan la frecuencia de corte inferior del amplificador. En alta frecuencia, estos
condensadores son cortocircuitos y el modelo del transistor a utilizar debe ser válido para alta
frecuencia (como el π−híbrido).
iin ib
+ + +
vin vbe rπ β·ib vo
− − −
Luego, sean
RB=R1||R2 =R1·R2/(R1 + R2)
B R´L=RL||RC =RC·RL/(RL + RC)
También,
vo= −R´L ·ic= −R´L ·β·ib (3.47)
Impedancia de salida, Zo
La impedancia de salida es la impedancia "vista" por los terminales de carga con las entradas
anuladas (equivalente Thevenin.) Esta situación es mostrada en la fig.3.28c. Con VS=0 no hay
corriente en la base, luego ib=0 y entonces β·ib=0, y por esto la impedancia "vista" por Vv es
sólo RC. Nótese que la fuente de medición Vv es sólo "virtual", es decir, físicamente no existe
ni es necesaria, entonces
Zo= Vv /iv |con Vs=0 : impedancia de salida.
Zo= RC (3.53)
iin=0 ib=0 iv
+ + +
vin vbe rπ β·ib Vv
− − −
Zo= RC
Solución:
Análisis en continua:
Primero, se determina el punto Q
..........Rth=...............
..........Vth=................
ICQ=...............................................=4.12mA
VCEQ =........................................=6.72V
Luego,
rπ=β·VT/ICQ = =631Ω
Análisis en alterna:
...................................................
...................................................
...................................................
AV=...................
...................................................
...................................................
AV0=................... (RL→ ∞)
...................................................
...................................................
Zin=...................
...................................................
...................................................
...................................................
AI=...................
...................................................
...................................................
...................................................
AP=...................
...................................................
...................................................
...................................................
Z0=...................
...................................................
...................................................
Vin=................... (como función de VS)
...................................................
...................................................
V0=...................
...................................................
...................................................
...................................................
v0(t)=...................
Resp.:
AV=−109, AV0=−164 (RL→ ∞), Zin=1185Ω, AI=−64.5
AP=7030, Z0=1kΩ v0(t)= −76.7·sen(ω·t) [mV]
iin ib rπ (β+1)·ib= ie
+ B +
vin β·ib RE vo
−
−
C
y en la entrada
Apunte de Clases de Electrónica − R.G.C. 3−40
CAPÍTULO 3: Transistor de Unión Bipolar
Impedancia de salida, Zo
La impedancia de salida es la impedancia "vista" por los terminales de carga con las entradas
anuladas (equivalente Thevenin.) Esta situación es mostrada en la fig.3.29c. En este caso al
anular la fuente de entrada VS=0, no implica que la corriente de entrada sea nula, esto se puede
ver al plantear las ecuaciones en la fig. 3.29c.
Zo= Vv /iv |con Vs=0 : impedancia de salida. (3.57)
Se necesita relacionar Vv con iv. Para esto se puede plantear una LCK en el nodo de emisor,
luego:
ib + β·ib + iv =Vv/RE (3.58)
iin ib rπ (β+1)·ib= ie iv
+ B +
vin β·ib RE Vv
− −
Fig. 3.29c Circuito equivalente a frecuencias medias, para obtener la Zo. Nótese que en
este caso el colector está conectado a tierra.
Si denotamos por
R´S= RS||R1||R2 (3.59)
Ejercicio 3.13 El circuito de la fig. 3.30 se conoce como un amplificador de base común (la
entrada es por emisor, la salida es por colector). Determine expresiones para la ganancia de
voltaje, resistencia de entrada y resistencia de salida en términos de β, rπ , y las resistencias.
i0
Ejercicio 3.14 Varios transistores, del tipo npn o pnp son medidos y se determinan los
siguientes voltajes entre sus terminales denominados E, B, C. Identifique el tipo de transistor y
su modo de operación (corte, saturación, región activa directa, ó inversa):
Ejercicio 3.15 Para los dispositivos y situaciones descritos en la siguiente tabla, complete la
tabla. La línea "a" se da completa a manera de ejemplo.
Dispositivo IC IB B IE α β
# mA mA mA
a 10 0.1 10.1 0.99 100
b 1 50
c 2.0 0.98
d 0.01 0.995
e 110.0 10
f 0.001 1000
Para completar la tabla, ¿es necesario suponer que los transistores están en la región activa
directa? Justifique.
Nótese que los transistores como el f) están construidos con bases muy delgadas en orden de
obtener un alto β, pero tienen un voltaje de ruptura inversa reducida.
Resp.: b: 0.02, 1.02, 0.98; c: 1.96, 0.04, 49; d: 1.99, 2.00, 199; e: 100, 10, 0.909;
f: 1, 1.001, 0.999.
β=200 y VBE=0.7V
Fig. 3.31
B C
+ Fig. 3.33
vx Ri gm ·vx
− a)
E
b)
CAPÍTULO 4
4. Introducción.
Los Transistores de Efecto de Campo (FET) son dispositivos importantes que, al igual
que los BJT, son útiles en amplificadores y circuitos lógicos. En este capítulo se describen las
características externas de varios tipos de FET´s, el desarrollo de modelos para circuitos de
polarización, y los modelos de pequeña señal. Finalmente, se estudian varias aplicaciones de
los FET´s en circuitos amplificadores.
Canal
G, gate
p n p
S, source
(a) (b)
Fig. 4.1 JFET canal−n (JFET−n) (a) Estructura física simplificada. (b) Símbolo circuital.
La unión p−n entre el gate y el canal es un contacto rectificador similar a la unión p−n de los
diodos. En casi todas las aplicaciones, la unión entre el gate y el canal es polarizada inversa,
de esta manera virtualmente no fluye corriente en el terminal de gate. (Hay que tener presente
Apunte de Clases de Electrónica − R.G.C. 4−1
CAPÍTULO 4: Transistor de Efecto de Campo
que el lado p es negativo con respecto al lado n durante la polarización inversa de una unión
p−n.) Por esto el gate es negativo con respecto al canal en operación normal de un JFET−n.
La aplicación de voltaje de polarización inverso entre gate y canal hace que una capa
del canal próxima al gate llegue a ser no-conductiva. Esta es llamada la capa o región de
deplexión. Al aumentar la polarización inversa, la región de deplexión se hace más ancha.
