IGBT

opera como MOSFET

Proporcionar modulacion
por conductividad
mitad de desempeo
que un MOSFET y BJT
Mas rapido que BJT, mas
lento que MOSFET
Estructura
Perdidas en estado activo
menores MOSFET, iguales BJT
tiristor parasito
capacidad de apagar el
dispositivo
reducir perdidas en linea
velocidad de encendido
cambios de Vg-s
AOS rectangular
circuitos amortiguadores se
utiliza poco
interruptor controlado
circuitos de exitacion = MOSFET
caracteristicas de conduccion = BJT
V de control de puerta =15V
capacidad de controlar
C.P. con un V bajo
valor limite de cambio de
estado Vg-s = 4V
Tmax de union = 150C
modificaciones
estructurales especiales
aparece el
LATCHUP
NPT y PT
PILATASIG ALEX ELECTRONICA DE POTENCIA (MECATRONICA)