Ejercicios Resueltos de Dispositivos Electrnicos I

Examen de Septiembre de 2006 - Ejercicio 3

1
Enunciado
Obtener, razonadamente, el valor de los resistores R
B1
y R
C1
para que el diodo Zener D
Z1
est en zona zener y los
transistores T
1
y T
2
funcionen en zona activa. Las condiciones de diseo son:
1. La potencia disipada por el diodo Zener D
Z1
es de P
DZ1
= 150mW.
2. La tensin U
CET
1
= 7V.
La fuente de alimentacin U
DC
= 24V. Los resistores R
C2
= 470, R
E2
= 500, R
B2
= 10k.
Para el diodo Zener: V
Z
= 10V, V

= 0, 78V, R
f
= R
Z
= 0, R
r
= , I
Zmin
= 6mA, I
Zmax
= 55mA.
Para el transistor T
1
: = 80, V
BEon
=V
BEsat
= 0, 7V, V
CEsat
= 0, 21V.
Para el transistor T
2
: = 120, V
BEon
=V
BEsat
= 0, 7V, V
CEsat
= 0, 19V.
Figura 1: Circuito del enunciado
Solucin
Los valores a encontrar de los dos resistores implican que es necesario hallar el valor de las corrientes y tensiones en
los transistores, ya que es condicin de funcionamiento que ambos estn en zona activa. El circuito se analiza de derecha
a izquierda. Se sabe que el diodo Zener est regulando, por lo tanto, de la malla inferior derecha:
U
D
Z1
=U
BE
T2
+U
R
E2
(1)
despejando y operando
U
R
E2
= 10V 0, 7V = 9, 3V (2)
por lo que la corriente de emisor del transistor T
2
vale:
I
E2
= I
R
E2
=
9, 3V
500
= 18, 6mA (3)
Si el transistor T
2
est en activa:
I
B2
=
I
E2

2
+1
=
18, 6mA
121
= 153, 719A (4)
1
Resuelto por el Prof. Andrs A. Nogueiras Melndez, andres.nogueiras@dte.uvigo.es, 2006
1
I
C2
= I
E2
I
B2
= 18, 6mA153, 719A= 18, 4468mA (5)
la caida de tensin en el resistor de colector es:
U
R
C2
= I
C2
R
C2
= 18, 4468mA 470= 8, 67(000)V (6)
y la caida de tensin entre colector y emisor del transistor T
2
es:
U
CE
T2
=U
DC
U
R
C2
U
R
E2
= 24V 8, 67V 9, 3V = 6, 03V (7)
por lo que se puede establecer el punto de trabajo del transistor en zona activa.
Del diodo Zener se sabe la potencia que disipa, luego:
I
D
Z1
=
P
D
Z1
U
D
Z1
=
150mW
10V
= 15mA (8)
lo que implica que la corriente de emisor del transistor T
1
debe ser:
I
E1
= I
B2
+I
D
Z1
= 153, 179A+15mA= 15, 1532mA (9)
y, dado que est en zona activa:
I
B1
=
I
E1

1
+1
=
15, 1532mA
81
= 187, 077A (10)
I
C1
= I
E1
I
B1
= 15, 1532mA187, 077A= 14, 9661mA (11)
De las condiciones de diseo se tiene sabe el valor de U
CET
1
. Luego:
U
R
C1
=U
DC
U
CE
T1
U
D
Z1
= 24V 7V 10V = 7V (12)
y el valor del resistor R
C1
es:
R
C1
=
U
R
C1
I
C1
=
7V
14, 9661mA
= 467, 724 (13)
De la malla inferior central:
U
R
B2
= I
R
B2
R
B2
=U
BE
T1
+U
D
Z1
(14)
despejando y operando:
I
R
B2
=
U
BE
T1
+U
D
Z1
R
B2
=
0, 7V +10V
10k
= 1, 07mA (15)
En el nudo de la base del transistor T
1
:
I
R
B1
= I
B1
+I
R
B2
= 187, 077A+1, 07mA= 1, 25708mA (16)
la tensin que soporta el resistor R
B1
es
U
R
B1
=U
R
C1
+U
CB
T1
=U
R
C1
+U
CE
T1
U
BE
T1
= 7V +7V 0, 7V = 13, 3V (17)
y el valor del resistor es
R
B1
=
U
R
B1
I
R
B1
=
13, 3V
1, 25708mA
= 10, 5801k (18)
2