Eventualmente, la capa de deplexión (no conductiva) se extiende completamente a través del
canal, y entonces se dice que se llego al estrangulamiento (pinch-off). Esto se ilustra en la fig.
4.2. Note que el área de la trayectoria conductiva entre drain y source depende de la magnitud
de la polarización inversa entre gate y canal. Por esto, la resistencia entre drain y source
depende de la polarización entre gate y canal.
Capa de D D D
deplexión
G n G n G
p p p p p p
(a) vGS=0 y la capa de (b) vGS moderado (0 > vGS >VP) (c) vGS grande ( |vGS| >|VP|), no
deplexión es delgada, rDS es la capa de deplexión aumenta, y hay conducción entre drain y
baja. rDS es moderada. source, rDS es elevada.
Fig. 4.2 La región de deplexión (no conductiva) se hace más gruesa mientras se aumenta
la polarización inversa entre gate y source.
Un circuito para el estudio detallado de las curvas características del JFET se muestra
en la fig. 4.3. Primero, supongamos que vGS es cero. Luego, mientras vDS se aumenta, iD
aumenta como se muestra en la fig. 4.4. El canal es una barra de material conductivo con
contactos óhmicos en los terminales − exactamente igual al tipo de construcción utilizado en
los resistores ordinarios. Por esto, iD es proporcional a vDS para pequeños valores de vDS .
iD
+
vDS
+ −
vGS
−
Fig. 4.3 Circuito utilizado para determinar las características de drain de un JFET−n.
Sin embargo, para valores más grandes de vDS , la corriente de drain se incrementa más
y más lentamente. Esto se debe a que el terminal del canal más cercano al drain está
polarizado inverso por el voltaje vDS. A medida que vDS aumenta, la capa de deplexión se hace
más ancha, haciendo que el canal tenga una resistencia más alta, como se ilustra en la fig. 4.5.
Después que se alcanza el voltaje de estrangulamiento, la corriente de drain se mantiene
aproximadamente constante para aumentos adicionales en vDS.
El flujo de corriente produce una caída de voltaje a lo largo del canal (particularmente
en el terminal de drain, donde el canal es muy angosto). Así el voltaje entre el canal y el gate
varía a lo largo del canal. En el terminal de drain del canal, la polarización de la unión gate a
canal es vGD=vGS − vDS. En el terminal del source del canal, la polarización gate a canal es vGS.
Esta es la razón para el adelgazamiento del espesor de la región de deplexión mostrado en la
fig. 4.5.
iD
En el punto P el canal alcanza el
estrangulamiento (pinch-off)
P
vGS=0
Vp es el voltaje de estrangulamiento
|Vp| vDS
Fig. 4.4 Corriente de drain (iD) versus voltaje drain-source (vDS) cuando el voltaje entre
gate-source (vGS) es cero.
iD iD (≅constante)
D D
G G
p p p p
n n
vGS =0 S vGS =0
S
Fig. 4.5 JFET−n para vGS=0. (a) El canal se hace más angosto a medida que vDS
aumenta. (b) La corriente (iD) está restringida a una banda muy angosta, para
vDS >|VP|.
Como en el caso con vGS=0, la corriente de drain para otros valores de vGS
eventualmente llega a ser constante cuando vDS es elevado, debido al estrangulamiento en el
terminal drain del canal. La región donde la corriente de drain es constante es llamada la
región de saturación o región de estrangulamiento. (Esta es una selección desafortunada de
terminología debido a que la región de saturación en un BJT es cercana al eje de corriente. La
región de saturación del FET corresponde a la región activa del BJT). La región para la cual iD
depende de vGS es llamada la región Lineal o la región Triodo del FET. Estas regiones son
indicadas en la fig. 4.6.
15mA
Región de Saturación (o de
iD Región de Triodo pinch-off)
vGS=0
10mA
iD=K·vDS2
vGS= −1
5mA
vGS= −2
La constante K tiene unidades de corriente por volt2 [A/V2]. El estudio de esta ecuación para
un valor fijo de vGS muestra que esta describe una parábola que pasa por el origen del plano iD
−vGS. Más aún, el ápice de la parábola esta en el límite entre la región de Triodo y Saturación.
iD
iD=K·VP2 =IDSS
(vGS=0 )
vDS=5V
iD=0 (vGS=VP)
VP vGS
Resolviendo esta ecuación para vGS , sustituyendo en la ec. (4.8), y reduciendo, tenemos que la
ecuación para el límite es
iD= K·vDS2 (4.10)
Resolviendo la ecuación (4.9) para vDS y sustituyendo en la ec. (4.5) también se encuentra la
ec. (4.10). Note que los límites entre la región de Triodo y la de Saturación es una parábola, la
cual es mostrada en línea segmentada en la fig. 4.6.
Luego, si se conocen los valores de IDSS y VP, entonces se pueden determinar las
características estáticas del JFET.
Ejemplo 4.1 Un JFET−n tiene IDSS =18mA y VP=−3V. Dibuje las características iD−vDS y de
iD−vGS.
Solución:
De la ecuación 4.12 encontramos el valor de K,
K=2 [mA/V2]
Luego la ecuación (4.10) da el límite entre la región de Triodo y la de saturación. De esta
manera se tiene,
iD= 2·vDS2
donde iD está en mA y vDS en V. El dibujo de está ecuación está con línea segmentada en la
fig. 4.8.
20m
vDS=3 iD=18mA iD=18mA=IDSS
iD vGS=0
Región
Triodo Región de
15m
Saturación
iD=K· vDS2
10m
vDS=2 iD=8mA iD=8mA
vGS= −1 V
5m
Fig. 4.8 Características iD−vDS del JFET−n con IDSS =18mA y VP=−3V.
20mA
vGS=0 iD=18mA=IDSS iD
15mA
vDS=4V
5mA
vGS= −2 iD=2mA
vGS=−3=VP iD=0mA
0A
-3.0V -2.5V -2.0V -1.5V -1.0V -0.5V 0V
vGS
Fig. 4.9 Características iD−vGS del JFET−n con IDSS =18mA y VP=−3V.
4.2.6 Ruptura.
Apunte de Clases de Electrónica − R.G.C. 4−8
CAPÍTULO 4: Transistor de Efecto de Campo
vDG= vDS - vGS , la ruptura ocurre a valores más pequeños de vDS cuando vGS toma valores
cercanos al estrangulamiento. Esto se ilustra en la fig. 4.10. Naturalmente se debe evitar
operar el JFET en la región de ruptura.
iD vGS=0
vGS= −1 V
vGS= −2 V
VB vDS
rápidamente.
