INGENIERA ELECTRNICA AUTOMATIZACIN Y CONTROL

ELECTRNICA DE POTENCIA

Nombre: Luis Barreno
Fecha: 14 abril del 2014

Nuevos elementos y tecnologas en la fabricacin de
transistores

Transistor de Nitruro de Galio



transistores
de nitruro
de galio
Su resistencia es
20 veces mas
baja que los
dispositivos de
silicio
Reemplazo del
silicio
Alta eficiencia
Fabricado en la
Universidad de
Cornell por
Junxia Shi
Sus aplicaciones
abarcan desde
ordenadores
hasta sistemas de
potencia
Menos perdida de
potencia por
calentamiento
Transistor de grafeno

Transistor bipolar-fet cascode



Transistor
de
grafeno
Tienen
propiedades de
autoenfriamiento
Aplicaciones
desde fabricacion
de ordenadores
hasta electronica
de potencia
Menor efecto
termoelectrico
Consumen menos
energia
El grafeno est
compuesto por una
malla
bidimensional
plana que incluye
tomos de carbono
ESBT
Es un
transistor
hibrido
Introducido por
la firma SIT
Tiene la rapidez
de un fet
Baja tension de
conduccin
Presenta una
area de
operacion
segura maxima
emitter
switched
bipolar
transistor



Mdulos transistores de potencia inteligentes (smart power)

smart
power
Muy robustos
Diversos
dispositivos de
potencia en
una solo
pastilla
Facilita el
control
Tiene un
complejo
circuito de
proteccion
Simplifica la
circuiteria
externa
FSAM15SH69A
consiste en 6
IGBT con diodo
antiparalelo