Elementos Semiconductores

Clasificac
in
SILICIO
El silicio es
un
semiconduct
or; su
resistividad a
la corriente
elctrica a
temperatura
ambiente
vara entre la
de los
metales y la
de los
aislantes. La
conductividad
del silicio se
puede
controlar
aadiendo
pequeas
cantidades
de impurezas
llamadas
dopantes. La
capacidad de
controlar las
propiedades
elctricas del
silicio y su
abundancia
en la
naturaleza
an
posibilitado el
desarrollo y
aplicacin de
los
transistores y
circuitos
inte!rados
que se
utilizan en la
industria
electrnica.
GERMANIO
"ermanio# de
smbolo "e#
es un
elemento
semimet$lico
cristalino#
duro#
brillante# de
color blanco
!ris$ceo. Su
n%mero
atmico es
&'# y
pertenece al
!rupo () *o
+,-. de la
tabla
peridica.
Selenio
/umicamente se aseme0a al azufre y est$
relacionado con el teluro. -l i!ual que el azufre# se
presenta en varias formas alotrpicas diferentes1
como polvo ro0o2ladrillo; como masa amorfa
vidriosa# de color castao oscuro# llamada selenio
vitroso; como cristales monoclnicos ro0os con una
densidad relativa de )#3# y como cristales de color
!ris met$lico llamados selenio !ris. 4orma $cido
selenioso *5'Se6 &. y $cido selnico *5'Se6).#
cuyas sales respectivas se denominan selenitos y
seleniatos. El selenio !ris tiene un punto de fusin
de '(7
C# un punto de ebullicin de 893
C y una densidad relativa de )#9(. La masa atmica
del selenio es 79#:8.
El ;iodo
<n diodo es un componente electrnico
de dos terminales que permite la
circulacin de la corriente elctrica a
travs de l en un solo sentido. Este
trmino !eneralmente se usa para
referirse al diodo semiconductor# el m$s
com%n en la actualidad; consta de una
pieza de cristal semiconductor conectada
a dos terminales elctricos. El diodo de
vaco *que actualmente ya no se usa#
e=cepto para tecnolo!as de alta
potencia. es un tubo de vaco con dos
electrodos una l$mina como $nodo# y un
c$todo.
;iodo
;iodo de vaco
usado com%nmente asta la invencin del diodo
semiconductor# este %ltimo tambin llamado diodo
slido.
-unque el diodo semiconductor de estado slido se
populariz antes del diodo termoinico# ambos se
desarrollaron al mismo tiempo.
;iodo semiconductor
<n diodo semiconductor moderno est$
eco de cristal semiconductor como el
silicio con impurezas en l para crear una
re!in que contiene portadores de car!a
ne!ativos *electrones.# llamado
semiconductor de tipo n# y una re!in en
el otro lado que contiene portadores de
car!a positiva *uecos.# llamado
semiconductor tipo p. Las terminales del
diodo se unen a cada re!in. El lmite
dentro del cristal de estas dos re!iones#
llamado una unin >?# es donde la
importancia del diodo toma su lu!ar. El
cristal conduce una corriente de
electrones del lado n *llamado c$todo.#
pero no en la direccin opuesta; es decir#
cuando una corriente convencional fluye
del $nodo al c$todo *opuesto al flu0o de
los electrones..
Polarizacin directa de un
diodo
En este caso# la batera disminuye la
barrera de potencial de la zona de car!a
espacial# permitiendo el paso de la
corriente de electrones a travs de la
unin; es decir# el diodo polarizado
directamente conduce la electricidad.
>ara que un diodo est polarizado
directamente# se debe conectar el polo
positivo de la batera al $nodo del diodo y
el polo ne!ativo al c$todo. En estas
condiciones podemos observar que1
El polo ne!ativo de la batera repele los