El MOSFET de deplexión tiene características de salida casi idénticas a las del JFET,
pero su construcción es algo diferente Fig. 4.11a. Un delgado canal de semiconductor tipo−n,
generalmente silicio, conecta el source y drain. Sobre el canal hay una capa de material
aislante tal como dióxido de silicio. Sobre el aislante hay una capa de metal (Aluminio o
silicio policristalino) que forma el gate. La región p es llamada el sustrato o el cuerpo.
G
S D
metal
óxido
n n
B
(a) (b)
Fig. 4.11 MOSFET−n de deplexión. a) Estructura física. b) Símbolo circuital.
No hay flujo de corriente en el canal n del dispositivo de mejoramiento para vGS menor
que un cierto valor positivo conocido como el voltaje umbral, el cual es denotado como Vth.
La ecuación que se obtuvo para la corriente de drain del JFET se aplica al MOSFET de
G
S D
metal
óxido
n n
B
(a) (b)
Fig. 4.12 MOSFET−n de mejoramiento. a) Estructura física. b) Símbolo circuital
La fig. 4.13 muestra la corriente de drain versus vGS para los tres tipos de FET´s de
canal n. Note que el parámetro IDSS, el cual es útil para caracterizar los JFETs y MOSFETs de
deplexión, no se aplican para MOSFET de mejoramiento. Para un MOSFET de mejoramiento,
los valores de K y Vth son necesarios para su caracterización.
iD iD iD
IDmax IDmax
IDSS IDSS
Evaluando se tiene:
vGS [V] iD
[mA]
2 0
4 0.8
8 7.2
12 20
iD S IDmax B
20mA
16mA
vDS=10V
12mA
8mA
4mA
vGS=Vth=2V
0A
0V 2V 4V 6V 8V 10V 12V
vGS
Fig. 4.14 Característica iD versus vGS del MOSFET−n de mejoramiento del ejemplo.
Para dibujar las características de drain, primero se obtiene los límites entre las
regiones de Triodo y saturación usando la ec. (4.10), es decir
iD= K·vDS2 =0.2· vDS2
iD
20mA
VGS=12V
B
16mA
12mA
iD=K· vDS2
8mA VGS=8V
A
4mA
VGS=4V
0A VGS=2V
0V 5V 10V 15V 20V
vDS
Sin embargo, un problema más significativo es que los parámetros del JFET varían
considerablemente de un dispositivo a otro. Para un tipo de JFET, el IDSS puede variar en una
relación de 5:1. Además, el voltaje de estrangulamiento VP es diferente de dispositivo a
dispositivo.
Como se ilustra en la fig. 4.17, pueden existir variaciones extremas de los parámetros
aún en JFET´s del mismo fabricante y denominación. El rango de variación mostrado es
típico. Se observa que si el VGSQ fuera el mismo para todos los dispositivos, se obtiene una
considerable variación en IDQ (ΔIDQ=IDQ2 − IDQ1). Por esto, el circuito de polarización fija no
es adecuado para polarizar un JFET. Un circuito de polarización más práctico es mostrado en
la fig. 4.18, denominado circuito de autopolarización.
iD
Dispositivo
de alta corriente
Recta de Polarización
VGS=Vgg
Dispositivo
de baja corriente
IDQ2
IDQ1
VGSQ vGS
Solución:
Luego,
VDSQ=12 − 1mA·5kΩ=7V
Con estos resultados se puede decir que los puntos de operación en las características del
JFET son:
Las curvas del dispositivo mostradas en la fig. 4.19 son válidas sólo si el dispositivo
opera en la región de saturación. Generalmente, en circuitos amplificadores con JFET es
deseable la operación en la región de saturación. Sin embargo, se debe comprobar que VDSQ es
lo suficientemente grande para que opere en esta región, antes de aceptar los resultados
basados en este análisis.
iD
Dispositivo
de alta corriente
IDQ2
IDQ1
Ejemplo 4.4 Diseñar un circuito de auto-polarización para un JFET−n que tiene IDSS=5mA y
VP= −3.5V (JFET−n 2N4221), y Rd=2.2kΩ, Vdd=20V. El circuito debe tener IDQ=2.5mA.
Utilice valores estándares de resistencias con 10% de tolerancia.
Solución:
Se deben especificar los valores de Rg y Rs. El valor de Rg no es crítico en lo referido
a la polarización, sin embargo un valor desde cero hasta 10MΩ es razonable. Generalmente,
no se diseña un circuito de polarización sin alguna idea acerca de las especificaciones de
alterna, las cuales darían una indicación para elegir valores adecuados de Rg. Sin esta
información, arbitrariamente podemos elegir Rg=1MΩ.
Considerando que el dispositivo opera en la región de saturación, los valores del punto
Q deben satisfacer la ec. 4.8. Luego,
iD = K·(vGS − VP)2
VGSQ = − IDQ·Rs
Ejemplo 4.5. Analizar el circuito anterior utilizando la resistencia estándar. Repetir el análisis
utilizando un dispositivo con alta corriente que tiene IDSS=10mA y VP= −7V.
Solución:
Primero, del ejemplo anterior tenemos IDSS=5mA, VP= −3.5V (K=0.4082mA/V2), Rd=2.2kΩ,
Vdd=20V y el valor de la resistencia estándar encontrado es Rs=390Ω. Como
VGSQ = − IDQ·Rs
y como el JFET opera en la región de saturación, entonces el punto Q está relacionado con la
ecuación 4.8.
IDQ = K·(VGSQ − VP)2
Reordenando se obtiene,
VGSQ2+ [(1/ Rs·K) − 2·VP]·VGSQ + VP2=0 P
Antes de aceptar estos resultados, se deberían revisar para asegurarse que el transistor
está en la región de saturación como se asumió.
En efecto, con vGS=VGSQ=−0.997V, el transistor está en saturación mientras vDS
(VDSQ=13.38V) es mayor que vGS − VP=2.503V. Por esto el transistor está efectivamente en la
región de saturación.
Ejercicio 4.5: Encuentre el valor más grande de Rd que puede ser usado en el circuito anterior
si el transistor permanece en la región de saturación.
