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1) POLARIZACIN FIJA
El circuito estar formado por un transistor
NPN, dos resistencias fijas: una en la base
R
B
(podra ser variable) y otra en el colector
R
son
constantes, y "
E
e )
son las variables# -a intersecci!n entre esta recta de car.a con la curva
caracterstica de salida del transistor determina el punto de reposo $# Para tra/ar la recta en el
plano )
0 f ("
E
) es suficiente con establecer los puntos de corte con los ejes de coordenadas#
uando la corriente de colector es cero )
0 12 "
E
0 "cc
Por otro lado, cuando la tensi!n colector*emisor es i.ual a cero "
E
0 1, la corriente de colector
vale el potencial del .enerador entre la resistencia de colector )
0 "cc3R
:
"
E
0 12 )
0 "cc3R
9 )
B
0 (:9;)#)
B
-a .anancia de corriente del transistor para continua se conoce como : o ,
<E
, y no tiene
unidades ya 'ue relaciona )
3)
B
#
on todo esto e(plicado ,asta a,ora podemos reali/ar ya un clculo de polari/aci!n fija#
Buscamos o medimos con el polmetro la .anancia de corriente : 'ue para el B=>5B est en
711 como valor mnimo# ?n dato importante de este transistor es 'ue la corriente de colector
m(ima es de ;11 m@#
Ejem!":
-os datos del circuito son:
"cc 0 ;7 "
R
0 771 A
R
B
0 BCD
: 0 711
Eallar los valores de )
B
, )
y "
E
#
)
B
0 ("cc 6 1,5")3 R
B
0 (;7"*1,5") 3 BCD 0 1,;BB;5 m@ 0 ;BB,;5 F@
)
0 :#)
B
0 711 # 1,;BB;5 m@0 GG,7G= m@
"cc 0 "
E
9 )
# R
"
E
0 "cc * )
# R
# R
0 1 "
E
0 "cc 0 ;7 "
para "
E
0 1 )
0 "cc3R
0 ;7 "3771 A 0 =>,=> m@
Para el B=>5B y sus curvas caractersticas de salida tendremos la si.uiente recta de car.a y el
punto $ de reposo:
2
Vcc = V
BE
+ I
B
. R
B
I
C
= #.I
B
CIRCUITOS DE POLARIZACIN DEL TRANSISTOR EN EMISOR COMN
Itro ejemplo:
?n circuito i.ual al anterior pero esta ve/ los datos son los si.uientes:
"cc 0 G1 "
R
0 7,7 DA
R
B
0 GB1 DA
: 0 C1
Eallar los valores de )
B
, )
y "
E
, adems tra/ar la recta de car.a para los valores calculados#
)
B
0 ("cc 6 1,5")3 R
B
0 (G1"*1,5") 3 GB1D 0 1,1C;GC m@ 0 C;,GC F@
)
0 :#)
B
0 C1 # 1,1C;GC m@0 B,=; m@
"cc 0 "
E
9 )
# R
"
E
0 "cc * )
# R
# R
0 1 "
E
0 "cc 0 G1 "
para "
E
0 1 )
0 "cc3R
0 G1 "37,7 DA 0 ;G,B> m@
3
Q
$%&' V
((%) mA
V
CE
(V) 30 15,67
I
C
(mA)
13,64
6,51
Q
I
B :
81,8 (*A)
Z!"# $% &!'(%
Z!"# $% )#(*'#&+,"
CIRCUITOS DE POLARIZACIN DEL TRANSISTOR EN EMISOR COMN
)) POLARIZACIN +NIVER,AL
Fig.1: Circuito de polarizacin
universal
En la fi.ura se muestra un circuito con
polarizacin universal capa/ de compensar los
dese'uilibrios producidos por la )
B1
(
;
), : y "
BE
# El
circuito est constituido por un divisor de tensi!n,
formado por R; y R7, conectado a la base del
transistor, y por una resistencia de emisor R
E
# -as
variaciones de )
B1
, : y "
BE
por efecto de la
temperatura se traducen en un aumento de la
corriente de colector )
# uando )
tiende a aumentar
la cada de tensi!n en R
E
tambi%n aumenta, como la
tensi!n en el divisor de tensi!n en el punto @ es casi
constante, el aumento de voltaje en R
E
provoca 'ue
disminuya el voltaje entre base*emisor y esto a su ve/
disminuye la )
