Transistores

Curso: Fsica Electrnica

Carrera: Ing. de Sistemas
Pertenece a: Meza Grados, Manuel
El transistor es un dispositivo electrnico
semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El
trmino transistor es la contraccin en ingls de
transfer resistor (resistencia de transferencia).
Actualmente se encuentran prcticamente en todos
los aparatos electrnicos de uso diario: radios,
televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes,
tomgrafos, telfonos celulares, etc.
Transistores
Transistores
Tipos de Transistores
Transistor de contacto puntual
Transistor de unin bipolar
Transistor de efecto de campo
Fototransistor
Transistor de Contacto Puntual
Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer
transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por
John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de
germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy
juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el
colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia
que se ve en el colector, de ah el nombre de transfer
resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su
da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil
(un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo
convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a
su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
Transistor de Contacto Puntual
Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor,
o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido
consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite
controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La
denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar
gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en
gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes,
entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se
usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en
algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o
BICMOS.
Transistor de unin bipolar
Un transistor de unin bipolar est formado por dos
Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados
por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

a) Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar
fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su
nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor
de portadores de carga.
b) Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del
colector.
c) Colector, de extensin mucho mayor.

Transistor de unin bipolar
Tipos de Trasmisor de unin bipolar

a) NPN
b) PNP

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras
"N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las
diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares
usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor
que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo
mayores corrientes y velocidades de operacin.

Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor
dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea
corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es
amplificada en la salida del colector.

La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y
apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo est en funcionamiento activo.
Transistores Bipolares NPN
Transistores Bipolares NPN
Smbolo de transmisor
NPN
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor.
Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho
mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
El smbolo de un transistor PNP.

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N
entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la
fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente
circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el
emisor hacia el colector.

La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en
la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento
activo
Transistores Bipolares PNP
Transistores Bipolares PNP
Smbolo de transmisor
PNP
Transistor de Efecto de Campo
El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer
transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de
material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de
la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor
de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden
dos regiones P en una barra de material N y se conectan
externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos
contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando
tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la
puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que
llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un
potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de
estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.
Transistor de Efecto de Campo
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls,
que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta
impedancia de entrada.

a) Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido
mediante una unin PN.
b) Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en
el que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico.
c) Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS
significa Metal-xido-Semiconductor, en este caso la
compuerta es metlica y est separada del canal
semiconductor por una capa de xido.

El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol
transistor de efecto de campo de juntura o unin) es un
dispositivo electrnico, esto es, un circuito que, segn
unos valores elctricos de entrada, reacciona dando unos
valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores
de efecto de campo elctrico, estos valores de entrada son
las tensiones elctricas, en concreto la tensin entre los
terminales S (fuente) y G (puerta), V
GS
. Segn este valor, la
salida del transistor presentar una curva caracterstica
que se simplifica definiendo en ella tres zonas con
ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin.
Transistores JFET
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol
transistor de efecto de campo de juntura o unin) es un
dispositivo electrnico, esto es, un circuito que, segn
unos valores elctricos de entrada, reacciona dando unos
valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores
de efecto de campo elctrico, estos valores de entrada son
las tensiones elctricas, en concreto la tensin entre los
terminales S (fuente) y G (puerta), V
GS
. Segn este valor, la
salida del transistor presentar una curva caracterstica
que se simplifica definiendo en ella tres zonas con
ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin.
Transistores JFET
Fsicamente, un JFET de los denominados "canal P" est formado
por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se
sitan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos
regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales
conectados entre s (puerta). Al aplicar una tensin positiva V
GS

entre puerta y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas
zonas en las que el paso de electrones (corriente I
D
) queda cortado,
llamadas zonas de exclusin. Cuando esta V
GS
sobrepasa un valor
determinado, las zonas de exclusin se extienden hasta tal punto
que el paso de electrones I
D
entre fuente y drenador queda
completamente cortado. A ese valor de V
GS
se le denomina V
p
. Para
un JFET "canal N" las zonas p y n se invierten, y las V
GS
y V
p
son
negativas, cortndose la corriente para tensiones menores que V
p
.
Transistores JFET
Transistores JFET
Esquema interno del transistor JFET
Transistores IGFET
Transistor de efecto de campo
con electrodo de control
aislado o "Insulated Gate FET"
(IGFET), se caracteriza por
tener el gate aislado del canal
por una capa de oxido de
silicio.
Transistores IGFET
Actualmente se fabrican entre otros, los siguientes dispositivos
IGFET:
MOSFET o "MOS" ("Metal Oxide
Semiconductor FET"), cuyo
nombre deriva de los tres
materiales que aparecen al
realizar un corte vertical en su
estructura, segn puede
observarse en la figura.

Hasta hace poco los trminos
IGFET y MOS eran sinnimos.

Transistores IGFET
SILICON GATE FET, difiere de
MOS en que el gate es de silicio
policristalino, en lugar de ser
metlico. Se consigue as
controlar la conductividad del
canal a partir de tensiones de
gate mas bajas
Transistores IGFET
SOS("Silicon On Saphire FET"),
en el cual el canal semiconductor
de silicio esta depositado sobre
un sustrato aislante de zafiro, en
lugar de un sustrato
semiconductor de silicio. De esta
manera se alcanzan velocidades
de conmutacin mas altas.
DMOS (MOS de Doble Difusin),
que presenta un canal de corta
longitud para permitir muy altas
velocidades de conmutacin,
gracias al breve tiempo de
transito de los portadores por el
citado canal.
Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin
electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz visible;
debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio
de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo
que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras
diferentes:

a) Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo
comn);
b) Como fototransistor, cuando la luz que incide en este
elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de
iluminacin).

Fototransistor
En el mercado se encuentran fototransistores tanto con
conexin de base como sin ella y tanto en cpsulas
plsticas como metlicas (TO-72, TO-5) provistas de una
lente.

Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas,
lpices pticos, etc. Para comunicaciones con fibra ptica
se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. Tambin
se pueden utilizar en la deteccin de objetos cercanos
cuando forman parte de un sensor de proximidad.
Fototransistor
Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con
un LED, formando interruptores pticos (opto-switch), que
detectan la interrupcin del haz de luz por un objeto.
Existen en dos versiones: de transmisin y de reflexin.

Para obtener un circuito equivalente de un fototransistor,
basta agregar a un transistor comn un fotodiodo,
conectando en el colector del transistor el catodo del
fotodiodo y el nodo a la base. .
Fototransistor
Smbolo Electrnico Fototransistor