Resp.: Rdmax ≅20.1kΩ
4.4.3 Circuito de Polarización fija y Autopolarización (ó por divisor de voltaje)
Ahora, como el voltaje a través de Rg es cero (Ig≅0) y considerando que el transistor está en la
zona de saturación, tenemos
iD = K·(vGSQ − VP)2 (4.19)
iD
+
vDS
−
La fig. 4.21 muestra la solución gráfica de las ec. 4.18 y 4.19. Nótese que valores altos
de Vgg resulta en pequeñas variaciones de IDQ para dispositivos con variaciones extremas de
sus parámetros. Ya que valores altos de Vgg hacen que la recta de polarización (ec. 4.18) sea
más horizontal. (También se puede observar que Vgg=0 corresponde al circuito de
autopolarización). Sin embargo, Vgg no se debe elegir demasiado alto ya que esto eleva la
caída de voltaje en Rs, y voltaje suficiente debe repartirse en vDS y Rd.
iD
Dispositivo
de alta corriente
Dispositivo
Recta de Polarización de baja corriente
VGS=Vgg − ID·Rs
IDQ2
IDQ1
Vgg/Rs
Fig. 4.21 Solución gráfica para el circuito de polarización fija más autopolarización.
Nótese que para dispositivos con variaciones extremas de sus parámetros, las
variaciones en IDQ son más independientes del dispositivo si Vgg es grande.
Ejemplo 4.6: Diseñe un circuito de polarización fija más autopolarización para el JFET del
ejemplo 4.4, el cual tiene: IDSS=5mA y VP= −3.5V (JFET−n 2N4221), y Rd=2.2kΩ, Vdd=20V.
El circuito debe tener IDQ=2.5mA. Diseñe para Vgg≅5V.
Solución:
Se deben especificar R1, R2, y Rs. Como Vgg≅5V es especificado y Vdd=20V,
entonces
Vgg=20·R2/(R1+R2)=5V
Luego, escogiendo un valor estándar para R2, por ejemplo R2=1MΩ ⇒ R1=3MΩ
Esta elección es algo arbitraria. En algunos casos las especificaciones de alterna pueden forzar
una elección particular. A menos que exista algún motivo para elegir resistencias pequeñas, se
prefiere seleccionar resistencias de valores elevados debido a que consumen menos.
Como K=IDSS/VP2=0.4082mA/V2
P
VGSQ= −1.0252V
Para este punto Q se debe satisfacer la ec. 4.18, de tal manera que
Vgg=VGSQ + Rs·IDQ
5= −1.0252 +Rs·2.5m
→ Rs=2410 Ω, cuyo valor estándar de 10% de tolerancia es Rs=2.2kΩ.
Solución:
Del ejemplo anterior
K=0.4082mA/V2 , VP=−3.5V, Vdd=20V, Rd=2.2kΩ, Rs=2.2kΩ (resistencia estándar
más cercana a nuestro valor de diseño)
El punto Q debe satisfacer las ecuaciones 4.18 y 4.19. Resolviendo ambas ecuaciones:
Vgg=VGSQ + Rs·ID
ID = K·(VGSQ − VP)2
Reemplazando y ordenando,
VGSQ2 + [ 1/(Rs·K) −2·VP]·VGSQ + VP2 − Vgg/(Rs·K)=0
P
Si se repiten los cálculos para otro transistor (Caso b) (con variación extrema de
parámetros), se encuentra
K=0.2041mA/V2, IDSS=10mA y VP= −7V; Rd=2.2kΩ, Rs=2.2kΩ, Vdd=20V
VGSQb2 + 16.227·VGSQb + 37.865=0
Resolviendo,
VGSQ1b=−2.825V y VGSQ2b=−13.400V. La segunda raíz se descarta. Luego
IDQb = K·(VGSQ1b − VP)2 = 3.558mA
VDSQb =Vdd −(Rd+Rs)·IDQb=4.345V (VDSQb > VGSQb − VP=4.175) por lo que efectivamente está
en saturación).
Ahora, como el circuito fue diseñado para un IDQ=2.5mA se puede afirmar que al
utilizar el resistor estándar más cercano a nuestro valor de diseño (Caso a) hay un error de
(2.696−2.5)/2.5=+7.84% del IDQ. Y al utilizar un transistor con variación extrema de
parámetros (Caso b) la variación % en la corriente de polarización aumenta a
(3.558−2.5)/2.5=+42.32% de IDQ, es decir, la variación en IDQ es menos de la mitad.
Como se puede observar, la variación más grande en IDQ es del orden del 42% en la
polarización por divisor de tensión. Sin embargo, en la autopolarización la variación más
grande en IDQ es del orden de 104%. Con este ejemplo se puede visualizar que el circuito de
polarización por divisor de voltaje mantiene una corriente de drain aproximadamente
constante.
Ejercicio 4.6: Diseñe un circuito de polarización para un MOSFET de mejoramiento que tiene
Vth=4V y K=10−3 A/V2. La fuente de alimentación es Vdd=15V. Se desea el punto Q en
VDSQ≅5V e IDQ≅5mA. El circuito a utilizar debe ser uno en que la salida se obtiene en el
terminal de drain.
Resp.: Circuito por divisor de tensión, sí se elige R1+R2=1.5MΩ, R1=380kΩ y R2=1.12MΩ.
Rd no puede ser cero, porque la salida es por drain, se elige Rd=Rs=1kΩ.
Ejercicio 4.7: En el ejercicio anterior, a) determine IDQ y VDSQ. b) Repita para un MOSFET
de mejoramiento que tiene Vth=5V y K=2 mA/V2.
Resp.: a) IDQ =4.87mA, VDSQ =5.27V; b) IDQ =4.56mA, VDSQ =5.87V.
Ejercicio 4.9: Determine el mayor valor de Rd que puede ser utilizado en el ejercicio anterior
para que el MOSFET permanezca en saturación. Considere que R1 y R2 permanecen fijos.
Resp.: Rdmax=3.91kΩ.
En las secciones anteriores, se han considerado los circuitos de polarización para FET. Ahora
se consideraran las relaciones entre las señales de corrientes y voltajes para pequeños cambios
en torno al punto Q.
Las ecuaciones 4.25 y 4.26 pueden ser representadas por el circuito equivalente de pequeña
señal mostrado en la fig. 4.22. De esta manera el FET es modelado mediante una fuente
controlada de corriente conectada entre los terminales de drain y source.