electrones libres del cristal n# con lo que
estos electrones se diri!en acia la unin
p2n.
El polo positivo de la batera atrae a los
electrones de valencia del cristal p# esto
es equivalente a decir que empu0a a los
uecos acia la unin p2n.
Cuando la diferencia de potencial entre
los bornes de la batera es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de
car!a espacial# los electrones libres del
cristal n# adquieren la ener!a suficiente
para saltar a los uecos del cristal p# los
cuales previamente se an desplazado
acia la unin p2n.
<na vez que un electrn libre de la zona n
salta a la zona p atravesando la zona de
car!a espacial# cae en uno de los
m%ltiples uecos de la zona p
convirtindose en electrn de valencia.
<na vez ocurrido esto el electrn es
atrado por el polo positivo de la batera y
se desplaza de $tomo en $tomo asta
lle!ar al final del cristal p# desde el cual se
introduce en el ilo conductor y lle!a
asta la batera.
;e este modo# con la batera cediendo
electrones libres a la zona n y atrayendo
electrones de valencia de la zona p#
aparece a travs del diodo una corriente
elctrica constante asta el final.
Polarizacin inversa de un
diodo
En este caso# el polo ne!ativo de la
batera se conecta a la zona p y el polo
positivo a la zona n# lo que ace aumentar
la zona de car!a espacial# y la tensin en
dica zona asta que se alcanza el valor
de la tensin de la batera# tal y como se
e=plica a continuacin1
El polo positivo de la batera atrae a los
electrones libres de la zona n# los cuales
salen del cristal n y se introducen en el
conductor dentro del cual se desplazan
asta lle!ar a la batera. - medida que los
electrones libres abandonan la zona n# los
$tomos pentavalentes que antes eran
neutros# al verse desprendidos de su
electrn en el orbital de conduccin#
adquieren estabilidad *9 electrones en la
capa de valencia# ver semiconductor y
$tomo. y una car!a elctrica neta de @(#
con lo que se convierten en iones
positivos.
El polo ne!ativo de la batera cede
electrones libres a los $tomos trivalentes
de la zona p. Aecordemos que estos
$tomos slo tienen & electrones de
valencia# con lo que una vez que an
formado los enlaces covalentes con los
$tomos de silicio# tienen solamente 7
electrones de valencia# siendo el electrn
que falta el denominado hueco. El caso es
que cuando los electrones libres cedidos
por la batera entran en la zona p# caen
dentro de estos uecos con lo que los
$tomos trivalentes adquieren estabilidad
*9 electrones en su orbital de valencia. y
una car!a elctrica neta de 2(#
convirtindose as en iones ne!ativos.
Este proceso se repite una y otra vez
asta que la zona de car!a espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que
la batera.
Curva Caracteristica de un
;iodo
Tensin umbral de codo o de !artida *,
B
..
La tensin umbral *tambin llamada barrera de potencial. de polarizacin directa coincide en
valor con la tensin de la zona de car!a espacial del diodo no polarizado. -l polarizar
directamente el diodo# la barrera de potencial inicial se va reduciendo# incrementando la
corriente li!eramente# alrededor del (C de la nominal. Sin embar!o# cuando la tensin e=terna
supera la tensin umbral# la barrera de potencial desaparece# de forma que para pequeos
incrementos de tensin se producen !randes variaciones de la intensidad de corriente.