B
lo 'ue provoca una reducci!n de )
y
esto compensa su subida, en consecuencia
manteni%ndola estable ante variaciones de la
temperatura#
@l utili/ar el sistema de polari/aci!n universal, la ecuaci!n de la recta de car.a viene dada por:
ecuacin 2.1
El punto de corte con el eje de ordenadas )
0 "cc 3(R
9R
E
)
En la fi.ura si.uiente se muestra la recta de car.a 'ue corresponde a la ecuaci!n 7#; (en color
verde) junto a la recta de car.a de un circuito e'uivalente donde la R
E
0 1 (en color a/ul)#
E-t.d/" -/m!/0/cad"
En este apartado ,aremos un anlisis apro(imado del circuito de polari/aci!n universal y de la
estabilidad ante variaciones de la temperatura#
-as resistencias R
;
y R
7
del circuito de la <i.ura ; proporcionan en el punto @ un determinado
nivel de tensi!n y 'ue corresponde a la base del transistor# Para ,allar ese valor de tensi!n
recurrimos a lo visto en el divisor de voltaje:
&e esta manera el circuito simplificado aplicando estos cambios 'uedar as:
1 I
CB0
: corriente inversa de saturacin o corriente de fugas. Se duplica cada ve !ue la te"peratura del transistor su#e 10$C
4
Vcc = V
CE
+ I
C
. 1R
C
+R
E
)
V
CE
(V)
I
C
(mA)
Q
1
I
B
(*A)
Q
-
V
CC
V
CC
.R
C
V
CC
.(R
C
/R
E
)
CIRCUITOS DE POLARIZACIN DEL TRANSISTOR EN EMISOR COMN
"
@
0 "cc #JR
7
3(R
;
9R
7
K ecuacin 2.2
-a resistencia e'uivalente 'ue se
observa desde la base del transistor es:
R
B
0 R
;
#R
7
3(R
;
9R
7
) ecuacin 2.3
&e este circuito podemos obtener la
si.uiente ecuaci!n:
ecuacin
2.4
En la cual, si )
B
#R
B 22
"
@
e )
E
L )
,
podemos escribir la si.uiente e(presi!n:
ecuacin 2.5
$ue nos indica 'ue la corriente de colector )
# R
E
4i despreciamos la cada de tensi!n en R
B
, es decir )
B
# R
B
, el valor de la tensi!n en la base ser
la misma 'ue en el divisor de tensi!n, o sea 'ue "
@
, por lo tanto tendremos:
"
@
0 "
RE
9 "
BE
0 )
# R
E
9 "
BE
-a estabilidad del punto de reposo tambi%n depende de la relaci!n entre R
B
y R
E
, siendo ms
estable cuanto menor es dic,a relaci!n# Para limitar el consumo de ener.a de las resistencias
del divisor de tensi!n R
;
y R
7
se suele utili/ar una R
B
de valor comprendido entre u y ;1 veces el
valor de R
E
:
;1# R
E
P R
B
Q =# R
E
?na ve/ determinado el valor de R
B
, es fcil obtener los valores de R
;
y R
7
mediante las
ecuaciones 7#7 y 7#G#
"eamos un ejemplo de aplicaci!n:
Renemos un circuito de polari/aci!n universal con "cc 0 71", R
;
0 >5 D, R
7
0 ;1 D, R
0 G D y R
E
0 ; D# El transistor tiene un : 0 ;11, "
BE
0 1,5 " e )
B1
0 ;1 n@#
%
I
C
= 1V
A
4 V
BE
)5R
E
V
A
= I
B
.R
B
+ V
BE
+ I
E
.R
E
CIRCUITOS DE POLARIZACIN DEL TRANSISTOR EN EMISOR COMN
@plicando el m%todo simplificado calcular el punto de reposo $ ()
y "
E
)#
@plicamos la ecuacin 2.2 y ,allamos:
"
@
0 "cc #JR
7
3(R
;
9R
7
K "
@
0 71 "# ;1 D 3(>5 D9;1 D) 0 G,= "
@,ora mediante la ecuacin 2.5 obtenemos la )
:
)
0 ("
@
6 "
BE
)3R
E
)
# (R
9R
E
) "
E
0 0 "cc * )
# (R
9R
E
) 0 71 " 6 7,C m@# (GD9 ;D) 0 C,C "
-a resistencia e'uivalente en la base R
B
resulta de la ecuacin 2.3:
R
B
0 R
;
#R
7
3(R
;
9R
7
) 0 >5D # ;1D3(>5D 9 ;1D) 0 C,7>D
6