G D
+
vgs gm·vgs
−
S S
Resolviendo la ec. (4.22) para la cantidad (VGSQ − VP) y sustituyendo en la ec. 4.24,
g m = 2 K ⋅ I DQ (4.27)
Algunas veces, se requiere un modelo más completo para el FET. Por ejemplo, para
considerar la respuesta en alta frecuencia se incluye pequeñas capacitancias entre los
terminales del dispositivo. Las ecuaciones del dispositivo y el circuito equivalente que se
derivan sólo describen el comportamiento estático del dispositivo. Para corrientes y voltajes
de alta frecuencia, se requieren capacitancias adicionales para un modelo preciso.
Más aún, las ecuaciones de primer orden encontradas para el FET no incluyen un
término para considerar el pequeño efecto de vDS en la corriente de drain. Anteriormente, se
ha considerado que las características de drain son horizontales en la región de saturación,
pero esto no es exacto, la característica de drain tiene una ligera pendiente con el incremento
en vDS. Si se quiere considerar el efecto de vDS en el circuito equivalente de pequeña señal se
puede considerar el siguiente desarrollo: Dado que la corriente de Drain es una función del
voltaje gate−source, vGS, y del voltaje drain−source, vDS, utilizando una aproximación de
primer orden se tiene:
iD=f(vGS, vDS)
∂iD ∂iD
ΔiD = ΔvGS + ΔvDS (4.29)
∂vGS VDS
∂vDS VGS
luego
μ= gm·rd (4.34)
La ec. (4.30) aplicada a un dispositivo de tres terminales como el FET define el equivalente
circuital mostrado en la fig. 4.23.
id
G D
+
vgs gm·vgs rd
−
S S
Sin embargo, id , vgs , y vds representan pequeños cambios en torno al punto Q. Por esto, la
condición vds=0 es equivalente a que vDS sea constante en el punto Q, VDSQ. Luego
Δi
gm ≅ D (4.36)
Δv GS v =V
DS DSQ
La ecuación 4.36 es una aproximación a una derivada parcial. Por esto, una definición
alternativa de gm es la derivada parcial de iD con respecto a vGS, evaluada en el punto Q.
∂i
gm = D (4.37)
∂vGS punto −Q
Ejemplo 4.8: Dadas las características de drain del transistor 2N4222A determine los valores
aproximados de gm y rd en el punto Q definido por VGSQ= − 0.5 y VDSQ=10V.
Solución:
Localizando el punto Q en la fig. 4.24, evaluamos gm.
Δi
gm ≅ D
Δv GS v =V
DS DSQ
Es decir, se debe hacer un cambio en el punto Q mientras se mantiene vDS constante. Por esto,
el cambio incremental se hace a lo largo de una línea vertical a través del punto Q.
iD
8.0mA
VGS =0
(10V,7.698mA)
(10V,5.937mA)
6.0mA VGS =−0.5
(10V,4.404mA)
Q
VGS =−1.0
4.0mA
VGS =−1.5
2.0mA
0.0mA
0V 5V 10V 15V
vDS
Como el cambio incremental se debe efectuar mientras vGS se mantiene constante, los cambios
son hechos a lo largo de la curva característica a través del punto Q. Luego 1/rd es la pendiente
Es decir, rd=33.87kΩ
+ + +
vf(t) vin(t) RG vgs gm ·vgs rd RD RL vo
− − −
Ganancia de voltaje:
1
Sea R´L= rd ||RD ||RL =
1 / rd + 1 / RD + 1 / RL
Resistencia de Entrada.
Resistencia de Salida.
R iin=.. ig=... G D iv
+ + +
vin(t) RG vgs=..... gm ·vgs rd RD vv
− − −
Debido a que no hay fuente conectada al lado de la entrada del circuito, se tiene que
vgs=0, luego id= gm ·vgs=0, por lo tanto
Zo= vv /iv = rd||RD (4.44)
I DSS ⋅ I DQ
gm = 2 = =..........
VP
R´L=....................
AV=......................
Rin=......................
Zo=.......................
La resistencia RG provee una trayectoria para la corriente de fuga del gate. Una
razón para utilizar un seguidor de source es para obtener una alta impedancia de entrada, y
debería elegirse un alto valor para RG. Las resistencias más grande disponibles están en el
orden de los 10 MΩ. Aún con estos valores de resistencia, la caída de voltaje continuo
generalmente es despreciable, de manera que se considera que el voltaje gate−source es
nulo. Como un resultado, el valor de la corriente de polarización es IDQ=IDSS. Debido a que
IDSS tiene considerables variaciones entre dispositivos, la corriente de polarización de este
circuito no está bien controlada. (Esta situación puede ser corregida conectando RG a tierra,
pero esto produce un reducción significativa de la resistencia de entrada.)
RG
R i0
+ vgs −
+
+
Vf gm·vgs RL V0
Vin rd RS
−
−
Ganancia de voltaje.
Del circuito de la fig. 4.29 se observa que rd, RS y RL están en paralelo. Luego sí,
R´L= rd||RS||RL (4.45)
La corriente de entrada iin debe fluir a través de RG. Por esto, la corriente que fluye a través
de R´L es iin + gm·vgs. Por esto,
De esta expresión, se tiene que la ganancia de voltaje es positiva y menor que 1. Sin
embargo, en la mayoría de los circuitos es sólo ligeramente menor a la unidad.
Resistencia de entrada.
De aquí se observa que la resistencia de entrada puede ser muy grande comparada a RG.
Resistencia de salida.
RG
R G S iv
+ + vgs − +
vin(t) gm ·vgs rd RS vv
− −
Este valor es muy bajo, y esta es otra razón para utilizar un seguidor de source.
Ejercicicio 4.14: Dados los FET´s que se indican, complete la siguiente tabla:
Resp.: a: -4V, 5V, corte, 0 mA; b: -2V, 3V, 4mA; c: 0V, 5V, saturación, 16mA;
d: 0V, 2V, triodo, 12mA, e: -1V, 4V, límite de saturación; f: 2V, 5V, 35mA;
g: 2V, 0V, triodo, 20mA; h: -2V, 2V, 20mA.
Fig. 4.31
Fig. 4.33
Ejercicicio 4.19 Usando el modelo del FET de baja frecuencia mostrado en la fig. 4.34a.
Derive y compare la ganancia de voltaje y la resistencia de salida para las configuraciones
de amplificadores mostradas en las fig. 4.34 b y c.