Corriente m"#ima *+
ma=
..
Es la intensidad de corriente m$=ima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto
Doule. ;ado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo# depende sobre
todo del diseo del mismo.
Corriente inversa de saturacin *+
s
..
Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de
pares electrn2ueco debido a la temperatura# admitindose que se duplica por cada incremento
de (EF en la temperatura.
Corriente su!er$icial de $u%as.
Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo *ver polarizacin inversa.# esta
corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo# con lo que al aumentar la tensin# aumenta
la corriente superficial de fu!as.
Tensin de ru!tura *,
r
..
Es la tensin inversa m$=ima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalanca.
Gericamente# al polarizar inversamente el diodo# este conducir$ la corriente inversa de
saturacin; en la realidad# a partir de un determinado valor de la tensin# en el diodo normal o de
unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalanca; no obstante ay otro tipo de diodos# como
los Hener# en los que la ruptura puede deberse a dos efectos1
Corriente su!er$icial de $u%as.
Es la pequea corriente que circula por la
superficie del diodo *ver polarizacin
inversa.# esta corriente es funcin de la
tensin aplicada al diodo# con lo que al
aumentar la tensin# aumenta la corriente
superficial de fu!as.

Tensin de ru!tura *,
r
..
Es la tensin inversa m$=ima que el diodo
puede soportar antes de darse el efecto
avalanca.
Gericamente# al polarizar inversamente el
diodo# este conducir$ la corriente inversa
de saturacin; en la realidad# a partir de un
determinado valor de la tensin# en el
diodo normal o de unin abrupta la ruptura
se debe al efecto avalanca; no obstante
ay otro tipo de diodos# como los Hener#
en los que la ruptura puede deberse a dos
efectos1
E$ecto avalanc&a *diodos poco dopados..
En polarizacin inversa se !eneran pares
electrn2ueco que provocan la corriente
inversa de saturacin; si la tensin inversa
es elevada los electrones se aceleran
incrementando su ener!a cintica de
forma que al cocar con electrones de
valencia pueden provocar su salto a la
banda de conduccin. Estos electrones
liberados# a su vez# se aceleran por efecto
de la tensin# cocando con m$s
electrones de valencia y liber$ndolos a su
vez. El resultado es una avalancha de
electrones que provoca una corriente
!rande. Este fenmeno se produce para
valores de la tensin superiores a 8 ,.
E$ecto 'ener *diodos muy dopados..
Cuanto m$s dopado est$ el material#
menor es la ancura de la zona de car!a.
>uesto que el campo elctrico E puede
e=presarse como cociente de la tensin ,
entre la distancia d; cuando el diodo est
muy dopado# y por tanto d sea pequeo#
el campo elctrico ser$ !rande# del orden
de &I(E
3
,Jcm. En estas condiciones# el
propio campo puede ser capaz de
arrancar electrones de valencia
increment$ndose la corriente. Este efecto
se produce para tensiones de ) , o
menores.
>ara tensiones inversas entre ) y 8 , la
ruptura de estos diodos especiales# como
los Hener# se puede producir por ambos
efectos
Modelos matem"ticos

El modelo matem$tico m$s empleado es

el de S&oc(le) *en onor a Killiam
Lradford SocMley. que permite apro=imar
el comportamiento del diodo en la mayora
de las aplicaciones. La ecuacin que li!a
la intensidad de corriente y la diferencia
de potencial es1

;onde1

I es la intensidad de la corriente que

atraviesa el diodo
V
D
es la diferencia de tensin entre sus
e=tremos.
I
S
es la corriente de saturacin
*apro=imadamente .

n es el coeficiente de emisin#
dependiente del proceso de fabricacin
del diodo y que suele adoptar valores
entre ( *para el !ermanio. y del orden de
' *para el silicio..
El ,olta0e trmico V
T
es apro=imadamente
'3.93m, en &EEN# una temperatura
cercana a la temperatura ambiente# muy
usada en los pro!ramas de simulacin de
circuitos. >ara cada temperatura e=iste
una constante conocida definida por1

;onde M es la constante de Loltzmann# T

es la temperatura absoluta de la unin pn#
y q es la ma!nitud de la car!a de un
electrn *la car!a elemental..

La ecuacin de diodo ideal de Schockley

o la ley de diodo se deriva de asumir que
solo los procesos que le dan corriente al
diodo son por el flu0o *debido al campo
elctrico.# difusin# y la recombinacin
trmica. Gambin asume que la corriente
de recombinacin en la re!in de
a!otamiento es insi!nificante. Esto
si!nifica que la ecuacin de ScocMley no
tiene en cuenta los procesos relacionados
con la re!in de ruptura e induccin por
fotones. -dicionalmente# no describe la
estabilizacin de la curva +2, en
polarizacin activa debido a la resistencia
interna.

La0o volta0es ne!ativos# la e=ponencial en

la ecuacin del diodo es insi!nificante. y la
corriente es una constante ne!ativa del
valor de +
s
. La re!in de ruptura no esta
modelada en la ecuacin de diodo de
ScocMley.

>ara volta0es pequeos en la re!in de

polarizacin directa# se puede eliminar el
( de la ecuacin# quedando como
resultado1

Con ob0eto de evitar el uso de

e=ponenciales# en ocasiones se emplean
modelos m$s simples a%n# que modelan
las zonas de funcionamiento del diodo por
tramos rectos; son los llamados modelos
de continua o de Ram*se+al. El m$s
simple de todos es el diodo ideal.
Gipos de Aesistencias

Convencionalmente# se an dividido los

componentes electrnicos en dos !randes
!rupos1 componentes activos y
componentes pasivos# dependiendo de si
ste introduce ener!a adicional al circuito
del cual forma parte. Componentes
pasivos son las resistencias#
condensadores# bobinas# y activos son los
transistores# v$lvulas termoinicas# diodos
y otros semiconductores.
;e ilo bobinado *OireOound.
Carbn prensado *carbon composition.
>elcula de carbn *carbon film.
>elcula =ido met$lico *metal o=ide film.
>elcula met$lica *metal film.
Petal vidriado *metal !laze.
>or su modo de funcionamiento# podemos
distin!uir1
;ependientes de la temperatura *>GC y
?GC.
Aesistencias variables# potencimetros y
reostatos
Resistencias de &ilo bobinado,* 4ueron
de los primeros tipos en fabricarse# y a%n
se utilizan cuando se requieren potencias
al!o elevadas de disipacin. Est$n
constituidas por un ilo conductor
bobinado en forma de lice o espiral *a
modo de rosca de tornillo. sobre un
sustrato cer$mico.