UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA

FIBRAS OPTICAS Y RAYOS LASER

SEPARATA EMISORES Y DETECTORES OPTICOS
Fecha Expositor : : Diciembre 2007 Ing. Martin Gamarra - UNAC

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AGENDA

Introduccion Emisores Opticos

1) Diodo Emisor de Luz 2) LASER

Detectores Opticos
1) PIN 2) APD

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INTRODUCCION

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Para poder transmitir seales luminosas a travs de fibras pticas se requiere de un elemento emisor que convierta las seales elctricas en pticas (E/O) y otro elemento receptor en el extremo final que convierta las seales pticas en elctricas nuevamente (O/E).

La tecnologa de los semiconductores posibilit construir emisores y detectores opticos de pequeas dimensiones y a bajos costos.

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CARACTERISTICAS
1. Las fuentes opticas deben emitir luz a la misma longitud de onda () que corresponda a la ventana de trabajo de la fibra ptica 2. La emisin de luz debe ser en el menor nmero de modos posible; preferiblemente uno slo. 3. Los emisores y receptores deben tener unos tiempos largos de vida til, superiores a 107 horas. 4. Los emisores y receptores deben tener posibilidad de transmisin analgica y digital. 5. Los detectores deben tener una sensibilidad muy alta.

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EMISORES OPTICOS

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CARACTERISTICAS
Son dispositivos opto-electronicos encargados de generar seales luminosas a partir de la seal electrica recibida. Los conversores electro-pticos se fabrican en base a la combinacin de los siguientes elementos: El Indio (In), Glio (Ga), el Germanio (Ge), el Silcio (Si), el Arsnico (As), el Fsforo (P), que han demostrado ser los ms aptos para la fabricacin de stos dispositivos. Existen dos opciones de fuentes semiconductoras para ser utilizadas en fibras pticas como emisores de luz. LED (Light Emiter Diode). LASER (Light Amplification by Simulated Emission of Radiation) o lo que significa: (Amplificacin de luz por emisin estimulada de radiacin)

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LED (Light Emiter Diode) Es un diodo de material semiconductor, que forma una unin P-N de las mismas caractersticas que un diodo convencional de germanio o silicio. Es una fuente de luz no-coherente que al ser polarizada directamente da origen a la emision espontanea de radiacion. Debido a la gran dispersin de luz y a la distribucin espectral tan amplia que presenta un diodo LED, ste es usado slo cuando se requiere realizar transmisiones a distancias cortas y con poca salida de potencia. Son relativamente baratos y poseen un tiempo de vida til muy largo (107 horas).

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LED (Diodo Emisor de Luz)

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA Nuevos Dispositivos LED
Para aplicaciones prcticas en telecomunicaciones y por razones de velocidad y capacidad de transmisin, se desarrollaron los siguientes tipos de LED: - SLED (LED de emisin superficial). Este diodo emite la luz en muchas direcciones, pero segn la forma fsica de la unin, puede concentrarse en un rea muy pequea denominada pozo. La radiacion emitida se encuentra en un plano perpendicular al de la union.

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SLED (Tipo BURRUS)

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- ELED (Led de Borde) Este diodo posee una estructura geometrica en franjas. Emite un patrn de luz en forma elptica, ms direccional que el emitido por los diodos de emisin superficial. Su radiacion emitida se encuentra en el mismo plano de la union.

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LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)

El LASER es bsicamente un diodo semiconductor que cuando se polariza directamente emite: - Luz coherente, - Monocromtica, - Estrecho ancho espectral, de 5 mm a menos. Esta luz debido a su espectro tan estrecho, no se dispersa tanto como la luz producida por diodo LED, por lo que se puede emplear eficientemente para transmisiones a mucha distancia y a frecuencias superiores a los 300 Mhz.

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LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)

Consta bsicamente de una estructura (p - n) y contactos metlicos. Inicialmente se fabric de GaAs, luego pas a ser fabricado de GaAIas, logrando as emisiones en la franja de 800 a 900 nm, que es donde est la primera ventana de transmisin de las fibras pticas.

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Parametros a ser considerados: - Longitud de Onda de Emision.

- Ancho Espectral. - Potencia de Emision Optica. - Linealidad. - Ancho de Banda o Velocidad de Modulacion. - Corriente Umbral. - Estabilidad de Temperatura. - Confiabilidad (Tiempo de vida util).

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DETECTORES OPTICOS

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DETECTORES OPTICOS
Su funcion es convertir la seal optica en seal electrica, luego esta sera amplificada para finalmente ser procesada. Los dispositivos de deteccion optica utilizados para el rango entre 800 y 1600 nm. Son los fotodiodos PIN y los fotodiodos de avalancha APD. Son dispositivos hechos de materiales semiconductores: Silicio (Alta sensitividad en el rango de longitudes de onda entre 0.8 y 0.9 um), Germanio y mezclas de compuestos del Grupo III y V de la tabla periodica (longitudes de onda entre 1.1 y 1.6 um).

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Fotodiodos:
Los fotodiodos son diodos semiconductores que operan polarizados inversamente. Durante la absorcin de la luz, cuando un fotodiodo es iluminado, las partculas de energa luminosa (fotones), son absorbidas generando pares electrn - hueco, que en presencia de un campo elctrico producen una corriente elctrica. Estos dispositivos son muy rpidos, de alta sensibilidad y pequeas dimensiones. La corriente elctrica generada por ellos es del orden de los nanoamperios (10-9 A) y por lo tanto se requiere de una amplificacin para manipular adecuadamente la seal. Los fotodiodos utilizados actualmente son: - PIN (Positivo - Intrnseco Negativo) - APD (Fotodiodo de Avalancha)

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PIN (Positivo Intrinsico Negativo) Utilizado como detector de luz en los sistemas de comunicaciones por fibra ptica. Este fotodiodo est conformado por una capa intrnseca, casi pura, de material semiconductor, introducida entre la unin de dos capas de materiales semiconductores tipo n y p.

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PIN (Positivo Intrinsico Negativo) La luz entra al diodo por una ventana muy pequea y es absorbida por el material intrnseco, el cual agrega la energa suficiente para lograr que los electrones se muevan de la banda de valencia la banda de conduccin y se generen portadores de carga elctrica que permiten que una corriente fluya a travs del diodo. Los elementos ms utilizados en la fabricacin de este tipo de detectores son el Germanio y ltimamente se utiliza el GaAs, GalnAs, InP, con resultados muy buenos. Estos dispositivos requieren bajas tensiones para su funcionamiento, pero deben utilizar buenos amplificadores. Presentan tiempos de vida relativamente altos, que podran reducirse nicamente por factores externos. Son indicados para el uso en la segunda y tercera ventana de transmisin (1.300 y 1.550 nm).

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APD (Fotodiodo de Avalancha) Los fotodiodos de avalancha tienen una estructura de materiales semiconductores, ordenados en forma p-i-p-n.

Estos dispositivos son 10 veces ms sensibles que los diodos PIN y requieren de menos amplificacin adicional. Poseen tiempo de transicin mas largos.

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Caractersticas comparativas entre los diodos PIN Y APD Costo: Los diodos APD son ms complejos y por ende ms caros Tiempo de Vida: Los diodos PIN presentan tiempos de vida til superiores Temperatura Los diodos APD son ms sensibles a las variaciones de temperatura Velocidad Los diodos APD poseen velocidades de respuesta mayores, por lo tanto permiten la transmisin de mayores tasas de informacin. Circuitos de polarizacin: Los diodos PIN requieren circuitos de polarizacin ms simples, pues trabajan a menores tensiones .