G D G D
+ + rd
vgs vgs μ ·vgs
gm ·vgs rd
− −
S S
Fig. 4.34 a)
Fig. 4.34 b) c)
Resp.: circuito b) AV=(1+ μ)·RL/(RL+rd) donde μ=gm·rd R0= rd+ (μ+1)· RG
circuito c) AV=μ·RL/[(μ+1)·RL+rd ] R0= rd /(μ+1)
Ejercicicio 4.20 Diseñe un amplificador Mosfet de una etapa como el mostrado que tenga
una ganancia de voltaje de −8, y las condiciones del punto Q son IDQ=5mA, VDSQ=5V. Los
parámteros del transistor son IDSS=8mA, VP= −3V y rd=12kΩ. Considere que todos los
condensadores son muy grandes.
M1
Fig. 4.35
Fig. 4.36
Ejercicicio 4.22 Determine la ganancia de voltaje para el circuito que se indica. Los
transistores son descritos por los siguientes parámetros:
BJT: hfe= β= 150, hie=2.6kΩ, hoe−1=132kΩ y en el punto Q se obtuvo:
ICQ=1.515mA, VCEQ=6.21V
MOSFET: : IDSS=2mA, VP= −2V, gm=2mA/V, rd=50kΩ y en el punto Q
IDQ=2mA, VDSQ=14V
Fig. 4.37
CAPÍTULO 5
REALIMENTACIÓN
5. Introducción.
xS + x i= x S − x f Amplificador xo=A· xi
Fuente Σ A Carga
−
Fig. 5.1 Diagrama de bloques de un amplificador realimentado (Nótese que las variables
x pueden ser de voltaje o corriente).
Sí A es grande de tal modo que A·β>>1 entonces la ec. (5.1) se acerca al límite
1
Af ≅ (5.2)
β
⇒ La ganancia Af se hace independiente de A. Esta característica es importante ya que permite
que se especifique con precisión Af independientemente del valor exacto de A. Dado que la
red de realimentación, por lo general, se fabrica a partir de elementos de circuitos pasivos
estables (y fáciles de controlar). Luego, los factores que afectan a A, como las variaciones de
temperatura (ΔTº), variaciones en los parámetros de los componentes, y la no-linealidad se
convierten en mucho menos importantes para el circuito en lazo cerrado.
Vout 1 R1 + R2
Af= ≅ = ¡ independiente de A0 !
VS β R1
Cada uno de los cuatro tipos básicos de amplificadores, tiene su propia topología de
realimentación, determinada por los tipos de señales de entrada y salida.
Un amplificador de voltaje para el cual las señales de entrada y salida son voltajes,
requiere de mezclado de voltaje, es decir, en serie en la entrada. En la salida requiere de un
muestreo de voltaje, es decir, una muestra de tensión tomada en paralelo. Esta topología
denominada mezclado en serie−muestra en paralelo, ó realimentación de voltaje/error de
tensión se indica en la fig. 5.3
RS AV rout
+ +
VS vin rin Av·vin vout
− −
routβ βV
+ +
− −
iin iout
AI
iS RS Ai·iin rout
rin
if
βI
+
routβ β·iout rinβ vout
−
+ +
iS RS Ar·iin
vin rin vout
− −
if βG
+
routβ β·vout rinβ vout
−
RS AG iout
+
VS vin rin Ag·vin rout
−
routβ βR
+
Vf β·iout rinβ
Similarmente,
Error → Voltaje (se "toma" en serie en la entrada)
Muestra → Corriente (se "toma" en serie en la salida)
Topología serie/serie.
Nótese que se debe cumplir que A·β debe ser adimensional de modo que xS y xf tengan las
mismas unidades. Por ejemplo, si el amplificador (A) es de transconductancia, la red de
realimentación debe ser de transresistencia de modo que se tiene xS =VS y xf=Vf.
5.3 Efecto de las conexiones de la red de realimentación en las resistencias de puerta del
Amplificador.
RS
ien +
VS vin rin
−
routβ
+
Vf β·vout=vFx
v ⎡1 + A ⋅ β 1 ⎤ rin rin
luego Rin = S = ⎢ + ⎥ = ||routβ ≅ (5.4)
iS ⎣ rin routβ ⎦ 1+ A⋅ β 1+ A⋅ β
iin
+
iS RS vin rin
−
if
routβ A·β·iin
iout= iv
+
Ag·vin rout
xin= − xf vx Vv
xS=0 +
Σ −
−
xf= β·iout
rinβ
v v ( v v − A ⋅ x in ) v v ( v v − A ⋅ ( − β ⋅ v v ))
iv = + = +
rinβ rout rinβ rout
−1
v ⎡1 + A ⋅ β 1 ⎤ rout rout
Rout = v = ⎢ + ⎥ = ||rinβ ≅ (5.6)
iv ⎣ rout rinβ ⎦ 1+ A⋅ β 1+ A⋅ β
Es decir, la impedancia de salida con realimentación se ve diminuida en el factor (1+A·β).
rout iv
+
xS=0 + xin= − xf
Σ A·xin vv=vout
− −
xf= β·vout
+
rinβ vout
−
rout
+
Vout
rin AV ·Vin
Vin
−
VS I12
R2
ia +
Vf R1
Es decir, β=10k/(10k+50k)=1/6=0.167
Entonces,
AV 1
Af = ≅
1 + AV ⋅ β β
Como la realimentación es de tensión con error de tensión (serie/paralelo), de la ec. (5.3)
Rin=routβ + (1+A·β)·rin
=R1|| R2 + (1+105·1/6)·1M=16.7GΩ
También de la ec. 5.6
rout
Rout= ||rinβ=0.006Ω
1+ A⋅ β
salida. Muchas veces una ventaja en una aplicación puede ser una desventaja en otra, por esto,
el tipo de realimentación a utilizar depende del tipo de amplificador y de la aplicación.
En el circuito de la fig. 5.10, se muestra un equivalente del circuito realimentado original, en
este caso se considera el efecto de la realimentación. En efecto, para el circuito de entrada se
ha determinado un equivalente de Thevenin, y en la salida se ha considerado el efecto de carga
de la red de realimentación. Nótese que en el análisis de los circuitos realimentados se
considera, en general, que los amplificadores son unidireccionales. Es decir, el amplificador A
amplifica desde izquierda a derecha, y la red de realimentación β desde derecha a izquierda.
rout
+
Vout
rin AV ·Vin
Vin
−
VS
routβ= R1||R2
+
rinβ=R1+ R2
β· Vout
Fig. 5.10 Equivalente del circuito realimentado original, en este caso se considera el
efecto de la realimentación.
.................................................................
Ganancia Af :
.................................................................
.................................................................
.................................................................
Impedancia de Entrada Rin :
.................................................................
.................................................................
.................................................................
Apunte de Clases de Electrónica − R.G.C. 5−12
CAPÍTULO 5: Amplificadores Realimentados
.................................................................
.................................................................
.................................................................
Ya que conociendo se pueden calcular las características más importantes del sistema
realimentado, es decir, Af , Rif y Rof. El amplificador básico sin realimentación, pero
incluyendo la carga que representa la red β puede obtenerse aplicando las siguientes reglas:
Este procedimiento asegura que la realimentación se reduce a cero sin alterar la carga
del amplificador básico.
El análisis completo del amplificador realimentado se obtiene aplicando la siguiente
secuencia:
1.- Identificar la topología.
− Realimentación (xf) de tensión o corriente.
− Realimentación (xf) en serie o paralelo.
− Señal de salida (x0) realimentada de tensión o corriente.
2.- Dibujar el circuito del amplificador básico sin realimentación, siguiendo las reglas
indicadas anteriormente.
3.- Emplear un equivalente Thevenin sí la señal de realimentación es una tensión ó uno Norton
sí la señal de realimentación es una corriente.
4.- Reemplazar cada uno de los dispositivos activos por su modelo apropiado.
5.- Indicar xf y x0 en el circuito obtenido y evaluar β=xf/xo.
6.- Hallar A aplicando las leyes de Kirchhoff al circuito equivalente.
• Este procedimiento entrega el circuito del amplificador básico sin realimentación, pero
considerando su efecto, es decir, teniendo en cuenta la carga que producen la red de
realimentación β, la resistencia de carga RL y la resistencia de la fuente RS.
Desarrollo:
a) Considerando el circuito sin realimentación (sin Rf y Cf) se tiene:
Del circuito equivalente a frecuencias medias, fig. 5.12, se obtienen:
.........................................................................
A0 =. . . . . . . . . . . . . . .
.........................................................................
Zi0 =Vin/iC1 =. . . . . . . . . . . . . . .
.........................................................................
.........................................................................
.........................................................................
Zo0 =Vout/iC2 =. . . . . . . . . . . . . . .
Fig. 5.13 Circuito equivalente para determinar la impedancia de salida del amplificador
sin realimentación.
b) Análisis del Amplificador realimentado aplicando el Procedimiento de la Tabla 5.2, se
tiene:
Apunte de Clases de Electrónica − R.G.C. 5−16
CAPÍTULO 5: Amplificadores Realimentados
Topología: ......................
Fig. 5.14 Circuito básico sin realimentación pero considerando sus efectos. La etapa de
entrada y la de salida se determinan según el procedimiento.
.........................................................................
.........................................................................
.........................................................................
β= xf /xo = . . . . . . . . . . . . . . .
.........................................................................
.........................................................................
A= x0 /xi =. . . . . . . . . . . . . . .
.........................................................................
Apunte de Clases de Electrónica − R.G.C. 5−17
CAPÍTULO 5: Amplificadores Realimentados
.........................................................................
D= 1 + β·A = . . . . . . . . . . . . . . .
.........................................................................
Af = Af /D =. . . . . . . . . . . . . . .
Impedancia de entrada del amplificador básico,
.........................................................................
.........................................................................
Ri =. . . . . . . . . . . . . . .
Luego:
Rif =. . . . . . . . . . . . . . .
.........................................................................
.........................................................................
Impedancia de salida del amplificador básico, del circuito equivalente de la fig. 5.15
Fig. 5.15 Circuito equivalente para determinar la impedancia de salida del amplificador
básico sin realimentación (pero con sus efectos).
R0 =. . . . . . . . . . . . . . .
.........................................................................
Apunte de Clases de Electrónica − R.G.C. 5−18
CAPÍTULO 5: Amplificadores Realimentados
.........................................................................
Luego:
R0f =. . . . . . . . . . . . . . .
400
(1.00K,380.1)
200
0
IE(Q2)/I(Iin)
200K
100K
(1.00K,6.32K)
SEL>>
0
100mHz 10Hz 1.0KHz 100KHz 10MHz 1.0GHz
V(inA)/I(C1)
Frequency
II) Respuesta circuito en lazo abierto del amplificador básico sin realimentación, pero
considerando sus efectos:
En el archivo ejem5−3b.sch está el esquemático del Amplificador básico sin realimentación
pero considerando sus efectos (se obtuvo aplicando el procedimiento de la tabla 5.2). Los
resultados de la simulación se indican en la fig. 5.18.
Apunte de Clases de Electrónica − R.G.C. 5−19
CAPÍTULO 5: Amplificadores Realimentados
I`0
If
Iin
Fig. 5.17 Amplificador básico sin realimentación pero considerando el efecto de esta.
400
(1.00K,392.8)
200
0
IE(Q2)/I(Iin)
200K
100K
(1.00K,4.30K)
SEL>>
0
100mHz 10Hz 1.0KHz 100KHz 10MHz 1.0GHz
V(inA)/I(C1)
Frequency
E1:(16.2K,4.02K) E2:(100.0m,2.48) DIFF(E):(16.2K,4.02K)
300m
200m (1.00K,253.7m)
100m
0
I(Cf2)/IE(Q2)
400
(1.00K,348.3)
200
SEL>>
0
100mHz 10Hz 1.0KHz 100KHz 10MHz 1.0GHz
I(RL)/I(Iin)
Frequency
F1:(1.43M,15.1) F2:(100.0m,21.3m) DIFF(F):(1.43M,15.1)
3.0K
(1.00K,2.60K)
SEL>>
2.0K
100mHz 10Hz 1.0KHz 100KHz 10MHz 1.0GHz
(V(e2p)-V(e2))/I(VvRo)
Frequency
G1:(10.5,2.61K) G2:(100.0m,3.46K) DIFF(G):(10.4,-844.5)
4.0
(1.00K,3.90)
Aif=Io/Iin=IE2/Iin
2.0
Aif=Ai/(1+Ai*B)
SEL>>
0
IE(Q2)/I(Iin)
10K
Zif=Vb1/IC1=Zi'/(1+Ai*B)
5K
(1.00K,29.9)
0
100mHz 10Hz 1.0KHz 100KHz 10MHz 1.0GHz
V(b1)/I(C1)
Frequency
1.0uA
0A
SEL>>
-1.0uA
I(Iin)
-700uA
IEQ2=712uA
(764.6u,-709.4u)
-710uA
(262.3u,-717.2u)
-720uA
0s 0.2ms 0.4ms 0.6ms 0.8ms 1.0ms
IE(Q2)
Time
Fig. 5.23 Respuesta temporal (f=1kHz) en la cual se puede ver que la amplitud de la
señal de salida es (717.2u−709.4u)/2=3.9uA (nótese que la componente
continua por el emisor es de 712uA) cuando la entrada es de 1uA, y además las
señales están en contrafase, por lo tanto Aif=I0/Iin= −3.9.
Fig. 5.24 Medición de la impedancia de salida del circuito realimentado (Nótese que la
impedancia de salida vista por RL a frecuencias medias es Rc2//(1/hoe2) ≅ Rc2, y
no se ve afectada por la realimentación).
300K
(1.00K,261.7K)
200K
100K
0
100mHz 10Hz 1.0KHz 100KHz 10MHz 1.0GHz
(V(e2p)-V(e2))/ I(VvRo)
Frequency
Ejemplo 5.4 Para el circuito de la figura 5.9, con A=102 V/V, encuentre R2/R1 para una
ganancia de voltaje en lazo cerrado de 8 V/V. ¿Cuál es el valor correspondiente de β? ¿Cuál es
la cantidad de realimentación en dB? Para Vs=0.125V, encuentre V0, Vf y Vi. Si A se
incrementa en un 100%, cuál es el porcentaje de cambio en Af?
Solución:
A
Se tiene que la ganancia en lazo cerrado es Af= , luego como Af= 8 y A= 102 entonces
1+ A⋅ β
β=0.115. Ahora, del circuito se puede ver que β= R1/(R1+ R2)=1/(1+ R2/R1) y de aquí
R2/R1=7.696
La cantidad de realimentación D=1+A·β = A/Af =102/8=12.5
y en decibeles DdB=20·log(12.5)=22dB
A
Para un incremento de A en un 100%, es decir A=200 se tiene que Af = =8.33, mayor
1+ A⋅ β
al valor inicial de Af (=8). Es decir, Af se incremento en un 4.12%.
VE2 = IE2·RE=1.41V
VB2 = VBE2 + VE2 =2.11V
VB1 = VBE1=0.7V
VC2 ≅ IE2·RL=5.04V
Continuar el desarrollo!
Ejemplo 5.6 Considere que el circuito de polarización (que no está mostrado completamente)
produce IC1=0.6mA IC2=1mA e IC3=4mA. Con hfe= β= 100 hre=∞
Determine A, β, Af=I0/VS, V0/VS , Rinf y Rof.
I0
+
Vf
−
Solución:
De los datos de polarización (continua) tenemos que
hie1= hfe ·VT/ IC1=100·25mV/0.6mA=4.17kΩ
hie2= hfe ·VT/ IC2= 2.5kΩ
hie3= hfe ·VT/ IC3= 625Ω
Análisis en alterna:
Del circuito y de la ganancia que hay que calcular se desprende que:
Señal de error : voltaje (VBE= VS − Vf)
Señal muestreada : corriente (I0)
Luego de acuerdo al procedimiento señalado en la Tabla 5.2 el circuito equivalente básico sin
realimentación se obtiene haciendo:
Circuito de entrada −−> I0 = 0
Circuito de salida −−> Ii = 0
If I0
+
Vf
−
Rf Rf
RE1 RE2
RE2 RE1
I0 A
Dado que se necesita determinar Af= =
VS 1 + A ⋅ β
La ganancia A se obtiene del circuito equivalente de la fig. 5.30. En este circuito se pueden
plantear las siguientes ecuaciones en el circuito de entrada.
I 0 I 0 ib3 ib 2 ib1
Con esto, A= = =101·(−34.43)·(− 78.25)·76.51μ=20.82 [S]
VS ib3 ib 2 ib1 VS
I A 20.82
Finalmente, Af= 0 = = = 0.0837 [S]
VS 1 + A ⋅ β 1 + 20.82 ⋅ 119 .
la desensibilidad D=(1 + A·β)=248.76
Para obtener la impedancia de salida (impedancia Thevenin "vista" por la "variable" de salida)
a partir del circuito de la fig. 5.30 y anulando el voltaje de entrada (nótese que si no hay
tensión de entrada, entonces ib1 =0 luego ib2 =0 e ib3 =0) se obtiene:
vv
Rf
RE2
RE1
Ejemplo 5.7 En el circuito realimentado que se indica hfe=100, compruebe que hie1=1.2kΩ y
hie2=708Ω. Identifique las funciones de Rf1 y Rf2, el tipo de realimentación, realice el análisis y
obtenga A, β, Af, Rinf y Rof.
Fig. 5.32
La resistencia de 22k provee una realimentación que actua en c.c. y muy baja frecuencia
debido a la acción de C3. Su función es estabilizar el punto de trabajo de los transistores ya
que introduce una realimentación negativa, por ejemplo, supongase que IC1 aumenta (debido a
un aumento de la temperatura) → |VC1| disminuye → |VE2| disminuye → |IB1| disminuye (a
través de la resistencia de 22k) → tiende a compensar el aumento de IC1.
El circuito equivalente para pequeña señal es:
De aqui se observa que la realimentación se produce a través de las resistencias Re1 y Rf1, y
es una tensión proporcional a la tensión de salida.
→ Amp. con realimentación de tensión en serie
(En efecto, de la figura se puede observar que la entrada alterna es entre base y emisor de Q1.
Si suponemos que vbe1 aumenta (por ejemplo, por efecto de la temperatura) → ib1 aumenta →
ib2 aumenta→ v0 aumenta → vf aumenta. Como vbe1 = vi − vf, luego, ya que vf aumenta y vi
se mantiene, entonces vbe1 disminuye; compensando de esta forma el aumento inicial
¡realimentación negativa!
Del circuito
xf=Vf
x0=V0
Luego β= xf /x0= vf /v0=0.076
Y la ganancia de voltaje es
AV= v0 /vi = v0 /ib2 · ib2 /ib1 · ib1 /vi
se tiene,
v0 = −β·ib2 ·RC2||RX2||RL= −14442·ib2